JPH02264491A - 分布帰還型半導体レーザの製造方法 - Google Patents
分布帰還型半導体レーザの製造方法Info
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- JPH02264491A JPH02264491A JP1086014A JP8601489A JPH02264491A JP H02264491 A JPH02264491 A JP H02264491A JP 1086014 A JP1086014 A JP 1086014A JP 8601489 A JP8601489 A JP 8601489A JP H02264491 A JPH02264491 A JP H02264491A
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- diffraction grating
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- semiconductor laser
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は利得結合型の分布帰還型半導体レーザの製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
第２図は例えば特開昭６２−１７３７８６号公報に示さ
れた従来の利得結合型の分布帰還型半導体レーザの断面
図、第３図（ａ）〜（ｃ）は第２図の半導体レーザの製
造方法の工程を示す断面図である。図において、（至）
はｎ型ＩｎＰ基板％（２）はｎ型ＩｎＰクラッド層、（
至）はＰ型１ｎＧａＡｓＰ吸収層、（財）はｎ型１ｎＰ
クラッド層（イ）及びＰ型１ｎＧａＡｓＰ吸収層（至）
上に形成した回折格子、（ハ）はｎ型１ｎＧａＡｓＰガ
イド層、（至）はＩｎＧａＡｓＰ 活性層、鋤はＰ型１
ｎＰクラッド層、（至）はｎ電極、（２）はＰｗ！極で
ある。
れた従来の利得結合型の分布帰還型半導体レーザの断面
図、第３図（ａ）〜（ｃ）は第２図の半導体レーザの製
造方法の工程を示す断面図である。図において、（至）
はｎ型ＩｎＰ基板％（２）はｎ型ＩｎＰクラッド層、（
至）はＰ型１ｎＧａＡｓＰ吸収層、（財）はｎ型１ｎＰ
クラッド層（イ）及びＰ型１ｎＧａＡｓＰ吸収層（至）
上に形成した回折格子、（ハ）はｎ型１ｎＧａＡｓＰガ
イド層、（至）はＩｎＧａＡｓＰ 活性層、鋤はＰ型１
ｎＰクラッド層、（至）はｎ電極、（２）はＰｗ！極で
ある。
次に、この半導体レーザの製造方法について説明する。
まず、第３図（ａ）に示すように、ｎ型１ｎＰ基板（至
）の上にｎ型１ｎＰ ｓクラッド層＠、Ｐ型１ｎＧａＡ
ｓＰ吸収層（２）を順次形成する。次に８１３図（ｂ）
に示すように、Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層（２）を貫き
、ｎ型１ｎＰクラッド層（２）に到達する回折格子（財
）を形成する。次に第３図（ｃ）に示すように、回折格
子（至）上にｎ型ＩｎＧａＡｓＰ ガイド層＠ ｓ Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層ｆｉ、 Ｐ型１ｎＰクラフト層翰を
順次成長する。そして、最後にｎ電極（至）及びＰ ｆ
ｆ！６１を形成すれば半導体レーザが完成する。
）の上にｎ型１ｎＰ ｓクラッド層＠、Ｐ型１ｎＧａＡ
ｓＰ吸収層（２）を順次形成する。次に８１３図（ｂ）
に示すように、Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層（２）を貫き
、ｎ型１ｎＰクラッド層（２）に到達する回折格子（財
）を形成する。次に第３図（ｃ）に示すように、回折格
子（至）上にｎ型ＩｎＧａＡｓＰ ガイド層＠ ｓ Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層ｆｉ、 Ｐ型１ｎＰクラフト層翰を
順次成長する。そして、最後にｎ電極（至）及びＰ ｆ
ｆ！６１を形成すれば半導体レーザが完成する。
従来の利得結合型の分布帰還型半導体レーザの製造方法
は以上のように行われているので、Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ
吸収Ｓ（至）の大きさが、回折格子（ハ）の深さで変わ
るため制御が難しく、結合定数や効率がばらついてしま
うという問題があった。
は以上のように行われているので、Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ
吸収Ｓ（至）の大きさが、回折格子（ハ）の深さで変わ
るため制御が難しく、結合定数や効率がばらついてしま
うという問題があった。
この発明は、上記の様な問題を解消するためになされた
もので、特性の安定した利得結合型の分布帰還型半導体
レーザの製造方法を得ることを目的とする。
もので、特性の安定した利得結合型の分布帰還型半導体
レーザの製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザの製造方法は、第１導電型
の半導体基板上に回折格子を形成する工程と、上記回折
格子を熱変形する工程と、上記回折格子表面の原子ステ
ップ部分に活性層を形成する工程と、上記活性層上に第
２導電型の半導体層を形成する工程とを含むものである
。
の半導体基板上に回折格子を形成する工程と、上記回折
格子を熱変形する工程と、上記回折格子表面の原子ステ
ップ部分に活性層を形成する工程と、上記活性層上に第
２導電型の半導体層を形成する工程とを含むものである
。
〔作用〕
この発明における半導体レーザの製造方法は、熱変形し
正弦波状になる回折格子表面の原子ステップ部分に活性
層を成長することにより、活性層の密な部分と疎な部分
が回折格子の半分の周期で形成されるため、回折格子の
周期が通常の倍になり、制御性が向上し特性が安定する
。
正弦波状になる回折格子表面の原子ステップ部分に活性
層を成長することにより、活性層の密な部分と疎な部分
が回折格子の半分の周期で形成されるため、回折格子の
周期が通常の倍になり、制御性が向上し特性が安定する
。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の半導体レーザの製造
方法の工程を示す断面図である。図において、（１）は
第１４Ｗ型の半導体基板、（２）は第１４１Ｉｔ型の半
導体基板（１）表面に形成した回折格子、（３）は熱変
形した回折格子、（４）は熱変形した回折格子（３）表
面の原子ステップに形成した活性層、（５）は活性層の
密な部分、（６）は活性層の疎な部分、（７）は第２導
電型の半導体層、（８）は第１導電型電極、（９）は第
２導笥型電極である。
方法の工程を示す断面図である。図において、（１）は
第１４Ｗ型の半導体基板、（２）は第１４１Ｉｔ型の半
導体基板（１）表面に形成した回折格子、（３）は熱変
形した回折格子、（４）は熱変形した回折格子（３）表
面の原子ステップに形成した活性層、（５）は活性層の
密な部分、（６）は活性層の疎な部分、（７）は第２導
電型の半導体層、（８）は第１導電型電極、（９）は第
