JPH06164051A - 利得結合型ｄｆｂレーザおよびその製造方法 - Google Patents
利得結合型ｄｆｂレーザおよびその製造方法Info
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- JPH06164051A JPH06164051A JP31010392A JP31010392A JPH06164051A JP H06164051 A JPH06164051 A JP H06164051A JP 31010392 A JP31010392 A JP 31010392A JP 31010392 A JP31010392 A JP 31010392A JP H06164051 A JPH06164051 A JP H06164051A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造時に特性を決定するのに必要なパラメー
タを減らして特性の揃った単一モード発振利得結合型Ｄ
ＦＢレーザを高い歩留で製造可能にする。 【構成】 基板上に形成された活性層上にｎ型クラッド
層を形成し、該ｎ型クラッド層上に吸収損失係数が比較
的大きく且つ上記活性層が放出する光のエネルギーと同
一またはそれ以下のバンドギャップ・エネルギーをもっ
たｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層からなる第１の吸収領域を一定
の間隔を保って形成し、該第１の吸収領域を吸収損失係
数が比較的小さく且つ上記ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層と同一
組成をもったｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層からなる第２の吸収
領域で埋込むことにより、上記ｎ型クラッド層上に上記
第１の吸収領域と第２の吸収領域を周期的に配置したこ
とを特徴とする。
タを減らして特性の揃った単一モード発振利得結合型Ｄ
ＦＢレーザを高い歩留で製造可能にする。 【構成】 基板上に形成された活性層上にｎ型クラッド
層を形成し、該ｎ型クラッド層上に吸収損失係数が比較
的大きく且つ上記活性層が放出する光のエネルギーと同
一またはそれ以下のバンドギャップ・エネルギーをもっ
たｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層からなる第１の吸収領域を一定
の間隔を保って形成し、該第１の吸収領域を吸収損失係
数が比較的小さく且つ上記ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層と同一
組成をもったｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層からなる第２の吸収
領域で埋込むことにより、上記ｎ型クラッド層上に上記
第１の吸収領域と第２の吸収領域を周期的に配置したこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、利得結合型のＤＦＢ
（分布帰還型）レーザおよびその製造方法に関するもの
である。
（分布帰還型）レーザおよびその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の利得結合型ＤＦＢレーザの
一例の構造を示す図である。同図で、１１はｎ型ＧａＡ
ｓ基板、１２はｎ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ下クラッド
層、１３はｎ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓパターン供給層、
１４はｎ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓバッフア層、１５はＧ
ａＡｓ活性層、１６はｐ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ上クラ
ッド層、１７はｐ+ 型ＧａＡｓコンタクト層である。
一例の構造を示す図である。同図で、１１はｎ型ＧａＡ
ｓ基板、１２はｎ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ下クラッド
層、１３はｎ型Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓパターン供給層、
１４はｎ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓバッフア層、１５はＧ
ａＡｓ活性層、１６はｐ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ上クラ
ッド層、１７はｐ+ 型ＧａＡｓコンタクト層である。
【０００３】パターン供給層１３は活性層１５の厚さ変
化を生じさせるものである。バッフア層１４は活性層１
５の厚い部分では屈折率が大きくなり、薄い部分では屈
折率が小さくなって所謂屈折率結合型のＤＦＢレーザと
なるのを可及的に防止するために挿入されたもので、こ
のバッフア層１４の存在により、パターン供給層１３上
の凹凸が活性層１５にそのまゝの凹凸の深さで転写され
るのを防止している。活性層１５の厚さは周期的に変化
しており、この厚さの変化により、光を活性層１５内に
閉じ込める大きさ、所謂閉じ込め係数が周期的に変化
し、モード利得が周期的に変化することにより、このレ
ーザは利得結合型のＤＦＢレーザとして動作する。
化を生じさせるものである。バッフア層１４は活性層１
５の厚い部分では屈折率が大きくなり、薄い部分では屈
折率が小さくなって所謂屈折率結合型のＤＦＢレーザと
なるのを可及的に防止するために挿入されたもので、こ
のバッフア層１４の存在により、パターン供給層１３上
