JP2000281667A - ベンゾチアゾール化合物、その中間体、その製造法、液晶組成物及び液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】大きい屈折率異方性を有し、他の液晶と混合し
易く、かつ光に対する安定性がより有利である新規なベ
ンゾチアゾール化合物、このベンゾチアゾール化合物の
製造に有用な中間体化合物、その製造法、このベンゾチ
アゾール化合物用いた液晶組成物及びこの組成物を用い
た、光シャッターや表示素子等に使用できる液晶素子を
提供すること。 【解決手段】式(１)で示されるベンゾチアゾール化合
物、その中間体、その製造法、液晶組成物および液晶素
子。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子の構
成材料あるいは液晶組成物の配合成分として有用であ
り、骨格にベンゾチアゾール環を有する新規なベンゾチ
アゾール化合物、その製造に利用可能な中間体化合物、
その製造法、それを含む液晶組成物及びそれを用いた液
晶素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示素子の高性能化は、情報
化社会の進展に伴い不可欠となっている。液晶組成物と
しては、より高速化、あるいは高性能化等の物性を達成
するために、屈折率異方性の大きい材料の配合が必要と
されている。屈折率異方性が比較的大きい液晶としてト
ラン化合物が知られている[Ｍｏｌ.Ｃｒｙｓｔ.Ｌｉｑ.
Ｃｒｙｓｔ.,第２３巻第２３３頁(１９７３)］が、屈折
率異方性は約０．２と満足できるほどの大きさではなか
った。また、下記式で表される化合物が開発されている
(特開平２−８３３４０号公報)。

【０００３】

【化６】 (式中、Ａｌｋｙｌは、アルキル基を表す。) この化合物は、屈折率異方性が０．３以上の値を有する
が、他液晶との相溶性が悪く実用的ではない。そこで、
他液晶との相溶性を向上させることを目的として下記式
で表される化合物が開発されている(特開平９−２１６
８４１号公報)。

【０００４】

【化７】 (式中、Ｒ⁵はアルキル基を示し、Ｙはアルキル基、フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はシアノ基
を示し、Ｈ¹〜Ｈ¹²は水素原子、フッ素原子又は塩素原
子を示す(ここで、Ｈ¹〜Ｈ¹²の少なくとも１つはフッ素
原子又は塩素原子である)。) この化合物は、他液晶との相溶性の点が改善されている
が、水素原子をフッ素原子等のハロゲン原子で置換して
いるため屈折率異方性が低下し、相溶性改善と引き替え
に屈折率異方性が犠牲にされている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、大き
い屈折率異方性を有し、他の液晶と混合し易く、かつ光
に対する安定性がより有利である新規なベンゾチアゾー
ル化合物、このベンゾチアゾール化合物の製造に有用な
中間体化合物、その製造法、このベンゾチアゾール化合
物用いた液晶組成物及びこの組成物を用いた、光シャッ
ターや表示素子等に使用できる液晶素子を提供すること
にある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため鋭意検討を加えた結果、ある種のベンゾ
チアゾール化合物が十分大きな屈折率異方性を有するこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明
によれば、式(１)で示されるベンゾチアゾール化合物が
提供される。

【化８】 (式中、ｍは０〜２の整数を示す。Ａは、

【化９】 のいずれかを示す(ここで、Ｘはフッ素原子または炭素
数１〜１０のアルキル基を表す。ｓは０〜４の整数であ
り、ｐ及びｒは各々独立に０〜３の整数である)。Ｒ¹及
びＲ²は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、シア
ノ基、４−Ｒ³−(シクロアルキル)基、４−Ｒ³−(シク
ロアルケニル基)又はＲ⁴−(Ｏ)ｑ基を示す(ここで、Ｒ³
は水素原子、直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換され
ていても良い炭素数１〜１２のアルキル基を示し、Ｒ⁴
は直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換されていても良
い炭素数１〜１２のアルキル基を示す。ｑは０又は１を
示す)。また、Ｒ¹及びＲ²が同時に水素原子になること
はない。) また本発明によれば、式(ＩＭ−１)で示される化合物が
提供される。

【化１０】 (式中、Ｒ¹は上記式(１)のＲ¹と同じ意味を示す。) 更に本発明によれば、上記式(ＩＭ−１)で示される化合
物と、式(ＩＭ−２)で示される誘導体とを、パラジウム
触媒及び塩基性物質の存在下に反応させることを特徴と
する、上記式(１)で示される化合物の製造法が提供され
る。

