JPH0223620A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
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- JPH0223620A JPH0223620A JP17403088A JP17403088A JPH0223620A JP H0223620 A JPH0223620 A JP H0223620A JP 17403088 A JP17403088 A JP 17403088A JP 17403088 A JP17403088 A JP 17403088A JP H0223620 A JPH0223620 A JP H0223620A
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Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置等の被洗浄物を洗浄液を用いて
洗浄する洗浄方法および洗浄装置に関する。
洗浄する洗浄方法および洗浄装置に関する。
(従来の技術)
従来より被洗浄物を洗浄づる方法は世の中に数多く存在
する。例えば、薬品を用いる方法、洗浄ガスを用いる方
法あるいは光を用いる方法などが挙げられるが、この他
に純水でリンスする洗浄方法も広く一般に使用されてい
る。この洗浄方法は純水を被洗浄物に接触させて、被洗
浄物表面を清浄にする方法であり、半導体産業でも半導
体基板やウェハ等を洗浄する際ににり用いられている。
する。例えば、薬品を用いる方法、洗浄ガスを用いる方
法あるいは光を用いる方法などが挙げられるが、この他
に純水でリンスする洗浄方法も広く一般に使用されてい
る。この洗浄方法は純水を被洗浄物に接触させて、被洗
浄物表面を清浄にする方法であり、半導体産業でも半導
体基板やウェハ等を洗浄する際ににり用いられている。
第4図はそのような従来の洗浄方法を説明する図である
。同図に示すように、洗浄槽1には純水を供給するため
の供給ライン2が接続されており、半導体基板やウェハ
等の被洗浄物3を薬品で洗浄処理した後に洗浄槽1内に
配置し、純水4を洗浄槽1内に供給ライン2より供給す
ることにより、上記薬品を純水4で洗い流すようにして
被洗浄物3のリンス洗浄を行なう。この場合、純水4の
供給は、洗浄槽1よりオーバフローされるように連続的
に供給されることが多く、また洗浄効果を高めるために
、純水4を温水にして用いたり、超音波発振器等により
超音波振動を加えたり、界面活性剤を混入したり、ある
いはこれらを(JI用することもある。
。同図に示すように、洗浄槽1には純水を供給するため
の供給ライン2が接続されており、半導体基板やウェハ
等の被洗浄物3を薬品で洗浄処理した後に洗浄槽1内に
配置し、純水4を洗浄槽1内に供給ライン2より供給す
ることにより、上記薬品を純水4で洗い流すようにして
被洗浄物3のリンス洗浄を行なう。この場合、純水4の
供給は、洗浄槽1よりオーバフローされるように連続的
に供給されることが多く、また洗浄効果を高めるために
、純水4を温水にして用いたり、超音波発振器等により
超音波振動を加えたり、界面活性剤を混入したり、ある
いはこれらを(JI用することもある。
ところで、被洗浄物3が半導体基板やウェハ等のような
場合には、その表面に形成される凹凸部のサイズ、例え
ばパターン形成によって生じる細溝のサイズが、微細な
ものでは溝幅寸法が1/JI+以下で、深さ寸法が敷用
程度になっている。この細溝内部を十分に洗浄すること
は非常に重要であるものの、従来の洗浄方法では純水4
が細溝内部まで十分に行き渡らず細溝内の汚れを除去で
きないという問題があった。更に、近年半導体基板にし
ばしば形成されるトレンチ溝等の微細溝は、上記細溝よ
り溝幅寸法が小さく、しかも深さ寸法が深くなっており
、そのような微細溝内部を七分に洗浄することはより一
層困難であるという問題があった。
場合には、その表面に形成される凹凸部のサイズ、例え
ばパターン形成によって生じる細溝のサイズが、微細な
ものでは溝幅寸法が1/JI+以下で、深さ寸法が敷用
程度になっている。この細溝内部を十分に洗浄すること
は非常に重要であるものの、従来の洗浄方法では純水4
が細溝内部まで十分に行き渡らず細溝内の汚れを除去で
きないという問題があった。更に、近年半導体基板にし
ばしば形成されるトレンチ溝等の微細溝は、上記細溝よ
り溝幅寸法が小さく、しかも深さ寸法が深くなっており