の凹凸が活性層１５にそのまゝの凹凸の深さで転写され
るのを防止している。活性層１５の厚さは周期的に変化
しており、この厚さの変化により、光を活性層１５内に
閉じ込める大きさ、所謂閉じ込め係数が周期的に変化
し、モード利得が周期的に変化することにより、このレ
ーザは利得結合型のＤＦＢレーザとして動作する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図３に示す従来の利得
結合型ＤＦＢレーザでは、特性を揃えるためには活性層
１５の厚さの変化量ｈ2 、活性層１５の最も薄い部分の
厚さｄ2 、パターン供給層１３の厚さ変化量ｈ1 、パタ
ーン供給層１３の最も薄い部分の厚さｄ1 の４つのパラ
メータを正確に制御しなければならなかった。また、パ
ターン供給層１３の表面形状を保存しつゝバッフア層１
４が成長するようにその成長速度を制御し、また活性層
１５はその上面がフラットになるようにその成長速度を
制御しなければならなかった。
結合型ＤＦＢレーザでは、特性を揃えるためには活性層
１５の厚さの変化量ｈ2 、活性層１５の最も薄い部分の
厚さｄ2 、パターン供給層１３の厚さ変化量ｈ1 、パタ
ーン供給層１３の最も薄い部分の厚さｄ1 の４つのパラ
メータを正確に制御しなければならなかった。また、パ
ターン供給層１３の表面形状を保存しつゝバッフア層１
４が成長するようにその成長速度を制御し、また活性層
１５はその上面がフラットになるようにその成長速度を
制御しなければならなかった。
【０００５】本発明は、ＤＦＢレーザのしきい値、微分
効率、単一モード発振歩留等の特性を揃えて、歩留を向
上させるのに必要な制御パラメータを減らすと共に、下
層の表面形状を保存したり、保存しなかったりする複雑
な制御を必要とする成長工程を除去して、特性の揃った
利得結合型ＤＦＢレーザを高い歩留で製造することを目
的とする。
効率、単一モード発振歩留等の特性を揃えて、歩留を向
上させるのに必要な制御パラメータを減らすと共に、下
層の表面形状を保存したり、保存しなかったりする複雑
な制御を必要とする成長工程を除去して、特性の揃った
利得結合型ＤＦＢレーザを高い歩留で製造することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の利得結合型ＤＦ
Ｂレーザは、活性層上にクラッド層を形成し、該クラッ
ド層上に吸収損失係数が比較的大きく且つ上記活性層が
放出する光のエネルギーと同一またはそれより小さいバ
ンドギャップ・エネルギーをもったｐ型ＩｎＧａＡｓＰ
層からなる第１の吸収領域を一定の間隔を保って形成
し、該第１の吸収領域を吸収損失係数が比較的小さく且
つ上記ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層と同一組成をもったｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層からなる第２の吸収領域で埋込んで構成
されている。
Ｂレーザは、活性層上にクラッド層を形成し、該クラッ
ド層上に吸収損失係数が比較的大きく且つ上記活性層が
放出する光のエネルギーと同一またはそれより小さいバ
ンドギャップ・エネルギーをもったｐ型ＩｎＧａＡｓＰ
層からなる第１の吸収領域を一定の間隔を保って形成
し、該第１の吸収領域を吸収損失係数が比較的小さく且
つ上記ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層と同一組成をもったｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層からなる第２の吸収領域で埋込んで構成
されている。
【０００７】
【作用】本発明の利得結合型ＤＦＢレーザでは、一定の
周期で交互に配置された吸収損失係数が比較的大きい第
１の吸収領域と吸収損失係数が比較的小さい第２の吸収
領域とによって決定される実質的な利得変化の周期によ
り帰還をかけるので、単一波長のレーザ光を放出する。
周期で交互に配置された吸収損失係数が比較的大きい第
１の吸収領域と吸収損失係数が比較的小さい第２の吸収
領域とによって決定される実質的な利得変化の周期によ
り帰還をかけるので、単一波長のレーザ光を放出する。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の利得結合型ＤＦＢレーザの一
実施例の主要部の構造を示す図である。同図において、
１は下クラッド層として作用するｐ型ＩｎＰ基板で、該
ＩｎＰ基板１上には、例えば１．３μｍの波長に相当す
るバンドギャップ・エネルギーをもったアンドープのバ
ルク型ＩｎＧａＡｓＰ活性層２が厚さｌ1 に形成されて
いる。ｌ1 は０．０８μm 乃至０．１８μm の範囲にあ
ることが望ましい。活性層２上にはｎ型ＩｎＰ第１上ク
ラッド層３が厚さｌ2 に形成されている。ｌ2 は０．１
８μm 乃至０．２８μm の範囲にあることが望ましい。
実施例の主要部の構造を示す図である。同図において、
１は下クラッド層として作用するｐ型ＩｎＰ基板で、該
ＩｎＰ基板１上には、例えば１．３μｍの波長に相当す
るバンドギャップ・エネルギーをもったアンドープのバ
ルク型ＩｎＧａＡｓＰ活性層２が厚さｌ1 に形成されて
いる。ｌ1 は０．０８μm 乃至０．１８μm の範囲にあ
ることが望ましい。活性層２上にはｎ型ＩｎＰ第１上ク
ラッド層３が厚さｌ2 に形成されている。ｌ2 は０．１
８μm 乃至０．２８μm の範囲にあることが望ましい。
【０００９】ＩｎＰ第１上クラッド層３上には、例えば
１．３μｍの波長に相当するｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層
４が一定の間隔、例えば０．１μm 乃至０．１２μm の
