JPH02231460A - アルケノキシシアノビフェニル化合物 - Google Patents
アルケノキシシアノビフェニル化合物Info
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- JPH02231460A JPH02231460A JP5272589A JP5272589A JPH02231460A JP H02231460 A JPH02231460 A JP H02231460A JP 5272589 A JP5272589 A JP 5272589A JP 5272589 A JP5272589 A JP 5272589A JP H02231460 A JPH02231460 A JP H02231460A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電気光学的表示材料として有用なアルケノキ
シシアノビフェニル化合物に関し、さらに詳しくは、S
TN型液晶材料に混合することによって液晶材料の屈折
率の異方性を大きくするに有用なアルケノキシシアノビ
フェニル化合物に関するものである. 現在、STN型液晶セルはグリーンまたはブルーモード
より白黒、フルカラー化へ向けて開発が進められており
、それと併行して動画対応への高速応答化の検討が進め
られている。高速応答としては、従来、強誘電性液晶が
研究されているが、STN型液晶セルの層の厚さをより
薄゜くする事により、高速応答が期待される.その場合
、セルに充填される液晶材料の屈折率の異方性(Δn)
の大きな液晶材料が必要となり、その代表例として低粘
性にして高いΔnを示すシアノビフェニル化合物が提案
されたがまだ不十分であり、さらに高いΔnを示す化合
物が望まれていた。
シシアノビフェニル化合物に関し、さらに詳しくは、S
TN型液晶材料に混合することによって液晶材料の屈折
率の異方性を大きくするに有用なアルケノキシシアノビ
フェニル化合物に関するものである. 現在、STN型液晶セルはグリーンまたはブルーモード
より白黒、フルカラー化へ向けて開発が進められており
、それと併行して動画対応への高速応答化の検討が進め
られている。高速応答としては、従来、強誘電性液晶が
研究されているが、STN型液晶セルの層の厚さをより
薄゜くする事により、高速応答が期待される.その場合
、セルに充填される液晶材料の屈折率の異方性(Δn)
の大きな液晶材料が必要となり、その代表例として低粘
性にして高いΔnを示すシアノビフェニル化合物が提案
されたがまだ不十分であり、さらに高いΔnを示す化合
物が望まれていた。
本発明者等は、上記現状に鑑み、低粘度にして高いΔn
を示す化合物を見出すべく鋭意検討を重ねた結果、次の
一般式(I)で表される新規なアルケノキシシアノビフ
エニル化合物を液晶に添加することにより、液晶のΔn
を著しく改良することを見出した. (式中、Rは炭素原子数3〜18のアルケニル基を示し
.) 本発明になる上記一般式(I)で表される化合物におい
て、Rで示されるアルケニル基としては、例エば、1〜
ブロベニル、l−ブテニル、2−フテニル,3−メチル
−2−ブテニル−23−メチル−3−ブテニル、l−ペ
ンテニノレ、2−ペンテニノレ、1−へキセニ刀−、4
−・ブテニル、6−オクテニル、6一ノネニル、7−ノ
ネ二月58−ウンデセニノレ、10− トリデセニノレ
、12べ冫′タデセニノレ等があげられる。
を示す化合物を見出すべく鋭意検討を重ねた結果、次の
一般式(I)で表される新規なアルケノキシシアノビフ
エニル化合物を液晶に添加することにより、液晶のΔn
を著しく改良することを見出した. (式中、Rは炭素原子数3〜18のアルケニル基を示し
.) 本発明になる上記一般式(I)で表される化合物におい
て、Rで示されるアルケニル基としては、例エば、1〜
ブロベニル、l−ブテニル、2−フテニル,3−メチル
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ンテニノレ、2−ペンテニノレ、1−へキセニ刀−、4
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ネ二月58−ウンデセニノレ、10− トリデセニノレ
、12べ冫′タデセニノレ等があげられる。
また、上記−・般弐(I)で表される化合物は、R−O
Hで表されるアルケニルアルコールと4−・ンアノ4“
−ヒドロキシビフエニルとを反応させることにより製造
rることができる。
Hで表されるアルケニルアルコールと4−・ンアノ4“
−ヒドロキシビフエニルとを反応させることにより製造
rることができる。
かくして得られる本発明のアルケ・ノキシヒア5ノビフ
ェニル化合物はSTN型液晶材料に混合することによっ
て液晶材料の屈折率の異方性を大きくするに有用なばか
りでなく、反応性に優れるため、各種の合成中間体とし
て有用であり、特に、液晶中間体として有用である。
ェニル化合物はSTN型液晶材料に混合することによっ
て液晶材料の屈折率の異方性を大きくするに有用なばか
りでなく、反応性に優れるため、各種の合成中間体とし
て有用であり、特に、液晶中間体として有用である。
以下、実施例によって本発明を更Gご詳細に説明する8
実施例l
4−シー.アーL二4杏二−(−3−ニメチノレ−2−
フ゛−ニノレオキシ ヒ−3−メチル−2−ブテンー1
−オールi,14g,4−シアノー4”−ピドロ斗シビ
フェニル2.346およびIJフェニルホスフィン3.
