JPH0812599A - トラン化合物の製造法 - Google Patents
トラン化合物の製造法Info
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- JPH0812599A JPH0812599A JP6144866A JP14486694A JPH0812599A JP H0812599 A JPH0812599 A JP H0812599A JP 6144866 A JP6144866 A JP 6144866A JP 14486694 A JP14486694 A JP 14486694A JP H0812599 A JPH0812599 A JP H0812599A
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- acetylene
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- phenyl
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】液晶組成物の配合成分として有用なトラン化合
物の製造法を提供すること。 【構成】 一般式〔２〕 （式中、Ｘ、Ｙは水素、フッ素を示す。ｒ、ｓは、０か
ら３の整数である。Ａは、水素、フッ素、トリフロロメ
チル、トリフロロメトキシ、シアノ、 ４−Ｒ1−（シ
クロアルキル）、４−Ｒ1 −（シクロアルケニル）、Ｒ
1 −（Ｏ）m を示し、Ｒ1 は、Ｃ1 〜Ｃ12アルキル、ア
ルケニルまたはアルキニルを示し、ｍは、０または１で
ある。Ｄは、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子または−
ＯＳＯ2 Ｒ’を示す。ただし、Ｒ’はフッ素原子で置換
されていてもよい低級アルキル、または置換されていて
もよいフェニル基を示す。）で示されるエチニルベンゼ
ン誘導体とＣＨ≡Ｃ−Ｒ 〔３〕 （式中、ＲはＣ1 〜Ｃ12アルキル、アルケニル、アルコ
キシアルキルを示す。）で示されるアセチレン化合物と
を金属触媒と塩基性物質との存在下に反応させる一般式
〔１〕
物の製造法を提供すること。 【構成】 一般式〔２〕 （式中、Ｘ、Ｙは水素、フッ素を示す。ｒ、ｓは、０か
ら３の整数である。Ａは、水素、フッ素、トリフロロメ
チル、トリフロロメトキシ、シアノ、 ４−Ｒ1−（シ
クロアルキル）、４−Ｒ1 −（シクロアルケニル）、Ｒ
1 −（Ｏ）m を示し、Ｒ1 は、Ｃ1 〜Ｃ12アルキル、ア
ルケニルまたはアルキニルを示し、ｍは、０または１で
ある。Ｄは、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子または−
ＯＳＯ2 Ｒ’を示す。ただし、Ｒ’はフッ素原子で置換
されていてもよい低級アルキル、または置換されていて
もよいフェニル基を示す。）で示されるエチニルベンゼ
ン誘導体とＣＨ≡Ｃ−Ｒ 〔３〕 （式中、ＲはＣ1 〜Ｃ12アルキル、アルケニル、アルコ
キシアルキルを示す。）で示されるアセチレン化合物と
を金属触媒と塩基性物質との存在下に反応させる一般式
〔１〕
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶組成物の配合成分
として有用なトラン化合物の製造法に関する。
として有用なトラン化合物の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示素子の高性能化は、情報
社会の到来に伴い不可欠となっている。液晶組成物の諸
物性のなかで、より高速化のため、さらには高性能化の
ためには、屈折率異方性に優れた材料が必要とされてい
る。しかしながら、現在のところ必ずしも充分な屈折率
異方性をもつ液晶材料は、見いだされていない。
社会の到来に伴い不可欠となっている。液晶組成物の諸
物性のなかで、より高速化のため、さらには高性能化の
ためには、屈折率異方性に優れた材料が必要とされてい
る。しかしながら、現在のところ必ずしも充分な屈折率
