JPH06298686A - トラン系化合物、その製造法およびそれを有効成分とする液晶組成物 - Google Patents
トラン系化合物、その製造法およびそれを有効成分とする液晶組成物Info
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- JPH06298686A JPH06298686A JP25708193A JP25708193A JPH06298686A JP H06298686 A JPH06298686 A JP H06298686A JP 25708193 A JP25708193 A JP 25708193A JP 25708193 A JP25708193 A JP 25708193A JP H06298686 A JPH06298686 A JP H06298686A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】液晶組成物の配合成分として有用なトラン系化
合物およびその製造法を提供すること。 【構成】 一般式〔１〕（式中、ＲはＣ1 〜Ｃ12のアル
キル基、Ｃ2 〜Ｃ12のアルケニル基またはＣ2 〜Ｃ12の
アルコキシアルキル基を示し、Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞれ水
素原子またはフッ素原子を示す。Ａは、水素原子、フッ
素原子、トリフロロメチル基、トリフロロメトキシ基、
基 ４−Ｒ1 −（シクロアルキル）−または基 Ｒ1 −
（Ｏ）n −を示し、ここでＲ1 は、Ｃ1 〜Ｃ12のアルキ
ル基、Ｃ2〜Ｃ12のアルケニル基またはＣ2 〜Ｃ12のア
ルキニル基を示し、ｎは、０または１である。）で示さ
れるトラン系化合物、その製造法および液晶組成物。
合物およびその製造法を提供すること。 【構成】 一般式〔１〕（式中、ＲはＣ1 〜Ｃ12のアル
キル基、Ｃ2 〜Ｃ12のアルケニル基またはＣ2 〜Ｃ12の
アルコキシアルキル基を示し、Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞれ水
素原子またはフッ素原子を示す。Ａは、水素原子、フッ
素原子、トリフロロメチル基、トリフロロメトキシ基、
基 ４−Ｒ1 −（シクロアルキル）−または基 Ｒ1 −
（Ｏ）n −を示し、ここでＲ1 は、Ｃ1 〜Ｃ12のアルキ
ル基、Ｃ2〜Ｃ12のアルケニル基またはＣ2 〜Ｃ12のア
ルキニル基を示し、ｎは、０または１である。）で示さ
れるトラン系化合物、その製造法および液晶組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶組成物の配合成分
として有用なトラン系化合物、その製造法およびそれを
有効成分とする液晶組成物に関する。
として有用なトラン系化合物、その製造法およびそれを
有効成分とする液晶組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示素子の高性能化は、情報
社会の到来に伴い不可欠となっている。液晶組成物の諸
物性のなかで、より高速化のため、さらには高性能化の
ためには、屈折率異方性に優れた材料が必要とされてい
る。しかしながら、現在のところ必ずしも充分な屈折率
異方性をもつ液晶材料は、見いだされていない。
社会の到来に伴い不可欠となっている。液晶組成物の諸
物性のなかで、より高速化のため、さらには高性能化の
ためには、屈折率異方性に優れた材料が必要とされてい
る。しかしながら、現在のところ必ずしも充分な屈折率
異方性をもつ液晶材料は、見いだされていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、屈折率異方
性に優れた液晶化合物およびその工業的有利な製造法を
提供することを目的とするものである。
性に優れた液晶化合物およびその工業的有利な製造法を
提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このようなことから、本
発明者らは、かかる屈折率異方性に優れた液晶化合物の
開発について鋭意検討を加えた結果、優れた屈折率異方
性を有する化合物を見いだし本発明を完成するに至っ
た。
発明者らは、かかる屈折率異方性に優れた液晶化合物の
開発について鋭意検討を加えた結果、優れた屈折率異方
性を有する化合物を見いだし本発明を完成するに至っ
た。
【０００５】すなわち、本発明は、一般式〔１〕
【化４】 （式中、ＲはＣ1 〜Ｃ12のアルキル基、Ｃ2 〜Ｃ12のア
ルケニル基またはＣ2 〜Ｃ12のアルコキシアルキル基を
示し、Ｘ、Ｙ、Ｚは、それぞれ水素原子またはフッ素原
子を示す。Ａは、水素原子、フッ素原子、トリフロロメ
チル基、トリフロロメトキシ基、基 ４−Ｒ1 −（シク
ロアルキル）−または基 Ｒ1 −（Ｏ）n−を示し、こ
こでＲ1 は、Ｃ1 〜Ｃ12のアルキル基、Ｃ1 〜Ｃ12のア
ルケニル基またはＣ1 〜Ｃ12のアルキニル基を示し、ｎ
は、０または１である。）で示されるトラン系化合物、
その製造法およびそれを有効成分とする液晶組成物を提
供するものである。