【化１１】 (式中、Ａ及びＲ²は、上記式(１)中のＡ及びＲ²と同じ
意味を示す。Ｘ¹はＩまたはＢｒを示す。) 更にまた本発明によれば、上記式(１)で示される化合物
を少なくとも１種含有することを特徴とする液晶組成物
が提供される。更に本発明によれば、上記液晶組成物を
一対の電極基板間に挟持してなることを特徴とする液晶
素子が提供される。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下本発明を更に詳細に説明す
る。本発明のベンゾチアゾール化合物は、上記式(１)で
表される化合物である。式(１)において、Ｒ¹及びＲ
²は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、シアノ
基、４−Ｒ³−(シクロアルキル)基、４−Ｒ³−(シクロ
アルケニル基)又はＲ⁴−(Ｏ)ｑ基を示す(ここで、Ｒ³は
水素原子、直鎖もしくは分枝のフッ素で置換されていて
も良い炭素数１〜１２のアルキル基を示し、Ｒ⁴は直鎖
もしくは分枝のフッ素原子で置換されていても良い炭素
数１〜１２のアルキル基を示す。ｑは０又は１を示
す)。また、Ｒ¹及びＲ²が同時に水素原子になることは
ない。

【０００８】Ｒ¹及びＲ²の具体例としては、例えば、水
素原子；フッ素原子；メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、
オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデ
シル基等のアルキル基及びこれらがフッ素原子で置換さ
れたフルオロアルキル基(例えばトリフルオロメチル
基)；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチル
オキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシ
ルオキシ基、ドデシルオキシ基等のアルコキシ基及びこ
れらがフッ素原子で置換されたフルオロアルコキシ基
(例えば１〜３個のフッ素原子で置換されたメトキシ
基、１〜５個のフッ素原子で置換されたエトキシ基)；
メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチ
ル基、ブトキシメチル基、ペンチルオキシメチル基、ヘ
キシルオキシメチル基、ヘプチルオキシメチル基、オク
チルオキシメチル基、ノニルオキシメチル基、デシルオ
キシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、
プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ペンチルオキ
シエチル基、ヘキシルオキシエチル基、ヘプチルオキシ
エチル基、オクチルオキシエチル基、ノニルオキシエチ
ル基、デシルオキシエチル基、メトキシプロピル基、エ
トキシプロピル基、プロポキシプロピル基、ブトキシプ
ロピル基、ペンチルオキシプロピル基、ヘキシルオキシ
プロピル基、ヘプチルオキシプロピル基、オクチルオキ
シプロピル基、ノニルオキシプロピル基、メトキシブチ
ル基、エトキシブチル基、プロポキシブチル基、ブトキ
シブチル基、ペンチルオキシブチル基、ヘキシルオキシ
ブチル基、ヘプチルオキシブチル基、オクチルオキシブ
チル基、メトキシペンチル基、エトキシペンチル基、プ
ロポキシペンチル基、ブトキシペンチル基、ペンチルオ
キシペンチル基、ヘキシルオキシペンチル基、ヘプチル
オキシペンチル基等のアルコキシアルキル基及びこれら
がフッ素原子で置換されたフルオロアルコキシアルキル
基；２−メチルプロピル基、２−メチルブチル基、３−
メチルブチル基、３−メチルペンチル基等の分枝アルキ
ル基及びこれらがフッ素原子で置換されたフルオロ分枝
アルキル基；２−メチルプロピルオキシ基、２−メチル
ブチルオキシ基、３−メチルブチルオキシ基、３−メチ
ルペンチルオキシ基等の分枝アルキルオキシ基及びこれ
らがフッ素原子で置換されたフルオロ分枝アルキルオキ
シ基；４−メチルシクロヘキシル基、４−エチルシクロ
ヘキシル基、４−プロピルシクロヘキシル基、４−ブチ
ルシクロヘキシル基、４−ペンチルシクロヘキシル基、
４−ヘキシルシクロヘキシル基、４−ヘプチルシクロヘ
キシル基、４−オクチルシクロヘキシル基、４−ノニル
シクロヘキシル基、４−デシルシクロヘキシル基等の４
−アルキル−シクロアルキル基およびこれらがフッ素原
子で置換された４−フルオロアルキル−シクロアルキル
基；４−プロピルシクロヘキセニル基、４−ペンチルシ
クロヘキセニル基等の４−アルキル−シクロアルケニル
基及びこれらがフッ素原子で置換された４−フルオロア
ルキル−シクロアルケニル基；シアノ基等が挙げられ
る。

