JP4627576B2 - 骨格にフッ素置換されたアルキル基又はアルコキシ基を有するフェニルアセチレン化合物、その中間体、その製造法、それを含む液晶組成物及びそれを用いた液晶素子 - Google Patents
骨格にフッ素置換されたアルキル基又はアルコキシ基を有するフェニルアセチレン化合物、その中間体、その製造法、それを含む液晶組成物及びそれを用いた液晶素子 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示素子の構成材料あるいは液晶組成物の配合成分として有用であり、骨格にフッ素置換されたアルキル基又はアルコキシ基を有する新規なフェニルアセチレン化合物、その中間体として有用な化合物、その製造法、それを含む液晶組成物及びそれを用いた液晶素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、液晶表示素子の高性能化は、情報化社会の進展に伴い不可欠となっている。液晶組成物としては、より高速化、あるいは高性能化等の物性を達成するために、屈折率異方性の大きい材料の配合が必要とされている。屈折率異方性が比較的大きい液晶としてトラン化合物が知られている[Mol.Cryst.Liq.Cryst.,第23巻第233頁(1973年)]が、屈折率異方性は約0.2と満足できるほどの大きさではなかった。また、下記式で表される化合物(2)が開発されている(特開平2−83340号公報)。
【0003】
【化7】
(式中、Alkylは、アルキル基を表す。)
この化合物(2)は屈折率異方性が0.3以上の値を有するが、他液晶との相溶性が悪く、実用的ではない。そこで、他液晶との相溶性を向上させることを目的として下記式で表される化合物(3)が開発されている(特開平9−216841号公報)。
【0004】
【化8】
(式中、R5はアルキル基を示し、YはR5、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はシアノ基を示し、H1〜H12は水素原子、フッ素原子又は塩素原子を示す(但し、H1〜H12の少なくとも1つはフッ素原子又は塩素原子である)。)
この化合物(3)は、他液晶との相溶性の点で上記化合物(2)より改善されているが、水素原子をフッ素原子等のハロゲン原子で置換しているため屈折率異方性が低下し、相溶性改善と引き替えに屈折率異方性が犠牲にされている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、大きい屈折率異方性を有し、他の液晶と混合し易く、かつ光に対する安定性がより有利である新規なフェニルアセチレン化合物、これの製造に有用な化合物、これの製造法、これを用いた液晶組成物及びこれを用いた、光シャッターや表示素子などに使用できる液晶素子を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討を加えた結果、ある種のフェニルアセチレン化合物が十分大きな屈折率異方性を有することを見出し、本発明を完成するに至った。
【0007】
即ち、本発明によれば、式(1)で示されるフェニルアセチレン化合物が提供される。
【化12】
(式中、A4又はA5の一方は、フッ素原子で置換されている炭素数1〜10のアルコキシ基を示し、他方は水素原子を示す。A1、A2、A3、A6、A7、A8、A9、A10、A11及びA12は、いずれも水素原子を示す。R1及びR2は、それぞれ独立にR4−O−基を示す(但し、R4は直鎖もしくは分枝の炭素数1〜12のアルキル基を示す。)。)
【0008】
また本発明によれば、式(IM−1)で示される化合物が提供される。
【化13】
(式中、A4又はA5の一方は、フッ素原子で置換されている炭素数1〜10のアルコキシ基を示し、他方は水素原子を示す。A1、A3、A9〜A12は、いずれも水素原子を示す。R1はR4−O−基を示す(但し、R4は直鎖もしくは分枝の炭素数1〜12のアルキル基を示す。)。)
【0009】
更に本発明によれば、上記式(IM−1)で示される化合物と、式(IM−2)で示される誘導体とを、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム/炭素、トリフェニルホスフィンパラジウム錯体から選ばれるパラジウム触媒、及びアルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属のカルボン酸塩、アルカリ金属のアルコキシド、アルカリ金属の水酸化物、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリ−n−ブチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、1,8−アザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7,1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン−5−ピリジン、N,N−ジメチルアミノピリジン、ジメチルアニリン、N−メチルモルホリン及びN−メチルピペリジンから選ばれる塩基性物質の存在下、反応させることを特徴とする上記式(1)で示されるフェニルアセチレン化合物の製造法が提供される。
【化14】
(式中、XはI、Br、Cl、OSO2CH3、OSO2CF3又は
【化15】
を示し、A2、A6〜A8 は、いずれも水素原子を示す。R2はR 4 −O−基を示す(但し、R 4 は直鎖もしくは分枝の炭素数1〜12のアルキル基を示す。)。)
【0011】
