JPS5984520A - 現像液 - Google Patents
現像液Info
- Publication number
- JPS5984520A JPS5984520A JP19474482A JP19474482A JPS5984520A JP S5984520 A JPS5984520 A JP S5984520A JP 19474482 A JP19474482 A JP 19474482A JP 19474482 A JP19474482 A JP 19474482A JP S5984520 A JPS5984520 A JP S5984520A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- development
- developer
- ethylcellosolve
- spraying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、脣に電子様レジストとして好適なポリスチレ
ン誘導体の現像液に関するものである。
ン誘導体の現像液に関するものである。
塩累化メチルポリスチレン（以下、ＯＭＢと路下）は耐
プラズマエッチ性ｔもつ電子軸ネガレジストである。こ
のレジストは、アセトンおるいはメチルエチルケトンと
イングロビルアルコール（工ＰＡと路下）の混合液で現
像し、次にＩＰＡでリンスするプロセスが知られている
。
プラズマエッチ性ｔもつ電子軸ネガレジストである。こ
のレジストは、アセトンおるいはメチルエチルケトンと
イングロビルアルコール（工ＰＡと路下）の混合液で現
像し、次にＩＰＡでリンスするプロセスが知られている
。
しかしスプレー法で現像下ｎは、混合液中のケトンの蒸
発が激しく、現像液中の非溶媒（工ＰＡ）濃度が増加す
るため、現像の再机性が劣ジ、また現像後のレジスト図
形の厚さに不拘−【生ずるなど、“現像むら′ができる
。
発が激しく、現像液中の非溶媒（工ＰＡ）濃度が増加す
るため、現像の再机性が劣ジ、また現像後のレジスト図
形の厚さに不拘−【生ずるなど、“現像むら′ができる
。
本発明は、こうした欠点會解消丁べく、エチルセロソル
ブとポリスチレン誘導体レジストの良溶媒との混合物？
！−現像液とすることｔ特徴とするものである。
ブとポリスチレン誘導体レジストの良溶媒との混合物？
！−現像液とすることｔ特徴とするものである。
本発明の望ましい実施頭体によれは、次の３液で順次、
現像、第１リンス、第２リンスする。
現像、第１リンス、第２リンスする。
ｉ） 良溶媒とエチルセロソルブの１７１−Ｌ／１０（
容量化）混合液でスプレー現像っ１１） エチルセロ
ソルブでスプレーリンス。
容量化）混合液でスプレー現像っ１１） エチルセロ
ソルブでスプレーリンス。
ｉｉｉ ） 工ＰＡで第２リンス。
この発明の通用ＶＣより、現像後のレジスト図形（露光
部）の変形が少ないので、図形精度が向上し、解像力の
限界寸法を引き下げることができ、１μｍ以下の線が解
像できる。
部）の変形が少ないので、図形精度が向上し、解像力の
限界寸法を引き下げることができ、１μｍ以下の線が解
像できる。
上記の良溶媒として、メチルイソブチルケトン、シクロ
ヘキサノン、ジオキサン等の低蒸傾圧のケトン又はエー
テルが使用できる。そｔ’Ｌぞれの溶媒は次の沸点奮も
つ。
ヘキサノン、ジオキサン等の低蒸傾圧のケトン又はエー
テルが使用できる。そｔ’Ｌぞれの溶媒は次の沸点奮も
つ。
本発明にＪ： １１．ば、解稼力改善の理由として次の
４項が上けらｎる。（１）現像液中の溶媒の蒸気圧が低
く、接近してｈるので、スプレーさｎた現像液のｍｉ成
は、スプレー前と変らないため、現像の再現性が浸れて
いる。（２ンリンス液のエチルセロソルブは完全な非溶
媒でないから、これだけでも現像できるが、長時間の現
像七要し、レジスト図形ケ変形させる。
４項が上けらｎる。（１）現像液中の溶媒の蒸気圧が低
く、接近してｈるので、スプレーさｎた現像液のｍｉ成
は、スプレー前と変らないため、現像の再現性が浸れて
いる。（２ンリンス液のエチルセロソルブは完全な非溶
媒でないから、これだけでも現像できるが、長時間の現
像七要し、レジスト図形ケ変形させる。
そこで、エチルセロソルブに良溶媒を少セ（特に数分の
１容）混合し、現像速度忙増加させて、現像時のレジス
ト図形の変形【なくしている。（３）リンス液に非溶媒
でないエチルセロソルブケ用いるので、膨１１″１′、
ｌ＋、たレジストｔ１ゆつくシと収縮づせるので、急激
な収縮にｊｔ）起こるレジスト図形の変形がない。（４
）現像液中の良溶媒、６度が低くすると、現像中のレジ
スト図形は膨潤が少なり０次に、本発明の実施列を祝明
テる。
１容）混合し、現像速度忙増加させて、現像時のレジス
ト図形の変形【なくしている。（３）リンス液に非溶媒
でないエチルセロソルブケ用いるので、膨１１″１′、
ｌ＋、たレジストｔ１ゆつくシと収縮づせるので、急激
な収縮にｊｔ）起こるレジスト図形の変形がない。（４
）現像液中の良溶媒、６度が低くすると、現像中のレジ
スト図形は膨潤が少なり０次に、本発明の実施列を祝明
テる。
実施例
数平均分子量が１１万の遠素化メチルポリスチレン七、
