JPS6142984A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
- Publication number
- JPS6142984A JPS6142984A JP16533184A JP16533184A JPS6142984A JP S6142984 A JPS6142984 A JP S6142984A JP 16533184 A JP16533184 A JP 16533184A JP 16533184 A JP16533184 A JP 16533184A JP S6142984 A JPS6142984 A JP S6142984A
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- JP
- Japan
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- layer
- composition
- protection layer
- semiconductor substrate
- semiconductor laser
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、半導体レーザの製造方法に係り、特に、Ｍ
Ｂ Ｅ装置でもって製造されるｎＬＧａＡｓ系半導体
レーザの製造方法に関する。
Ｂ Ｅ装置でもって製造されるｎＬＧａＡｓ系半導体
レーザの製造方法に関する。
（ロ）従来技術
近年において、半導体レーザをＭＢＥ装置で製造する方
法が提案されており、ここでは、二回のＭＢＥ成長工程
を必要とする構造の半導体レーザを製造する場合を簡単
に説明すると共に、その問題点を指摘する。
法が提案されており、ここでは、二回のＭＢＥ成長工程
を必要とする構造の半導体レーザを製造する場合を簡単
に説明すると共に、その問題点を指摘する。
゛まず、−回目のＭＢＥ成長工程で第一の成長層を形成
した後、ＭＢＥ装置から半導体基板を取り出し、ホトエ
ツチング工程にて第一の上部クラッド層まで達する深さ
で、かつ、所定の幅のストライプ溝を形成する。このホ
トエツチング工程を行ったことに伴い、前記エツチング
した部分（第一の上部クラッド層の表面）に酸化物等の
不純物が直接付着するから、この不純物を所定の方法に
て蒸発させる。しかる後、二回目のＭＢＥ成長工程で第
二の成長層を積層させる。
した後、ＭＢＥ装置から半導体基板を取り出し、ホトエ
ツチング工程にて第一の上部クラッド層まで達する深さ
で、かつ、所定の幅のストライプ溝を形成する。このホ
トエツチング工程を行ったことに伴い、前記エツチング
した部分（第一の上部クラッド層の表面）に酸化物等の
不純物が直接付着するから、この不純物を所定の方法に
て蒸発させる。しかる後、二回目のＭＢＥ成長工程で第
二の成長層を積層させる。
しかして、前記不純物を蒸発させる工程において、第一
の上部クラッド層のＡ１組成が０．４以上の場合、前記
酸化物等の不純物は蒸発されにくくなる。そのため、第
二の成長工程にて形成される第二の成長層の積層状態が
劣化し、この部分を電流が流れなくなるという問題を生
じる。一方、前記第一の上部クランド層のＡ１組成を０
．４以下にすれば、第二の成長層の積層状態は比較的良
いが、その反面、光閉じ込め効率が低下するという問題
を生じる。上述したことに基づいて、従来方法では電気
的性質および光学的性質の良好な半導体レーザを製造す
るのが困難である。
の上部クラッド層のＡ１組成が０．４以上の場合、前記
酸化物等の不純物は蒸発されにくくなる。そのため、第
二の成長工程にて形成される第二の成長層の積層状態が
劣化し、この部分を電流が流れなくなるという問題を生
じる。一方、前記第一の上部クランド層のＡ１組成を０
．４以下にすれば、第二の成長層の積層状態は比較的良
いが、その反面、光閉じ込め効率が低下するという問題
を生じる。上述したことに基づいて、従来方法では電気
的性質および光学的性質の良好な半導体レーザを製造す
るのが困難である。
（ハ）目的
この発明は、第一の上部クラッド層のＡ１組成の値に関
係なく第二の成長層の積層状態を良好とし、電気的性質
および光学的性質が良好な半導体レーザを容易に製造で
きる半導体レーザの製造方法を提供することを目的とし
ている。
係なく第二の成長層の積層状態を良好とし、電気的性質
および光学的性質が良好な半導体レーザを容易に製造で
きる半導体レーザの製造方法を提供することを目的とし
ている。
（ニ）構成
この発明に係る半導体レーザの製造方法の特徴とすると
ころは、第一の成長工程において第一の上部クラッド層
と光吸収層との間に、Ａ１組成をｘ＜０．４としたＡＩ
＞（Ｇａｌ−×へＳからなる保護層を介在させたことに
ある。
ころは、第一の成長工程において第一の上部クラッド層
と光吸収層との間に、Ａ１組成をｘ＜０．４としたＡＩ
＞（Ｇａｌ−×へＳからなる保護層を介在させたことに
ある。
（ボ）実施例
第１図はこの発明に係る半導体レーザの製造方法の一実
施例を示す説明図である。
施例を示す説明図である。
（ａ） 図示しないＭＢＥ装置内に装着したＮ型のＧ
ａＡｓからなる半導体基板１０を所定の方法にて加熱す
る。蒸発源にそれぞれ入れられた原料物質や不純物を分
子線の形で蒸発させる。この原料等を図示しない質量分
析計でモニターし、図示しないコンピュータで蒸発源の
温度やシャッタを制御することにより、Ｎ型Ａｌ ｘ