77gを乾燥エチルエーテル30 に溶解し、ここにア
ゾジヵルボン酸ジイソブ口ビル2.91gを同量の乾燥
エチルエーテルとともに滴下した。室温で3時間攪拌し
、析出したトリフエニルホスフィンオキシFをろ別した
後、ろ液を脱溶媒した。残留物をn−一−キサン/′エ
チルエーテル(93/7)を展開溶媒とL7てシリカゲ
ル力ラムにより精製した後、メタノール/′エタノール
(8/1)で再結晶して融点79.0”cの目的物0.
7gを得た。
フ゛−ニノレオキシ ヒ−3−メチル−2−ブテンー1
−オールi,14g,4−シアノー4”−ピドロ斗シビ
フェニル2.346およびIJフェニルホスフィン3.
77gを乾燥エチルエーテル30 に溶解し、ここにア
ゾジヵルボン酸ジイソブ口ビル2.91gを同量の乾燥
エチルエーテルとともに滴下した。室温で3時間攪拌し
、析出したトリフエニルホスフィンオキシFをろ別した
後、ろ液を脱溶媒した。残留物をn−一−キサン/′エ
チルエーテル(93/7)を展開溶媒とL7てシリカゲ
ル力ラムにより精製した後、メタノール/′エタノール
(8/1)で再結晶して融点79.0”cの目的物0.
7gを得た。
赤外分光分析の結果、得られた生成物は次の特性吸収を
有しており、目的物であることを羅認した。
有しており、目的物であることを羅認した。
2900cm− ’、2230c+a−’, ].60
0cm−’、i495es1245cm−’、1000
cm−’ 825eIIl−’ 570cm−
’535c踵゛1 実施例2 4−シアノー −り“. チルー゜−ブーニルオ−3:
−シ−)−ζ3−メチノレ−3−フ゛テン−1−J゛−
ノレI..14g,4−シアノー4゜−ヒドロキシビフ
ェニル2.34gおよびトリソエニルホスフィン3.7
7gを乾燥テトラヒド口フラン30 に?容解し、ここ
にアドジカノレポン酸ジイソブロビル2.91gを同量
の乾燥テ1・ラヒド口フランの溶液を滴下j7た.室温
で3時間攪拌した後、析出したトリフエニルホスフィン
オキシドをエチルエーテルで抽出してろ別した。ろ液を
脱溶媒し、残渣をn−ヘキサン/エチルエーテル(9/
1)を展開溶媒としてシリカゲル力ラム精製した。ざら
にメタノール/n−ヘキサン(I/1)で再結晶して融
点45.5”Cの目的物2.4gを得た。
0cm−’、i495es1245cm−’、1000
cm−’ 825eIIl−’ 570cm−
’535c踵゛1 実施例2 4−シアノー −り“. チルー゜−ブーニルオ−3:
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ノレI..14g,4−シアノー4゜−ヒドロキシビフ
ェニル2.34gおよびトリソエニルホスフィン3.7
7gを乾燥テトラヒド口フラン30 に?容解し、ここ
にアドジカノレポン酸ジイソブロビル2.91gを同量
の乾燥テ1・ラヒド口フランの溶液を滴下j7た.室温
で3時間攪拌した後、析出したトリフエニルホスフィン
オキシドをエチルエーテルで抽出してろ別した。ろ液を
脱溶媒し、残渣をn−ヘキサン/エチルエーテル(9/
1)を展開溶媒としてシリカゲル力ラム精製した。ざら
にメタノール/n−ヘキサン(I/1)で再結晶して融
点45.5”Cの目的物2.4gを得た。
赤外分光分析の結果、得られた生成物は次の特性吸収を
有してお2ツ.目的物であることをii*認し,たや 2925cm−’, 2225eai−’、1605c
ai− ’、1250cm− ’1.185cm+−’
、1040es+−’ 830cm−’ 570c
m−’535C!I− ’ 参考例 本発明になる新規なアルケノキシシ7ノビフェニル化合
物を液晶に添加することにより、液晶のΔnを改良する
ことを見るために、次の組成になる1:1:1を混合し
た母液晶に20%のアルケO ノキシシアノしフェニル化合物を混合して、25℃にお
けるそれぞれの八〇の変化を測定し、、その結果を次に
示した. 上の結果から明らかなように、 本発明になる新 蜆なアルケノキシシアノビフエニル化合物は、母液晶の
Δnの値を大きくする効果が見られる。
有してお2ツ.目的物であることをii*認し,たや 2925cm−’, 2225eai−’、1605c
ai− ’、1250cm− ’1.185cm+−’
、1040es+−’ 830cm−’ 570c
m−’535C!I− ’ 参考例 本発明になる新規なアルケノキシシ7ノビフェニル化合
物を液晶に添加することにより、液晶のΔnを改良する
ことを見るために、次の組成になる1:1:1を混合し
た母液晶に20%のアルケO ノキシシアノしフェニル化合物を混合して、25℃にお
けるそれぞれの八〇の変化を測定し、、その結果を次に
示した. 上の結果から明らかなように、 本発明になる新 蜆なアルケノキシシアノビフエニル化合物は、母液晶の
Δnの値を大きくする効果が見られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 次の一般式( I )で表されるアルケノキシシアノビフ
ェニル化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Rは炭素原子数3〜18のアルケニル基を示し