間隔で形成されている。ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層４の
厚さｌ3 は０．０２μm 乃至０．０６μm の範囲にある
ことが望ましい。ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層４はｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ吸収層５によって完全に埋込まれている。
ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層４は吸収損失係数が比較的大
きく、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層５は吸収損失係数が比
較的小さい。従って、活性層２上にはクラッド層を介し
て吸収損失係数が比較的大きい第１の吸収領域と吸収損
失係数が比較的小さい第２の吸収領域とが一定の周期で
交互に配置される。ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層４とｎ型
ＩｎＧａＡｓＰ吸収層５とは導電形式が異なるのみで、
その組成は同一である。
１．３μｍの波長に相当するｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層
４が一定の間隔、例えば０．１μm 乃至０．１２μm の
間隔で形成されている。ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層４の
厚さｌ3 は０．０２μm 乃至０．０６μm の範囲にある
ことが望ましい。ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層４はｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ吸収層５によって完全に埋込まれている。
ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層４は吸収損失係数が比較的大
きく、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層５は吸収損失係数が比
較的小さい。従って、活性層２上にはクラッド層を介し
て吸収損失係数が比較的大きい第１の吸収領域と吸収損
失係数が比較的小さい第２の吸収領域とが一定の周期で
交互に配置される。ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層４とｎ型
ＩｎＧａＡｓＰ吸収層５とは導電形式が異なるのみで、
その組成は同一である。
【００１０】ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層４とｎ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ吸収層５とからなる吸収層上にはｎ型ＩｎＰ第
１上クラッド層６が形成され、該第１上クラッド層６上
にはｎ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層７が形成されてい
る。
ａＡｓＰ吸収層５とからなる吸収層上にはｎ型ＩｎＰ第
１上クラッド層６が形成され、該第１上クラッド層６上
にはｎ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層７が形成されてい
る。
【００１１】上記のような構造をもった本発明の利得結
合型ＤＦＢレーザでは、前述のようにｐ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐ吸収層４は吸収損失係数が比較的大きく、ｎ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ吸収層５は吸収損失係数が比較的小さいので、
活性層２からしみ出した光は損失変化の周期、実効的に
は利得変化の周期によって帰還を受けることになり、所
謂利得結合型のＤＦＢレーザとして作用する。利得結合
型のＤＦＢレーザは本質的にその利得変化の周期に整合
した１つの波長の光に対してだけ帰還をかけて増幅する
ので、波長が例えば１．３μｍの単一波長のレーザ光だ
けが効率よく放出される。
合型ＤＦＢレーザでは、前述のようにｐ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐ吸収層４は吸収損失係数が比較的大きく、ｎ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ吸収層５は吸収損失係数が比較的小さいので、
活性層２からしみ出した光は損失変化の周期、実効的に
は利得変化の周期によって帰還を受けることになり、所
謂利得結合型のＤＦＢレーザとして作用する。利得結合
型のＤＦＢレーザは本質的にその利得変化の周期に整合
した１つの波長の光に対してだけ帰還をかけて増幅する
ので、波長が例えば１．３μｍの単一波長のレーザ光だ
けが効率よく放出される。
【００１２】ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層４とｎ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ吸収層５は導電形式が反対であることから厳密
に言えばその屈折率は異なる。しかし、これら両吸収層
の組成は同一であるので、屈折率の差は非常に小さく、
上述の利得結合の効果に比べれば屈折率結合の効果は無
視でき、屈折率結合が利得結合の働きを阻害するという
心配は全くない。
ａＡｓＰ吸収層５は導電形式が反対であることから厳密
に言えばその屈折率は異なる。しかし、これら両吸収層
の組成は同一であるので、屈折率の差は非常に小さく、
上述の利得結合の効果に比べれば屈折率結合の効果は無