異方性をもつ液晶材料は、見いだされていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、屈折率異方
性に優れた、低粘性な液晶化合物の工業的有利な製造法
を提供することを目的とするものである。
性に優れた、低粘性な液晶化合物の工業的有利な製造法
を提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このようなことから、本
発明者らは、かかる屈折率異方性に優れた液晶化合物の
製造法について鋭意検討を加えた結果、簡便かつ工業的
有利な方法を見いだし本発明を完成するに至った。
発明者らは、かかる屈折率異方性に優れた液晶化合物の
製造法について鋭意検討を加えた結果、簡便かつ工業的
有利な方法を見いだし本発明を完成するに至った。
【０００５】すなわち、本発明は、 一般式〔２〕 （式中、Ｘ、Ｙはそれぞれ水素原子またはフッ素原子を
示す。ｒおよびｓは、０から３の整数である。Ａは、水
素原子、フッ素原子、トリフロロメチル基、トリフロロ
メトキシ基、シアノ基、 ４−Ｒ1 −（シクロアルキ
ル）基、４−Ｒ1 −（シクロアルケニル）基またはＲ1
−（Ｏ）m 基を示し、Ｒ1 は、Ｃ1 〜Ｃ12のアルキル
基、アルケニル基またはアルキニル基を示し、ｍは、０
または１である。Ｄは、臭素原子、ヨウ素原子などのハ
ロゲン原子または−ＯＳＯ2 Ｒ’を示す。ただし、Ｒ’
はフッ素原子で置換されていてもよい低級アルキル基、
または置換されていてもよいフェニル基を示す。）で示
されるエチニルベンゼン誘導体と一般式〔３〕 ＣＨ≡Ｃ−Ｒ 〔３〕 （式中、ＲはＣ1 〜Ｃ12のアルキル基、アルケニル基ま
たはアルコキシアルキル基を示す。）で示されるアセチ
レン化合物とを金属触媒と塩基性物質との存在下に反応
させることを特徴とする一般式〔１〕 （式中、Ａ、Ｒ、ｒ、ｓ、ＸおよびＹは、前記と同じ意
味を表わす。）で示されるトラン化合物の製造法を提供
するものである。
示す。ｒおよびｓは、０から３の整数である。Ａは、水
素原子、フッ素原子、トリフロロメチル基、トリフロロ
メトキシ基、シアノ基、 ４−Ｒ1 −（シクロアルキ
ル）基、４−Ｒ1 −（シクロアルケニル）基またはＲ1
−（Ｏ）m 基を示し、Ｒ1 は、Ｃ1 〜Ｃ12のアルキル
基、アルケニル基またはアルキニル基を示し、ｍは、０
または１である。Ｄは、臭素原子、ヨウ素原子などのハ
ロゲン原子または−ＯＳＯ2 Ｒ’を示す。ただし、Ｒ’
はフッ素原子で置換されていてもよい低級アルキル基、
または置換されていてもよいフェニル基を示す。）で示
されるエチニルベンゼン誘導体と一般式〔３〕 ＣＨ≡Ｃ−Ｒ 〔３〕 （式中、ＲはＣ1 〜Ｃ12のアルキル基、アルケニル基ま
たはアルコキシアルキル基を示す。）で示されるアセチ
レン化合物とを金属触媒と塩基性物質との存在下に反応
させることを特徴とする一般式〔１〕 （式中、Ａ、Ｒ、ｒ、ｓ、ＸおよびＹは、前記と同じ意
味を表わす。）で示されるトラン化合物の製造法を提供
するものである。
【０００６】以下、本発明を詳細に説明する。本発明で
用いられるエチニルベンゼン誘導体〔２〕は、以下に示
すような方法により合成することができる。 Ｄがハロゲン原子の場合 ＤがＯＳＯ2 Ｒ’の場合
用いられるエチニルベンゼン誘導体〔２〕は、以下に示
すような方法により合成することができる。 Ｄがハロゲン原子の場合 ＤがＯＳＯ2 Ｒ’の場合
【０００７】もう一方のアセチレン化合物〔３〕は、市
販品を用いるかあるいは公知の方法に従って合成するこ
とができる。
販品を用いるかあるいは公知の方法に従って合成するこ
とができる。
【０００８】エチニルベンゼン誘導体〔２〕とアセチレ
ン化合物〔３〕とを金属触媒と塩基性物質との存在下に
反応させトラン化合物〔１〕を得る反応に於いて、アセ
チレン化合物〔３〕の使用量は、エチニルベンゼン誘導
体〔２〕に対して通常、０. ９〜１０倍当量であるが、
好ましくは、１〜２倍当量である。勿論化合物〔２〕を
過剰に用いることもできるが、化合物〔２〕がより高価
であることから、化合物〔３〕を過剰量用いるほうが好
ましい。
ン化合物〔３〕とを金属触媒と塩基性物質との存在下に
反応させトラン化合物〔１〕を得る反応に於いて、アセ
