JP2003053280A - 物品の洗浄方法および洗浄装置 - Google Patents
物品の洗浄方法および洗浄装置Info
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- JP2003053280A JP2003053280A JP2001246886A JP2001246886A JP2003053280A JP 2003053280 A JP2003053280 A JP 2003053280A JP 2001246886 A JP2001246886 A JP 2001246886A JP 2001246886 A JP2001246886 A JP 2001246886A JP 2003053280 A JP2003053280 A JP 2003053280A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】環境汚染物質を用いることのない物品の洗浄方
法および洗浄装置を提供する。 【構成】酸化カリウム水溶液２を高分子レジスト膜の付
着したシリコン基板１０または除去すべき物質の付着し
た物品に接触させて前記高分子レジスト膜または前記物
質を除去する。
法および洗浄装置を提供する。 【構成】酸化カリウム水溶液２を高分子レジスト膜の付
着したシリコン基板１０または除去すべき物質の付着し
た物品に接触させて前記高分子レジスト膜または前記物
質を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は物品の洗浄方法およ
び洗浄装置に係わり、特に、環境を汚染することのない
物品の洗浄装置に関する。
び洗浄装置に係わり、特に、環境を汚染することのない
物品の洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造工程において、シリコン基
板上に回路パターンを露光転写させるためのフォトレジ
スト膜はエッチング工程の終了後にシリコン基板から除
去する必要がある。このフォトレジスト膜は用途に応じ
て各種のポリマー（高分子化合物）で製作される。
板上に回路パターンを露光転写させるためのフォトレジ
スト膜はエッチング工程の終了後にシリコン基板から除
去する必要がある。このフォトレジスト膜は用途に応じ
て各種のポリマー（高分子化合物）で製作される。
【０００３】従来、フォトレジスト膜を除去するため
に、フロンやトリクロロエチレン等の有機塩素系溶剤を
用いた薬液洗浄処理が広く行われていた。しかしなが
ら、これらの洗浄薬液には環境汚染物質が含まれるため
に、その回収、処理工程に多大の費用を要していた。ま
た、これらの洗浄薬液には将来的に使用規制の対象とな
る化学物質が多量に含まれているために代替技術の早期
開発が望まれていた。
に、フロンやトリクロロエチレン等の有機塩素系溶剤を
用いた薬液洗浄処理が広く行われていた。しかしなが
ら、これらの洗浄薬液には環境汚染物質が含まれるため
に、その回収、処理工程に多大の費用を要していた。ま
た、これらの洗浄薬液には将来的に使用規制の対象とな
る化学物質が多量に含まれているために代替技術の早期
開発が望まれていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題を解
決するためになされたものであり、その目的は環境汚染
物質を用いることのない物品の洗浄方法および洗浄装置
を提供することである。
決するためになされたものであり、その目的は環境汚染
物質を用いることのない物品の洗浄方法および洗浄装置
を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の物品の洗浄方法
は、酸化カリウム（Ｋ2 Ｏ）水溶液を高分子レジスト膜
の付着したシリコン基板または除去すべき物質の付着し
た物品に接触させて前記高分子レジスト膜または前記物
質を除去するものである。
は、酸化カリウム（Ｋ2 Ｏ）水溶液を高分子レジスト膜
の付着したシリコン基板または除去すべき物質の付着し
た物品に接触させて前記高分子レジスト膜または前記物
質を除去するものである。
【０００６】また、この本発明の物品の洗浄方法は、酸
化カリウム（Ｋ2 Ｏ）、二酸化珪素（ＳI Ｏ2 ）、三酸
化硫黄（ＳＯ3 ）のいずれかまたはこれらの混合物の水
溶液を高分子レジスト膜の付着したシリコン基板または
除去すべき物質の付着した物品に接触させて前記高分子
レジスト膜または前記物質を除去することを特徴とする
物品の洗浄方法。
化カリウム（Ｋ2 Ｏ）、二酸化珪素（ＳI Ｏ2 ）、三酸
化硫黄（ＳＯ3 ）のいずれかまたはこれらの混合物の水
溶液を高分子レジスト膜の付着したシリコン基板または
除去すべき物質の付着した物品に接触させて前記高分子
レジスト膜または前記物質を除去することを特徴とする
物品の洗浄方法。
【０００７】また、この本発明の物品の洗浄方法は、前
記各洗浄方法において、前記水溶液中に気泡を発生させ