視でき、屈折率結合が利得結合の働きを阻害するという
心配は全くない。
【００１３】次に図１に示す本発明の利得結合型ＤＦＢ
レーザの製造方法を図２を参照して説明する。先づ図２
（ａ）に示すように、下クラッド層として作用するｐ型
ＩｎＰ基板１上に例えばＭＯＣＶＤ法により波長１．３
μｍに相当するバンドギャップ・エネルギーをもつアン
ドープＩｎＧａＡｓＰ活性層２を厚さｌ1 となるように
形成する。前述のように、ｌ1 は０．０８μm 乃至０．
１８μm の範囲になるように各種の条件が設定される。
レーザの製造方法を図２を参照して説明する。先づ図２
（ａ）に示すように、下クラッド層として作用するｐ型
ＩｎＰ基板１上に例えばＭＯＣＶＤ法により波長１．３
μｍに相当するバンドギャップ・エネルギーをもつアン
ドープＩｎＧａＡｓＰ活性層２を厚さｌ1 となるように
形成する。前述のように、ｌ1 は０．０８μm 乃至０．
１８μm の範囲になるように各種の条件が設定される。
【００１４】次に活性層２上に例えばＭＯＣＶＤ法によ
りｎ型ＩｎＰ第１上クラッド層３を厚さｌ2 に形成し、
該第１上クラッド層３上に例えば１．３μｍの波長に相
当するバンドギャップ・エネルギーをもった厚さｌ3 の
ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層４１を例えばＭＯＣＶＤ法により
形成する。ｌ2 は０．１８μm 乃至０．２８μm 、ｌ3
は０．０２μm 乃至０．０６μm の範囲になるように各
種の条件が設定される。
りｎ型ＩｎＰ第１上クラッド層３を厚さｌ2 に形成し、
該第１上クラッド層３上に例えば１．３μｍの波長に相
当するバンドギャップ・エネルギーをもった厚さｌ3 の
ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層４１を例えばＭＯＣＶＤ法により
形成する。ｌ2 は０．１８μm 乃至０．２８μm 、ｌ3
は０．０２μm 乃至０．０６μm の範囲になるように各
種の条件が設定される。
【００１５】次に２光束干渉露光法とケミカルエッチン
グ法によりｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層４１の一部をマスクを
用いて等間隔に周期的に除去し、図２（ｂ）に示すよう
なｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層４を形成する。この場合、
エッチング液としてＩｎＧａＡｓＰ層４１をエッチング
することができるが、ＩｎＰ層３をエッチングしない選
択性エッチング液を使用することにより、ｐ型ＩｎＧａ
ＡｓＰ層４１の一部のみをエッチングして、ｎ型ＩｎＰ
第１上クラッド層３上に図２（ｂ）に示すｐ型ＩｎＧａ
ＡｓＰ吸収層４を形成することができる。エッチング液
としては例えば硝酸が使用される。
グ法によりｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層４１の一部をマスクを
用いて等間隔に周期的に除去し、図２（ｂ）に示すよう
なｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層４を形成する。この場合、
エッチング液としてＩｎＧａＡｓＰ層４１をエッチング
することができるが、ＩｎＰ層３をエッチングしない選
択性エッチング液を使用することにより、ｐ型ＩｎＧａ
ＡｓＰ層４１の一部のみをエッチングして、ｎ型ＩｎＰ
第１上クラッド層３上に図２（ｂ）に示すｐ型ＩｎＧａ
ＡｓＰ吸収層４を形成することができる。エッチング液
としては例えば硝酸が使用される。
【００１６】次に、図２（ｃ）に示すように、再度ＭＯ
ＣＶＤ法を用いて第２図（ｂ）のｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸
収層４および該吸収層４相互間のｎ型ＩｎＰ第１クラッ
ド層３上に例えば１．３μｍの波長に相当するバンドギ
ャップ・エネルギーをもったｎ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層
５、ｎ型ＩｎＰ第２上クラッド層６、ｎ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐコンタクト層７を順次形成することにより本発明の利
得結合型ＤＦＢレーザが得られる。図２（ｃ）のｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ吸収層５を成長させるとき、該ｎ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ吸収層５はｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層４相互間
でより早く成長するので、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層５
をある程度の厚さまで成長させれば、その表面は図示の
ように実質的に平坦になる。
ＣＶＤ法を用いて第２図（ｂ）のｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸
収層４および該吸収層４相互間のｎ型ＩｎＰ第１クラッ
ド層３上に例えば１．３μｍの波長に相当するバンドギ
ャップ・エネルギーをもったｎ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層
５、ｎ型ＩｎＰ第２上クラッド層６、ｎ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐコンタクト層７を順次形成することにより本発明の利