、そのような微細溝内部を七分に洗浄することはより一
層困難であるという問題があった。
この発明は、上記従来技術の問題を解消し、半導体基板
またはウェハ等の被洗浄物の微細な溝内部まで十分に洗
浄できる洗浄方法を提供することを第1の目的とする。
またはウェハ等の被洗浄物の微細な溝内部まで十分に洗
浄できる洗浄方法を提供することを第1の目的とする。
また、この発明では、上記洗浄方法を実現する洗浄装置
を提供することを第2の目的とする。
を提供することを第2の目的とする。
(課題を解決するための手段〕
上記第1の目的を達成するため、請求項1記載の発明に
よる洗浄方法は、被洗浄物を洗浄液中に浸漬させた後、
前記洗浄液を突沸させるものである。
よる洗浄方法は、被洗浄物を洗浄液中に浸漬させた後、
前記洗浄液を突沸させるものである。
上記第2の目的を達成するため、請求項2記載の発明に
よる洗浄装置は、加圧容器と、前記加圧容器内に設りら
れる洗浄液収容器と、前記洗浄液収容器内に洗浄液を供
給する洗浄液供給手段と、前記加圧容器内を加圧する加
圧手段と、前記洗浄液容器内に供給された洗浄液を加熱
する加熱手段と、前記加圧容器内を減圧する減圧手段と
、前記加圧手段、前記加熱手段および前記減圧手段の駆
勅を制御して、前記洗浄液を加圧・加熱後に減圧させて
前記洗浄液を突沸さ往る制御手段とを備えている。
よる洗浄装置は、加圧容器と、前記加圧容器内に設りら
れる洗浄液収容器と、前記洗浄液収容器内に洗浄液を供
給する洗浄液供給手段と、前記加圧容器内を加圧する加
圧手段と、前記洗浄液容器内に供給された洗浄液を加熱
する加熱手段と、前記加圧容器内を減圧する減圧手段と
、前記加圧手段、前記加熱手段および前記減圧手段の駆
勅を制御して、前記洗浄液を加圧・加熱後に減圧させて
前記洗浄液を突沸さ往る制御手段とを備えている。
請求項1記載の発明ににる洗浄方法によれば、洗浄液を
突沸させることにより、洗浄液が被洗浄物の微細な溝内
部まで行き渡り、微細溝の洗浄が可能となる。
突沸させることにより、洗浄液が被洗浄物の微細な溝内
部まで行き渡り、微細溝の洗浄が可能となる。
請求項2記載の発明による洗浄装置においては、洗浄液
を加圧・加熱した後、その温度を維持したままその温度
での洗浄液の沸点以上になる圧力まで減圧させることに
より、洗浄液が突沸される。
を加圧・加熱した後、その温度を維持したままその温度
での洗浄液の沸点以上になる圧力まで減圧させることに
より、洗浄液が突沸される。
請求項1記載の発明に関連する洗浄方法は、洗浄液の突
沸現象、すなわち洗浄液が沸点以上になって突発的に沸
騰を起こす現象を利用している。
沸現象、すなわち洗浄液が沸点以上になって突発的に沸
騰を起こす現象を利用している。
例えば、半導体基板やウェハ等の被洗浄物を純水等の洗
浄液に浸漬した後、その純水に熱を加えて突沸させる。
浄液に浸漬した後、その純水に熱を加えて突沸させる。
この突沸現象によりトレンチ溝等の微細な溝内部にも純
水が行き渡り、微細溝内部の洗浄が可能となる。
水が行き渡り、微細溝内部の洗浄が可能となる。
なお、洗浄液が純水たりに限定されるものでないことは
言うまでもない。
言うまでもない。
、暖
A、実傭例
次に、上記洗浄方法を適用した実験例について説明する
。
。
第1図はその実験例を説明する図である。同図に示すよ
うに、この実験例では、洗浄槽11の両側に超音波発振
器12.12を配置するとともに、底部に加熱器13を
配置している。また、洗浄液として純水14を用い、被
洗浄物として、毛細管、すなわち数mm以下程度の口径
を有するガラス管15.16を用いた。ガラス管15は
両端がともに開放されており、ガラス管16は一端が開
放されて他端が閉成されている。更に、ガラス管15゜
16の管内には微粉な粉末17を入れ、粉末17の除去
状態が目視で判別できるようにトレーザ物質どしてイン
ク18を入れる。
うに、この実験例では、洗浄槽11の両側に超音波発振
器12.12を配置するとともに、底部に加熱器13を
配置している。また、洗浄液として純水14を用い、被
洗浄物として、毛細管、すなわち数mm以下程度の口径
を有するガラス管15.16を用いた。ガラス管15は
両端がともに開放されており、ガラス管16は一端が開
放されて他端が閉成されている。更に、ガラス管15゜
16の管内には微粉な粉末17を入れ、粉末17の除去
状態が目視で判別できるようにトレーザ物質どしてイン
ク18を入れる。
この条件の下で、以下に示すような従来の洗浄方法(a