。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1052725A JP2691766B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | アルケノキシシアノビフェニル化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1052725A JP2691766B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | アルケノキシシアノビフェニル化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02231460A true JPH02231460A (ja) | 1990-09-13 |
JP2691766B2 JP2691766B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=12922899
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1052725A Expired - Lifetime JP2691766B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | アルケノキシシアノビフェニル化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2691766B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61145154A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-02 | Asahi Glass Co Ltd | 液晶化合物および組成物 |
JPS62286943A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-12 | Dainippon Ink & Chem Inc | 4′−置換ビフエニルクロチルエ−テル誘導体 |
JPS63273648A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-10 | Kuraray Co Ltd | 側鎖型高分子液晶の製造方法 |
JPS63280741A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-17 | Toray Silicone Co Ltd | 液晶性オルガノポリシロキサンおよびその製造方法 |
JPS63310859A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-19 | Adeka Argus Chem Co Ltd | 光学活性シアノビフェニル化合物 |
JPH0269428A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-03-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 液晶化合物及び液晶ポリマー |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP1052725A patent/JP2691766B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61145154A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-02 | Asahi Glass Co Ltd | 液晶化合物および組成物 |
JPS62286943A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-12 | Dainippon Ink & Chem Inc | 4′−置換ビフエニルクロチルエ−テル誘導体 |
JPS63273648A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-10 | Kuraray Co Ltd | 側鎖型高分子液晶の製造方法 |
JPS63280741A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-17 | Toray Silicone Co Ltd | 液晶性オルガノポリシロキサンおよびその製造方法 |
JPS63310859A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-19 | Adeka Argus Chem Co Ltd | 光学活性シアノビフェニル化合物 |
JPH0269428A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-03-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 液晶化合物及び液晶ポリマー |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2691766B2 (ja) | 1997-12-17 |
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