チレン化合物〔３〕の使用量は、エチニルベンゼン誘導
体〔２〕に対して通常、０. ９〜１０倍当量であるが、
好ましくは、１〜２倍当量である。勿論化合物〔２〕を
過剰に用いることもできるが、化合物〔２〕がより高価
であることから、化合物〔３〕を過剰量用いるほうが好
ましい。
【０００９】上記反応に用いられる金属触媒としては、
パラジウム系では塩化パラジウム、酢酸パラジウム、パ
ラジウム／炭素、トリフェニルホスフィンパラジウム錯
体（例えば、テトラキストリフェニルホスフィンパラジ
ウム、ジクロロジトリフェニルホスフィンパラジウム）
などが用いられ、ニッケル系およびロジウム系について
も上記と同様な触媒が用いられる。これらの金属触媒の
使用量は、原料化合物（３）に対して 0.001〜0.1 倍当
量の範囲である。
パラジウム系では塩化パラジウム、酢酸パラジウム、パ
ラジウム／炭素、トリフェニルホスフィンパラジウム錯
体（例えば、テトラキストリフェニルホスフィンパラジ
ウム、ジクロロジトリフェニルホスフィンパラジウム）
などが用いられ、ニッケル系およびロジウム系について
も上記と同様な触媒が用いられる。これらの金属触媒の
使用量は、原料化合物（３）に対して 0.001〜0.1 倍当
量の範囲である。
【００１０】また、この反応では上記金属触媒の他に、
助触媒として、３価のリン化合物または３価のひ素化合
物を用いると好ましい場合があり、それらとしては、一
般式〔４〕 （式中、Ｍはリン原子またはヒ素原子を示し、Ｒ2 、Ｒ
3 およびＲ4 は同一または相異なりアルキル基、アリー
ル基、アルコキシ基、アリールオキシ基またはハロゲン
原子を示す。）で示される化合物であって、具体的には
トリ−ｎ−ブチルホスフィン、トリフェニルホスフィ
ン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホ
スファイト、三塩化リン、トリフェニルヒ素などが例示
される。これらのリン化合物またはヒ素化合物の使用量
は、上記の金属触媒に対して０. ５〜５０倍当量、好ま
しくは１〜３０倍当量である。さらにこれらの触媒に加
え、銅触媒を用いることができ、かかる銅触媒として
は、ヨウ化銅、臭化銅、塩化銅、酸化銅、シアン化銅な
どが用いられ、これらの使用量は、原料ハロゲン化物
〔３〕に対して、 0.001〜0.1 倍当量の範囲である。勿
論これ以上使用することも可能であるが、特に大量使用
するメリットもない。
助触媒として、３価のリン化合物または３価のひ素化合
物を用いると好ましい場合があり、それらとしては、一
般式〔４〕 （式中、Ｍはリン原子またはヒ素原子を示し、Ｒ2 、Ｒ
3 およびＲ4 は同一または相異なりアルキル基、アリー
ル基、アルコキシ基、アリールオキシ基またはハロゲン
原子を示す。）で示される化合物であって、具体的には
トリ−ｎ−ブチルホスフィン、トリフェニルホスフィ
ン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホ
スファイト、三塩化リン、トリフェニルヒ素などが例示
される。これらのリン化合物またはヒ素化合物の使用量
は、上記の金属触媒に対して０. ５〜５０倍当量、好ま
しくは１〜３０倍当量である。さらにこれらの触媒に加
え、銅触媒を用いることができ、かかる銅触媒として
は、ヨウ化銅、臭化銅、塩化銅、酸化銅、シアン化銅な
どが用いられ、これらの使用量は、原料ハロゲン化物
〔３〕に対して、 0.001〜0.1 倍当量の範囲である。勿
論これ以上使用することも可能であるが、特に大量使用
するメリットもない。
【００１１】塩基性物質としては、アルカリ金属の炭酸
塩、カルボン酸塩、アルコキサイド、水酸化物などや有
機塩基が挙げられるが、３級アミンまたは２級アミン
（有機塩基）が好ましく用いられ、これらとしてはジエ
チルアミン、トリエチルアミン、ジ−イソプロピルエチ
ルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、テトラメチルエチ
レンジアミン、ジメチルアニリン、Ｎーメチルモルホリ
ン、Ｎーメチルピペリジン等の有機塩基が例示される。
塩基の使用量は、通常、化合物〔２〕に対して１〜５倍