【０００９】式(１)で示されるベンゾチアゾール化合物
の具体例としては、下記構造式で示される化合物等が挙
げられる。ここで、Ｒ¹及びＲ²は、上記列挙した基が好
ましいがこれに限定されない。

【００１０】

【化１２】

【００１１】

【化１３】

【００１２】

【化１４】

【００１３】

【化１５】

【００１４】本発明の上記式(ＩＭ−１)で示される化合
物は、上記式(１)で表されるベンゾチアゾール化合物の
製造等に有用な化合物である。式(ＩＭ−１)中のＲ¹の
具体例としては、上記式(１)のＲ¹として列挙した基を
好ましく挙げることができる。

【００１５】式(ＩＭ−１)で表される化合物は、例え
ば、下記化合物(５)、パラジウム触媒、塩基性物質、ヨ
ウ化銅の存在下に、トリメチルシリルエチンを反応さ
せ、下記化合物(６)を得た後、メタノールを仕込み、炭
酸カリウムを添加して反応させることにより得ることが
できる。

【化１６】 (式(５)及び(６)において、Ｒ¹は式(１)中のものと同じ
意味を示し、Ｘ¹はＩまたはＢｒを示す。）

【００１６】本発明のベンゾチアゾール化合物は、例え
ば、ｍ＝１の場合、式(２)で表される化合物と式(３)で
表される化合物とを、ヨウ化銅、パラジウム触媒及びト
リエチルアミン等の塩基の存在下で反応させることによ
り製造することができる。

【化１７】 (式(２)及び(３)において、Ａ、Ｒ¹及びＲ²は、上記式
(１)中のものと同じ意味を示す。)

【００１７】式(３)で表される化合物は、例えば、式
(４)で表される化合物とトリメチルシリルエチンとを、
ヨウ化銅、パラジウム触媒及びトリエチルアミン等の塩
基の存在下で反応させ、さらに炭酸カリウム等の塩基の
存在下、脱トリメチルシリル化させる方法等により製造
できる。

【化１８】 (式(４)において、Ａ及びＲ²は、上記式(１)中のものと
同じ意味を示す。)

【００１８】本発明のベンゾチアゾール化合物の製造法
は、式(１)中のｍ＝２の化合物を製造するのに特に有用
であって、上記式(ＩＭ−１)で示される化合物と、上記
式(ＩＭ−２)で示される誘導体とを、パラジウム触媒及
び塩基性物質の存在下に反応させる。上記式(ＩＭ−２)
において、式中のＡ及びＲ²は、式(１)のものと同じ意
味であって、その具体例としては、上記列挙したものを
好ましく挙げることができる。またＸ¹はＩ又はＢｒを
示す。上記反応において、式(ＩＭ−２)で示される化合
物の使用量は、式(ＩＭ−１)で示される化合物に対し
て、通常０．３〜３倍当量、好ましくは０．７〜１．５
倍当量である。上記パラジウム触媒としては、例えば、
塩化パラジウム；酢酸パラジウム；パラジウム／炭素；
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム、ジクロ
ロジトリフェニルホスフィンパラジウム等のトリフェニ
ルホスフィンパラジウム錯体等が挙げられる。パラジウ
ム触媒の使用量は、使用する式(ＩＭ−２)で示される化
合物に対して、０．００１〜０．１倍当量の範囲が好ま
しい。上記塩基性物質としては、例えば、アルカリ金属
の炭酸塩、カルボン酸塩、アルコキシド、水酸化物や、
あるいはトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミ
ン、トリ−ｎ−ブチルアミン、テトラメチルエチレンジ
アミン、ジメチルアニリン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ
−メチルピペリジン等の有機塩基が挙げられる。特に、
トリエチルアミン等の３級アミンの使用が好ましい。塩
基性物質の使用量は、使用する式(ＩＭ−２)で示される
化合物に対して、１〜２０倍当量が好ましい。前記反応
に際しては、更にヨウ化銅(I)を添加剤として加えるこ
ともできる。ヨウ化銅(I)の使用量は、使用する式(ＩＭ
−２)で示される化合物に対して、０〜０．１倍当量が
好ましい。前記反応に際しては、更に必要により、例え
ば、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジメチルホ
ルムアミド、ヘキサメチルホスホリルアミド、Ｎ−メチ
ルピロリドン、ベンゼン、トルエン等を反応溶媒として
使用することができる。反応条件は、適宜決定すること
ができるが、通常、温度−２０〜１２０℃、１〜４８時
間の範囲の条件で行なうことができる。