また本発明によれば、式(IM−3)で示される化合物と、式(IM−4)で示されるエチニルベンゼン誘導体とを、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム/炭素、トリフェニルホスフィンパラジウム錯体から選ばれるパラジウム触媒、及びアルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属のカルボン酸塩、アルカリ金属のアルコキシド、アルカリ金属の水酸化物、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリ−n−ブチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、1,8−アザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7,1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン−5−ピリジン、N,N−ジメチルアミノピリジン、ジメチルアニリン、N−メチルモルホリン及びN−メチルピペリジンから選ばれる塩基性物質の存在下、反応させることを特徴とする上記式(1)で示されるフェニルアセチレン化合物の製造法が提供される。
【化16】
(式中、XはI、Br又はOSO2CF3を示し、A4又はA5の一方は、フッ素原子で置換されている炭素数1〜10のアルコキシ基を示し、他方は水素原子を示す。A1、A3、A9〜A12は、いずれも水素原子を示す。R1はR4−O−基を示す(但し、R4は直鎖もしくは分枝の炭素数1〜12のアルキル基を示す。)。)
【化17】
(式中、A2、A6〜A8は、いずれも水素原子を示す。R2はR4−O−基を示す(但し、R4は直鎖もしくは分枝の炭素数1〜12のアルキル基を示す。)。)
【0012】
更に本発明によれば、上記式(1)で示されるフェニルアセチレン化合物を少なくとも1種含有することを特徴とする液晶組成物が提供される。
更にまた本発明によれば、上記液晶組成物を一対の電極基板間に挟持してなることを特徴とする液晶素子が提供される。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下本発明を更に詳細に説明する。
本発明のフェニルアセチレン化合物は、上記式(1)で表される化合物である。式(1)において、A4又はA5の一方は、フッ素原子で置換されている炭素数1〜10のアルコキシ基を示し、他方は水素原子を示す。A1、A2、A3、A6、A7、A8、A9、A10、A11及びA12は、いずれも水素原子を示す。R1及びR2は、それぞれ独立にR4−O−基を示す。但し、R4は直鎖もしくは分枝の炭素数1〜12のアルキル基を示す。
【0014】
式(1)において、R1及びR 2 としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等のアルコキシ基;2−メチルプロピルオキシ基、2−メチルブチルオキシ基、3−メチルブチルオキシ基、3−メチルペンチルオキシ基等の分枝アルキルオキシ基等が挙げられる。
【0015】
式(1)で示されるフェニルアセチレン化合物の具体例としては、下記構造式で示される化合物等が挙げられる。但し、R1及びR2は、上記列挙した基が好ましいが、これに限定されない。
【0016】
【化18】
【0020】
【化19】
【0022】
本発明の上記式(IM−1)で示される化合物は、上記式(1)で表されるフェニルアセチレン化合物の製造等に有用な化合物である。式(IM−1)中のA1、A3〜A5、A9〜A12及びR1の具体例としては、上記式(1)のA1、A3〜A5、A9〜A12及びR1として列挙した基を好ましく挙げることができる。
【0023】
式(IM−1)で表される化合物の具体例としては、下記構造式で示される化合物等が挙げられる。但し、R1は、上記式(1)のR1として列挙した基が好ましいがこれに限定されない。
【0024】
【化20】
【0027】
【化21】
【0029】
式(IM−1)で表される化合物は、例えば、式(M−1)で表される化合物と式(M−2)で表される化合物とをカップリングさせた後、ブチン−2−オールをヨウ化銅の存在下若しくは非存在下、パラジウム触媒及びトリエチルアミン等の塩基の存在下で反応させ、さらに、水酸化カリウム等の塩基の存在下で反応させることにより製造できる。
【0030】
【化26】
(式(M−1)及び(M−2)において、A1、A3〜A5、A9〜A12及びR1は、式(1)中のものと同じ意味を示す。)
【0031】
本発明の上記式(IM−3)で示される化合物は、上記式(1)で表されるフェニルアセチレン化合物の製造等に有用な化合物である。式中のR1の具体例としては、上記式(1)のR1として列挙した基を好ましく挙げることができる。
【0032】
式(IM−3)で表される化合物の具体例としては、下記構造式で示される化合物等が挙げられる。但し、R1は、上記式(1)のR1として列挙した基が好ましいがこれに限定されない。またXは、XはI、Br、Cl、OSO2CH3、OSO2CF3又は
【化27】
を示す。
【0035】
【化22】
【0037】
式(IM−3)で表される化合物は、例えば、式(M−3)で表される化合物と式(M−4)で表される化合物とをカップリングさせる方法等により製造できる。
【0038】
【化32】
(式(M−3)及び(M−4)において、A1、A3〜A5、A9〜A12及びR1は、式(1)中のものと同じ意味を示す。)
【0039】
本発明のフェニルアセチレン化合物の製造法は、上記式(IM−1)で示される化合物を用いる方法(以下、第1の製造法という)、並びに上記式(IM−3)で示される化合物を用いる方法(以下、第2の製造法という)であるが、上記式(1)で示されるフェニルアセチレン化合物の製造法は、これらに限定されるものではない。
【0040】
本発明の第1の製造法では、上記式(IM−1)で示される化合物と、上記式(IM−2)で示される化合物とを、パラジウム触媒及び塩基性物質の存在下、反応させることにより得る方法である。