当量である。必要により、適当な溶媒、例えばアセトニ
トリル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、
ヘキサメチルホスホリルアミド、Ｎ−メチルピロリド
ン、ベンゼン、トルエン、メタノールなどを反応溶媒と
して使用することもできる。
塩、カルボン酸塩、アルコキサイド、水酸化物などや有
機塩基が挙げられるが、３級アミンまたは２級アミン
（有機塩基）が好ましく用いられ、これらとしてはジエ
チルアミン、トリエチルアミン、ジ−イソプロピルエチ
ルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、テトラメチルエチ
レンジアミン、ジメチルアニリン、Ｎーメチルモルホリ
ン、Ｎーメチルピペリジン等の有機塩基が例示される。
塩基の使用量は、通常、化合物〔２〕に対して１〜５倍
当量である。必要により、適当な溶媒、例えばアセトニ
トリル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、
ヘキサメチルホスホリルアミド、Ｎ−メチルピロリド
ン、ベンゼン、トルエン、メタノールなどを反応溶媒と
して使用することもできる。
【００１２】これらの反応溶媒の使用量は特に制限され
ない。また、上記有機アミンを溶媒として用いることも
できる。尚、上記反応は通常窒素、アルゴン等の不活性
ガス中で行われる。本反応の反応温度は、通常−２０〜
１９０℃であり、好ましくは、４０〜１５０℃である。
ない。また、上記有機アミンを溶媒として用いることも
できる。尚、上記反応は通常窒素、アルゴン等の不活性
ガス中で行われる。本反応の反応温度は、通常−２０〜
１９０℃であり、好ましくは、４０〜１５０℃である。
【００１３】反応終了後、抽出、蒸留、再結晶等の通常
の手段により、トラン化合物〔１〕を得ることができ
る。また、必要によりカラムクロマトグラフィーあるい
は再結晶等により精製することもできる。
の手段により、トラン化合物〔１〕を得ることができ
る。また、必要によりカラムクロマトグラフィーあるい
は再結晶等により精製することもできる。
【００１４】以上のようにして本発明で得られるトラン
化合物〔１〕の具体例としては、例えば、一般式〔１〕
において、Ａとしては、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、ウンデシル、ドデシル、エテニル、プロペ
ニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニ
ル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、
ドデセニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキ
シニル、ヘプチニル、オクチニル、ノニリル、デシニ
ル、ドデシニル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブ
トキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオ
キシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、
ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、ビニルオキシ、プ
ロペニルオキシ、ブテニルオキシ、ペンテニルオキシ、
ヘキセニルオキシ、ヘプテニルオキシ、オクテニルオキ
シ、ノネニルオキシ、デセニルオキシ、プロピニルオキ
シ、ブチニルオキシ、ペンチニルオキシ、ヘキシニルオ
キシ、ヘプチニルオキシ、オクチニルオキシ、ノニリル
オキシ、ドデシニルオキシ、４ーメチルシクロヘキシ
ル、４ーエチルシクロヘキシル、４ープロピルシクロヘ
キシル、４ーブチルシクロヘキシル、４ーペンチルシク
ロヘキシル、４ーヘキシルシクロヘキシル、４ーヘプチ
ルシクロヘキシル、４ーオクチルシクロヘキシル、４ー
ノニルシクロヘキシル、４ーデシルシクロヘキシル、４
ープロピルシクロヘキセニル、水素原子、フッ素原子、