るものである。
記各洗浄方法において、前記水溶液中に気泡を発生させ
るものである。
【０００８】また、この本発明の物品の洗浄方法は、前
記各洗浄方法において、前記水溶液に超音波を作用させ
るものである。
記各洗浄方法において、前記水溶液に超音波を作用させ
るものである。
【０００９】また、この本発明の物品の洗浄方法は、植
物性界面活性剤水溶液、酸化還元電位の低い水のいずれ
かまたはこれらの混合液に物質の付着した物品を浸し前
記混合液に熱を加え、さらに超音波または気泡のいずれ
かを加えるものである。なお、上記の植物性界面活性剤
水溶液の植物性界面活性剤の濃度は０．１％程度が望ま
しい。また、酸化還元電位の低い水は水を電気分解する
ことにより製造することができる。その酸化還元電位は
−５００ｍＶ以下であることが望ましい。
物性界面活性剤水溶液、酸化還元電位の低い水のいずれ
かまたはこれらの混合液に物質の付着した物品を浸し前
記混合液に熱を加え、さらに超音波または気泡のいずれ
かを加えるものである。なお、上記の植物性界面活性剤
水溶液の植物性界面活性剤の濃度は０．１％程度が望ま
しい。また、酸化還元電位の低い水は水を電気分解する
ことにより製造することができる。その酸化還元電位は
−５００ｍＶ以下であることが望ましい。
【００１０】また、この本発明の物品の洗浄方法は、酸
化カリウム、二酸化珪素、三酸化硫黄のいずれかまたは
これらの混合物の水溶液もしくは植物性界面活性剤水溶
液、酸化還元電位の低い水のいずれかまたはこれらの混
合液をノズルより噴出させて物品に吹き付るものであ
る。
化カリウム、二酸化珪素、三酸化硫黄のいずれかまたは
これらの混合物の水溶液もしくは植物性界面活性剤水溶
液、酸化還元電位の低い水のいずれかまたはこれらの混
合液をノズルより噴出させて物品に吹き付るものであ
る。
【００１１】この発明の物品の洗浄装置は、物品を浸し
た洗浄槽内の酸化カリウム、二酸化珪素、三酸化硫黄の
いずれかまたはこれらの混合物の水溶液または植物性界
面活性剤水溶液、酸化還元電位の低い水のいずれかまた
はこれらの混合液を循環させる循環手段と、前記水溶液
または水を加熱する加熱手段と、前記水溶液または水に
空気を吹き込む気泡発生手段または前記水溶液または水
に超音波を印加する超音波発生手段をとを備えたもので
ある。
た洗浄槽内の酸化カリウム、二酸化珪素、三酸化硫黄の
いずれかまたはこれらの混合物の水溶液または植物性界
面活性剤水溶液、酸化還元電位の低い水のいずれかまた
はこれらの混合液を循環させる循環手段と、前記水溶液
または水を加熱する加熱手段と、前記水溶液または水に
空気を吹き込む気泡発生手段または前記水溶液または水
に超音波を印加する超音波発生手段をとを備えたもので
ある。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例であるシリコ
ン基板の洗浄装置を図面に基づいて説明する。図１は本
発明の実施例であるフォトレジスト膜が塗布されたシリ
コン基板の洗浄装置を示す。図に示す１は洗浄槽であ
り、洗浄液２が満たされ、洗浄液２には搬送チャック９
に把持されたフォトレジスタの付着したシリコン基板１
０が浸される。
ン基板の洗浄装置を図面に基づいて説明する。図１は本
発明の実施例であるフォトレジスト膜が塗布されたシリ
コン基板の洗浄装置を示す。図に示す１は洗浄槽であ
り、洗浄液２が満たされ、洗浄液２には搬送チャック９
に把持されたフォトレジスタの付着したシリコン基板１
０が浸される。
【００１３】洗浄液２は酸化カリウム（Ｋ2 Ｏ）、二酸
化珪素（ＳI Ｏ2 ）、三酸化硫黄（ＳＯ3 ）の３成分を
溶解させた水溶液である。これら３成分の合計重量と水
との混合重量比は、３成分の合計重量：水＝１：２００
０である。また、３成分の重量比率は、Ｋ2 Ｏ：ＳI Ｏ
2 ：ＳＯ3 ＝８８：９：３である。なお、水溶液の上記
混合比率は厳格なものではないが、洗浄効果が高い場合
について例示した。
化珪素（ＳI Ｏ2 ）、三酸化硫黄（ＳＯ3 ）の３成分を
溶解させた水溶液である。これら３成分の合計重量と水
との混合重量比は、３成分の合計重量：水＝１：２００
０である。また、３成分の重量比率は、Ｋ2 Ｏ：ＳI Ｏ
2 ：ＳＯ3 ＝８８：９：３である。なお、水溶液の上記
混合比率は厳格なものではないが、洗浄効果が高い場合
について例示した。
【００１４】洗浄槽１内の洗浄液２は配管および液送ポ
ンプ３により循環される。この循環路中にフイルター４
が配置されている。さらに、洗浄槽１内は洗浄液加熱ヒ
ータ８が配置されており、洗浄液加熱ヒータ８に電流を
流すことにより洗浄液２が６０〜１００℃まで加熱され
る。
ンプ３により循環される。この循環路中にフイルター４
が配置されている。さらに、洗浄槽１内は洗浄液加熱ヒ
ータ８が配置されており、洗浄液加熱ヒータ８に電流を
流すことにより洗浄液２が６０〜１００℃まで加熱され
る。
【００１５】エアコンプレッサ５で圧送される空気は空
気加熱器６で加熱され、多数のノズルを有する気泡発生