クロムマスクブランク上に０．５μｍｌｉさに塗布し、
１２０℃の窒素昼囲気中で２５分間熱処理する。次に、
電子線露光装置ケ用り、ｑ、ｌＱ［Ｖ加速の電子ビーム
ｒ用い、ＪＫ４ｉｆｉｔ１マイクロクーロン／ ｃｎｔ
”ｔ’図形を描く。
クロムマスクブランク上に０．５μｍｌｉさに塗布し、
１２０℃の窒素昼囲気中で２５分間熱処理する。次に、
電子線露光装置ケ用り、ｑ、ｌＱ［Ｖ加速の電子ビーム
ｒ用い、ＪＫ４ｉｆｉｔ１マイクロクーロン／ ｃｎｔ
”ｔ’図形を描く。
このＷ、１１！は、シクロヘキサノンとエチルセロソル
ブの１：５の容賃比混合液？用い、スプレー現像機ｒ用
論で５０秒スプレー現像し、次にエチルセロソルブで２
０秒スプレーリンス、面画にイングロビルアルコールで
２０秒スプレー）’スｋｍ加する。
ブの１：５の容賃比混合液？用い、スプレー現像機ｒ用
論で５０秒スプレー現像し、次にエチルセロソルブで２
０秒スプレーリンス、面画にイングロビルアルコールで
２０秒スプレー）’スｋｍ加する。
現像、リンス終了後、窒素勿吸イ」け、１Ｕ秒ｚｏｏ。
回転以上の回転速度で回転乾燥する。次に、１４０℃で
３０分間ボストベーク後、酸素ｒ営むガスにグロー放電
してできるプラズマ中で数分間処理して、レジスト図形
筒辺にできるヒゲ状の不要物？除いてから硝酸第２セリ
ウムアンモニウＪ・水溶液でクロムをエツチングする。
３０分間ボストベーク後、酸素ｒ営むガスにグロー放電
してできるプラズマ中で数分間処理して、レジスト図形
筒辺にできるヒゲ状の不要物？除いてから硝酸第２セリ
ウムアンモニウＪ・水溶液でクロムをエツチングする。
エツチング終了後、水洗し、１回転乾燥する。そして＆
候に、傭酸と過酸化７に素の混合液に浸して、不要にな
ったレジスＮＬ”ｋ化して除去する。
候に、傭酸と過酸化７に素の混合液に浸して、不要にな
ったレジスＮＬ”ｋ化して除去する。
こ＼で、酸素プラズマ処理は、円筒型の反応室紫もつプ
ラズマ灰化装置等を用すて行なう。
ラズマ灰化装置等を用すて行なう。
夷ｌりｌＩ５＋０２
夷Ｍｐ ｌ＋ｌＪ ｌとＩＯＪ １ｍにして、クロムマ
スクブランク上にｉ；＠Ｘ化メチルポリスチレンｒ塗布
したものに電子ヒームお用イ図形に描画する。
スクブランク上にｉ；＠Ｘ化メチルポリスチレンｒ塗布
したものに電子ヒームお用イ図形に描画する。
現像はスプレー現像機金用込、メチルイソブチルケトン
とエチルセロソルブの１：４の芥逝比の混合液で４０秒
間スプレー現像し、次に実励列１と同様にして、第１に
エチルセロソルブ、襖２にイングロビルアルコールでス
プレーリンスする。
とエチルセロソルブの１：４の芥逝比の混合液で４０秒
間スプレー現像し、次に実励列１と同様にして、第１に
エチルセロソルブ、襖２にイングロビルアルコールでス
プレーリンスする。
以下の乾燥−ボストベーク−酸素プラズマ処理−クロム
エツチングおよびレジスト剥離は実施ｆ＋１１１と同様
に行な−１クロムマスクに、する。
エツチングおよびレジスト剥離は実施ｆ＋１１１と同様
に行な−１クロムマスクに、する。
実施例
シリコンウェーハ上に、周知の技術に裏って、半導体素
子お工ひこｔｉｔ−４Ｎｔ５絶縁膜孕形成する。
子お工ひこｔｉｔ−４Ｎｔ５絶縁膜孕形成する。
この後、アルミニウム配線を流下ために、この絶縁膜の
必要箇所に電極孔葡めけてから、全体にアルミニウム勿
蒸着する。ここで、塩素化メチルポリスチレンを用いて
アルミニウム導体図形を形成する。
必要箇所に電極孔葡めけてから、全体にアルミニウム勿
蒸着する。ここで、塩素化メチルポリスチレンを用いて
アルミニウム導体図形を形成する。
数平均分子量４万の塩素化メチルポリスチレンからなる
レジストｔウェーハ上に８００ ｎｍの卸さに塗布し、
１３０℃に保った望素ガ囲気で２５分間プレベークする
。これに２０ＫＶの加速？した電子線で５．５マイクロ
クローン／Ｃ−の照射型で描画し、ジオキサンとエチル
セロソルブの１＝５谷堡比の混合液で６０秒間スプレー
現像し、エチルセロソルブで第１リンス、イソプロピル
アルコールで絹２リンスする。回転乾燥後、啼禦會含む
；））ｘ中Ｔ／口 ）ｊｌ電させたプラズマ中に２〜３
分間さらして、スカム除去を行なった後、４塩化炭素と
酸素の混合分囲気中でアルミニウムのプラズマエッチ金
行なう。
レジストｔウェーハ上に８００ ｎｍの卸さに塗布し、
１３０℃に保った望素ガ囲気で２５分間プレベークする
。これに２０ＫＶの加速？した電子線で５．５マイクロ
クローン／Ｃ−の照射型で描画し、ジオキサンとエチル
セロソルブの１＝５谷堡比の混合液で６０秒間スプレー
現像し、エチルセロソルブで第１リンス、イソプロピル
アルコールで絹２リンスする。回転乾燥後、啼禦會含む
；））ｘ中Ｔ／口 ）ｊｌ電させたプラズマ中に２〜３
分間さらして、スカム除去を行なった後、４塩化炭素と
酸素の混合分囲気中でアルミニウムのプラズマエッチ金
行なう。
最後にエツチング＃−Ｔ後、硫酸と過酸化水素の混合液
で；ｉ’−９になったレジストに酸化して除去する。
で；ｉ’−９になったレジストに酸化して除去する。
」−記の各レリにおかて、エチルセロソルブに対するこ
のレジストの溶解速度は遅りので、艮溶媒磯戚が低くけ