)、 (b)、 (c)と、この発明に関連する洗浄方
法(d)を実施して、それらの洗浄結果を相互に比較し
た。
)、 (b)、 (c)と、この発明に関連する洗浄方
法(d)を実施して、それらの洗浄結果を相互に比較し
た。
浸漬洗浄(a)・・・常温状態の純水14にガラス管1
5.16を浸漬する。
5.16を浸漬する。
加振洗8(b)・・・常温状態の純水14にガラス管1
5.16を浸漬し、さらに超音波発振器12゜12を用
いて超音波振動を与える。
5.16を浸漬し、さらに超音波発振器12゜12を用
いて超音波振動を与える。
加温洗浄(C)・・・純水14にガラス管15,16を
浸漬し、突沸しない程度に純水14を加熱器により加熱
する。
浸漬し、突沸しない程度に純水14を加熱器により加熱
する。
突沸洗浄(d)・・・純水14にガラス管15.16を
浸漬し、突沸するように純水14を加熱する。
浸漬し、突沸するように純水14を加熱する。
表 1
(○:洗浄効果有、×:洗浄効果無)
表1に示されるように、浸漬洗浄(a)では、ガラス管
15.16に洗浄効果は認められなかった。
15.16に洗浄効果は認められなかった。
加撮洗浄(b)および加温洗浄(C)ではガラス管15
にそれぞれ洗浄効果が認められたものの、ガラス管16
にはそれぞれ洗浄効果が認められなかった。また、突沸
洗浄(d)ではガラス管15.16どもにそれぞれ洗浄
効果が認められた。
にそれぞれ洗浄効果が認められたものの、ガラス管16
にはそれぞれ洗浄効果が認められなかった。また、突沸
洗浄(d)ではガラス管15.16どもにそれぞれ洗浄
効果が認められた。
以上より、純水14を突沸さけることにより、ガラス管
15.16の微細な管内の洗浄が可能なことが確認され
た。
15.16の微細な管内の洗浄が可能なことが確認され
た。
B、実施例
次に、この発明の一実施例を、第2図に示される洗浄装
置31を用いて説明する。この洗浄装置31は、液体の
沸点が周囲圧力によって変化するという原理を利用して
いる。
置31を用いて説明する。この洗浄装置31は、液体の
沸点が周囲圧力によって変化するという原理を利用して
いる。
同図に示すように、加圧容器32には開閉自在に蓋32
aが設けられるとともに、内部に洗浄液収容器を構成す
る洗浄槽33が設【プられる。洗浄槽33の両側方には
それぞれ加熱手段を構成する誘電加熱部34.34が配
置され、この誘電加熱部34.34から数十GHzのマ
イクIコ波を発振して洗浄槽33内に供給される純水3
5を加熱するように構成される。また、給水バルブ36
を有する給水管37は加圧容器32の底部を貫通しで洗
浄槽33の下部に連結される。一方、洗浄槽33の上部
外周には水受部38が設けられ、その水受部38の底部
に連結された第1排水管39が加圧容器32の底部を貫
通して器外に導かれるどともに、洗浄槽33の底部に連
結された第2排水管40が加圧容器32の底部に貫通さ
れさらに第2排水バルブ42を介して第1排水管3つの
第1排水バルブ41の下流側に連結される。そして、給
水管37を介して洗浄槽33内に純水35を供給づ−る
とともに、洗浄槽33の上端よりオーバーフローする純
水35を第1排水管39を介して器外に排水する。
aが設けられるとともに、内部に洗浄液収容器を構成す
る洗浄槽33が設【プられる。洗浄槽33の両側方には
それぞれ加熱手段を構成する誘電加熱部34.34が配
置され、この誘電加熱部34.34から数十GHzのマ
イクIコ波を発振して洗浄槽33内に供給される純水3
5を加熱するように構成される。また、給水バルブ36
を有する給水管37は加圧容器32の底部を貫通しで洗
浄槽33の下部に連結される。一方、洗浄槽33の上部
外周には水受部38が設けられ、その水受部38の底部
に連結された第1排水管39が加圧容器32の底部を貫
通して器外に導かれるどともに、洗浄槽33の底部に連
結された第2排水管40が加圧容器32の底部に貫通さ
れさらに第2排水バルブ42を介して第1排水管3つの
第1排水バルブ41の下流側に連結される。そして、給
水管37を介して洗浄槽33内に純水35を供給づ−る
とともに、洗浄槽33の上端よりオーバーフローする純
水35を第1排水管39を介して器外に排水する。
また、加圧容器32の蓋32aには、減圧用配管43が
連結されており、この減圧用配管43が減圧バルブ44
を介して大気に開放される。更に蓋32 aに連結され
るガス供給管45は、ガス供給バルブ46を介して図示
しないガス供給ボンベに接続される。
連結されており、この減圧用配管43が減圧バルブ44
を介して大気に開放される。更に蓋32 aに連結され
るガス供給管45は、ガス供給バルブ46を介して図示
しないガス供給ボンベに接続される。
洗浄槽33内には水温検知手段47が設けられるととも
に、加圧容器32内には図示しない圧力検知手段が設【
ノられており、水温検知手段47おJ:び上記圧力検知
手段が水温表示部48および圧力表示部49にそれぞれ
接続されるとともに、制御手段50に6それぞれ接続さ
れる。さらに、バルブ36,41,42.44.46お
よび誘電加熱部34がそれぞれ制御手段50に接続され
ており、オペレータによる洗浄開始指令に応答して制御
手段50が作動し、後述する洗浄制御動作が行なわれる
。
に、加圧容器32内には図示しない圧力検知手段が設【
ノられており、水温検知手段47おJ:び上記圧力検知
手段が水温表示部48および圧力表示部49にそれぞれ
接続されるとともに、制御手段50に6それぞれ接続さ
れる。さらに、バルブ36,41,42.44.46お
よび誘電加熱部34がそれぞれ制御手段50に接続され
ており、オペレータによる洗浄開始指令に応答して制御
手段50が作動し、後述する洗浄制御動作が行なわれる
。
この制御装置において、ウェハ等の被洗浄物51を洗浄
するには、まず蓋32aを開成して洗浄槽33内に被洗
浄物51を入れた後、蓋32aを開成して加圧容器32
内を密閉する。その後操作パネル等を用いて洗浄開始指
令を与える。これにより、初期状態、すなわちすべての
バルブ36゜41.42.44.46が閉状態に設定さ
れる。
するには、まず蓋32aを開成して洗浄槽33内に被洗
浄物51を入れた後、蓋32aを開成して加圧容器32
内を密閉する。その後操作パネル等を用いて洗浄開始指
令を与える。これにより、初期状態、すなわちすべての
バルブ36゜41.42.44.46が閉状態に設定さ
れる。
つづいて、第3図のフローチャートに示ずように、まず
給水バルブ36および第1排水バルブ41が開成されて
、純水35が洗浄槽33内に供給されるとともに、洗浄
槽33の上端よりオーバーフローした純水35が第1排
水管39より排水される(ステップ81)。このように
して一定時間純水35を流し流路および容器系統をブロ
ー洗浄した後、給水バルブ36および排水バルブ41が
開成される。つづいて、ステップS2に示すように、ガ
ス供給バルブ46が開成され、ガスボンベ(図示省略)
より加圧容器32内にガスが供給されて加圧される。加
圧容器32内が所定圧力まで加圧されると、ガス供給バ
ルブ46が閉成される。次に、ステップS3に示すよう
に、誘電加熱部34により数十G HZのマイクロ波を
与えて純水35を所定温度まで加熱する。この場合の所
定温度は、上記所定圧ノ〕による加圧状態での沸点より
低く、かつ1気圧での純水35の沸点(100’C)よ
り高い温度に保ち、突沸が生じないようにしておく。
給水バルブ36および第1排水バルブ41が開成されて
、純水35が洗浄槽33内に供給されるとともに、洗浄
槽33の上端よりオーバーフローした純水35が第1排
水管39より排水される(ステップ81)。このように
して一定時間純水35を流し流路および容器系統をブロ
ー洗浄した後、給水バルブ36および排水バルブ41が
開成される。つづいて、ステップS2に示すように、ガ
ス供給バルブ46が開成され、ガスボンベ(図示省略)
より加圧容器32内にガスが供給されて加圧される。加
圧容器32内が所定圧力まで加圧されると、ガス供給バ
ルブ46が閉成される。次に、ステップS3に示すよう
に、誘電加熱部34により数十G HZのマイクロ波を
与えて純水35を所定温度まで加熱する。この場合の所
定温度は、上記所定圧ノ〕による加圧状態での沸点より
低く、かつ1気圧での純水35の沸点(100’C)よ
り高い温度に保ち、突沸が生じないようにしておく。
次に、ステップS4で減圧バルブ44が開成され、加圧
容器32内が大気圧(約1気圧)まで減圧される。この
減圧により純水35は急速に沸点を越え、純水35の内
部で突沸現象が発生ずる。この突沸現象により、上記実
験例でも説明したように、トレンチ溝等の微細な溝の内
部にまで純水35が行き渡り、充分な洗浄効果が得られ
る。この後、ステップS5に示すように、第1および第
2排水バルブ41.42が開成されて純水35が排水さ
れ、一連のシーケンスが完了して洗浄処理が完了する。
容器32内が大気圧(約1気圧)まで減圧される。この
減圧により純水35は急速に沸点を越え、純水35の内
部で突沸現象が発生ずる。この突沸現象により、上記実
験例でも説明したように、トレンチ溝等の微細な溝の内
部にまで純水35が行き渡り、充分な洗浄効果が得られ
る。この後、ステップS5に示すように、第1および第
2排水バルブ41.42が開成されて純水35が排水さ
れ、一連のシーケンスが完了して洗浄処理が完了する。
その後は被洗浄物51を乾燥させる。
なお、被洗浄物51の汚れ状態がひどい場合には、上記
シーケンスを繰り返せばよい。また、純水バルブ36お
よび第1排水バルブ41を開状態で洗浄すれば、流水ブ
ローしながらの洗浄も可能である。
シーケンスを繰り返せばよい。また、純水バルブ36お
よび第1排水バルブ41を開状態で洗浄すれば、流水ブ
ローしながらの洗浄も可能である。
この洗浄装置によれば、加圧・加熱状態にある純水35
を急激に大気圧まで減圧させて突沸を起こさせるように
構成しているため微細溝の洗浄が可能であり、しかも減
圧時期を適当に変化さけることにより突沸時期を調整し
て突沸現象を制御することができる。また、加熱手段と
してマイクロ波使用による誘電加熱部34を用いている
ため、誘電加熱部34を洗浄槽33から離隔配置でき、
装置設計の自由度にも優れている。
を急激に大気圧まで減圧させて突沸を起こさせるように
構成しているため微細溝の洗浄が可能であり、しかも減
圧時期を適当に変化さけることにより突沸時期を調整し
て突沸現象を制御することができる。また、加熱手段と
してマイクロ波使用による誘電加熱部34を用いている
ため、誘電加熱部34を洗浄槽33から離隔配置でき、
装置設計の自由度にも優れている。
なお、上記第2の実施例においては、加熱手段として誘
電加熱部34を用いているが、加熱手段は誘電加熱部3
4だけに限られることなく、例えば加熱ヒータ等を用い
てもよい。また、加圧容器32内に供給されるガスの種
類は特に限定されることはなく、使用される洗浄液への
溶解度1原産性などを考慮して選択すればよい。さらに
上記装置2 置に加えて超音波発振器等を併用するようにしてもよい
。
電加熱部34を用いているが、加熱手段は誘電加熱部3
4だけに限られることなく、例えば加熱ヒータ等を用い
てもよい。また、加圧容器32内に供給されるガスの種
類は特に限定されることはなく、使用される洗浄液への
溶解度1原産性などを考慮して選択すればよい。さらに
上記装置2 置に加えて超音波発振器等を併用するようにしてもよい
。
以上のように、請求項1記載の発明による洗浄方法によ
れば、洗浄液を突沸させて被洗浄物を洗浄するようにし
ているため、洗浄液が被洗浄物の微細な溝の内部まで行
き渡り、微細な溝内部まで十分に洗浄できるという効果
が得られる。
れば、洗浄液を突沸させて被洗浄物を洗浄するようにし
ているため、洗浄液が被洗浄物の微細な溝の内部まで行
き渡り、微細な溝内部まで十分に洗浄できるという効果
が得られる。
請求項2記載の発明による洗浄装置によれば、加圧・加
熱状態にある洗浄液を減圧させて突沸させるように構成
しているため、突沸現象を利用した被洗浄物の洗浄を行
なえるという効果が得られる。
熱状態にある洗浄液を減圧させて突沸させるように構成
しているため、突沸現象を利用した被洗浄物の洗浄を行
なえるという効果が得られる。
第1図はこの発明の洗浄方法を適用した実験例を説明す
る図、第2図はこの発明の一実施例である洗浄装置を示
す断面図、第3図はその装置の動作を説明するフローチ
ャート、第4図は従来の洗浄装置を示す断面図である。 図において、11.33は洗浄槽、14.35は純水、
15.16はガラス管、31は洗浄装置、32は加圧容
器、34は誘電加熱部、50は制御手段、51は被洗浄
物である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第 ―
る図、第2図はこの発明の一実施例である洗浄装置を示
す断面図、第3図はその装置の動作を説明するフローチ
ャート、第4図は従来の洗浄装置を示す断面図である。 図において、11.33は洗浄槽、14.35は純水、
15.16はガラス管、31は洗浄装置、32は加圧容
器、34は誘電加熱部、50は制御手段、51は被洗浄
物である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第 ―
Claims (2)
- (1)被洗浄物を洗浄液中に浸漬させた後、前記洗浄液