器７で洗浄液２内に１００℃程度に加熱された圧縮空気
が多数の微小径の気泡となって放出される。この気泡は
シリコン基板１０の表面に接触しながら上昇する。
気加熱器６で加熱され、多数のノズルを有する気泡発生
器７で洗浄液２内に１００℃程度に加熱された圧縮空気
が多数の微小径の気泡となって放出される。この気泡は
シリコン基板１０の表面に接触しながら上昇する。
【００１６】このようにして洗浄液２を循環させながら
シリコン基板１０を洗浄すると約１〜５分で種々のレジ
スト膜を完全に除去することができた。この洗浄作用は
Ｋ2Ｏを主体とする混合成分の触媒作用と気泡のレジス
ト膜表面でのバブリング作用との相乗効果によるものと
推定される。
シリコン基板１０を洗浄すると約１〜５分で種々のレジ
スト膜を完全に除去することができた。この洗浄作用は
Ｋ2Ｏを主体とする混合成分の触媒作用と気泡のレジス
ト膜表面でのバブリング作用との相乗効果によるものと
推定される。
【００１７】洗浄により除去されたレジストはフイルタ
ー４に集められる。フイルター４に集められレジストを
除去しながら、洗浄液２を清浄することによりシリコン
基板１０を多数回に亘り洗浄することが可能となる。
ー４に集められる。フイルター４に集められレジストを
除去しながら、洗浄液２を清浄することによりシリコン
基板１０を多数回に亘り洗浄することが可能となる。
【００１８】上記装置において、洗浄液２を１００℃迄
加熱して沸騰させた場合は、エアコンプレッサ５を停止
して気泡を発生させなくても効率よくレジスト膜を除去
することができた。そして、洗浄槽１内の洗浄液２の温
度が沸騰点より低い場合は気泡を発生させることにより
効率的にレジスト膜を除去できる。さらに、気泡を発生
させる代わりに洗浄槽１内の洗浄液２に超音波発生器に
より超音波を印加しても同等の効果が得られた。
加熱して沸騰させた場合は、エアコンプレッサ５を停止
して気泡を発生させなくても効率よくレジスト膜を除去
することができた。そして、洗浄槽１内の洗浄液２の温
度が沸騰点より低い場合は気泡を発生させることにより
効率的にレジスト膜を除去できる。さらに、気泡を発生
させる代わりに洗浄槽１内の洗浄液２に超音波発生器に
より超音波を印加しても同等の効果が得られた。
【００１９】洗浄液２としてＫ2 Ｏのみを溶解した水溶
液を用いてもレジスト膜の除去は可能であるが上記実施
例に比べて洗浄効率が低下し、レジスト膜を完全に除去
するまでの時間が長くなる。また、洗浄液２として植物
性界面活性剤水溶液、酸化還元電位の低い水のいずれか
またはこれらの混合液を用いても洗浄可能である。さら
に、洗浄液をノズルより噴霧してシリコン基板１０に吹
き付けても洗浄槽に浸す場合と同様にレジスト膜の付着
したシリコン基板を洗浄することができる。
液を用いてもレジスト膜の除去は可能であるが上記実施
例に比べて洗浄効率が低下し、レジスト膜を完全に除去
するまでの時間が長くなる。また、洗浄液２として植物
性界面活性剤水溶液、酸化還元電位の低い水のいずれか
またはこれらの混合液を用いても洗浄可能である。さら
に、洗浄液をノズルより噴霧してシリコン基板１０に吹
き付けても洗浄槽に浸す場合と同様にレジスト膜の付着
したシリコン基板を洗浄することができる。
【００２０】実施例ではレジスト膜の付着したシリコン
基板の洗浄について述べたが、発明はこれに限られず、
レジスト膜の除去以外にも、各種材料や製造部品の洗浄
にこの発明を適用することができ、環境汚染を伴う各種
有機溶剤を使用することなく、油脂類を有効に洗浄除去
できる。
基板の洗浄について述べたが、発明はこれに限られず、
レジスト膜の除去以外にも、各種材料や製造部品の洗浄
にこの発明を適用することができ、環境汚染を伴う各種
有機溶剤を使用することなく、油脂類を有効に洗浄除去
できる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の物品の洗
浄方法および洗浄装置によれば、多くの工業分野におい
て、環境汚染を伴う各種有機溶剤を使用することなく効
果的に物品を洗浄することができる。
浄方法および洗浄装置によれば、多くの工業分野におい
て、環境汚染を伴う各種有機溶剤を使用することなく効
果的に物品を洗浄することができる。
【図１】本発明の実施例であるシリコン基板の洗浄装置
を示す構成図である。
を示す構成図である。
１ 洗浄槽
２ 洗浄液
３ 液送ポンプ
４ フイルター
５ エアコンプレッサ
６ 空気加熱器
７ 気泡発生器
８ 洗浄液加熱ヒータ
９ 搬送チャック
１０ シリコン基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ１１Ｄ 7/04 Ｃ１１Ｄ 7/04
17/08 17/08
Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４２Ａ
６４７ ６４７Ｚ
Claims (7)
- 【請求項１】 酸化カリウム水溶液を高分子レジスト膜