ルケニル基またはＣ2 〜Ｃ12のアルコキシアルキル基を
示し、Ｘ、Ｙ、Ｚは、それぞれ水素原子またはフッ素原
子を示す。Ａは、水素原子、フッ素原子、トリフロロメ
チル基、トリフロロメトキシ基、基 ４−Ｒ1 −（シク
ロアルキル）−または基 Ｒ1 −（Ｏ）n−を示し、こ
こでＲ1 は、Ｃ1 〜Ｃ12のアルキル基、Ｃ1 〜Ｃ12のア
ルケニル基またはＣ1 〜Ｃ12のアルキニル基を示し、ｎ
は、０または１である。）で示されるトラン系化合物、
その製造法およびそれを有効成分とする液晶組成物を提
供するものである。
【０００６】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
トラン系化合物〔１〕は、一般式〔２〕
トラン系化合物〔１〕は、一般式〔２〕
【化５】 （式中、Ａ、ＸおよびＹは前記と同じ意味を表わす。）
で示されるエチニルベンゼン誘導体と一般式〔３〕
で示されるエチニルベンゼン誘導体と一般式〔３〕
【化６】 （式中、ＲおよびＺは、前記と同じ意味を表わし、Ｂ
は、臭素原子またはヨウ素原子を示す。）で示される芳
香族ハロゲン化物とを金属触媒および塩基性物質の存在
下に反応させることにより得られる。
は、臭素原子またはヨウ素原子を示す。）で示される芳
香族ハロゲン化物とを金属触媒および塩基性物質の存在
下に反応させることにより得られる。
【０００７】ここで原料のエチニルベンゼン誘導体
〔２〕は、以下に示すような方法により合成することが
できる。 Ａがフッ素原子の場合
〔２〕は、以下に示すような方法により合成することが
できる。 Ａがフッ素原子の場合
【化７】 （式中、Ａ、ＢおよびＸは、前記と同じ意味を表わ
す。） ＡがＲ1 −（Ｏ）n −の場合
す。） ＡがＲ1 −（Ｏ）n −の場合
【化８】 （式中、Ａ、Ｂ、ＸおよびＲ1 は、前記と同じ意味を表
わす。）
わす。）
【０００８】もう一方の芳香族ハロゲン化物〔３〕は、
例えば以下に示すような方法により合成することができ
る。
例えば以下に示すような方法により合成することができ
る。
【化９】 （式中、Ｂ、ＲおよびＺは、前記と同じ意味を表わ
す。）
す。）
【０００９】エチニルベンゼン誘導体〔２〕と芳香族ハ
ロゲン化物〔３〕とからトラン系化合物〔１〕を得る反
応に於いて、エチニルベンゼン誘導体〔２〕の使用量
は、芳香族ハロゲン化物〔３〕に対して通常、0.９〜３
倍当量であるが、好ましくは、１〜２倍当量である。勿
論化合物〔３〕を過剰に用いることもできるが、通常化
合物〔３〕がより高価であることから、化合物〔２〕を
過剰量用いるほうが好ましい。
ロゲン化物〔３〕とからトラン系化合物〔１〕を得る反
応に於いて、エチニルベンゼン誘導体〔２〕の使用量
は、芳香族ハロゲン化物〔３〕に対して通常、0.９〜３
倍当量であるが、好ましくは、１〜２倍当量である。勿
論化合物〔３〕を過剰に用いることもできるが、通常化
合物〔３〕がより高価であることから、化合物〔２〕を
過剰量用いるほうが好ましい。
【００１０】金属触媒としては、パラジウム系では、塩
化パラジウム、酢酸パラジウム、トリフェニルホスフィ
ンパラジウム錯体、パラジウム／炭素などが用いられ、
ニッケル系およびロジウム系についても上記パラジウム
系と同様な触媒が用いられる。これら金属触媒の使用量
は、原料の芳香族ハロゲン化物〔３〕に対して通常、
０.001〜0.１倍当量の範囲である。
化パラジウム、酢酸パラジウム、トリフェニルホスフィ
ンパラジウム錯体、パラジウム／炭素などが用いられ、
ニッケル系およびロジウム系についても上記パラジウム
系と同様な触媒が用いられる。これら金属触媒の使用量
は、原料の芳香族ハロゲン化物〔３〕に対して通常、
０.001〜0.１倍当量の範囲である。
【００１１】この反応では、上記金属触媒の他に、助触
媒として、３価のリン化合物または３価のヒ素化合物が
必要であり、それらとしては、一般式〔４〕 （式中、Ｙはリン原子またはヒ素原子を示し、Ｒ2 、Ｒ
3 、Ｒ4 は同一または相異なりアルキル基、アリール
基、アルコキシ基、アリールオキシ基またはハロゲン原
子を示す。）で示される化合物であって、具体的にはト
リ−ｎ−ブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、
トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフ
ァイト、三塩化リン、トリフェニルヒ素などが例示され
る。これらのリン化合物またはヒ素化合物の使用量は、
上記の金属触媒に対して0.５〜５０倍当量、好ましくは
１０〜３０倍当量である。
媒として、３価のリン化合物または３価のヒ素化合物が
必要であり、それらとしては、一般式〔４〕 （式中、Ｙはリン原子またはヒ素原子を示し、Ｒ2 、Ｒ
3 、Ｒ4 は同一または相異なりアルキル基、アリール
基、アルコキシ基、アリールオキシ基またはハロゲン原
子を示す。）で示される化合物であって、具体的にはト
リ−ｎ−ブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、
トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフ
ァイト、三塩化リン、トリフェニルヒ素などが例示され
る。これらのリン化合物またはヒ素化合物の使用量は、
上記の金属触媒に対して0.５〜５０倍当量、好ましくは
１０〜３０倍当量である。
【００１２】さらにこれらの触媒に加え、銅触媒が用い
られ、かかる銅触媒としては、ヨウ化銅、臭化銅、塩化
銅、酸化銅、シアン化銅などが挙げられ、これらの使用
量は、原料の芳香族ハロゲン化物〔３〕に対して、０.0
01〜0.１倍当量の範囲である。勿論これ以上使用するこ
とも可能であるが、特に大量使用するメリットもない。
られ、かかる銅触媒としては、ヨウ化銅、臭化銅、塩化
銅、酸化銅、シアン化銅などが挙げられ、これらの使用
量は、原料の芳香族ハロゲン化物〔３〕に対して、０.0
01〜0.１倍当量の範囲である。勿論これ以上使用するこ
とも可能であるが、特に大量使用するメリットもない。
【００１３】塩基性物質としては、アルカリ金属の炭酸
塩、カルボン酸塩、アルコキサイド、水酸化物などや有
機塩基が挙げられるが、３級アミンまたは２級アミン
（有機塩基）が好ましく用いられ、これらとしてはジエ
チルアミン、トリエチルアミン、ジ−イソプロピルエチ
ルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、テトラメチルエチ
レンジアミン、ジメチルアニリンなどが例示される。塩
基の使用量は、通常、芳香族ハロゲン化物〔３〕に対し
て１〜５倍当量である。必要により、適当な触媒、例え
ばアセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジメチルホル
ムアミド、ヘキサメチルホスホリルアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン、メタノールなどを反応溶媒として使用する
こともできる。また、上記塩基を溶媒として用いること
もできる。
塩、カルボン酸塩、アルコキサイド、水酸化物などや有
機塩基が挙げられるが、３級アミンまたは２級アミン
（有機塩基）が好ましく用いられ、これらとしてはジエ
チルアミン、トリエチルアミン、ジ−イソプロピルエチ
ルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、テトラメチルエチ
レンジアミン、ジメチルアニリンなどが例示される。塩
基の使用量は、通常、芳香族ハロゲン化物〔３〕に対し
て１〜５倍当量である。必要により、適当な触媒、例え
ばアセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジメチルホル
ムアミド、ヘキサメチルホスホリルアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン、メタノールなどを反応溶媒として使用する
こともできる。また、上記塩基を溶媒として用いること
もできる。
【００１４】これらの反応溶媒の使用量は特に制限され
ない。尚、上記反応は通常窒素、アルゴン等の不活性ガ
ス中で行われる。該反応においては、反応温度を高める
ことにより目的とする化合物の収率を向上させることが
できるが、あまり高温では副生物が増加するので、通常
反応温度は１５〜１６０℃であり、好ましくは３０〜１
４０℃である。反応終了後、抽出、蒸留、再結晶等の通
常の手段により、トラン系化合物〔１〕を得ることがで
きる。また、必要によりカラムクロマトグラフィーある
いは再結晶等により精製することもできる。
ない。尚、上記反応は通常窒素、アルゴン等の不活性ガ
ス中で行われる。該反応においては、反応温度を高める
ことにより目的とする化合物の収率を向上させることが
できるが、あまり高温では副生物が増加するので、通常
反応温度は１５〜１６０℃であり、好ましくは３０〜１
４０℃である。反応終了後、抽出、蒸留、再結晶等の通
常の手段により、トラン系化合物〔１〕を得ることがで
きる。また、必要によりカラムクロマトグラフィーある
いは再結晶等により精製することもできる。
【００１５】以下、本発明で得られるトラン系化合物
〔１〕の具体例としては、例えば、一般式〔１〕におい
ては、Ａとしては、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、ウンデシル、ドデシル、エテニル、プロペ
ニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニ
ル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、
ドデセニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキ
シニル、ヘプチニル、オクチニル、ノニリル、デシニ
ル、ドデシニル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブ
トキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオ
キシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、
ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、ビニルオキシ、プ
ロペニルオキシ、ブテニルオキシ、ペンテニルオキシ、
ヘキセニルオキシ、ヘプテニルオキシ、オクテニルオキ
シ、ノネニルオキシ、デセニルオキシ、プロピニルオキ
シ、ブチニルオキシ、ペンチニルオキシ、ヘキシニルオ
キシ、ヘプチニルオキシ、オクチニルオキシ、ノニリル
オキシ、ドデシニルオキシ、４−メチルシクロヘキシ
ル、４−エチルシクロヘキシル、４−プロピルシクロヘ
キシル、４−ブチルシクロヘキシル、４−ペンチルシク
ロヘキシル、４−ヘキシルシクロヘキシル、４−ヘプチ
ルシクロヘキシル、４−オクチルシクロヘキシル、４−
ノニルシクロヘキシル、４−デシルシクロヘキシル、フ
ッ素原子、トリフロロメチル基、トリフロロメトキシ基
等があげられ、Ｒとしては、メチル、エチル、プロピ
ル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチ
ル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、エテニ
ル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、
ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデ
セニル、ドデセニル、メトキシメチル、エトキシメチ
ル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペンチルオキ
シメチル、ヘキシルオキシメチル、ヘプチルオキシメチ
ル、オクチルオキシメチル、ノニルオキシメチル、デシ
ルオキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、プ
ロポキシエチル、ブトキシエチル、ペンチルオキシエチ
ル、ヘキシルオキシエチル、ヘプチルオキシエチル、オ
クチルオキシエチル、ノニルオキシエチル、デシルオキ
シエチル、メトキシプロピル、エトキシプロピル、プロ
ポキシプロピル、ブトキシプロピル、ペンチルオキシプ
ロピル、ヘキシルオキシプロピル、ヘプチルオキシプロ
ピル、オクチルオキシプロピル、ノニルオキシプロピ
ル、デシルオキシプロピル、メトキシブチル、エトキシ
ブチル、プロポキシブチル、ブトキシブチル、ペンチル
オキシブチル、ヘキシルオキシブチル、ヘプチルオキシ
ブチル、オクチルオキシブチル、ノニルオキシブチル、
デシルオキシブチル、メトキシペンチル、エトキシペン
チル、プロポキシペンチル、ブトキシペンチル、ペンチ
ルオキシペンチル、ヘキシルオキシペンチル、ヘプチル
オキシペンチル、オクチルオキシペンチル等が挙げられ
る。
〔１〕の具体例としては、例えば、一般式〔１〕におい
ては、Ａとしては、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、ウンデシル、ドデシル、エテニル、プロペ
ニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニ
ル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、
ドデセニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキ
シニル、ヘプチニル、オクチニル、ノニリル、デシニ
ル、ドデシニル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブ
トキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオ
キシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、
ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、ビニルオキシ、プ
ロペニルオキシ、ブテニルオキシ、ペンテニルオキシ、
ヘキセニルオキシ、ヘプテニルオキシ、オクテニルオキ
シ、ノネニルオキシ、デセニルオキシ、プロピニルオキ
シ、ブチニルオキシ、ペンチニルオキシ、ヘキシニルオ
キシ、ヘプチニルオキシ、オクチニルオキシ、ノニリル
オキシ、ドデシニルオキシ、４−メチルシクロヘキシ
ル、４−エチルシクロヘキシル、４−プロピルシクロヘ
キシル、４−ブチルシクロヘキシル、４−ペンチルシク
ロヘキシル、４−ヘキシルシクロヘキシル、４−ヘプチ
ルシクロヘキシル、４−オクチルシクロヘキシル、４−
ノニルシクロヘキシル、４−デシルシクロヘキシル、フ
ッ素原子、トリフロロメチル基、トリフロロメトキシ基
等があげられ、Ｒとしては、メチル、エチル、プロピ
ル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチ
ル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、エテニ