を突沸させることを特徴とする洗浄方法。 - (2)加圧容器と、 前記加圧容器内に設けられる洗浄液収容器と、前記洗浄
液収容器内に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、 前記加圧容器内を加圧する加圧手段と、 前記洗浄液収容器内に供給された洗浄液を加熱する加熱
手段と、 前記加圧容器内を減圧する減圧手段と、 前記加圧手段、前記加熱手段および前記減圧手段の駆動
を制御して、前記洗浄液を加圧・加熱後に減圧させて前
記洗浄液を突沸させる制御手段とを備えた洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63174030A JPH0821564B2 (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP63174030A JPH0821564B2 (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0223620A true JPH0223620A (ja) | 1990-01-25 |
JPH0821564B2 JPH0821564B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=15971405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63174030A Expired - Lifetime JPH0821564B2 (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0821564B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03293072A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-24 | Chiyoda Manufacturing Co Ltd | 有機溶剤を使用する洗浄装置の運転方法 |
JP2004157275A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路デバイスの製造方法 |
JP2011052245A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Hitachi Cable Ltd | 金属部材の表面処理方法および表面処理装置 |
CN102233340A (zh) * | 2010-05-07 | 2011-11-09 | 三浦工业株式会社 | 清洗装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5068067A (ja) * | 1973-10-17 | 1975-06-07 | ||
JPS62192638U (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-08 | ||
JPS62294475A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-21 | 株式会社オ−・エイチ・エル | 物品洗浄方法及び装置 |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP63174030A patent/JPH0821564B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5068067A (ja) * | 1973-10-17 | 1975-06-07 | ||
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CN102233340A (zh) * | 2010-05-07 | 2011-11-09 | 三浦工业株式会社 | 清洗装置 |
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Publication number | Publication date |
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JPH0821564B2 (ja) | 1996-03-04 |
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