【００１９】本発明の液晶組成物は、式(１)で示される
ベンゾチアゾール化合物を少なくとも１種配合成分とし
て含有する。混合する他の成分は特に限定されないが、
液晶相を示す化合物あるいは組成物が好ましい。本発明
の液晶組成物において、式(１)で表されるベンゾチアゾ
ール化合物の配合割合は、液晶組成物中に０．１〜９
９．９重量％、好ましくは１〜９９重量％の範囲が好ま
しい。本発明の液晶組成物には、捩れ剤として、カイラ
ル化合物を一種もしくは複数種含有させることができ
る。カイラル化合物は、特に限定されないが、好ましく
は以下に示す化合物を例示することができる(ここで、
例示中の＊は不斉炭素を表す)。

【００２０】

【化１９】

【００２１】本発明の液晶組成物において、カイラル化
合物の配合割合は、配合組成等において適宜選択するこ
とができ、特に限定されない。

【００２２】本発明の液晶表示素子は、上記液晶組成物
を一対の電極基板に挟持した素子であれば、特に限定さ
れず、公知の液晶表示素子と同様な構成ものが挙げられ
る。電極の種類及び形態も特に限定されず、公知の電極
等が使用できる。また、本発明の液晶表示素子の作製
は、通常の液晶表示素子の作製にしたがって同様に行う
ことができ、他の要素を適宜付加させることも可能であ
る。

【００２３】

【実施例】以下実施例により、本発明に関してより詳細
に述べるが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。実施例１ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲
気下で下記中間体(Ｍ−１)３．６０ｇ、ジクロロビス
(トリフェニルホスフィン)パラジウム０．１４ｇ、ヨウ
化銅(I)０．０７ｇ、トリフェニルホスフィン０．１４
ｇ、トリエチルアミン１０．２ｇ及び酢酸エチル２０．
４ｇを仕込み、５７℃に昇温し、更に下記中間体(Ｍ−
２)１．６０ｇを酢酸エチル４．８０ｇに溶解した溶液
を滴下し、５５℃で４時間撹拌した。得られた反応物を
濾過し、酢酸エチルで洗浄した。濾液を濃縮後、得られ
た固体を、ヘキサン／クロロホルム＝２／１を移動相と
するシリカゲルクロマトグラフィーにて分離し、粗生成
物３．２５ｇを得た。さらにクロロホルム／ヘキサン＝
１／１で抽出後、酢酸エチルで再結晶を繰り返し行い、
目的とする化合物１．１１ｇを得た。得られた化合物を
¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルで測定した結果、下記構造式で
表される化合物(１−１)であった。

【００２４】

【化２０】

【００２５】化合物(１−１)の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル
データは以下のとおりであった。¹ Ｈ−ＮＭＲ：δ０．９５(３Ｈ、ｔ)、１．０５(３Ｈ、
ｔ)、１．３４−１．５２(４Ｈ、ｍ)、１．７６−１．
８６(４Ｈ、ｍ)、３．９５(２Ｈ、ｔ)、４．０２(２
Ｈ、ｔ)、６．９０(２Ｈ、ｄ)、７．１０(１Ｈ、ｄ
ｄ)、７．２８(１Ｈ、ｔ)７．５５(２Ｈ、ｄ)、７．９
１(１Ｈ、ｄ) また化合物(１−１)の融点は１１５℃であった。化合物
(１−１)を、ネマティック組成物ＭＪ９３１３８１(メ
ルクジャパン社製)に１０重量％添加して測定した屈折
率異方性Δｎから濃度比で外挿したΔｎを求めたとこ
ろ、０．３４と極めて大きいものであった。なお、Δｎ
はアッベ屈折計で測定し、測定温度は２０℃、測定波長
は５８９ｎｍで行った。

