JP4062501B2 - 半導体レーザ素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、通信、レーザプリンタ、レーザ医療、レーザ加工等で好適に用いられ、高出力動作が可能な実屈折率導波型半導体レーザ素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
図4は、たとえば特開平11−154775号公報に示されるような完全分離閉じ込め構造による実屈折率導波型の半導体レーザ素子(以下、DCH−SAS型LDと称する。)の構造およびその製造方法を示す断面図である。
【0003】
図4(a)において、n型GaAs基板1上に、n型AlGaAsクラッド層2と、n型AlGaAs光導波層3と、n型AlGaAsキャリアブロック層4と、GaAs/AlGaAs量子井戸活性層5と、p型AlGaAsキャリアブロック層6と、p型AlGaAs光導波層7の一部とを順次結晶成長によって作成する。次に、図4(b)に示すように、成長したエピ基板上、具体的にはp型AlGaAs光導波層7a上の所定の領域に、蒸着およびフォトリソグラフィー技術を用いてSiO2ストライプマスク8を形成する。次に、図4(b)に示すように、SiO2ストライプマスク8の形成領域以外の領域に、選択成長によってn型AlGaAs屈折率制御層9を作成する。次に、SiO2ストライプマスク8を除去した後、図4(c)に示すように、残りのp型AlGaAs光導波層7bと、p型AlGaAsクラッド層10と、p型HGaAsコンタクト層11とを順次結晶成長によって作成する。これによって、DCH−SAS型LDが製造される。なお、p型AlGaAs光導波層7aとp型AlGaAs光導波層7bとによって1つの光導波層7が形成される。
【0004】
このようなDCH−SAS型LDでは、屈折率制御層9として光導波層7よりも屈折率の低い半導体材料を光導波層7に埋め込むことによって、光導波層7内で屈折率制御層9が形成されていない帯状の領域(以下、「窓」ということもある。)R1において活性層5に平行な方向(帯状の窓R1の幅方向)にも実効屈折率差が形成されている。これによって、レーザ光は帯状の窓R1の幅方向にも閉じ込められて低閾値で高効率な単一横モード発振が得られる。
【0005】
また、図4に示すような選択成長を用いた製造方法では、加工精度が低いエッチング工程を無くし、MOCVD、MOMBE、MBE等の結晶成長法が有する高い制御性を用いて屈折率制御層9を形成することが可能である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、結晶成長技術は高い制御性を有している。しかしながら、大気に曝された基板への成長開始直後は特異的に不安定となり、たとえば成長開始直後においては、成長速度の低下および、甚だしい場合には成長が起こらない空走時間の発生が生じる。前述したような選択成長を用いた半導体レーザ素子の製造方法においては、大気に曝されたエピ基板上に直接屈折率制御層9を成長している。このため、空走時間の発生等によって屈折率制御層9の膜厚が不安定となり、結果として帯状の窓R1の幅方向の実効屈折率差の再現性が良くないという問題がある。特に、屈折率制御層9の膜厚が薄く設計された場合、この問題はより深刻である。
【0007】
本発明の目的は、選択成長によって形成される屈折率制御層の膜厚制御性が高く、実効屈折率差の再現性が良く、製造歩留まりの高い半導体レーザ素子を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、活性層の少なくとも一方側に活性層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する光導波層を設け、光導波層の外側に光導波層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するクラッド層を設け、光導波層または光導波層とクラッド層との間に選択成長によって埋め込まれたストライプ状の窓を有する屈折率制御層を設けた実屈折率導波型半導体レーザ素子において、
埋め込まれる屈折率制御層に先行して選択成長された半導体層を設け、
前記半導体層の材料として、半導体層および屈折率制御層を含む積層部分における半導体層の膜厚変化による実効屈折率の変化量が、前記半導体層を用いない場合の屈折率制御層の膜厚変化による実効屈折率の変化量よりも小さくなるような材料を選択し、前記半導体層および前記屈折率制御層を含む積層部分における実効屈折率と、前記屈折率制御層の窓を含む積層部分における実効屈折率との差を実効屈折率差としたとき、前記半導体層の膜厚変化による実効屈折率差の変化量が5×10 −6 /nm以下であることを特徴とする半導体レーザ素子である。
【0009】