扛は、現像時間が長くなり過ぎ、レジストの変形が助長
され、ｌ’ｃ現像残査が快こシ易いｎ悪に、良溶媒濃度
が＾過ぎれは、短時間に現１家できるか、レジスト図形
（露光部）の膨潤が大きくなり、リンス、乾燥後にその
変形が目立つ。
のレジストの溶解速度は遅りので、艮溶媒磯戚が低くけ
扛は、現像時間が長くなり過ぎ、レジストの変形が助長
され、ｌ’ｃ現像残査が快こシ易いｎ悪に、良溶媒濃度
が＾過ぎれは、短時間に現１家できるか、レジスト図形
（露光部）の膨潤が大きくなり、リンス、乾燥後にその
変形が目立つ。
従って、良溶媒：エチルセロソルブの混合比は１：２〜
１：ＩＯ程度とするのがよく、その最適比は良溶媒の溶
解特性によって変ってくる。
１：ＩＯ程度とするのがよく、その最適比は良溶媒の溶
解特性によって変ってくる。
本発明は、上記の亀子線描画マスクの製造ｒはじめ、表
面弾性波デバイス、バブルメモリ等の電子線直接描画に
よる製作、およびシリコンウェーハ上に直接に工０のパ
ターンを電子線で描画する際に通用できる。
面弾性波デバイス、バブルメモリ等の電子線直接描画に
よる製作、およびシリコンウェーハ上に直接に工０のパ
ターンを電子線で描画する際に通用できる。
１だポリスチレン糸のネガレジストは、露光に電子機以
外に遠紫外線お工ひＸ線が使用できるので、このレジス
トを遠紫外、およびＸ線レジストに用いた場合の現像プ
ロセスにも通用できる。
外に遠紫外線お工ひＸ線が使用できるので、このレジス
トを遠紫外、およびＸ線レジストに用いた場合の現像プ
ロセスにも通用できる。
代理人 弁理士 薄 １）利 辛
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ポリスチレン誘導体からなるレジストの現像液であ
って、エチルセロソルブと前記レジストの良溶媒との混
合物からなることを特徴とする現像液。 ２、 レジストの良溶媒がメチルインブチルケトン、シ
クロヘキサノン、ジオキサン尋の低蒸気圧のケトン又は
エーテルである、特許請求の軸回の第１埴１ｃｉｉピ載
した現ｉ＊ｉ。 ３、 レジストの良溶媒とエチルセロソルブトノ混合比
’ｉＸ ｕ 量比でｔ：ｔ Ｓ−ｉ：ｉｏの範囲とする
、特許請求の範囲の第１項又は第２項ＶｃＨピ載した現
像液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19474482A JPS5984520A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 現像液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19474482A JPS5984520A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 現像液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984520A true JPS5984520A (ja) | 1984-05-16 |
Family
ID=16329501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19474482A Pending JPS5984520A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 現像液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984520A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2544719A (en) * | 2015-10-15 | 2017-05-31 | Fairclough Wichers Max | An improved configuration for spectacle counterbalance |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58143343A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 現像溶媒 |
-
1982
- 1982-11-08 JP JP19474482A patent/JPS5984520A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58143343A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 現像溶媒 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2544719A (en) * | 2015-10-15 | 2017-05-31 | Fairclough Wichers Max | An improved configuration for spectacle counterbalance |
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