JP5874947B2 - 2次元フォトニック結晶レーザの製造方法 - Google Patents
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Description
a) AlαGa1-αAs(0<α<1)又は(AlβGa1-β)γIn1-γP(0≦β<1, 0<γ<1)から成る母材層を作製する母材層作製工程と、
b) 前記母材層内に、平面形状の最大幅dが200nm以下であって、深さhと該最大幅dの比h/dが1.3以上5以下である、2次元フォトニック結晶を構成する空孔を周期的に形成する空孔形成工程と、
c) 前記母材層及び前記空孔の上に、該空孔の各々の少なくとも一部が残るように、AlxGa1-xAs(0.4≦x<1)から成る層をエピタキシャル法により作製するエピタキシャル層作製工程と、
を有することを特徴とする。
また、2次元フォトニック結晶層15には、円形や三角形等の平面形状を有する空孔151が、層内に周期的に形成されている(図2)。
以下、空孔151の平面形状を円形とし、x=0.65として実験を行った。
図4に、再成長前の空孔151の縦断面形状と再成長後の空孔151Aの縦断面形状に関する実験データを示す。なお、dは空孔151の最大幅、hは空孔151の深さである(図5(a))。ここで、最大幅とは、空孔151の横断面において、空孔151に入ることができる最長の線分の長さであり、平面形状が円形の場合は円の直径、正三角形の場合は一辺の長さ、正三角形以外の三角形では最大の長辺の長さ、である(図5(b))。
再成長前の空孔151の平面形状と再成長後の空孔151Aの平面形状に関する実験データを図7及び8に示す。
まず、GaAs基板21上にn型のAl0.65Ga0.35As層(n型クラッド層)22、InGaAs/GaAs層(活性層)23、Al0.4Ga0.6As層(キャリアブロック層)24、Al0.1Ga0.9As層25を順にエピタキシャル成長させる(図10(a))。次に、Al0.1Ga0.9As層25に対して、所定の周期構造の空孔251を、最大幅dがd≦200nm、深さhと最大幅dの比が1.3≦h/d≦5となるようにエッチングにより形成する(図10(b))。これにより、2次元フォトニック結晶層25Aが得られる。その後、空孔251が形成されたAl0.1Ga0.9As層(2次元フォトニック結晶層)25Aの上にp型のAl0.65Ga0.35As層(p型クラッド層)26をエピタキシャル成長により形成し、その上にp型のGaAs層(コンタクト層)27を設ける(図10(c))。そして、基板21の下に下部電極(窓状電極)27を、p型GaAs層26の上に上部電極28を、それぞれ設ける(図10(d))。これにより、レーザ特性の高い2次元フォトニック結晶レーザを作製することができる。なお、2次元フォトニック結晶層25Aの母材の材料は(AlβGa1-β)γIn1-γP系(0≦β<1, 0<γ<1)であっても良い。
12…第1クラッド層
13…活性層
14…キャリアブロック層
15…2次元フォトニック結晶層
151、151A…空孔(異屈折率領域)
152…母材
153…突起部
154…錐状領域
155…矩形領域
16…第2クラッド層(エピタキシャル層)
17…コンタクト層
18、28…下部電極
19、29…上部電極
21…GaAs基板
22…n型Al0.65Ga0.35As層(n型クラッド層)
23…InGaAs/GaAs層(活性層)
24…Al0.4Ga0.6As層(電子ブロック層)
25…Al0.1Ga0.9As層(母材層)
25A…Al0.1Ga0.9As層(2次元フォトニック結晶層)
251…空孔
252…表面
26…p型Al0.65Ga0.35As層(p型クラッド層)
27…p型GaAs層(コンタクト層)
30…SiO2膜
Claims (14)
- a) AlαGa1-αAs(0<α<1)又は(AlβGa1-β)γIn1-γP(0≦β<1, 0<γ<1)から成る母材層を作製する母材層作製工程と、
b) 前記母材層内に、平面形状の最大幅dが200nm以下であって、深さhと該最大幅dの比h/dが1.3以上5以下である、2次元フォトニック結晶を構成する空孔を周期的に形成する空孔形成工程と、
c) 前記母材層及び前記空孔の上に、該空孔の各々の少なくとも一部が残るように、AlxGa1-xAs(0.4≦x<1)から成る層をエピタキシャル法により作製するエピタキシャル層作製工程と、
を有することを特徴とする2次元フォトニック結晶レーザの製造方法。 - 前記母材層が、エピタキシャル成長させることにより作製した層であることを特徴とする請求項1に記載の2次元フォトニック結晶レーザの製造方法。
- 前記母材層が、α、β若しくはγの値が異なる複数の層、又は該複数の層の一部が他の半導体の層に置き換えられた、複数の層を積層させた構造を有していることを特徴とする請求項1又は2に記載の2次元フォトニック結晶レーザの製造方法。
- 前記空孔形成工程と前記エピタキシャル層作製工程の間において、前記空孔の内面の少なくとも一部に、前記AlxGa1-xAs(0.4≦x<1)の結晶成長を阻害する結晶成長阻害膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の2次元フォトニック結晶レーザの製造方法。
- 前記結晶成長阻害膜が二酸化珪素(SiO2)、窒化珪素(Si3N4)、酸化亜鉛(ZnO)、二酸化ジルコニウム(ZrO2)のいずれかを含有することを特徴とする請求項4に記載の2次元フォトニック結晶レーザの製造方法。
- 前記空孔の平面形状が楕円であり、該楕円の長径が、前記母材層と平行な面内での前記AlxGa1-xAs(0.4≦x<1)の成長方向を向いていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の2次元フォトニック結晶レーザの製造方法。
- 前記空孔の平面形状が、多角形の各頂点から外方に溝状の突起を設けたものであることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の2次元フォトニック結晶レーザの製造方法。
- Al α Ga 1-α As(0<α<1)又は(Al β Ga 1-β ) γ In 1-γ P(0≦β<1, 0<γ<1)から成る母材層と、
前記母材層の上に設けられた、Al x Ga 1-x As(0.4≦x<1)から成るエピタキシャル層と、
前記母材層内に周期的に複数個設けられ、平面形状の最大幅dが200nm以下であって、深さhと該最大幅dの比h/dが1.3以上5以下であり、各々の少なくとも一部が前記エピタキシャル層の材料で埋められることなく残された、2次元フォトニック結晶を構成する空孔と
を備えることを特徴とする2次元フォトニック結晶レーザ。 - 前記母材層が、α、β若しくはγの値が異なる複数の層、又は該複数の層の一部が他の半導体の層に置き換えられた、複数の層が積層された構造を有していることを特徴とする請求項8に記載の2次元フォトニック結晶レーザ。
- 前記空孔の内面の少なくとも一部に、前記Al x Ga 1-x As(0.4≦x<1)の結晶成長を阻害する特性を有する結晶成長阻害膜を備えることを特徴とする請求項8又は9に記載の2次元フォトニック結晶レーザ。
- 前記結晶成長阻害膜が二酸化珪素(SiO 2 )、窒化珪素(Si 3 N 4 )、酸化亜鉛(ZnO)、二酸化ジルコニウム(ZrO 2 )のいずれかを含有することを特徴とする請求項10に記載の2次元フォトニック結晶レーザ。
- 前記空孔の平面形状が楕円であり、該楕円の長径が、前記母材層と平行な面内での前記Al x Ga 1-x As(0.4≦x<1)の成長方向を向いていることを特徴とする請求項8〜11のいずれかに記載の2次元フォトニック結晶レーザ。
- 前記空孔の平面形状が、多角形の各頂点から外方に溝状の突起が設けられているものであることを特徴とする請求項8〜12のいずれかに記載の2次元フォトニック結晶レーザ。
- 前記空孔の縦断面形状が、錐状領域を有していることを特徴とする請求項8〜13のいずれかに記載の2次元フォトニック結晶レーザ。
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