本発明に従えば、屈折率制御層に先行して半導体層が選択成長されている。このため半導体層の成長中に成長を安定化させて引き続き成長される屈折率制御層の膜厚制御性を向上させることができる。また、半導体層および屈折率制御層を含む積層部分では、半導体層の膜厚変化による実効屈折率の変化量は、前記半導体層を用いない場合の屈折率制御層の膜厚変化による実効屈折率の変化量よりも小さい。このため空走時間の発生等によって半導体層の膜厚減少が生じても、前記積層部分における実効屈折率への影響は、半導体層を用いない場合よりも小さく抑えられる。したがって、半導体層および屈折率制御層を含む2箇所の積層部分の実効屈折率と、2箇所の積層部分に挟まれている窓を含む積層部分の実効屈折率との差のバラツキは、半導体レーザ素子間で小さくなる。
【0010】
これによって、選択成長によって形成される屈折率制御層の膜厚制御性が高く、実効屈折率差の再現性が良く、製造歩留まりの向上した半導体レーザ素子を実現することが可能である。
【0012】
また光導波層内に低屈折率な半導体層を導入することによる実効屈折率の低減効果と光導波層全体厚の増加による実効屈折率の上昇効果をほぼ相殺している。結晶成長は、10nm〜50nmに相当する成長によって安定する。このため、半導体層の膜厚変化による実効屈折率差の変化量が5×10−6/nm以下となるよう設計することで、実効屈折率差は実質的に半導体層の膜厚には影響を受けず、所望の膜厚に形成された屈折率制御層によって制御される。したがって、選択成長によって形成される屈折率制御層の膜厚制御性が高く、実効屈折率差の再現性が良く、製造歩留まりの向上した半導体レーザ素子を実現することが可能である。
【0013】
また本発明は、屈折率制御層の膜厚が300nm以下においてより効果的であるので、この範囲があることが好ましい。
【0014】
本発明に従えば、屈折率制御層を薄く形成し、空走時間の発生等が実効屈折率差に大きく影響を与える場合であってもその膜厚を正確に再現することができる。したがって、選択成長によって形成される屈折率制御層の膜厚制御性を高め、実効屈折率差を再現性良く形成し、製造歩留まりの向上を実現することが可能である。
【0015】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の一実施の形態である半導体レーザ素子の構造を示す断面図である。本実施形態では、半導体バッファ層を用いたDCH−SAS型レーザ素子を例にとり説明する。半導体レーザ素子は、n型GaAs基板21上に、n型Al0.09Ga0.91Asクラッド層22と、n型GaAs光導波層23と、n型Al0.40Ga0.60Asキャリアブロック層24と、In0.18Ga0.82As/GaAs量子井戸活性層25と、p型Al0.40Ga0.60Asキャリアブロック層26と、p型GaAs光導波層27と、p型Al0.09Ga0.91Asクラッド層28と、p型GaAsコンタクト層29とが、順次積層されて構成されている。
【0016】
半導体レーザ素子では、活性層25で発光した光が半導体レーザ素子の2つの端面(図1紙面に平行な2つの端面)間で共振して一方の端面(反射率を低くした方の端面)から出射するが、共振方向(図1紙面に垂直な方向)に垂直な面(図1紙面と平行な面)では、縦方向(図1紙面では上下方向)は、屈折率が活性層25および光導波層23,27よりも小さい上下のクラッド層22,28に挟まれ、横方向(図1紙面では左右方向)は、実効屈折率が光導波層27よりも小さい屈折率制御層31で挟まれた共振方向に帯状に延びる領域(以下、「窓」という。)R21に閉じ込められる。屈折率制御層31は、周囲とは逆の導電型(本実施形態ではn型)を持たせるため、キャリアの注入が妨げられ、活性層25での発光自体が窓R21近傍に制限されるが、光学的にさらに閉じ込めるために、実効屈折率の差を持たせている。
【0017】
なお、実効屈折率とは、屈折率が異なる複数の層から成る部分で光が実質的に感じる屈折率をいう。本実施形態において、実効屈折率の差を持たせるとは、半導体レーザ素子の導波部分(図1においては、概ね二点鎖線Aで囲まれた部分)の実効屈折率と、導波部分の両側(図1では左右両側)に位置する2つの積層部分の実効屈折率とに差を持たせることを意味している。
【0018】
本発明は、屈折率制御層31の下に半導体層30を設け、この半導体層30の厚さが、半導体レーザ素子間で変動しても、半導体層30を含む積層部分の実効屈折率が変動しないような半導体層30の材料(組成)を採用したことがポイントである。本件発明者は、屈折率制御層31をエピ成長させるのが大気にさらされた後では成長初期の膜厚制御が困難なので、膜厚が変動しても積層体32の実効屈折率が変動しないような半導体層30が存在すること見出した。本発明は、この半導体層30を屈折率制御層31に先立って初期にエピ成長させて形成し、半導体層30を含む積層部分の実効屈折率の安定化を図るものである。
【0019】
また、p型GaAs光導波層27内には、n型Al0.06Ga0.94As半導体層30上にn型Al0.09Ga0.91As屈折率制御層31を積層して成る積層体32が設けられている。この積層体32は、ストライプ領域R21を有している。ストライプ領域とは、半導体層30および屈折率制御層31が設けられていない領域である。