トリフロロメチル基、トリフロロメトキシ基、シアノ基
等があげられる。
化合物〔１〕の具体例としては、例えば、一般式〔１〕
において、Ａとしては、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、ウンデシル、ドデシル、エテニル、プロペ
ニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニ
ル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、
ドデセニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキ
シニル、ヘプチニル、オクチニル、ノニリル、デシニ
ル、ドデシニル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブ
トキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオ
キシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、
ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、ビニルオキシ、プ
ロペニルオキシ、ブテニルオキシ、ペンテニルオキシ、
ヘキセニルオキシ、ヘプテニルオキシ、オクテニルオキ
シ、ノネニルオキシ、デセニルオキシ、プロピニルオキ
シ、ブチニルオキシ、ペンチニルオキシ、ヘキシニルオ
キシ、ヘプチニルオキシ、オクチニルオキシ、ノニリル
オキシ、ドデシニルオキシ、４ーメチルシクロヘキシ
ル、４ーエチルシクロヘキシル、４ープロピルシクロヘ
キシル、４ーブチルシクロヘキシル、４ーペンチルシク
ロヘキシル、４ーヘキシルシクロヘキシル、４ーヘプチ
ルシクロヘキシル、４ーオクチルシクロヘキシル、４ー
ノニルシクロヘキシル、４ーデシルシクロヘキシル、４
ープロピルシクロヘキセニル、水素原子、フッ素原子、
トリフロロメチル基、トリフロロメトキシ基、シアノ基
等があげられる。
【００１５】Ｒとしては、メチル、エチル、プロピル、
ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノ
ニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、エテニル、プロ
ペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニ
ル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、
ドデセニル、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポ
キシメチル、ブトキシメチル、ペンチルオキシメチル、
ヘキシルオキシメチル、ヘプチルオキシメチル、オクチ
ルオキシメチル、ノニルオキシメチル、デシルオキシメ
チル、メトキシエチル、エトキシエチル、プロポキシエ
チル、ブトキシエチル、ペンチルオキシエチル、ヘキシ
ルオキシエチル、ヘプチルオキシエチル、オクチルオキ
シエチル、ノニルオキシエチル、デシルオキシエチル、
メトキシプロピル、エトキシプロピル、プロポキシプロ
ピル、ブトキシプロピル、ペンチルオキシプロピル、ヘ
キシルオキシプロピル、ヘプチルオキシプロピル、オク
チルオキシプロピル、ノニルオキシプロピル、デシルオ
キシプロピル、メトキシブチル、エトキシブチル、プロ
ポキシブチル、ブトキシブチル、ペンチルオキシブチ
ル、ヘキシルオキシブチル、ヘプチルオキシブチル、オ
クチルオキシブチル、ノニルオキシブチル、デシルオキ
シブチル、メトキシペンチル、エトキシペンチル、プロ
ポキシペンチル、ブトキシペンチル、ペンチルオキシペ
ンチル、ヘキシルオキシペンチル、ヘプチルオキシペン
チル、、オクチルオキシペンチル等が挙げられる。
ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノ
ニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、エテニル、プロ
ペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニ
ル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、
ドデセニル、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポ
キシメチル、ブトキシメチル、ペンチルオキシメチル、
ヘキシルオキシメチル、ヘプチルオキシメチル、オクチ
ルオキシメチル、ノニルオキシメチル、デシルオキシメ
チル、メトキシエチル、エトキシエチル、プロポキシエ
チル、ブトキシエチル、ペンチルオキシエチル、ヘキシ
ルオキシエチル、ヘプチルオキシエチル、オクチルオキ
シエチル、ノニルオキシエチル、デシルオキシエチル、
メトキシプロピル、エトキシプロピル、プロポキシプロ
ピル、ブトキシプロピル、ペンチルオキシプロピル、ヘ
キシルオキシプロピル、ヘプチルオキシプロピル、オク
チルオキシプロピル、ノニルオキシプロピル、デシルオ
キシプロピル、メトキシブチル、エトキシブチル、プロ
ポキシブチル、ブトキシブチル、ペンチルオキシブチ
ル、ヘキシルオキシブチル、ヘプチルオキシブチル、オ
クチルオキシブチル、ノニルオキシブチル、デシルオキ
シブチル、メトキシペンチル、エトキシペンチル、プロ
ポキシペンチル、ブトキシペンチル、ペンチルオキシペ
ンチル、ヘキシルオキシペンチル、ヘプチルオキシペン
チル、、オクチルオキシペンチル等が挙げられる。
【００１６】本発明で得られるトラン化合物〔１〕は、
従来にない屈折率異方性が大きく、組成物にすることに
より、屈折率異方性を高めることができる優れた材料で
あるが、液晶性のうえからは、一般式〔１〕において、
Ｒ、Ｒ1 の炭素数が２以上であることが好ましい。
従来にない屈折率異方性が大きく、組成物にすることに
より、屈折率異方性を高めることができる優れた材料で
あるが、液晶性のうえからは、一般式〔１〕において、
Ｒ、Ｒ1 の炭素数が２以上であることが好ましい。
【００１７】
【発明の効果】本発明の方法によれば一般式〔１〕で示
されるトラン化合物が、高収率、高純度で工業的有利に
製造することが出来る。
されるトラン化合物が、高収率、高純度で工業的有利に
製造することが出来る。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を実施例により、更に詳細に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。
【００１９】実施例１ 撹拌装置、還流冷却器、温度計を装着し、系内を窒素置
換した四つ口フラスコに、１−（４−シアノフェニル）
−２−（２−フロロ−４−ブロモフェニル）アセチレン
（2-1)３．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、１−ペンチン（3-1)
１．４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホ
スフィンパラジウム０．２３ｇ（０．２ｍｍｏｌ）、ヨ
ウ化銅０．１ｇ、トリエチルアミン３０ｍＬを入れた
後、加熱し、撹拌しながら８時間還流する。反応終了
後、反応混合物を室温まで冷却後、減圧濃縮する。残さ
にエ−テルを加え抽出し、有機層を３％塩酸水、水で洗
浄、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥する。溶媒を留
去後、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによ
り精製することにより、１−（４−シアノフェニル）−
２−（２−フロロ−４−（１−ペンチニル）フェニル）
アセチレン２．３ｇ（１−１）（収率７５％）を得る。
換した四つ口フラスコに、１−（４−シアノフェニル）
−２−（２−フロロ−４−ブロモフェニル）アセチレン
（2-1)３．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、１−ペンチン（3-1)
