JP4807375B2 - 窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法 - Google Patents
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- 窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法であって、
GaNのc面に関してa軸の方向に傾斜した主面及び該GaNのc軸方向に延びる側面とを有するGaNウエハと、前記GaNウエハの主面上に成長された複数の窒化ガリウム系半導体層を含み該GaNのc軸方向に延びる側面を有する積層体と、前記積層体の上面にアレイ状に形成され前記GaNのm軸方向に延びる電極とを備えるウエハ生産物を準備する工程と、
前記ウエハ生産物の表面のエッジにけがき線を形成する工程と、
前記けがき線を形成した後に、前記ウエハ生産物の裏面に力を加えて前記ウエハ生産物を劈開する工程と
を備え、
前記積層体は、m軸方向に延びる複数のレーザリッジ構造を含み、
前記ウエハ生産物の劈開による劈開面と前記GaNのm軸との交差角のばらつきは、2度以下であり、
前記ウエハ生産物の前記エッジは、前記ウエハ生産物の前記表面と前記積層体の前記側面とが鋭角を成す第1のエッジ部と、前記ウエハ生産物の前記表面と前記積層体の前記側面とが鈍角を成す第2のエッジ部とを有しており、
前記けがき線は、前記第1のエッジ部に形成されており、
前記けがき線は、m軸に交差する方向に延びる基準線に沿って延びており、
前記GaNウエハは、第1の貫通転位密度より小さい転位密度を有する複数の第1の領域と、前記第1の貫通転位密度より大きい転位密度を有する複数の第2の領域とを有しており、
前記GaNウエハの前記第1及び第2の領域は、前記GaNウエハのa軸の方向に交互に配列されており、
前記積層体は、第2の貫通転位密度より小さい転位密度を有する複数の第1の領域と、前記第2の貫通転位密度より大きい転位密度を有する複数の第2の領域とを有しており、
前記けがき線を形成する前記工程では、前記けがき線が、前記基準線に沿って前記積層体の前記第2の領域上に形成される、ことを特徴とする方法。 - 前記けがき線は、前記GaNウエハの裏面のエッジから前記主面へ下ろした垂線と前記主面との交点よりも内側から前記ウエハ生産物の表面のエッジまで延びている、ことを特徴とする請求項1に記載された方法。
- 前記GaNのc面と前記GaNウエハの前記主面との成す角度は、5度以上であり、35度以下である、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載された方法。
- 前記けがき線の形成はレーザけがき装置を用いて行われる、ことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載された方法。
- 前記けがき線は、けがき装置によって形成された溝を含む、ことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載された方法。
- 前記積層体は、前記レーザリッジ構造を埋め込むブロック層を更に備える、ことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載された方法。
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