【0020】
図2は、図1に示す半導体レーザ素子の積層構造において、AlXGa1−XAsからなる半導体層30のAl組成(X)を変えた時の、半導体層30の厚さと実効屈折率との関係を示すグラフである。図2から、Al組成をX=0.06とすることで、半導体層30の膜厚が変化しても実効屈折率は一定であることが分かる。
【0021】
このように、半導体レーザ素子の積層構造が決まれば、それに応じて光導波層内に設けられる半導体層の組成(屈折率)と膜厚を変化させた時の実効屈折率とをシミュレーションすることによって、半導体層の組成を最適化することができる。なお実効屈折率は、BPM#CAD(Optiwave Corporation製)などによって、求めることができる。
【0022】
本実施形態では、光導波層27内にこの光導波層27よりも屈折率が低い半導体層30を導入することによる実効屈折率の低減効果と光導波層27の全体厚の増加による実効屈折率の上昇効果とを相殺するような半導体層30を用いているため、図2に示したように半導体層30の膜厚が変化した場合であっても窓R21の外側の実効屈折率を一定とすることが可能である。したがってストライプ領域R21の幅方向の実効屈折率差も、半導体層30の膜厚に関係無く一定となる。
【0023】
図3は、図1に示すレーザ素子の製造方法を示す断面図である。まず図3(a)に示すように、n型GaAs基板21上に、n型Al0.09Ga0.91Asから成る厚さ2.6μmのクラッド層22と、n型GaAsから成る厚さ0.48μmの光導波層23と、n型Al0.40Ga0.60Asから成る厚さ0.03μmのキャリアブロック層24と、In0.18Ga0.82As/GaAs量子井戸活性層25と、p型Al0.40Ga0.60Asから成る厚さ0.03μmのキャリアブロック層26と、p型GaAsから成る光導波層の一部27aとを、MOCVDなどを用いて順次結晶成長させる。
【0024】
AlGaAs系材料では、Al組成が増加するにつれて禁制帯幅も増加する傾向にある。本実施形態においては、量子井戸活性層25の禁制帯幅より光導波層23,27の禁制帯幅の方が大きく、さらに光導波層23,27よりクラッド層22,28およびキャリアブロック層24,26の各禁制帯幅の方が大きい。
【0025】
こうして結晶成長した基板を結晶成長装置から取出して、たとえば電子ビーム蒸着装置に投入して、図3(b)に示すように、たとえばSiO2から成るマスク18を厚さ0.1μmで全面に形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてストライプ状窓となる中央領域以外のマスクを除去して、ストライプ状のマスク8を形成する。このマスク18は極めて薄いため、従来のフォトリソグラフィ技術でも高い精度で再現性よく形成可能である。
【0026】
次に、マスク18付の基板を結晶成長装置に戻して、光導波層27の一部27a上に、n型Al 0.06Ga0.94Asから成る厚さ0.01μmの半導体層30と、n型Al0.09Ga0.91Asから成る厚さ0.08μmの屈折率制御層31とを選択成長させると、図3(b)に示すように、マスク18が付着した領域では結晶成長が行われない層構成が得られる。
【0027】
次に、マスク18をたとえばフッ酸水溶液で除去した後、図3(c)に示すように、光導波層27の残りの部分27bを結晶成長させ、p型GaAsから成る厚さ0.48μmの光導波層27を形成する。さらに、p型Al0.09Ga0.91Asから成る厚さ0.83μmのクラッド層28と、p型GaAsから成る厚さ0.3μmのコンタクト層29とを順次結晶成長させる。
【0028】
こうして帯状の窓R21となる部分にマスク18を形成した後、選択成長により半導体層30および屈折率制御層31から成る積層体32を形成し、その後マスク18を除去する手法を用いることによって、半導体層30および屈折率制御層31から成る積層体32に挟まれる窓R21の高さ方向および幅方向の寸法を高い精度で再現性良く制御することが可能になる。こうした半導体層30および屈折率制御層31から成る積層体32の選択成長によって、発振閾値および横モードの安定性に優れた半導体レーザ素子を高い歩留まりで製造できる。
【0029】
なお、マスク18の材料はSiO2に限らず、たとえばSiNなど選択成長が可能となる材料であればかまわない。
【0030】
以上のように本実施形態によれば、屈折率制御層31に先行して半導体層30が選択成長されているので、半導体層30の成長中に成長を安定化させて引き続き成長される屈折率制御層31の膜厚制御性を向上させることができる。また、半導体層30および屈折率制御層31を含む積層部分では、半導体層30の膜厚変化による実効屈折率の変化量は、屈折率制御層31の膜厚変化による実効屈折率の変化量よりも小さい。このため空走時間の発生等によって半導体層30の膜厚減少が生じても、前記積層部分における実効屈折率への影響は、半導体層30を用いない場合よりも小さく抑えられる。したがって、半導体層30および屈折率制御層31を含む2箇所の積層部分の実効屈折率と、2箇所の積層部分に挟まれている窓R21を含む積層部分の実効屈折率との差のバラツキは、半導体レーザ素子間で小さくなる。
