JPS634617A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
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- JPS634617A JPS634617A JP14893886A JP14893886A JPS634617A JP S634617 A JPS634617 A JP S634617A JP 14893886 A JP14893886 A JP 14893886A JP 14893886 A JP14893886 A JP 14893886A JP S634617 A JPS634617 A JP S634617A
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- hydrogen peroxide
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- pure water
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Links
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、薬品処理された被洗浄物を純水を用いて洗
浄する洗浄方法に関するものである。
浄する洗浄方法に関するものである。
従来のこの種の純水を用いて洗浄する洗浄方法は、第３
図（ａ）に示すように、薬品処理された被洗浄物１を一
定量の純水５を入れた水洗処理槽４内に浸漬するか、ま
たは第３図（ｂ）に示すように純水５をノズル６により
吹き付けるかして洗浄を行った後、乾燥させていた。
図（ａ）に示すように、薬品処理された被洗浄物１を一
定量の純水５を入れた水洗処理槽４内に浸漬するか、ま
たは第３図（ｂ）に示すように純水５をノズル６により
吹き付けるかして洗浄を行った後、乾燥させていた。
しかし、従来の洗浄方法では、純水５中の水質の変動な
どにより、被洗浄物１の表面濡れ性が一定にならなかっ
たり、また水切れが被洗浄物１の表面でばらついたりし
て、次の乾燥工程で水滴残が発生する等の問題点があっ
た。
どにより、被洗浄物１の表面濡れ性が一定にならなかっ
たり、また水切れが被洗浄物１の表面でばらついたりし
て、次の乾燥工程で水滴残が発生する等の問題点があっ
た。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、被洗浄物の濡れ性を改善した洗浄方法を得
ることを目的とする。。
れたもので、被洗浄物の濡れ性を改善した洗浄方法を得
ることを目的とする。。
この発明にかかる洗浄方法は、薬品処理された被洗浄物
を予備洗浄し、前記被洗浄物を過酸化水素水に浸漬また
は前記過酸化水素水を吹き付けた後、純水にて洗浄処理
を行い、乾燥させるものである。
を予備洗浄し、前記被洗浄物を過酸化水素水に浸漬また
は前記過酸化水素水を吹き付けた後、純水にて洗浄処理
を行い、乾燥させるものである。
この発明においては、純水による水洗処理の前工程で被
洗浄物の過酸化水素水処理を行うことにより、被洗浄物
の表面濡れ性が改善される。また過酸化水素水の濃度や
浸漬時間等を適当なパラメータにすることにより任意の
表面濡れ性が得られる。
洗浄物の過酸化水素水処理を行うことにより、被洗浄物
の表面濡れ性が改善される。また過酸化水素水の濃度や
浸漬時間等を適当なパラメータにすることにより任意の
表面濡れ性が得られる。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例の洗浄方法を説明す
る図である。以下第２図の動作フローと共にその洗浄工
程について説明する。なお、第２図のＩ〜■は各ステッ
プを示す。
る図である。以下第２図の動作フローと共にその洗浄工
程について説明する。なお、第２図のＩ〜■は各ステッ
プを示す。
まず、シリコンウニ八等の被洗浄物１を薬品槽２内に入
れた薬品３によって処理を行う（ステップ■）。次に、
被洗浄物１に付着した薬品３を水洗処理槽４で純水５を
用いて予備水洗を行う（ステップ■）。薬品が洗い流さ
れた後、過酸化水素水槽７を入れた過酸化水素水８に、
被洗浄物１を浸漬する（ステップ■）。その後、水洗槽
９で純水５を用いて本水洗処理を行い（ステップ）、乾
燥工程に移行される（ステップ■）。
れた薬品３によって処理を行う（ステップ■）。次に、
被洗浄物１に付着した薬品３を水洗処理槽４で純水５を
用いて予備水洗を行う（ステップ■）。薬品が洗い流さ
れた後、過酸化水素水槽７を入れた過酸化水素水８に、
被洗浄物１を浸漬する（ステップ■）。その後、水洗槽
９で純水５を用いて本水洗処理を行い（ステップ）、乾
燥工程に移行される（ステップ■）。
なお、上記実施例における過酸化水素水処理工程（ステ
ップ■）を行う前の薬品処理工程（ステップ■）で用い
る薬品３はどのようなものでもよいＯ また第１図（ａ）の工程では被洗浄物１を過酸化水素水
槽７内の過酸化水素水８中に浸漬する処理の場合につい
て説明したが、これは第１図（ｂ）に示すように、ステ
ップ■における過酸化水素水処理工程において、被洗浄
物１に一定時間過酸化水素水８をノズル６により吹き付
けるようにしてもよい。
ップ■）を行う前の薬品処理工程（ステップ■）で用い
る薬品３はどのようなものでもよいＯ また第１図（ａ）の工程では被洗浄物１を過酸化水素水
槽７内の過酸化水素水８中に浸漬する処理の場合につい
て説明したが、これは第１図（ｂ）に示すように、ステ
ップ■における過酸化水素水処理工程において、被洗浄
物１に一定時間過酸化水素水８をノズル６により吹き付
けるようにしてもよい。
上記実施例における被洗浄物１を純水５のみと、フッ酸
による薬品処理後、予備洗浄し純水洗浄前に過酸化水素
水処理を行ったときの比較を第１表に示す。
による薬品処理後、予備洗浄し純水洗浄前に過酸化水素
水処理を行ったときの比較を第１表に示す。
第１表
第１表では被洗浄物１としてシリコンウェハを用い、薬
品処理には弗化水素酸による処理が施されている。また
被洗浄物１の濡れ性の評価は、接触角の測定によって定
量化される。
品処理には弗化水素酸による処理が施されている。また
被洗浄物１の濡れ性の評価は、接触角の測定によって定
量化される。
以上のように被洗浄物１の表面濡れ性を任意に選択でき
ることにより、従来技術で生じていた被洗浄物１の表面
濡れ性の変動をなくすと共に、次の乾燥工程で発生して
いた水滴残を減少させることが可能となる。