ル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、
ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデ
セニル、ドデセニル、メトキシメチル、エトキシメチ
ル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペンチルオキ
シメチル、ヘキシルオキシメチル、ヘプチルオキシメチ
ル、オクチルオキシメチル、ノニルオキシメチル、デシ
ルオキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、プ
ロポキシエチル、ブトキシエチル、ペンチルオキシエチ
ル、ヘキシルオキシエチル、ヘプチルオキシエチル、オ
クチルオキシエチル、ノニルオキシエチル、デシルオキ
シエチル、メトキシプロピル、エトキシプロピル、プロ
ポキシプロピル、ブトキシプロピル、ペンチルオキシプ
ロピル、ヘキシルオキシプロピル、ヘプチルオキシプロ
ピル、オクチルオキシプロピル、ノニルオキシプロピ
ル、デシルオキシプロピル、メトキシブチル、エトキシ
ブチル、プロポキシブチル、ブトキシブチル、ペンチル
オキシブチル、ヘキシルオキシブチル、ヘプチルオキシ
ブチル、オクチルオキシブチル、ノニルオキシブチル、
デシルオキシブチル、メトキシペンチル、エトキシペン
チル、プロポキシペンチル、ブトキシペンチル、ペンチ
ルオキシペンチル、ヘキシルオキシペンチル、ヘプチル
オキシペンチル、オクチルオキシペンチル等が挙げられ
る。
【００１６】本発明の液晶組成物とは、前記トラン系化
合物〔１〕を少なくとも１種類配合成分として含有する
ものである。この場合、トラン系化合物〔１〕は、一般
に得られる液晶組成物の0.１〜99.9重量％、好ましく
は、１〜９９重量％含有される。本発明のトラン系化合
物〔１〕は、それ自体で液晶相を示さない場合も、液晶
組成物とすることにより、粘度を高めることなく用いる
ことができる。トラン系化合物〔１〕は、従来にない屈
折率異方性が大きく、組成物にすることにより、屈折率
異方性を高めることができる優れた材料であるが、液晶
性のうえからは、一般式〔１〕において、Ｒ、Ｒ1 の炭
素数が２以上であることが好ましい。
合物〔１〕を少なくとも１種類配合成分として含有する
ものである。この場合、トラン系化合物〔１〕は、一般
に得られる液晶組成物の0.１〜99.9重量％、好ましく
は、１〜９９重量％含有される。本発明のトラン系化合
物〔１〕は、それ自体で液晶相を示さない場合も、液晶
組成物とすることにより、粘度を高めることなく用いる
ことができる。トラン系化合物〔１〕は、従来にない屈
折率異方性が大きく、組成物にすることにより、屈折率
異方性を高めることができる優れた材料であるが、液晶
性のうえからは、一般式〔１〕において、Ｒ、Ｒ1 の炭
素数が２以上であることが好ましい。
【００１７】
【発明の効果】本発明の一般式〔１〕で示されるトラン
系化合物は、液晶化合物として非常に優れた特性を有す
るため、液晶組成物として有効に利用することができ
る。
系化合物は、液晶化合物として非常に優れた特性を有す
るため、液晶組成物として有効に利用することができ
る。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を実施例により、更に詳細に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。
【００１９】（実施例１）温度計、攪拌装置を付けた４
ツ口フラスコに、４−プロピルフェニルアセチレン（２
−１）3.２ｇ（０.022モル）、４−（１−ヘキシニル）
−３−フロロ−ブロモベンゼン（３−１）5.１ｇ（0.02
モル）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムク
ロリド0.13ｇ、ヨウ化銅0.13ｇ、トリフェニルホスフィ
ン0.７ｇおよびトリエチルアミン４０mlを仕込み、窒素
気流下に、６時間還流させる。反応終了後、反応混合物
を水１００mlにあけ、トルエン１００mlで抽出する。ト
ルエン層は、３％塩酸水、水で洗浄ののち、減圧濃縮す
れば淡黄色の残渣を得る。これをシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにて精製（溶出液：トルエン−ヘキサ
ン）することにより１−（４−プロピルフェニル）−２
−（３−フロロ−４−（１−ヘキシニル）フェニル）ア
セチレン（１−１）4.８ｇ（収率７５％）を得る。1 Ｈ ＮＭＲデータ Ｊ0.87 ６Ｈ、Ｊ7.08〜7.38 ７Ｈ、Ｊ1.４〜1.６ ６
Ｈ、Ｊ2.４ ２Ｈ、Ｊ2.５ ２Ｈ
ツ口フラスコに、４−プロピルフェニルアセチレン（２
−１）3.２ｇ（０.022モル）、４−（１−ヘキシニル）
−３−フロロ−ブロモベンゼン（３−１）5.１ｇ（0.02
モル）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムク
ロリド0.13ｇ、ヨウ化銅0.13ｇ、トリフェニルホスフィ
ン0.７ｇおよびトリエチルアミン４０mlを仕込み、窒素
気流下に、６時間還流させる。反応終了後、反応混合物
を水１００mlにあけ、トルエン１００mlで抽出する。ト
ルエン層は、３％塩酸水、水で洗浄ののち、減圧濃縮す
れば淡黄色の残渣を得る。これをシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにて精製（溶出液：トルエン−ヘキサ
ン）することにより１−（４−プロピルフェニル）−２
−（３−フロロ−４−（１−ヘキシニル）フェニル）ア
セチレン（１−１）4.８ｇ（収率７５％）を得る。1 Ｈ ＮＭＲデータ Ｊ0.87 ６Ｈ、Ｊ7.08〜7.38 ７Ｈ、Ｊ1.４〜1.６ ６
Ｈ、Ｊ2.４ ２Ｈ、Ｊ2.５ ２Ｈ
【００２０】（実施例２）温度計、攪拌装置を付けた４
ツ口フラスコに、４−ブチルフェニルアセチレン（２−
２）4.０ｇ（０.025モル）、３−フルオロ（４−ペンチ
ニル）−ブロモベンゼン（３−２）4.８ｇ（0.02モ
ル）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムクロ
リド0.15ｇ、ヨウ化銅0.２ｇ、トリフェニルホスフィン
0.25ｇおよびジエチルアミン５０mlを仕込み、窒素気流
下に、１５時間還流させる。反応終了後、反応液を減圧
下に濃縮する。残渣に３％塩酸水および酢酸エチル６０
mlを加え、有機層を水洗し、減圧下に濃縮する。得られ
た残渣を酢酸エチル−ヘキサンを用いてシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーにて精製することにより１−（４
−ブチルフェニル）−２−（３−フルオロ−４−（１−
ペンチニル）フェニル）アセチレン（１−２）4.７ｇ
（収率７４％）を得る。1 Ｈ ＮＭＲデータ Ｊ0.86 ６Ｈ、Ｊ7.08〜7.38 ７Ｈ、Ｊ1.４〜1.６ ６
Ｈ、Ｊ2.４ ２Ｈ、Ｊ2.５ ２Ｈ
ツ口フラスコに、４−ブチルフェニルアセチレン（２−
２）4.０ｇ（０.025モル）、３−フルオロ（４−ペンチ
ニル）−ブロモベンゼン（３−２）4.８ｇ（0.02モ
ル）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムクロ
リド0.15ｇ、ヨウ化銅0.２ｇ、トリフェニルホスフィン
0.25ｇおよびジエチルアミン５０mlを仕込み、窒素気流
下に、１５時間還流させる。反応終了後、反応液を減圧
下に濃縮する。残渣に３％塩酸水および酢酸エチル６０
mlを加え、有機層を水洗し、減圧下に濃縮する。得られ
た残渣を酢酸エチル−ヘキサンを用いてシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーにて精製することにより１−（４
−ブチルフェニル）−２−（３−フルオロ−４−（１−
ペンチニル）フェニル）アセチレン（１−２）4.７ｇ
（収率７４％）を得る。1 Ｈ ＮＭＲデータ Ｊ0.86 ６Ｈ、Ｊ7.08〜7.38 ７Ｈ、Ｊ1.４〜1.６ ６
Ｈ、Ｊ2.４ ２Ｈ、Ｊ2.５ ２Ｈ
【００２１】（実施例３）温度計、攪拌装置を付けた４
ツ口フラスコに、４−ペンチルオキシフェニルアセチレ
ン（２−３）2.８ｇ（０.015モル）、４−（１−プロピ
ニル）−２、３−ジフロロ−ブロモベンゼン（３−３）
2.３ｇ（0.01モル）、ビス（トリフェニルホスフィン）
パラジウムクロリド0.06ｇ、ヨウ化銅0.06ｇ、トリフェ
ニルホスフィン0.15ｇおよびトリエチルアミン３０mlを
仕込み、窒素気流下に、８０℃にて１０時間反応させ
る。反応終了後、反応液を減圧下に濃縮する。残渣に３
％塩酸水および酢酸エチル６０mlを加え、有機層を水洗
し、減圧下に濃縮する。得られた残渣を酢酸エチル−ヘ
キサンを用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
て精製することにより１−（４−ペンチルオキシ）−２
−（２，３−ジフロロ−４−（１−プロピニル）フェニ
ル）アセチレン（１−３）2.６ｇ（収率７７％）を得
る。
ツ口フラスコに、４−ペンチルオキシフェニルアセチレ
ン（２−３）2.８ｇ（０.015モル）、４−（１−プロピ
ニル）−２、３−ジフロロ−ブロモベンゼン（３−３）
2.３ｇ（0.01モル）、ビス（トリフェニルホスフィン）
パラジウムクロリド0.06ｇ、ヨウ化銅0.06ｇ、トリフェ
ニルホスフィン0.15ｇおよびトリエチルアミン３０mlを
仕込み、窒素気流下に、８０℃にて１０時間反応させ
る。反応終了後、反応液を減圧下に濃縮する。残渣に３
％塩酸水および酢酸エチル６０mlを加え、有機層を水洗
し、減圧下に濃縮する。得られた残渣を酢酸エチル−ヘ
キサンを用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
て精製することにより１−（４−ペンチルオキシ）−２
−（２，３−ジフロロ−４−（１−プロピニル）フェニ
ル）アセチレン（１−３）2.６ｇ（収率７７％）を得
る。
【００２２】（実施例４）温度計、攪拌装置を付けた４
ツ口フラスコに、４−デシルオキシ−２、３−ジフロロ
フェニルアセチレン（２−４）3.５ｇ（０.012モル）、
４−（１−ヘプチニル）−３−フロロ−ブロモベンゼン
（３−４）2.７ｇ（0.01モル）、ビス（トリフェニルホ
スフィン）パラジウムクロリド0.１ｇ、ヨウ化銅0.１
ｇ、トリフェニルホスフィン0.15ｇ、トリエチルアミン
２０ｇおよびジメチルアセトアミド４０mlの混合溶液を
９０℃にて８時間反応させる。反応終了後、反応液を水
にあけ、トルエン６０mlで抽出する。トルエン層は、３
％塩酸水、水で洗浄ののち、減圧濃縮すれば淡黄色の残
渣を得る。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー
にて精製（溶出液：トルエン−ヘキサン）することによ
り１−（４−デシルオキシ−２、３−ジフロロフェニ
ル）−２−（４−（１−ヘプチニル）フェニル）アセチ
レン（１−４）3.５ｇ（収率７２％）を得る。
ツ口フラスコに、４−デシルオキシ−２、３−ジフロロ
フェニルアセチレン（２−４）3.５ｇ（０.012モル）、
４−（１−ヘプチニル）−３−フロロ−ブロモベンゼン
（３−４）2.７ｇ（0.01モル）、ビス（トリフェニルホ
スフィン）パラジウムクロリド0.１ｇ、ヨウ化銅0.１
ｇ、トリフェニルホスフィン0.15ｇ、トリエチルアミン
２０ｇおよびジメチルアセトアミド４０mlの混合溶液を
９０℃にて８時間反応させる。反応終了後、反応液を水
にあけ、トルエン６０mlで抽出する。トルエン層は、３
％塩酸水、水で洗浄ののち、減圧濃縮すれば淡黄色の残
渣を得る。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー
にて精製（溶出液：トルエン−ヘキサン）することによ
り１−（４−デシルオキシ−２、３−ジフロロフェニ
ル）−２−（４−（１−ヘプチニル）フェニル）アセチ
レン（１−４）3.５ｇ（収率７２％）を得る。
【００２３】（実施例５〜１１）表１に示した出発原料
を用いる以外は実施例１に準じて、反応および後処理を
順次行なうと表−１に示したトラン系化合物〔１〕が得
られる。
を用いる以外は実施例１に準じて、反応および後処理を
順次行なうと表−１に示したトラン系化合物〔１〕が得
られる。
【表１】
【００２４】先の実施例に従えばさらに以下の化合物を
製造することができる。 化合物 １２〜２８
製造することができる。 化合物 １２〜２８
【化１０】
【００２５】
【化１１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (3)
- 【請求項１】一般式〔１〕 【化１】 （式中、ＲはＣ1 〜Ｃ12のアルキル基、Ｃ2 〜Ｃ12のア
ルケニル基またはＣ2 〜Ｃ12のアルコキシアルキル基を
示し、Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞれ水素原子またはフッ素原子
を示す。Ａは、水素原子、フッ素原子、トリフロロメチ
ル基、トリフロロメトキシ基、基 ４−Ｒ1 −（シクロ
アルキル）−または基 Ｒ1 −（Ｏ）n −を示し、ここ
でＲ1 は、Ｃ1 〜Ｃ12のアルキル基、Ｃ2 〜Ｃ12のアル
ケニル基またはＣ2 〜Ｃ12のアルキニル基を示し、ｎ
は、０または１である。）で示されるトラン系化合物。 - 【請求項２】一般式〔２〕 【化２】 （式中、Ａ、ＸおよびＹは、前記と同じ意味を表わ
す。）で示されるエチニルベンゼン誘導体と一般式
〔３〕 【化３】 （式中、ＲおよびＺは、前記と同じ意味を表わし、Ｂ
は、臭素原子またはヨウ素原子を示す。）で示される芳
香族ハロゲン化物とを金属触媒および塩基性物質の存在
下に反応させることを特徴とする前記一般式〔１〕で示
されるトラン系化合物の製造法。 - 【請求項３】前記一般式〔１〕で示されるトラン系化合
物を少なくとも１種類配合成分として含有することを特
徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25708193A JP3579072B2 (ja) | 1993-02-19 | 1993-10-14 | トラン系化合物、その製造法およびそれを有効成分とする液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-30497 | 1993-02-19 | ||
| JP3049793 | 1993-02-19 | ||
| JP25708193A JP3579072B2 (ja) | 1993-02-19 | 1993-10-14 | トラン系化合物、その製造法およびそれを有効成分とする液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06298686A true JPH06298686A (ja) | 1994-10-25 |
| JP3579072B2 JP3579072B2 (ja) | 2004-10-20 |
Family
ID=26368863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25708193A Expired - Fee Related JP3579072B2 (ja) | 1993-02-19 | 1993-10-14 | トラン系化合物、その製造法およびそれを有効成分とする液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3579072B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4627576B2 (ja) * | 1999-09-24 | 2011-02-09 | 経済産業大臣 | 骨格にフッ素置換されたアルキル基又はアルコキシ基を有するフェニルアセチレン化合物、その中間体、その製造法、それを含む液晶組成物及びそれを用いた液晶素子 |
| JP2013544233A (ja) * | 2010-10-13 | 2013-12-12 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 液晶媒体のための化合物および高周波コンポーネントのための前記化合物の使用 |
| KR20140058666A (ko) * | 2011-09-05 | 2014-05-14 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 액정 매질 및 이를 포함하는 고주파 컴포넌트 |
| KR20160045847A (ko) * | 2013-08-23 | 2016-04-27 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 알킨일-톨란, 이를 함유하는 액정 혼합물 및 고주파 기술용 컴포넌트 |
-
1993
- 1993-10-14 JP JP25708193A patent/JP3579072B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4627576B2 (ja) * | 1999-09-24 | 2011-02-09 | 経済産業大臣 | 骨格にフッ素置換されたアルキル基又はアルコキシ基を有するフェニルアセチレン化合物、その中間体、その製造法、それを含む液晶組成物及びそれを用いた液晶素子 |
| JP2013544233A (ja) * | 2010-10-13 | 2013-12-12 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 液晶媒体のための化合物および高周波コンポーネントのための前記化合物の使用 |
| KR20140058666A (ko) * | 2011-09-05 | 2014-05-14 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 액정 매질 및 이를 포함하는 고주파 컴포넌트 |
| JP2014529658A (ja) * | 2011-09-05 | 2014-11-13 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ | 液晶媒体およびそれを含む高周波コンポーネント |
| EP2753676B1 (en) * | 2011-09-05 | 2019-01-23 | Merck Patent GmbH | Liquid-crystalline medium and high-frequency components comprising same |
| KR20160045847A (ko) * | 2013-08-23 | 2016-04-27 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 알킨일-톨란, 이를 함유하는 액정 혼합물 및 고주파 기술용 컴포넌트 |
| US20160208167A1 (en) * | 2013-08-23 | 2016-07-21 | Merck Patent Gmbh | Alkinyl-tolanes, liquid-crystal mixtures containing them and components for high-frequency technology |
| JP2016534108A (ja) * | 2013-08-23 | 2016-11-04 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ | アルキニル−トラン、それらを含む液晶混合物および高周波技術のためのコンポーネント |
| US10099975B2 (en) * | 2013-08-23 | 2018-10-16 | Merck Patent Gmbh | Alkynyl-tolanes, liquid-crystal mixtures containing them and components for high-frequency technology |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3579072B2 (ja) | 2004-10-20 |
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