式(IM−2)において、式中のA2、A6〜A8及びR2の具体例としては、上記式(1)のA2、A6〜A8及びR2として列挙した基を好ましく挙げることができる。
上記反応において、式(IM−2)で示される化合物の使用量は、式(IM−1)で示される化合物に対して、通常0.3〜10倍当量、好ましくは0.5〜2倍当量である。
上記パラジウム触媒としては、例えば、塩化パラジウム;酢酸パラジウム;パラジウム/炭素;テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム等のトリフェニルホスフィンパラジウム錯体等が挙げられる。
パラジウム触媒の使用量は、使用する式(IM−2)で示される化合物に対して、0.001〜0.1倍当量の範囲が好ましい。
上記塩基性物質としては、例えば、アルカリ金属の炭酸塩、カルボン酸塩、アルコキシド、水酸化物や、あるいはトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリ−n−ブチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、1,8−アザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7,1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン−5−ピリジン、N,N−ジメチルアミノピリジン、ジメチルアニリン、N−メチルモルホリン、N−メチルピペリジン等の有機塩基が挙げられる。特に、トリエチルアミン等の3級アミンの使用が好ましい。
塩基性物質の使用量は、使用する式(IM−2)で示される化合物に対して、通常1〜100倍当量、好ましくは1〜20倍当量である。
前記反応に際しては、更にヨウ化銅(I)を添加剤として加えることもできる。ヨウ化銅(I)の使用量は、使用する式(IM−2)で示される化合物に対して、通常0〜1倍当量、好ましくは0〜0.1倍当量である。
前記反応に際しては、更に必要により、例えば、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリルアミド、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルイミダゾリジノン、ベンゼン、トルエン等を反応溶媒として使用することができる。
第1の製造法における反応条件は、適宜決定することができるが、反応温度は通常−20〜200℃、好ましくは30〜150℃であり、反応時間は通常1〜48時間の範囲の条件で行なうことができる。
【0041】
本発明の第2の製造法では、上記式(IM−3)で示される化合物と、上記式(IM−4)で示されるエチニルベンゼン誘導体とを、パラジウム触媒及び塩基性物質の存在下、反応させる方法である。
式(IM−4)において、式中のA2、A6〜A8及びR2の具体例としては、上記式(1)のA2、A6〜A8及びR2として列挙した基を好ましく挙げることができる。
上記反応において、式(IM−3)で示される化合物の使用量は、式(IM−4)で示されるエチニルベンゼン誘導体に対して、通常0.3〜10倍当量、好ましくは0.5〜2倍当量である。
上記パラジウム触媒としては、上記第1の製造法において列挙したものを好ましく挙げることができる。
パラジウム触媒の使用量は、使用する式(IM−4)で示されるエチニルベンゼン誘導体に対して、通常0.0001〜1倍当量、好ましくは0.001〜0.1倍当量の範囲である。
上記塩基性物質としては、上記第1の製造法において列挙したものを好ましく挙げることができる。
塩基性物質の使用量は、使用する一般式(IM−4)で示されるエチニルベンゼン誘導体に対して、通常1〜100倍当量、好ましくは1〜20倍当量である。
前記反応に際しては、更にヨウ化銅(I)を添加剤として加えることもできる。ヨウ化銅(I)の使用量は、使用する一般式(IM−4)で示されるエチニルベンゼン誘導体に対して、通常0〜1倍当量、好ましくは0〜0.1倍当量である。
前記反応に際しては、更に必要により、例えば、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリルアミド、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルイミダゾリジノン、ベンゼン、トルエン等を反応溶媒として使用することができる。
第2の製造法における反応条件は、適宜決定することができるが、反応温度は通常20〜200℃、好ましくは30〜150℃であり、反応時間は1〜48時間の範囲の条件で行なうことができる。
【0042】
本発明の液晶組成物は、式(1)で示されるフェニルアセチレン化合物を少なくとも1種を配合成分として含有する。混合する他の成分は特に限定されないが、液晶相を示す化合物あるいは組成物が好ましい。
本発明の液晶組成物において、式(1)で表されるフェニルアセチレン化合物の配合割合は、液晶組成物中に0.1〜99.9重量%、好ましくは1〜99重量%の範囲が好ましい。
本発明の液晶組成物には、捩れ剤として、カイラル化合物を一種もしくは複数種含有させることができる。カイラル化合物は、特に限定されないが、好ましくは以下に示す化合物を例示することができる(但し、例示中の*は不斉炭素を表す)。
【0043】
【化33】
【0044】
本発明の液晶組成物において、カイラル化合物の配合割合は、配合組成等において適宜選択することができ、特に限定されない。
【0045】
本発明の液晶表示素子は、上記液晶組成物を一対の電極基板に挟持した素子であれば、特に限定されず、公知の液晶表示素子と同様な構成ものが挙げられる。電極の種類及び形態も特に限定されず、公知の電極等が使用できる。また、本発明の液晶表示素子の作製は、通常の液晶表示素子の作製にしたがって同様に行うことができ、他の要素を適宜付加させることも可能である。