Ｇａｐ−ｘＡｓからなる下部クラッドＦｉ２１ （Ａ
１組成ｘ＝０．５５）と、八ｌ ｘ Ｇａ１−ｘＡｓか
らなる活性Ｊ’ｆｆ１２２ （Ａ １組成ｘ−０，１２
）と、Ｐ型Ａｌ×Ｇａ１−ＸＡＳからなる第一の上部ク
ラッド層２３（Ａｌｉｆｆ成ｘ＝０．５５）と、Ｐ型へ
１ＸＧａ１−×へＳカ）らなる（呆護層２４（ＡＩ組組
成 ＝０．３０）と、Ｎ型ＧａＡｓからなる光吸収層１
２５と、Ｎ型へ１ＸＧａｌ−ＸＡＳからなる蒸発防止層
２６（Ａ１組組成−０，３５）とで構成する第一の成長
層２０を前記半導体基板１０にＭ４Ｆ３させる（第一の
成長工程）。
ａＡｓからなる半導体基板１０を所定の方法にて加熱す
る。蒸発源にそれぞれ入れられた原料物質や不純物を分
子線の形で蒸発させる。この原料等を図示しない質量分
析計でモニターし、図示しないコンピュータで蒸発源の
温度やシャッタを制御することにより、Ｎ型Ａｌ ｘ
Ｇａｐ−ｘＡｓからなる下部クラッドＦｉ２１ （Ａ
１組成ｘ＝０．５５）と、八ｌ ｘ Ｇａ１−ｘＡｓか
らなる活性Ｊ’ｆｆ１２２ （Ａ １組成ｘ−０，１２
）と、Ｐ型Ａｌ×Ｇａ１−ＸＡＳからなる第一の上部ク
ラッド層２３（Ａｌｉｆｆ成ｘ＝０．５５）と、Ｐ型へ
１ＸＧａ１−×へＳカ）らなる（呆護層２４（ＡＩ組組
成 ＝０．３０）と、Ｎ型ＧａＡｓからなる光吸収層１
２５と、Ｎ型へ１ＸＧａｌ−ＸＡＳからなる蒸発防止層
２６（Ａ１組組成−０，３５）とで構成する第一の成長
層２０を前記半導体基板１０にＭ４Ｆ３させる（第一の
成長工程）。
（ｂ） 前記ｇｉ層された半導体基板１０をＭＢＥ装
置から外部に取り出した後、半導体基板１０の裏面をラ
ッピングする。次に、ストライプ溝が形成されるべき部
分以外の蒸発防止層２６をホトレジスト６０で覆う。こ
のホトレジスト６０をマスクとして保護層２４の表面が
露出するまで蒸発防止層２６と光吸収層２５とを選択エ
ツチングしてストライブ溝３ｏを形成する（ボトエソチ
ング工程）。この工程にて、半導体基板１０の表面に酸
化物等の不純物が付着してしまう。
置から外部に取り出した後、半導体基板１０の裏面をラ
ッピングする。次に、ストライプ溝が形成されるべき部
分以外の蒸発防止層２６をホトレジスト６０で覆う。こ
のホトレジスト６０をマスクとして保護層２４の表面が
露出するまで蒸発防止層２６と光吸収層２５とを選択エ
ツチングしてストライブ溝３ｏを形成する（ボトエソチ
ング工程）。この工程にて、半導体基板１０の表面に酸
化物等の不純物が付着してしまう。
（Ｃ１前記ホトレジスト６０を除去した半導体基板１０
を有機洗浄する。その後、前記半導体基板ＩＯを再度Ｍ
ＢＥ装置内に装着する。ここで、半導体基板１０に砒素
分子線をあてながら半導体基板を約７４０°Ｃで加熱す
る。このまま約２０分間行うことにより、半導体基板１
０の表面に付着している不純物を蒸発させる（サーマル
クリーニング工程）。
を有機洗浄する。その後、前記半導体基板ＩＯを再度Ｍ
ＢＥ装置内に装着する。ここで、半導体基板１０に砒素
分子線をあてながら半導体基板を約７４０°Ｃで加熱す
る。このまま約２０分間行うことにより、半導体基板１
０の表面に付着している不純物を蒸発させる（サーマル
クリーニング工程）。
（ｄ） （Ｃ１工程の状態で半導体基板１０の温度を
約６００′Ｃにして、（ａ）工程と同様の方法にてＰ型
＾Ｉ ＹＧａ ＋−ｙＡｓからなる第二の上部クラッド
層４１ （Ａ １組成Ｙ＝０．３５）と、Ｐ十型ＧａＡ
ｓからなるキャップ層４２とで構成する第二の成長層４
０を積層する（第二の成長工程）。以下、通常の半導体
レーザの製造方法と同様にＰ型電極５０． Ｎ型電極５
１とを形成する。
約６００′Ｃにして、（ａ）工程と同様の方法にてＰ型
＾Ｉ ＹＧａ ＋−ｙＡｓからなる第二の上部クラッド
層４１ （Ａ １組成Ｙ＝０．３５）と、Ｐ十型ＧａＡ
ｓからなるキャップ層４２とで構成する第二の成長層４
０を積層する（第二の成長工程）。以下、通常の半導体
レーザの製造方法と同様にＰ型電極５０． Ｎ型電極５
１とを形成する。
尚、上述した実施例において、Ａ１）＜Ｇａ１−＋Ｊｓ
およびＡ Ｉ ｙ Ｇａ １−ＹＡＳからなる各層のＡ
１組成をそれぞれ記しているが、この発明はこれに限定
されず、適宜に変更できることは勿論である。
およびＡ Ｉ ｙ Ｇａ １−ＹＡＳからなる各層のＡ
１組成をそれぞれ記しているが、この発明はこれに限定
されず、適宜に変更できることは勿論である。
（へ）効果
この発明は、第一の成長工程にて、第一の上部クラッド
層と光吸収層との間＋、ＬＡｊ組成を×（０゜４とした
Ａ １ ｘ Ｇａ １−ＸＡＳからなる保護層を介在さ
せたから、保護層によって第一の上部クラッド層かパシ
ベーション効果を持つこととなる。さらに保護層のＡｔ
組成が０，４以下であるから、ザーマルクリーニング工
程を行なえば清浄な表面を作ることができる。従って、
第一の上部クラッド層のＡ１組成の値を任意に選択でき
るから、光閉じ込め効果を向上させると共に、第二の成
長層の積層状態を良好にすることが可能である。
層と光吸収層との間＋、ＬＡｊ組成を×（０゜４とした
Ａ １ ｘ Ｇａ １−ＸＡＳからなる保護層を介在さ
せたから、保護層によって第一の上部クラッド層かパシ
ベーション効果を持つこととなる。さらに保護層のＡｔ
組成が０，４以下であるから、ザーマルクリーニング工
程を行なえば清浄な表面を作ることができる。従って、
第一の上部クラッド層のＡ１組成の値を任意に選択でき