得結合型ＤＦＢレーザが得られる。図２（ｃ）のｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ吸収層５を成長させるとき、該ｎ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ吸収層５はｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層４相互間
でより早く成長するので、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層５
をある程度の厚さまで成長させれば、その表面は図示の
ように実質的に平坦になる。
【００１７】上述の実施例では、ＩｎＧａＡｓＰ活性層
２は通常のバルク型のものとして説明したが、活性層と
してバルク型のＩｎＧａＡｓＰ活性層２のバンドギャッ
プ・エネルギーと同一のバンドギャップ・エネルギーを
もった多重量子井戸構造の活性層を使用してもよい。ま
た、上述の実施例では、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層４の
バンドギャップ・エネルギーは活性層２が放出する光の
エネルギーと同一としたが、吸収層４は活性層２が放出
する光のエネルギーよりも小さいバンドギャップ・エネ
ルギーのものでもよい。
２は通常のバルク型のものとして説明したが、活性層と
してバルク型のＩｎＧａＡｓＰ活性層２のバンドギャッ
プ・エネルギーと同一のバンドギャップ・エネルギーを
もった多重量子井戸構造の活性層を使用してもよい。ま
た、上述の実施例では、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層４の
バンドギャップ・エネルギーは活性層２が放出する光の
エネルギーと同一としたが、吸収層４は活性層２が放出
する光のエネルギーよりも小さいバンドギャップ・エネ
ルギーのものでもよい。
【００１８】
【発明の効果】本発明の利得結合型ＤＦＢレーザでは、
その特性、歩留は活性層２の厚みｌ1、ｎ型ＩｎＰ第１
上クラッド層３の厚みｌ2 およびｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸
収層５の厚みｌ3 の３つのパラメータによって決定され
るので、４つのパラメータｄ1、ｈ1 、ｄ2 、ｈ2 の制
御を必要とした図３に示す従来の利得結合型ＤＦＢレー
ザに比して特性の制御が容易で歩留も高くなる。また、
結晶層の成長時に下の層の表面形状を保って成長させた
り、あるいは上の層の表面形状を保存せずに成長させる
というような２通りの成長法を採る必要はないから、製
造が容易であるという効果もある。
その特性、歩留は活性層２の厚みｌ1、ｎ型ＩｎＰ第１
上クラッド層３の厚みｌ2 およびｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸
収層５の厚みｌ3 の３つのパラメータによって決定され
るので、４つのパラメータｄ1、ｈ1 、ｄ2 、ｈ2 の制
御を必要とした図３に示す従来の利得結合型ＤＦＢレー
ザに比して特性の制御が容易で歩留も高くなる。また、
結晶層の成長時に下の層の表面形状を保って成長させた
り、あるいは上の層の表面形状を保存せずに成長させる
というような２通りの成長法を採る必要はないから、製
造が容易であるという効果もある。
【図１】本発明の利得結合型ＤＦＢレーザの一実施例の
主要部の構造を示す図である。
主要部の構造を示す図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は図１に示す本発明の
利得結合型ＤＦＢレーザの製造方法を説明するための各
製造段階における主要部の構造を示す図である。
利得結合型ＤＦＢレーザの製造方法を説明するための各
製造段階における主要部の構造を示す図である。
【図３】従来の利得結合型ＤＦＢレーザの一例の主要部
の構造を示す図である。
の構造を示す図である。
【符号の説明】 １ ｐ型ＩｎＰ基板 ２ ＩｎＧａＡｓＰ活性層 ３ ｎ型ＩｎＰ第１上クラッド層 ４ ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層 ５ ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ吸収層 ６ ｎ型ＩｎＰ第２上クラッド層 ７ ｎ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 ４１ ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に形成された活性層上にｎ型クラ
ッド層を形成し、該ｎ型クラッド層上に吸収損失係数が
比較的大きく且つ上記活性層が放出する光のエネルギー
と同一またはそれ以下のバンドギャップ・エネルギーを
もったｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層からなる第１の吸収領域を
一定の間隔を保って形成し、該第１の吸収領域を吸収損
失係数が比較的小さく且つ上記ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層と
同一組成をもったｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層からなる第２の
吸収領域で埋込むことにより、上記ｎ型クラッド層上に
上記第１の吸収領域と第２の吸収領域を周期的に配置し
たことを特徴とする利得結合型ＤＦＢレーザ。 - 【請求項２】 基板上に形成された活性層上にｎ型クラ
ッド層を所定の厚みに成長させる工程と、該ｎ型クラッ
ド層上に吸収損失係数が比較的大きく且つ活性層が放出
する光のエネルギーと同一またはそれ以下のバンドギャ
ップ・エネルギーをもったｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層を所定