【0031】
これによって、選択成長によって形成される屈折率制御層31の膜厚制御性が高く、実効屈折率差の再現性が良く、製造歩留まりの向上した半導体レーザ素子を実現することが可能である。
【0032】
また、半導体層30および屈折率制御層31を含む積層部分における実効屈折率と、屈折率制御層31の窓を含む積層部分における実効屈折率との差を実効屈折率差としたとき、半導体層30の膜厚変化による実効屈折率差の変化量が5×10−6/nm以下であることが好ましい。
【0033】
上記の半導体レーザ素子では、光導波層27内に低屈折率な半導体層30を導入することによる実効屈折率の低減効果と光導波層27全体厚の増加による実効屈折率の上昇効果をほぼ相殺している。結晶成長は、10nm〜50nmに相当する成長によって安定する。このため、半導体層30の膜厚変化による実効屈折率差の変化量が5×10−6/nm以下となるよう設計することで、実効屈折率差は実質的に半導体層30の膜厚には影響を受けず、所望の膜厚に形成された屈折率制御層31によって制御される。したがって、選択成長によって形成される屈折率制御層31の膜厚制御性が高く、実効屈折率差の再現性が良く、製造歩留まりの向上した半導体レーザ素子を実現することが可能である。
【0034】
さらに、屈折率制御層31の膜厚は、300nm以下でより効果的であるので、この範囲であることが好ましい。
【0035】
上記のように屈折率制御層31を薄く形成すれば、空走時間の発生等が実効屈折率差に大きく影響を与える場合であっても、その膜厚を正確に再現することができる。したがって、選択成長によって形成される屈折率制御層31の膜厚制御性を高め、実効屈折率差を再現性良く形成し、製造歩留まりの向上を実現することが可能である。
【0036】
また、本実施形態では、キャリアブロック層24,26を用いているが、キャリアブロック層24,26が無い場合であっても同様に半導体層30の組成(屈折率)を適宜定めることによって半導体層30の膜厚が変化しても窓R21の実効屈折率を一定とすることが可能である。さらに、本実施形態では、半導体層30および屈折率制御層31を光導波層27内に形成したが、光導波層27とクラッド層28との間に形成してもよい。
【0037】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、実効屈折率への影響が小さく抑えられた半導体層の成長中に結晶成長を安定化し、引き続き成長する屈折率制御層の膜厚制御性を向上することによって、窓の横方向での実効屈折率差を再現性良く制御することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態である半導体レーザ素子の構造を示す断面図である。
【図2】図1に示す半導体レーザ素子の積層構造において、AlXGa1−XAsからなる半導体層30のAl組成(X)を変えた時の、半導体層30の厚さと実効屈折率との関係を示すグラフである。
【図3】図1に示す半導体レーザ素子の製造方法を示す断面図である。
【図4】従来技術を説明するための断面図である。
【符号の説明】
21 基板
22,28 クラッド層
23,27 光導波層
24,26 キャリアブロック層
25 活性層
29 コンタクト層
30 半導体層
31 屈折率制御層
32 マスク
R21 窓
Claims (2)
- 活性層の少なくとも一方側に活性層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する光導波層を設け、光導波層の外側に光導波層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するクラッド層を設け、光導波層または光導波層とクラッド層との間に選択成長によって埋め込まれたストライプ状の窓を有する屈折率制御層を設けた実屈折率導波型半導体レーザ素子において、
埋め込まれる屈折率制御層に先行して選択成長された半導体層を設け、
前記半導体層の材料として、半導体層および屈折率制御層を含む積層部分における半導体層の膜厚変化による実効屈折率の変化量が、前記半導体層を用いない場合の屈折率制御層の膜厚変化による実効屈折率の変化量よりも小さくなるような材料を選択し、
前記半導体層および前記屈折率制御層を含む積層部分における実効屈折率と、前記屈折率制御層の窓を含む積層部分における実効屈折率との差を実効屈折率差としたとき、前記半導体層の膜厚変化による実効屈折率差の変化量が5×10 −6 /nm以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 屈折率制御層の膜厚が300nm以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ素子。
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