ることにより、従来技術で生じていた被洗浄物１の表面
濡れ性の変動をなくすと共に、次の乾燥工程で発生して
いた水滴残を減少させることが可能となる。
以上説明したように、この発明は純水による本水洗処理
を実施する直前に過酸化水素水処理を行うことにより被
洗浄物の表面濡れ性を一定にし、次の乾燥時に水切れの
ばらつきによって生じる水滴残や、水質の変動によって
生じる表面濡れ性の変換をなくすことが可能となる。ま
た過酸化水素水の濃度や被洗浄物の浸漬時間を変えるこ
とにより任意の表面濡れ性にすることが可能である等の
効果を有するものである。
を実施する直前に過酸化水素水処理を行うことにより被
洗浄物の表面濡れ性を一定にし、次の乾燥時に水切れの
ばらつきによって生じる水滴残や、水質の変動によって
生じる表面濡れ性の変換をなくすことが可能となる。ま
た過酸化水素水の濃度や被洗浄物の浸漬時間を変えるこ
とにより任意の表面濡れ性にすることが可能である等の
効果を有するものである。
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の一実施例を示す洗浄
方法の工程を模式的に示した図、第２図は第１図の実施
例の動作を説明するフローチャー１・、第３図（ａ）、
（ｂ）は従来の洗浄方法の工程を模式的に示した図であ
る。 図において、１は被洗浄物、２は薬品槽、３は薬品、４
は水洗処理槽、５は純水、６はノズル、７は過酸化水素
水槽、８は過酸化水素水、９は水洗槽である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図
方法の工程を模式的に示した図、第２図は第１図の実施
例の動作を説明するフローチャー１・、第３図（ａ）、
（ｂ）は従来の洗浄方法の工程を模式的に示した図であ
る。 図において、１は被洗浄物、２は薬品槽、３は薬品、４
は水洗処理槽、５は純水、６はノズル、７は過酸化水素
水槽、８は過酸化水素水、９は水洗槽である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図
Claims (1)
- 薬品処理された被洗浄物を予備洗浄し、前記被洗浄物を
過酸化水素水に浸漬または前記過酸化水素水を吹き付け
た後、純水にて洗浄処理を行い、乾燥させることを特徴
とする洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14893886A JPS634617A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14893886A JPS634617A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS634617A true JPS634617A (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=15464015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14893886A Pending JPS634617A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS634617A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000018523A1 (en) * | 1998-09-29 | 2000-04-06 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low k dielectric and metal wafer surfaces |
| US6106663A (en) * | 1998-06-19 | 2000-08-22 | Lam Research Corporation | Semiconductor process chamber electrode |
| US6711775B2 (en) | 1999-06-10 | 2004-03-30 | Lam Research Corporation | System for cleaning a semiconductor wafer |
| JP2013126924A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | 周期表第１３族金属窒化物半導体基板の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6119133A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-28 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-06-24 JP JP14893886A patent/JPS634617A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6119133A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-28 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6106663A (en) * | 1998-06-19 | 2000-08-22 | Lam Research Corporation | Semiconductor process chamber electrode |
| WO2000018523A1 (en) * | 1998-09-29 | 2000-04-06 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low k dielectric and metal wafer surfaces |
| US6711775B2 (en) | 1999-06-10 | 2004-03-30 | Lam Research Corporation | System for cleaning a semiconductor wafer |
| JP2013126924A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | 周期表第１３族金属窒化物半導体基板の製造方法 |
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