の厚みに成長させる工程と、上記ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層
を一定の間隔を保って選択的に除去して上記ｎ型クラッ
ド層上に一定の間隔でｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層からなる第
１の吸収領域を形成する工程と、該第１の吸収領域上お
よび第１の吸収領域相互間の上記ｎ型クラッド層上に吸
収損失係数が比較的小さく且つ上記ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ
層と同一組成をもったｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層を成長させ
て上記第１の吸収領域を埋込むことにより、上記ｎ型ク
ラッド層上にｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層からなる第１の領域
とｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層からなる第２の領域とを一定の
周期で交互に形成する工程とからなる利得結合型ＤＦＢ
レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31010392A JPH06164051A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 利得結合型ｄｆｂレーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31010392A JPH06164051A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 利得結合型ｄｆｂレーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06164051A true JPH06164051A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18001221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31010392A Pending JPH06164051A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 利得結合型ｄｆｂレーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06164051A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0706243A2 (en) * | 1994-09-28 | 1996-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Distributed feedback semiconductor laser and method for producing the same |
| WO2001069735A1 (fr) * | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif laser a semi-conducteur a retroaction repartie et a couplage de gain et son procede de production |
| EP1162708A1 (en) * | 2000-06-06 | 2001-12-12 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Distributed feedback semiconductor laser device |
| JP2010278329A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
-
1992
- 1992-11-19 JP JP31010392A patent/JPH06164051A/ja active Pending
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| EP1265326A1 (en) * | 2000-03-13 | 2002-12-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gain-coupled distributed feedback semiconductor laser device and production method therefor |
| EP1265326A4 (en) * | 2000-03-13 | 2005-12-07 | Sharp Kk | SEMICONDUCTOR LASER DEVICE WITH DISTRIBUTED RETROACTION AND GAIN COUPLING AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME |
| US7016391B2 (en) | 2000-03-13 | 2006-03-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gain-coupled distributed feedback semiconductor laser device and production method therefor |
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