の付着したシリコン基板または除去すべき物質の付着し
た物品に接触させて前記高分子レジスト膜または前記物
質を除去することを特徴とする物品の洗浄方法。 - 【請求項２】 酸化カリウム、二酸化珪素、三酸化硫黄
のいずれかまたはこれらの混合物の水溶液を高分子レジ
スト膜の付着したシリコン基板または除去すべき物質の
付着した物品に接触させて前記高分子レジスト膜または
前記物質を除去することを特徴とする物品の洗浄方法。 - 【請求項３】 前記水溶液中に気泡を発生させることを
特徴とする請求項１または２の物品の洗浄方法。 - 【請求項４】 前記水溶液に超音波を作用させることを
特徴とする請求項１または２の物品の洗浄方法。 - 【請求項５】 植物性界面活性剤水溶液、酸化還元電位
の低い水のいずれかまたはこれらの混合液に物質の付着
した物品を浸し前記混合液に熱を加え、さらに超音波ま
たは気泡のいずれかを加えることを特徴とする物品の洗
浄方法。 - 【請求項６】 酸化カリウム、二酸化珪素、三酸化硫黄
のいずれかまたはこれらの混合物の水溶液もしくは植物
性界面活性剤水溶液、酸化還元電位の低い水のいずれか
またはこれらの混合液をノズルより噴出させて物品に吹
き付ることを特徴とする物品の洗浄方法。 - 【請求項７】 物品を浸した洗浄槽内の酸化カリウム、
二酸化珪素、三酸化硫黄のいずれかまたはこれらの混合
物の水溶液または植物性界面活性剤水溶液、酸化還元電
位の低い水のいずれかまたはこれらの混合液を循環させ
る循環手段と、前記水溶液または水を加熱する加熱手段
と、前記水溶液または水に空気を吹き込む気泡発生手段
または前記水溶液または水に超音波を印加する超音波発
生手段をとを備えたことを特徴とする物品の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001246886A JP2003053280A (ja) | 2001-08-16 | 2001-08-16 | 物品の洗浄方法および洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001246886A JP2003053280A (ja) | 2001-08-16 | 2001-08-16 | 物品の洗浄方法および洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003053280A true JP2003053280A (ja) | 2003-02-25 |
Family
ID=19076332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001246886A Pending JP2003053280A (ja) | 2001-08-16 | 2001-08-16 | 物品の洗浄方法および洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003053280A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007145961A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Toei Buhin Kk | 除菌洗浄剤及びこれを用いた汚染物の除去方法 |
| JP2011218317A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Miura Co Ltd | 洗浄装置 |
| CN116995003A (zh) * | 2023-09-28 | 2023-11-03 | 威海奥牧智能科技有限公司 | 基于空气泵的芯片刻蚀清洗液内循环控制系统和方法 |
-
2001
- 2001-08-16 JP JP2001246886A patent/JP2003053280A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007145961A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Toei Buhin Kk | 除菌洗浄剤及びこれを用いた汚染物の除去方法 |
| JP2011218317A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Miura Co Ltd | 洗浄装置 |
| CN116995003A (zh) * | 2023-09-28 | 2023-11-03 | 威海奥牧智能科技有限公司 | 基于空气泵的芯片刻蚀清洗液内循环控制系统和方法 |
| CN116995003B (zh) * | 2023-09-28 | 2023-12-15 | 威海奥牧智能科技有限公司 | 基于空气泵的芯片刻蚀清洗液内循环控制系统和方法 |
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