２導笥型電極である。
次に製造方法について説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、第１導電型の半導体
基板（１）表面に回折格子（２１を形成する。次に、第
１図（ｂ）に示すように１回折格子（２１の形状をアニ
ールで正弦波状にする。次に第１図（Ｃ）に示すように
、熱変形した回折格子（３）の表面に、原子層エピタキ
シャル成長により活性層の密な部分（＋１）、及び活性
層の疎な部分（６）を形成する。このとき、第１図（ｄ
）に示すように、活性層（４）を回折格子（２１の原子
ステップ部分に形成し、周期的に活性層（４）の密度差
ができるように制御することが必要である。最後に、第
１図（ｅ）に示すように、活性層（４）上に第２導電型
の半導体層（７）を形成し、Ｍ１導市型Ｎ極（８）、第
２導電型電極（９）をそれぞれ形成する。
基板（１）表面に回折格子（２１を形成する。次に、第
１図（ｂ）に示すように１回折格子（２１の形状をアニ
ールで正弦波状にする。次に第１図（Ｃ）に示すように
、熱変形した回折格子（３）の表面に、原子層エピタキ
シャル成長により活性層の密な部分（＋１）、及び活性
層の疎な部分（６）を形成する。このとき、第１図（ｄ
）に示すように、活性層（４）を回折格子（２１の原子
ステップ部分に形成し、周期的に活性層（４）の密度差
ができるように制御することが必要である。最後に、第
１図（ｅ）に示すように、活性層（４）上に第２導電型
の半導体層（７）を形成し、Ｍ１導市型Ｎ極（８）、第
２導電型電極（９）をそれぞれ形成する。
すなわち、この発明によれば活性層（４）が熱変形した
回折格子（３）の半分の周期で密になる利得結合型の分
布帰還型半導体レーザが形成できる。
回折格子（３）の半分の周期で密になる利得結合型の分
布帰還型半導体レーザが形成できる。
この発明は以上説明したとおも、第１導電型の半導体基
板上に回折格子を形成する工程と、上記回折格子を変形
する工程と、上記回折格子表面の原子ステップ部分に活
性層を形成する工程と、上記活性層上に第２導彎型の半
導体層を形成する工程とを含むので、回折格子の周期が
倍になり制御性が向上し、特性が安定する半導体レーザ
が得られるという効果がある。
板上に回折格子を形成する工程と、上記回折格子を変形
する工程と、上記回折格子表面の原子ステップ部分に活
性層を形成する工程と、上記活性層上に第２導彎型の半
導体層を形成する工程とを含むので、回折格子の周期が
倍になり制御性が向上し、特性が安定する半導体レーザ
が得られるという効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の一実施例による半導
体レーザの製造方法の工程を示す断面図、第２図は従来
の半導体レーザの断面図、第３図（ａ）〜（ｃ）は第２
図の半導体レーザの製造方法の工程を示す断面図である
。。 図において、（１）は第１導彎型の半導体基板、（２）
は回折格子、（３）は熱変形した回折格子、（４）は宿
性層、（６）は活性層の密な部分、（６１は活性層の疎
な部分、（７）は第２導電型の半導体層、（８）は第１
導市型電極、（９）は第２導電型電極である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
体レーザの製造方法の工程を示す断面図、第２図は従来
の半導体レーザの断面図、第３図（ａ）〜（ｃ）は第２
図の半導体レーザの製造方法の工程を示す断面図である
。。 図において、（１）は第１導彎型の半導体基板、（２）
は回折格子、（３）は熱変形した回折格子、（４）は宿
性層、（６）は活性層の密な部分、（６１は活性層の疎
な部分、（７）は第２導電型の半導体層、（８）は第１
導市型電極、（９）は第２導電型電極である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 第１導電型の半導体基板上に回折格子を形成する工程と
、上記回折格子を熱変形する工程と、上記回折格子表面
に活性層を形成する工程と、上記活性層上に第２導電型
の半導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする分
布帰還型半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086014A JPH02264491A (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086014A JPH02264491A (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02264491A true JPH02264491A (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=13874822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1086014A Pending JPH02264491A (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02264491A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0809280A2 (en) * | 1996-05-22 | 1997-11-26 | Lucent Technologies Inc. | Method of making an InP-based device comprising semiconductor growth on a non-planar surface |
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
-
1989
- 1989-04-04 JP JP1086014A patent/JPH02264491A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0809280A2 (en) * | 1996-05-22 | 1997-11-26 | Lucent Technologies Inc. | Method of making an InP-based device comprising semiconductor growth on a non-planar surface |
| EP0809280A3 (en) * | 1996-05-22 | 2001-08-29 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corporation | Method of making an InP-based device comprising semiconductor growth on a non-planar surface |
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
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