【0046】
【実施例】
以下実施例により、本発明に関してより詳細に述べるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例1
撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲気下で下記中間体(m−1)4.90g、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.20g、ヨウ化銅(I)0.10g、トリフェニルホスフィン0.20g、トリエチルアミン4.99g及び酢酸エチル24.5gを仕込み、59℃に昇温した。その後、下記中間体(m−2)2.79gを酢酸エチル2.8gに溶解した溶液を滴下し、57〜61℃で2時間撹拌した。その後濾過し、酢酸エチルで洗浄した。濾液を濃縮後、得られた固体をヘキサンを移動相とするシリカゲルクロマトグラフィーにて精製した。さらにエタノールで再結晶し、目的とする化合物を4.50g得た。
得られた化合物を1H−NMRスペクトルで測定した結果、下記構造式で表される化合物(1−1)であった。
【0047】
【化34】
尚中間体(m−1)、(m−2)は以下のように合成して得た。
【化35】
【0048】
化合物(1−1)の1H−NMRスペクトルデータは以下のとおりであった。
1H−NMR(δ):0.91(t,3H,J=6Hz)、0.93(t,3H,J=6Hz)、1.31−1.44(m, 6H)、1.57−1.62(m,2H)、1.77−1.81(m,2H)、2.62(t,2H,J=9Hz)、3.96(t,2H, J=6Hz)、6.87(d,2H,J=6Hz)、7.17(d,2H,J=6Hz)、7.37−7.57(m,7H)
上記化合物(1−1)の相系列を偏光顕微鏡観察により評価したところ、60℃未満で結晶相を示し、60〜127℃の範囲でネマティック相を示し、127℃を超えると等方相を示した。従って、この化合物は、液晶性化合物であることがわかる。
また、化合物(1−1)を、ネマティック組成物 MJ931381(メルクジャパン社製)に10重量%添加して測定した屈折率異方性Δnから濃度比で外挿したΔnを求めたところ、0.37と極めて大きいものであった。なお、Δnはアッベ屈折計で測定し、測定温度は20℃、測定波長は589nmで行った。
【0049】
【発明の効果】
本発明の骨格にフッ素置換されているアルキル基又はアルコキシ基を有するフェニルアセチレン化合物及びこの化合物を用いた液晶組成物は、屈折率異方性が大きく、安定で、他液晶に混合し易く、例えば、STN(超ねじれネマティック)型液晶素子やPDLC(ポリマ―分散型液晶)型液晶素子に代表される液晶素子を構成する材料として特に有用である。
Claims (6)
- 式(IM−1)で示される化合物と、式(IM−2)で示される誘導体とを、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム/炭素、トリフェニルホスフィンパラジウム錯体から選ばれるパラジウム触媒、及びアルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属のカルボン酸塩、アルカリ金属のアルコキシド、アルカリ金属の水酸化物、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリ−n−ブチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、1,8−アザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7,1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン−5−ピリジン、N,N−ジメチルアミノピリジン、ジメチルアニリン、N−メチルモルホリン及びN−メチルピペリジンから選ばれる塩基性物質の存在下、反応させることを特徴とする式(1)で示されるフェニルアセチレン化合物の製造法。
- 式(IM−3)で示される化合物と、式(IM−4)で示されるエチニルベンゼン誘導体とを、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム/炭素、トリフェニルホスフィンパラジウム錯体から選ばれるパラジウム触媒、及びアルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属のカルボン酸塩、アルカリ金属のアルコキシド、アルカリ金属の水酸化物、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリ−n−ブチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、1,8−アザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7,1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン−5−ピリジン、N,N−ジメチルアミノピリジン、ジメチルアニリン、N−メチルモルホリン及びN−メチルピペリジンから選ばれる塩基性物質の存在下、反応させることを特徴とする式(1)で示されるフェニルアセチレン化合物の製造法。
- 請求項1記載のフェニルアセチレン化合物を少なくとも1種含有することを特徴とする液晶組成物。
- 請求項5記載の液晶組成物を一対の電極基板間に挟持してなることを特徴とする液晶素子。
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