１．４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホ
スフィンパラジウム０．２３ｇ（０．２ｍｍｏｌ）、ヨ
ウ化銅０．１ｇ、トリエチルアミン３０ｍＬを入れた
後、加熱し、撹拌しながら８時間還流する。反応終了
後、反応混合物を室温まで冷却後、減圧濃縮する。残さ
にエ−テルを加え抽出し、有機層を３％塩酸水、水で洗
浄、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥する。溶媒を留
去後、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによ
り精製することにより、１−（４−シアノフェニル）−
２−（２−フロロ−４−（１−ペンチニル）フェニル）
アセチレン２．３ｇ（１−１）（収率７５％）を得る。
【００２０】実施例２ 撹拌装置、還流冷却器、温度計を装着し、系内を窒素置
換した四つ口フラスコに、１−（３−フロロ−４−シア
ノフェニル）−２−（４−ブロモ−２−フロロフェニ
ル）アセチレン（2-2)３．１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、１−
ペンチン（3-1)１、４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、ビス（トリ
フェニルホスフィン）パラジウムクロリド０．１２ｇ、
ヨウ化銅０．１ｇ、トリフェニルホスフィン０．１３
ｇ、トリエチルアミン３０ｍＬ、Ｎーメチルピペラジン
１０ｍＬを入れた後、加熱し、撹拌しながら６時間還流
する。反応終了後、反応混合物を水１００ｍＬにあけ、
酢酸エチル６０ｍＬにて抽出する。酢酸エチル層を、３
％塩酸水、水で洗浄ののち、減圧濃縮すれば残さを与え
る。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製することにより、１−（３−フロロ−４−シアノフ
ェニル）−２−（２−フロロ−４−（１−ペンチニル）
フェニル）アセチレン３．０ｇ（１−２）（収率７５
％）を得る。
換した四つ口フラスコに、１−（３−フロロ−４−シア
ノフェニル）−２−（４−ブロモ−２−フロロフェニ
ル）アセチレン（2-2)３．１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、１−
ペンチン（3-1)１、４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、ビス（トリ
フェニルホスフィン）パラジウムクロリド０．１２ｇ、
ヨウ化銅０．１ｇ、トリフェニルホスフィン０．１３
ｇ、トリエチルアミン３０ｍＬ、Ｎーメチルピペラジン
１０ｍＬを入れた後、加熱し、撹拌しながら６時間還流
する。反応終了後、反応混合物を水１００ｍＬにあけ、
酢酸エチル６０ｍＬにて抽出する。酢酸エチル層を、３
％塩酸水、水で洗浄ののち、減圧濃縮すれば残さを与え
る。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製することにより、１−（３−フロロ−４−シアノフ
ェニル）−２−（２−フロロ−４−（１−ペンチニル）
フェニル）アセチレン３．０ｇ（１−２）（収率７５
％）を得る。
【００２１】実施例３ 撹拌装置、還流冷却器、温度計を装着し、系内を窒素置
換した四つ口フラスコに、１−（４−（４−プロピルシ
クロヘキセニル）フェニル）−２−（２−フロロ−４−
ブロモフェニル）アセチレン（2-3)４．０ｇ（１０ｍｍ
ｏｌ）、１−ペンチン（3-3)２．１ｇ（３０ｍｍｏ
ｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムクロ
リド０．１２ｇ、ヨウ化銅０．１２ｇ、トリフェニルホ
スフィン０．１５ｇ、トリエチルアミン３０ｍＬ、Ｎー
メチルピペラジン１０ｍＬを入れた後、加熱し、撹拌し
ながら６時間還流する。反応終了後、反応混合物を水１
００ｍＬにあけ、酢酸エチル６０ｍＬにて抽出する。有
機層を飽和食塩水２０ｍｌで２回洗浄、無水硫酸マグネ