【００２６】また、上記(１−１)を得る際に用いたクロ
ロホルム／ヘキサン＝１／１での抽出後の残渣を３回再
結晶したところ、下記化合物(１−２)が得られた。

【化２１】 化合物(１−２)の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルデータは以下
のとおりであった。¹ Ｈ−ＮＭＲ：δ０．９５(６Ｈ、ｔ)、１．３４−１．
５３(８Ｈ、ｍ)、１．８０−１．９０(４Ｈ、ｍ)、４．
０５(４Ｈ、ｔ)、７．１３(２Ｇ、ｄｄ)、７．３７(２
Ｈ、ｄ)、８．００(２Ｈ、ｄ) また化合物(１−２)の融点を測定したところ１８９℃で
あった。

【００２７】なお、上記中間体(Ｍ−１)は下記ルートに
より合成することができる。

【化２２】

【００２８】実施例２ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲
気下で実施例１で用いた中間体(Ｍ−１)４．４２ｇ、ジ
クロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム０．１
０ｇ、ヨウ化銅(I)０．０５ｇ、トリフェニルホスフィ
ン０．１０ｇ、トリエチルアミン１２．１ｇ及び酢酸エ
チル１２．１ｇを仕込み、６１℃に昇温し、更に下記中
間体(Ｍ−３)１．５３ｇを酢酸エチル２４．０ｇに溶解
した溶液を滴下し、６２〜６４℃で３時間撹拌した。得
られた反応物を濾過し、酢酸エチルで洗浄した。濾液を
濃縮後、得られた固体をヘキサン／酢酸エチル＝１０／
１にトリエチルアミン０．１％を加えたものを移動相と
するシリカゲルクロマトグラフィーにて分離した。さら
にヘキサン／クロロホルム＝１／１を移動相とするシリ
カゲルクロマトグラフィーによる分離を繰り返した後、
ヘキサン／酢酸エチル＝１０／１による再結晶を行い、
目的とする化合物を１．６０ｇ得た。得られた化合物を
¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルで測定した結果、下記構造式で
表される化合物(１−３)であった。

【００２９】

【化２３】

【００３０】化合物(１−３)の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル
データは以下のとおりであった。¹ Ｈ−ＮＭＲ：δ０．９５(３Ｈ、ｔ)、１．３４−１．
５３(４Ｈ、ｍ)、１．７９−１．８９(２Ｈ、ｍ)、４．
０３(２Ｈ、ｔ)７．１４(１Ｈ、ｄｄ)、７．３９(１
Ｈ、ｄ)、７．６５ー７．７４(４Ｈ、ｍ)、７．９６(１
Ｈ、ｄ) 化合物(１−３)の融点を測定したところ１６２℃であっ
た。

【００３１】実施例３ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲
気下で実施例１で用いた中間体(Ｍ−１)３．６ｇ、ジク
ロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム０．１４
ｇ、ヨウ化銅(I)０．０７ｇ、トリフェニルホスフィン
０．１４ｇ、トリエチルアミン１０．１ｇ及び酢酸エチ
ル１０．１ｇを仕込み、５５℃に昇温し、更に下記誘導
体(Ｍ−４)１．５６ｇを酢酸エチル３．１ｇに溶解した
ものを滴下し、５５〜６０℃で３時間撹拌した。得られ
た反応物を濾過し酢酸エチルで洗浄した。濾液を濃縮
後、得られた固体を、ヘキサン／クロロホルム＝２／１
を移動相とするシリカゲルクロマトグラフィーにて分離
し、さらにメタノールによる再結晶を行い、目的の化合
物を２．１５ｇ得た。得られた化合物を¹Ｈ−ＮＭＲス
ペクトルで測定した結果、下記構造式で表される化合物
(１−４)であった。

【００３２】

【化２４】 化合物(１−４)の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルデータは以下
のとおりであった。¹ Ｈ−ＮＭＲ：δ０．９５(３Ｈ、ｔ)、１．０５(３Ｈ、
ｔ)、１．３４−１．５２(４Ｈ、ｍ)、１．７６−１．
８６(４Ｈ、ｍ)、３．９５(２Ｈ、ｔ)、４．０２(２
Ｈ、ｔ)、６．９０(２Ｈ、ｄ)、７．１０(１Ｈ、ｄ
ｄ)、７．２８(１Ｈ、ｔ)、７．５５(２Ｈ、ｄ)、７．
９１(１Ｈ、ｄ) 化合物(１−４)の融点を測定したところ９７℃であっ
た。また化合物(１−４)のΔｎを実施例１に記載した方
法で測定したところ、０．２４と高いものであった。

【００３３】なお、中間体(Ｍ−４)は下記ルートで合成
することができる。

【化２５】

【００３４】実施例４ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲
気下で実施例１で用いた中間体(Ｍ−１)を３．８５ｇ、
トリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド０．１
５ｇ、トリフェニルホスフィン０．１５ｇ、ヨウ化銅
０．０８ｇ、トリエチルアミン１３．０ｇ及び酢酸エチ
ル２６．０ｇを仕込み、続いて、５６℃に昇温し、下記
中間体(Ｍ−５)２．１０ｇを酢酸エチル１０．５ｇに溶
解した溶液を滴下して２時間撹拌反応させた。その後室
温に戻して中間体(Ｍ−５)２．１０ｇ、トリフェニルホ
スフィンパラジウムジクロライド０．１５ｇ、ヨウ化銅
０．１０ｇを追加し、さらに１５時間撹拌した。得られ
た反応物を濾過し酢酸エチルで洗浄した。得られた固体
をヘキサン／クロロホルム＝１．５／１にトリエチルア
ミン０．１％加えたものを移動相とするシリカゲルクロ
マトグラフィーにて分離し、さらに酢酸エチルによる再
結晶を行った。その後同様の条件でカラム精製を２回繰
り返し、目的の化合物を１．８３ｇ得た。得られた化合
物を¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルで測定した結果、下記構造
式で表される化合物(１−５)であった。

【００３５】

【化２６】 化合物(１−５)の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルデータは以下
のとおりであった。 1Ｈ−ＮＭＲ：δ ０．９５(６Ｈ、ｔ)、１．３４−
１．５３(８Ｈ、ｍ)、１．７９−１．８９(４Ｈ、ｍ)、
４．０３(４Ｈ、ｔ)、７．１５(２Ｈ、ｄｄ)、７．３１
(２Ｈ、ｄ)７．９８(２Ｈ、ｄ) 化合物(１−５)の融点を測定したところ１７６℃であっ
た。

【００３６】なお中間体(Ｍ−５)は下記のように合成し
た。撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素
雰囲気下で実施例１で用いた中間体(Ｍ−１)２１．０１
ｇ、トリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド
０．８４ｇ、トリフェニルホスフィン０．８４ｇ、ヨウ
化銅０．４２ｇ、トリエチルアミン２８．３ｇ及び酢酸
エチル２８．３ｇを仕込み、次いで、５８℃に昇温して
トリメチルシリルエチン１０．３１ｇを滴下した。１時
間撹拌した後室温に冷却し、得られた反応物を酢酸エチ
ルで洗浄した。濾液を濃縮後、得られた固体をヘキサン
／酢酸エチル＝１０／１にトリエチルアミン０．１％加
えたものを移動相とするシリカゲルクロマトグラフィー
にて分離し、下記中間体(Ｍ−５−１)１３．２４ｇを得
た。

【００３７】

【化２７】

【００３８】次いで、撹拌装置及び温度計を装着したフ
ラスコ内に、窒素雰囲気下で上記中間体(Ｍ−５−１)１
３．２０ｇ及びメタノール６６．０ｇを仕込み、２２℃
で炭酸カリウム０．１ｇを添加して１時間撹拌した。得
られた反応物を濃縮し、ヘキサン／酢酸エチル＝１０／
１にトリエチルアミン１％添加したものを移動相とする
シリカゲルクロマトグラフィーにて分離し、目的とする
上記中間体(Ｍ−５)６．５２ｇを得た。得られた中間体
(Ｍ−５)の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルデータは以下のとお
りであった。¹ Ｈ−ＮＭＲ：δ０．９４(３Ｈ、ｔ)、１．３３−１．
５１(４Ｈ、ｍ)、１．７７−１．８８(２Ｈ、ｍ)、３．
５５(１Ｈ、ｓ)、４．００(２Ｈ、ｔ)、７．１１(１
Ｈ、ｄｄ)、７．２６(１Ｈ、ｄ)、７．９２(１Ｈ、ｄ)

【００３９】実施例５ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲
気下で実施例４で用いた中間体(Ｍ−５)０．７９ｇ、メ
タノール２３．７ｇ、ＮＨ₂ＯＨ・ＨＣｌ０．８ｇ、水
２．５７ｇ、７０％エチルアミン１１．９ｇ及び塩化銅
(Ｉ)０．１６を仕込み、続いて、下記中間体(Ｍ−６)
０．６４ｇを９．６ｇのメタノールに溶解した溶液を滴
下して室温で撹拌反応させた。反応終了後メタノールで
洗浄した。ろ液を濃縮し、得られた固体を、ヘキサン／
クロロホルム＝１．５／１．０を移動相とするシリカゲ
ルクロマトグラフィーにて分離精製した。さらにヘキサ
ンで再結晶し、目的の化合物０．２６ｇを得た。得られ
た化合物を¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルで測定した結果、下
記構造式で表される化合物(１−６)であった。

【００４０】

【化２８】 化合物(１−６)の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルデータは以下
のとおりであった。¹ Ｈ−ＮＭＲ：δ０．９４(３Ｈ、ｔ)、１．０４(３Ｈ、
ｔ)、１．３３−１．５２(４Ｈ、ｍ)、１．７５−１．
８８(４Ｈ、ｍ)、３．９４(２Ｈ、ｔ)、４．０１(２
Ｈ、ｔ)、６．８６(２Ｈ、ｄ)、７．１１(１Ｈ、ｄｄ)
７．２６(１Ｈ、ｄ)、７．４９(２Ｈ、ｄ)、７．９２
(１Ｈ、ｄ)

【００４１】なお、中間体(Ｍ−６)は下記ルートで合成
することができる。

【化２９】 化合物(１−６)の相系列を偏光顕微鏡観察により評価し
たところ融点は１１６℃であった。また１５９℃で結晶
相からネマティック相に転移し、この化合物は、液晶性
化合物であった。また化合物(１−６)を、ネマティック
組成物ＭＪ９３１３８１(メルクジャパン社製)に５重量
％添加した組成物を調製し、実施例１に記載した方法で
Δｎを測定したところ、０．４８と極めて高いものであ
った。

【００４２】実施例６ 撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲
気下で下記中間体(Ｍ−７)を１．２９ｇ、トリフェニル
ホスフィンパラジウムジクロライド０．１ｇ、トリフェ
ニルホスフィン０．１ｇ、ヨウ化銅０．０５ｇ、実施例
４で用いた中間体(Ｍ−５)１．１８ｇ及び酢酸エチル１
１．８ｇを仕込み、続いて、トリエチルアミン０．５ｇ
を酢酸エチル５．０ｇに溶解した溶液を滴下し、１時間
撹拌反応させた。その後反応物を濃縮し、得られた固体
をヘキサン／クロロホルム＝２／１にトリエチルアミン
１％加えたものを移動相とするシリカゲルクロマトグラ
フィーにて分離した。さらにヘキサンによる再結晶を２
回行って、目的の化合物を０．６８ｇ得た。得られた化
合物を¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルで測定した結果、下記構
造式で表される化合物(１−７)であった。

【００４３】

【化３０】 化合物(１−７)の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルデータは以下
のとおりであった。¹ Ｈ−ＮＭＲ：δ０．９５(６Ｈ、ｔ)、１．３４−１．
５３(８Ｈ、ｍ)、１．７９−１．８９(４Ｈ、ｍ)、４．
０３(４Ｈ、ｔ)、７．１５(２Ｈ、ｄｄ)、７．２８(２
Ｈ、ｄ)、７．９６(２Ｈ、ｄ)

【００４４】なお、中間体(Ｍ−７)は下記ルートで合成
することができる。

【化３１】

【００４５】実施例７ 実施例３で製造した化合物(１−４)を、表１に記載の組
成物Ａに５重量％添加し、液相まで昇温、混合して組成
物１を調製した。組成物１及び組成物Ａの屈折率異方性
Δｎを実施例１と同様に測定したところ、組成物ＡのΔ
ｎは０．０８８であったのに対して、化合物(１−４)を
添加した組成物１のΔｎは０．１０６であった。従っ
て、本発明の化合物を添加した組成物１の方が組成物Ａ
よりもΔｎが大きくなることから本発明の化合物は屈折
率異方性を向上させることが分かる。

【００４６】

【表１】

【００４７】

【発明の効果】本発明の骨格にベンゾチアゾール環を有
するベンゾチアゾール化合物及びこの化合物を用いた液
晶組成物は、屈折率異方性が大きく、安定で、他液晶に
混合し易く、例えば、ＳＴＮ(超ねじれネマティック)型
液晶素子やＰＤＬＣ(ポリマー分散型液晶)型液晶素子に
代表される液晶素子を構成する材料として特に有用であ
る。本発明の式(ＩＭ−１)で示される化合物は、上記ベ
ンゾチアゾール化合物の製造に有用な化合物であり、こ
れを用いた本発明の製造法では、ほんはつめいのベンゾ
チアゾール化合物を容易に得ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関根 千津 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内 (72)発明者 藤沢 幸一 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内 (72)発明者 南井 正好 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内 (72)発明者 紺矢 直人 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内 Ｆターム(参考） 4H027 BA01 BB04 BD01 BD07 BD24 CL01 DL01 DL04 DL05 DP01 DP04 DP05 4H039 CA31 CA41 CA42 CD10 CD20

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 式(１)で示されるベンゾチアゾール化合
   物。 【化１】 (式中、ｍは０〜２の整数を示す。Ａは、 【化２】 のいずれかを示す(ここで、Ｘはフッ素原子または炭素
   数１〜１０のアルキル基を表す。ｓは０〜４の整数であ
   り、ｐ及びｒは各々独立に０〜３の整数である)。Ｒ¹及
   びＲ²は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、シア
   ノ基、４−Ｒ³−(シクロアルキル)基、４−Ｒ³−(シク
   ロアルケニル基)又はＲ⁴−(Ｏ)ｑ基を示す(ここで、Ｒ³
   は水素原子、直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換され
   ていても良い炭素数１〜１２のアルキル基を示し、Ｒ⁴
   は直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換されていても良
   い炭素数１〜１２のアルキル基を示す。ｑは０又は１を
   示す)。また、Ｒ¹及びＲ²が同時に水素原子になること
   はない。)
2. 【請求項２】 式(ＩＭ−１)で示される化合物。 【化３】 (式中、Ｒ¹はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、シ
   アノ基、４−Ｒ³−(シクロアルキル)基、４−Ｒ³−(シ
   クロアルケニル基)又はＲ⁴−(Ｏ)ｑ基を示す(ここで、
   Ｒ³は水素原子、直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換
   されていても良い炭素数１〜１２のアルキル基を示し、
   Ｒ⁴は直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換されていて
   も良い炭素数１〜１２のアルキル基を示す。ｑは０又は
   １を示す。)。)
3. 【請求項３】 請求項２記載の式(ＩＭ−１)で示される
   化合物と、式(ＩＭ−２)で示される誘導体とを、パラジ
   ウム触媒及び塩基性物質の存在下に反応させることを特
   徴とする、請求項１記載の式(１)で示される化合物の製
   造法。 【化４】 (式中、Ａは、 【化５】 のいずれかを示す(ここで、Ｘはフッ素原子または炭素
   数１〜１０のアルキル基を表す。ｓは０〜４の整数であ
   り、ｐ及びｒは各々独立に０〜３の整数である)。Ｒ
   ²は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、シアノ
   基、４−Ｒ³−(シクロアルキル)基、４−Ｒ³−(シクロ
   アルケニル基)又はＲ⁴−(Ｏ)ｑ基を示す(ここで、Ｒ³は
   水素原子、直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換されて
   いても良い炭素数１〜１２のアルキル基を示し、Ｒ⁴は
   直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換されていても良い
   炭素数１〜１２のアルキル基を示す。ｑは０又は１を示
   す)。Ｘ¹はＩまたはＢｒを示す。)
4. 【請求項４】 請求項１記載の式(１)で示される化合物
   を少なくとも１種含有することを特徴とする液晶組成
   物。
5. 【請求項５】 請求項４記載の液晶組成物を一対の電極
   基板間に挟持してなることを特徴とする液晶素子。