るから、光閉じ込め効果を向上させると共に、第二の成
長層の積層状態を良好にすることが可能である。
また、保護層の成長は、ＭＢＥ装置にて他の各層と連続
して成長させることができるから、特別な成長工程を必
要としないという効果を奏する。
して成長させることができるから、特別な成長工程を必
要としないという効果を奏する。
上述したことに基づいて、電気的性質および光学的性質
の良好な半導体レーザを製造するのが容易になる。
の良好な半導体レーザを製造するのが容易になる。
第１図はこの発明に係る半導体レーザの製造方法の一実
施例を示す説明図である。 １０・・・半導体基板、２０・・・第一の成長層、２１
・・・下部クラッド層、２２・・・活性層、２３・・・
第一の上部クラッド層、２４・・・保護層、２５・・・
光吸収層、２６・・・蒸発防止層、３０・・・ストライ
プ溝、４０・・・第二の成長層、４１・・・第二の上部
クラッド層、４２・・・キャンプ層。
施例を示す説明図である。 １０・・・半導体基板、２０・・・第一の成長層、２１
・・・下部クラッド層、２２・・・活性層、２３・・・
第一の上部クラッド層、２４・・・保護層、２５・・・
光吸収層、２６・・・蒸発防止層、３０・・・ストライ
プ溝、４０・・・第二の成長層、４１・・・第二の上部
クラッド層、４２・・・キャンプ層。
Claims (1)
- （１）ＭＢＥ装置でもって製造されるＡｌＧａＡｓ系半
導体レーザの製造方法において、 下部クラッド層と、活性層と、第一の上部クラッド層と
、Ａｌ組成をｘ＜０．４としたＡｌｘＧａ＿１−ｘＡｓ
からなる保護層と、ＧａＡｓからなる光吸収層と、蒸発
防止層とを半導体基板の表面に順次積層する第一の成長
工程と、 前記保護層まで達する深さで、かつ、所望の幅のストラ
イプ溝を形成するホトエッチング工程と、前記ストライ
プ溝が形成された半導体基板の表面に付着した不純物を
蒸発させるサーマルクリーニング工程と、 前記不純物が蒸発された半導体基板の表面に第二の上部
クラッド層と、キャップ層とを順次積層する第二の成長
工程とを具備したことを特徴とする半導体レーザの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16533184A JPS6142984A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16533184A JPS6142984A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6142984A true JPS6142984A (ja) | 1986-03-01 |
| JPH0137870B2 JPH0137870B2 (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=15810301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16533184A Granted JPS6142984A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142984A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6230317A (ja) * | 1985-04-02 | 1987-02-09 | Fujitsu Ltd | 半導体結晶成長方法及びそれを実施する装置 |
| JPS62141796A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6370587A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS6372173A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
-
1984
- 1984-08-06 JP JP16533184A patent/JPS6142984A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6230317A (ja) * | 1985-04-02 | 1987-02-09 | Fujitsu Ltd | 半導体結晶成長方法及びそれを実施する装置 |
| JPS62141796A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6370587A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS6372173A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| US4800565A (en) * | 1986-09-16 | 1989-01-24 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device having high optical intensity and reliability |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0137870B2 (ja) | 1989-08-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |