JP4521738B2 - ベンゾチアゾール化合物、その製造法、液晶組成物及び液晶素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示素子の構成材料あるいは液晶組成物の配合成分として有用であり、骨格にベンゾチアゾール環を有する新規なベンゾチアゾール化合物、その製造法、それを含む液晶組成物及びそれを用いた液晶素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、液晶表示素子の高性能化は、情報化社会の進展に伴い不可欠となっている。液晶組成物としては、より高速化、あるいは高性能化等の物性を達成するために、屈折率異方性の大きい材料の配合が必要とされている。屈折率異方性が比較的大きい液晶としてトラン化合物が知られている[Mol.Cryst.Liq.Cryst.,第23巻第233頁(1973)]が、屈折率異方性は約0.2と満足できるほどの大きさではなかった。また、下記式で表される化合物が開発されている(特開平2−83340号公報)。
【0003】
【化6】
(式中、Alkylは、アルキル基を表す。)
この化合物は、屈折率異方性が0.3以上の値を有するが、他液晶との相溶性が悪く実用的ではない。そこで、他液晶との相溶性を向上させることを目的として下記式で表される化合物が開発されている(特開平9−216841号公報)。
【0004】
【化7】
(式中、R5はアルキル基を示し、Yはアルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はシアノ基を示し、H1〜H12は水素原子、フッ素原子又は塩素原子を示す(ここで、H1〜H12の少なくとも1つはフッ素原子又は塩素原子である)。)
この化合物は、他液晶との相溶性の点が改善されているが、水素原子をフッ素原子等のハロゲン原子で置換しているため屈折率異方性が低下し、相溶性改善と引き替えに屈折率異方性が犠牲にされている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、大きい屈折率異方性を有し、他の液晶と混合し易く、かつ光に対する安定性がより有利である新規なベンゾチアゾール化合物、その製造法、このベンゾチアゾール化合物を用いた液晶組成物及びこの組成物を用いた、光シャッターや表示素子等に使用できる液晶素子を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討を加えた結果、ある種のベンゾチアゾール化合物が十分大きな屈折率異方性を有することを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明によれば、式(1)で示されるベンゾチアゾール化合物が提供される。
【化8】
(式中、mは1又は2の整数を示す。Aは、
【化9】
のいずれかを示す(ここで、Xはフッ素原子または炭素数1〜10のアルキル基を表す。sは0〜4の整数であり、p及びrは各々独立に0〜3の整数である)。R1及びR2は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、シアノ基、4−R3−(シクロアルキル)基、4−R3−(シクロアルケニル基)又はR4−(O)q基を示す(ここで、R3は水素原子、直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換されていても良い炭素数1〜12のアルキル基を示し、R4は直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換されていても良い炭素数1〜12のアルキル基を示す。qは0又は1を示す)。また、R1及びR2が同時に水素原子になることはない。)
また本発明によれば、式(2)で表される化合物と式(3)で表される化合物とを、もしくは式(IM−1)で示される化合物と式(IM−2)で示される誘導体とを、パラジウム触媒及び塩基性物質の存在下に反応させることを特徴とする、上記式(1)で示される化合物の製造法が提供される。
【化10】
(式中、R 1 はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、シアノ基、4−R 3 −(シクロアルキル)基、4−R 3 −(シクロアルケニル基)又はR 4 −(O)q基を示す(ここで、R 3 は水素原子、直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換されていても良い炭素数1〜12のアルキル基を示し、R 4 は直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換されていても良い炭素数1〜12のアルキル基を示す。qは0又は1を示す。)。Aは、
【化11】
のいずれかを示す(ここで、Xはフッ素原子または炭素数1〜10のアルキル基を表す。sは0〜4の整数であり、p及びrは各々独立に0〜3の整数である)。R2は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、シアノ基、4−R3−(シクロアルキル)基、4−R3−(シクロアルケニル基)又はR4−(O)q基を示す(ここで、R3は水素原子、直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換されていても良い炭素数1〜12のアルキル基を示し、R4は直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換されていても良い炭素数1〜12のアルキル基を示す。qは0又は1を示す)。X1はIまたはBrを示す。)
更にまた本発明によれば、上記式(1)で示される化合物を少なくとも1種含有することを特徴とする液晶組成物が提供される。
更に本発明によれば、上記液晶組成物を一対の電極基板間に挟持してなることを特徴とする液晶素子が提供される。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下本発明を更に詳細に説明する。
本発明のベンゾチアゾール化合物は、上記式(1)で表される化合物である。
式(1)において、R1及びR2は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、シアノ基、4−R3−(シクロアルキル)基、4−R3−(シクロアルケニル基)又はR4−(O)q基を示す(ここで、R3は水素原子、直鎖もしくは分枝のフッ素で置換されていても良い炭素数1〜12のアルキル基を示し、R4は直鎖もしくは分枝のフッ素原子で置換されていても良い炭素数1〜12のアルキル基を示す。qは0又は1を示す)。また、R1及びR2が同時に水素原子になることはない。
【0008】
R1及びR2の具体例としては、例えば、水素原子;フッ素原子;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等のアルキル基及びこれらがフッ素原子で置換されたフルオロアルキル基(例えばトリフルオロメチル基);メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等のアルコキシ基及びこれらがフッ素原子で置換されたフルオロアルコキシ基(例えば1〜3個のフッ素原子で置換されたメトキシ基、1〜5個のフッ素原子で置換されたエトキシ基);メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、ペンチルオキシメチル基、ヘキシルオキシメチル基、ヘプチルオキシメチル基、オクチルオキシメチル基、ノニルオキシメチル基、デシルオキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ペンチルオキシエチル基、ヘキシルオキシエチル基、ヘプチルオキシエチル基、オクチルオキシエチル基、ノニルオキシエチル基、デシルオキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プロポキシプロピル基、ブトキシプロピル基、ペンチルオキシプロピル基、ヘキシルオキシプロピル基、ヘプチルオキシプロピル基、オクチルオキシプロピル基、ノニルオキシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシブチル基、プロポキシブチル基、ブトキシブチル基、ペンチルオキシブチル基、ヘキシルオキシブチル基、ヘプチルオキシブチル基、オクチルオキシブチル基、メトキシペンチル基、エトキシペンチル基、プロポキシペンチル基、ブトキシペンチル基、ペンチルオキシペンチル基、ヘキシルオキシペンチル基、ヘプチルオキシペンチル基等のアルコキシアルキル基及びこれらがフッ素原子で置換されたフルオロアルコキシアルキル基;2−メチルプロピル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、3−メチルペンチル基等の分枝アルキル基及びこれらがフッ素原子で置換されたフルオロ分枝アルキル基;2−メチルプロピルオキシ基、2−メチルブチルオキシ基、3−メチルブチルオキシ基、3−メチルペンチルオキシ基等の分枝アルキルオキシ基及びこれらがフッ素原子で置換されたフルオロ分枝アルキルオキシ基;4−メチルシクロヘキシル基、4−エチルシクロヘキシル基、4−プロピルシクロヘキシル基、4−ブチルシクロヘキシル基、4−ペンチルシクロヘキシル基、4−ヘキシルシクロヘキシル基、4−ヘプチルシクロヘキシル基、4−オクチルシクロヘキシル基、4−ノニルシクロヘキシル基、4−デシルシクロヘキシル基等の4−アルキル−シクロアルキル基およびこれらがフッ素原子で置換された4−フルオロアルキル−シクロアルキル基;4−プロピルシクロヘキセニル基、4−ペンチルシクロヘキセニル基等の4−アルキル−シクロアルケニル基及びこれらがフッ素原子で置換された4−フルオロアルキル−シクロアルケニル基;シアノ基等が挙げられる。
【0009】
式(1)で示されるベンゾチアゾール化合物の具体例としては、下記構造式で示される化合物等が挙げられる。ここで、R1及びR2は、上記列挙した基が好ましいがこれに限定されない。
【0010】
【化12】
【0012】
【化14】
【0013】
【化15】
【0014】
本発明の上記式(IM−1)で示される化合物は、上記式(1)で表されるベンゾチアゾール化合物の製造等に有用な化合物である。式(IM−1)中のR1の具体例としては、上記式(1)のR1として列挙した基を好ましく挙げることができる。
【0015】
式(IM−1)で表される化合物は、例えば、下記化合物(5)、パラジウム触媒、塩基性物質、ヨウ化銅の存在下に、トリメチルシリルエチンを反応させ、下記化合物(6)を得た後、メタノールを仕込み、炭酸カリウムを添加して反応させることにより得ることができる。
【化16】
(式(5)及び(6)において、R1は式(1)中のものと同じ意味を示し、X1はIまたはBrを示す。)
【0016】
本発明のベンゾチアゾール化合物は、例えば、m=1の場合、式(2)で表される化合物と式(3)で表される化合物とを、ヨウ化銅、パラジウム触媒及びトリエチルアミン等の塩基の存在下で反応させることにより製造することができる。
【化17】
(式(2)及び(3)において、A、R1及びR2は、上記式(1)中のものと同じ意味を示す。)
【0017】
式(3)で表される化合物は、例えば、式(4)で表される化合物とトリメチルシリルエチンとを、ヨウ化銅、パラジウム触媒及びトリエチルアミン等の塩基の存在下で反応させ、さらに炭酸カリウム等の塩基の存在下、脱トリメチルシリル化させる方法等により製造できる。
【化18】
(式(4)において、A及びR2は、上記式(1)中のものと同じ意味を示す。)
【0018】
本発明のベンゾチアゾール化合物の製造法は、式(1)中のm=2の化合物を製造するのに特に有用であって、上記式(IM−1)で示される化合物と、上記式(IM−2)で示される誘導体とを、パラジウム触媒及び塩基性物質の存在下に反応させる。
上記式(IM−2)において、式中のA及びR2は、式(1)のものと同じ意味であって、その具体例としては、上記列挙したものを好ましく挙げることができる。またX1はI又はBrを示す。
上記反応において、式(IM−2)で示される化合物の使用量は、式(IM−1)で示される化合物に対して、通常0.3〜3倍当量、好ましくは0.7〜1.5倍当量である。
上記パラジウム触媒としては、例えば、塩化パラジウム;酢酸パラジウム;パラジウム/炭素;テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム、ジクロロジトリフェニルホスフィンパラジウム等のトリフェニルホスフィンパラジウム錯体等が挙げられる。
パラジウム触媒の使用量は、使用する式(IM−2)で示される化合物に対して、0.001〜0.1倍当量の範囲が好ましい。
上記塩基性物質としては、例えば、アルカリ金属の炭酸塩、カルボン酸塩、アルコキシド、水酸化物や、あるいはトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリ−n−ブチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、ジメチルアニリン、N−メチルモルホリン、N−メチルピペリジン等の有機塩基が挙げられる。特に、トリエチルアミン等の3級アミンの使用が好ましい。
塩基性物質の使用量は、使用する式(IM−2)で示される化合物に対して、1〜20倍当量が好ましい。
前記反応に際しては、更にヨウ化銅(I)を添加剤として加えることもできる。ヨウ化銅(I)の使用量は、使用する式(IM−2)で示される化合物に対して、0〜0.1倍当量が好ましい。
前記反応に際しては、更に必要により、例えば、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリルアミド、N−メチルピロリドン、ベンゼン、トルエン等を反応溶媒として使用することができる。
反応条件は、適宜決定することができるが、通常、温度−20〜120℃、1〜48時間の範囲の条件で行なうことができる。
【0019】
本発明の液晶組成物は、式(1)で示されるベンゾチアゾール化合物を少なくとも1種配合成分として含有する。混合する他の成分は特に限定されないが、液晶相を示す化合物あるいは組成物が好ましい。
本発明の液晶組成物において、式(1)で表されるベンゾチアゾール化合物の配合割合は、液晶組成物中に0.1〜99.9重量%、好ましくは1〜99重量%の範囲が好ましい。
本発明の液晶組成物には、捩れ剤として、カイラル化合物を一種もしくは複数種含有させることができる。カイラル化合物は、特に限定されないが、好ましくは以下に示す化合物を例示することができる(ここで、例示中の*は不斉炭素を表す)。
【0020】
【化19】
【0021】
本発明の液晶組成物において、カイラル化合物の配合割合は、配合組成等において適宜選択することができ、特に限定されない。
【0022】
本発明の液晶表示素子は、上記液晶組成物を一対の電極基板に挟持した素子であれば、特に限定されず、公知の液晶表示素子と同様な構成ものが挙げられる。電極の種類及び形態も特に限定されず、公知の電極等が使用できる。また、本発明の液晶表示素子の作製は、通常の液晶表示素子の作製にしたがって同様に行うことができ、他の要素を適宜付加させることも可能である。
【0023】
【実施例】
以下実施例により、本発明に関してより詳細に述べるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例1
撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲気下で下記中間体(M−1)3.60g、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.14g、ヨウ化銅(I)0.07g、トリフェニルホスフィン0.14g、トリエチルアミン10.2g及び酢酸エチル20.4gを仕込み、57℃に昇温し、更に下記中間体(M−2)1.60gを酢酸エチル4.80gに溶解した溶液を滴下し、55℃で4時間撹拌した。
得られた反応物を濾過し、酢酸エチルで洗浄した。濾液を濃縮後、得られた固体を、ヘキサン/クロロホルム=2/1を移動相とするシリカゲルクロマトグラフィーにて分離し、粗生成物3.25gを得た。さらにクロロホルム/ヘキサン=1/1で抽出後、酢酸エチルで再結晶を繰り返し行い、目的とする化合物1.11gを得た。得られた化合物を1H−NMRスペクトルで測定した結果、下記構造式で表される化合物(1−1)であった。
【0024】
【化20】
【0025】
化合物(1−1)の1H−NMRスペクトルデータは以下のとおりであった。
1H−NMR:δ0.95(3H、t)、1.05(3H、t)、1.34−1.52(4H、m)、1.76−1.86(4H、m)、3.95(2H、t)、4.02(2H、t)、6.90(2H、d)、7.10(1H、dd)、7.28(1H、t)7.55(2H、d)、7.91(1H、d)
また化合物(1−1)の融点は115℃であった。化合物(1−1)を、ネマティック組成物MJ931381(メルクジャパン社製)に10重量%添加して測定した屈折率異方性Δnから濃度比で外挿したΔnを求めたところ、0.34と極めて大きいものであった。なお、Δnはアッベ屈折計で測定し、測定温度は20℃、測定波長は589nmで行った。
【0026】
また、上記(1−1)を得る際に用いたクロロホルム/ヘキサン=1/1での抽出後の残渣を3回再結晶したところ、下記化合物(1−2)が得られた。
【化21】
化合物(1−2)の1H−NMRスペクトルデータは以下のとおりであった。
1H−NMR:δ0.95(6H、t)、1.34−1.53(8H、m)、1.80−1.90(4H、m)、4.05(4H、t)、7.13(2G、dd)、7.37(2H、d)、8.00(2H、d)
また化合物(1−2)の融点を測定したところ189℃であった。
【0027】
なお、上記中間体(M−1)は下記ルートにより合成することができる。
【化22】
【0028】
実施例2
撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲気下で実施例1で用いた中間体(M−1)4.42g、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.10g、ヨウ化銅(I)0.05g、トリフェニルホスフィン0.10g、トリエチルアミン12.1g及び酢酸エチル12.1gを仕込み、61℃に昇温し、更に下記中間体(M−3)1.53gを酢酸エチル24.0gに溶解した溶液を滴下し、62〜64℃で3時間撹拌した。
得られた反応物を濾過し、酢酸エチルで洗浄した。濾液を濃縮後、得られた固体をヘキサン/酢酸エチル=10/1にトリエチルアミン0.1%を加えたものを移動相とするシリカゲルクロマトグラフィーにて分離した。さらにヘキサン/クロロホルム=1/1を移動相とするシリカゲルクロマトグラフィーによる分離を繰り返した後、ヘキサン/酢酸エチル=10/1による再結晶を行い、目的とする化合物を1.60g得た。得られた化合物を1H−NMRスペクトルで測定した結果、下記構造式で表される化合物(1−3)であった。
【0029】
【化23】
【0030】
化合物(1−3)の1H−NMRスペクトルデータは以下のとおりであった。
1H−NMR:δ0.95(3H、t)、1.34−1.53(4H、m)、1.79−1.89(2H、m)、4.03(2H、t)7.14(1H、dd)、7.39(1H、d)、7.65ー7.74(4H、m)、7.96(1H、d)
化合物(1−3)の融点を測定したところ162℃であった。
【0031】
実施例3
撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲気下で実施例1で用いた中間体(M−1)3.6g、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.14g、ヨウ化銅(I)0.07g、トリフェニルホスフィン0.14g、トリエチルアミン10.1g及び酢酸エチル10.1gを仕込み、55℃に昇温し、更に下記誘導体(M−4)1.56gを酢酸エチル3.1gに溶解したものを滴下し、55〜60℃で3時間撹拌した。
得られた反応物を濾過し酢酸エチルで洗浄した。濾液を濃縮後、得られた固体を、ヘキサン/クロロホルム=2/1を移動相とするシリカゲルクロマトグラフィーにて分離し、さらにメタノールによる再結晶を行い、目的の化合物を2.15g得た。得られた化合物を1H−NMRスペクトルで測定した結果、下記構造式で表される化合物(1−4)であった。
【0032】
【化24】
化合物(1−4)の1H−NMRスペクトルデータは以下のとおりであった。
1H−NMR:δ0.95(3H、t)、1.05(3H、t)、1.34−1.52(4H、m)、1.76−1.86(4H、m)、3.95(2H、t)、4.02(2H、t)、6.90(2H、d)、7.10(1H、dd)、7.28(1H、t)、7.55(2H、d)、7.91(1H、d)
化合物(1−4)の融点を測定したところ97℃であった。また化合物(1−4)のΔnを実施例1に記載した方法で測定したところ、0.24と高いものであった。
【0033】
なお、中間体(M−4)は下記ルートで合成することができる。
【化25】
【0034】
実施例4
撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲気下で実施例1で用いた中間体(M−1)を3.85g、トリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド0.15g、トリフェニルホスフィン0.15g、ヨウ化銅0.08g、トリエチルアミン13.0g及び酢酸エチル26.0gを仕込み、続いて、56℃に昇温し、下記中間体(M−5)2.10gを酢酸エチル10.5gに溶解した溶液を滴下して2時間撹拌反応させた。その後室温に戻して中間体(M−5)2.10g、トリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド0.15g、ヨウ化銅0.10gを追加し、さらに15時間撹拌した。
得られた反応物を濾過し酢酸エチルで洗浄した。得られた固体をヘキサン/クロロホルム=1.5/1にトリエチルアミン0.1%加えたものを移動相とするシリカゲルクロマトグラフィーにて分離し、さらに酢酸エチルによる再結晶を行った。その後同様の条件でカラム精製を2回繰り返し、目的の化合物を1.83g得た。得られた化合物を1H−NMRスペクトルで測定した結果、下記構造式で表される化合物(1−5)であった。
【0035】
【化26】
化合物(1−5)の1H−NMRスペクトルデータは以下のとおりであった。
1H−NMR:δ 0.95(6H、t)、1.34−1.53(8H、m)、1.79−1.89(4H、m)、4.03(4H、t)、7.15(2H、dd)、7.31(2H、d)7.98(2H、d)
化合物(1−5)の融点を測定したところ176℃であった。
【0036】
なお中間体(M−5)は下記のように合成した。
撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲気下で実施例1で用いた中間体(M−1)21.01g、トリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド0.84g、トリフェニルホスフィン0.84g、ヨウ化銅0.42g、トリエチルアミン28.3g及び酢酸エチル28.3gを仕込み、次いで、58℃に昇温してトリメチルシリルエチン10.31gを滴下した。1時間撹拌した後室温に冷却し、得られた反応物を酢酸エチルで洗浄した。濾液を濃縮後、得られた固体をヘキサン/酢酸エチル=10/1にトリエチルアミン0.1%加えたものを移動相とするシリカゲルクロマトグラフィーにて分離し、下記中間体(M−5−1)13.24gを得た。
【0037】
【化27】
【0038】
次いで、撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲気下で上記中間体(M−5−1)13.20g及びメタノール66.0gを仕込み、22℃で炭酸カリウム0.1gを添加して1時間撹拌した。得られた反応物を濃縮し、ヘキサン/酢酸エチル=10/1にトリエチルアミン1%添加したものを移動相とするシリカゲルクロマトグラフィーにて分離し、目的とする上記中間体(M−5)6.52gを得た。
得られた中間体(M−5)の1H−NMRスペクトルデータは以下のとおりであった。
1H−NMR:δ0.94(3H、t)、1.33−1.51(4H、m)、1.77−1.88(2H、m)、3.55(1H、s)、4.00(2H、t)、7.11(1H、dd)、7.26(1H、d)、7.92(1H、d)
【0039】
実施例5
撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲気下で実施例4で用いた中間体(M−5)0.79g、メタノール23.7g、NH2OH・HCl0.8g、水2.57g、70%エチルアミン11.9g及び塩化銅(I)0.16を仕込み、続いて、下記中間体(M−6)0.64gを9.6gのメタノールに溶解した溶液を滴下して室温で撹拌反応させた。反応終了後メタノールで洗浄した。ろ液を濃縮し、得られた固体を、ヘキサン/クロロホルム=1.5/1.0を移動相とするシリカゲルクロマトグラフィーにて分離精製した。さらにヘキサンで再結晶し、目的の化合物0.26gを得た。得られた化合物を1H−NMRスペクトルで測定した結果、下記構造式で表される化合物(1−6)であった。
【0040】
【化28】
化合物(1−6)の1H−NMRスペクトルデータは以下のとおりであった。
1H−NMR:δ0.94(3H、t)、1.04(3H、t)、1.33−1.52(4H、m)、1.75−1.88(4H、m)、3.94(2H、t)、4.01(2H、t)、6.86(2H、d)、7.11(1H、dd)7.26(1H、d)、7.49(2H、d)、7.92(1H、d)
【0041】
なお、中間体(M−6)は下記ルートで合成することができる。
【化29】
化合物(1−6)の相系列を偏光顕微鏡観察により評価したところ融点は116℃であった。また159℃で結晶相からネマティック相に転移し、この化合物は、液晶性化合物であった。また化合物(1−6)を、ネマティック組成物MJ931381(メルクジャパン社製)に5重量%添加した組成物を調製し、実施例1に記載した方法でΔnを測定したところ、0.48と極めて高いものであった。
【0042】
実施例6
撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲気下で下記中間体(M−7)を1.29g、トリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド0.1g、トリフェニルホスフィン0.1g、ヨウ化銅0.05g、実施例4で用いた中間体(M−5)1.18g及び酢酸エチル11.8gを仕込み、続いて、トリエチルアミン0.5gを酢酸エチル5.0gに溶解した溶液を滴下し、1時間撹拌反応させた。その後反応物を濃縮し、得られた固体をヘキサン/クロロホルム=2/1にトリエチルアミン1%加えたものを移動相とするシリカゲルクロマトグラフィーにて分離した。さらにヘキサンによる再結晶を2回行って、目的の化合物を0.68g得た。得られた化合物を1H−NMRスペクトルで測定した結果、下記構造式で表される化合物(1−7)であった。
【0043】
【化30】
化合物(1−7)の1H−NMRスペクトルデータは以下のとおりであった。
1H−NMR:δ0.95(6H、t)、1.34−1.53(8H、m)、1.79−1.89(4H、m)、4.03(4H、t)、7.15(2H、dd)、7.28(2H、d)、7.96(2H、d)
【0044】
なお、中間体(M−7)は下記ルートで合成することができる。
【化31】
【0045】
実施例7
実施例3で製造した化合物(1−4)を、表1に記載の組成物Aに5重量%添加し、液相まで昇温、混合して組成物1を調製した。
組成物1及び組成物Aの屈折率異方性Δnを実施例1と同様に測定したところ、組成物AのΔnは0.088であったのに対して、化合物(1−4)を添加した組成物1のΔnは0.106であった。従って、本発明の化合物を添加した組成物1の方が組成物AよりもΔnが大きくなることから本発明の化合物は屈折率異方性を向上させることが分かる。
【0046】
【表1】
【0047】
【発明の効果】
本発明の骨格にベンゾチアゾール環を有するベンゾチアゾール化合物及びこの化合物を用いた液晶組成物は、屈折率異方性が大きく、安定で、他液晶に混合し易く、例えば、STN(超ねじれネマティック)型液晶素子やPDLC(ポリマー分散型液晶)型液晶素子に代表される液晶素子を構成する材料として特に有用である。式(IM−1)で示される化合物は、上記ベンゾチアゾール化合物の製造に有用な化合物であり、これを用いた本発明の製造法では、本発明のベンゾチアゾール化合物を容易に得ることができる。
Claims (4)
- 式(1)で示されるベンゾチアゾール化合物。
- 式(2)で表される化合物と式(3)で表される化合物とを、もしくは式(IM−1)で示される化合物と式(IM−2)で示される誘導体とを、パラジウム触媒及び塩基性物質の存在下に反応させることを特徴とする、請求項1記載の式(1)で示される化合物の製造法。
- 請求項1記載の式(1)で示される化合物を少なくとも1種含有することを特徴とする液晶組成物。
- 請求項3記載の液晶組成物を一対の電極基板間に挟持してなることを特徴とする液晶素子。
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