シウムを用いて乾燥する。溶媒を留去後、残査をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することによ
り、１−（４−（４−プロピルシクロヘキセニル）フェ
ニル）−２−（２−フロロ−４−（１−ペンチニル）フ
ェニル）アセチレン２．５ｇ（１−３）（収率６９％）
を得る。
換した四つ口フラスコに、１−（４−（４−プロピルシ
クロヘキセニル）フェニル）−２−（２−フロロ−４−
ブロモフェニル）アセチレン（2-3)４．０ｇ（１０ｍｍ
ｏｌ）、１−ペンチン（3-3)２．１ｇ（３０ｍｍｏ
ｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムクロ
リド０．１２ｇ、ヨウ化銅０．１２ｇ、トリフェニルホ
スフィン０．１５ｇ、トリエチルアミン３０ｍＬ、Ｎー
メチルピペラジン１０ｍＬを入れた後、加熱し、撹拌し
ながら６時間還流する。反応終了後、反応混合物を水１
００ｍＬにあけ、酢酸エチル６０ｍＬにて抽出する。有
機層を飽和食塩水２０ｍｌで２回洗浄、無水硫酸マグネ
シウムを用いて乾燥する。溶媒を留去後、残査をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することによ
り、１−（４−（４−プロピルシクロヘキセニル）フェ
ニル）−２−（２−フロロ−４−（１−ペンチニル）フ
ェニル）アセチレン２．５ｇ（１−３）（収率６９％）
を得る。
【００２２】実施例４ 撹拌装置、還流冷却器、温度計を装着し、系内を窒素置
換した四つ口フラスコに、１−（４−（４−プロピルシ
クロヘキセニル）フェニル）−２−（４−ブロモフェニ
ル）アセチレン（2-4)３．８ｇ（１０ｍｍｏｌ）、１−
ペンチン（3-4)２．１ｇ（３０ｍｍｏｌ）、ビス（トリ
フェニルホスフィン）パラジウムクロリド０．１２ｇ、
ヨウ化銅０．１２ｇ、トリフェニルホスフィン０．１５
ｇ、トリエチルアミン５０ｍＬを入れた後、加熱し、撹
拌しながら８時間還流する。反応終了後、反応混合物を
水１００ｍＬにあけ、酢酸エチル６０ｍＬにて抽出す
る。有機層を飽和食塩水２０ｍｌで２回洗浄、無水硫酸
マグネシウムを用いて乾燥する。溶媒を留去後、残査を
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製するこ
とにより、１−（４−（４−プロピルシクロヘキセニ
ル）フェニル）−２−（４−（１−ペンチニル）フェニ
ル）アセチレン２．５ｇ（１−４）（収率６７％）を得
る。
換した四つ口フラスコに、１−（４−（４−プロピルシ
クロヘキセニル）フェニル）−２−（４−ブロモフェニ
ル）アセチレン（2-4)３．８ｇ（１０ｍｍｏｌ）、１−
ペンチン（3-4)２．１ｇ（３０ｍｍｏｌ）、ビス（トリ
フェニルホスフィン）パラジウムクロリド０．１２ｇ、
ヨウ化銅０．１２ｇ、トリフェニルホスフィン０．１５
ｇ、トリエチルアミン５０ｍＬを入れた後、加熱し、撹
拌しながら８時間還流する。反応終了後、反応混合物を
水１００ｍＬにあけ、酢酸エチル６０ｍＬにて抽出す
る。有機層を飽和食塩水２０ｍｌで２回洗浄、無水硫酸
マグネシウムを用いて乾燥する。溶媒を留去後、残査を
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製するこ
とにより、１−（４−（４−プロピルシクロヘキセニ
ル）フェニル）−２−（４−（１−ペンチニル）フェニ
ル）アセチレン２．５ｇ（１−４）（収率６７％）を得
る。
【００２３】実施例５ 実施例２において１−（４−シアノ−３−フロロフェニ
ル）−２−（２−フロロ−４−ブロモフェニル）アセチ
レン（２−２）にかえ、１−（４−シアノフェニル）−
２−（４−ブロモフェニル）アセチレン（２−６）２．
８ｇ（１０ｍｍｏｌ）を使用する以外は実施例２と同様
に反応後処理すれば、１−（４−シアノフェニル）−２
−（４−（１−ペンチニル）フェニル）アセチレン（１
−６）（収率７５％）を得る。
ル）−２−（２−フロロ−４−ブロモフェニル）アセチ
レン（２−２）にかえ、１−（４−シアノフェニル）−
２−（４−ブロモフェニル）アセチレン（２−６）２．
８ｇ（１０ｍｍｏｌ）を使用する以外は実施例２と同様
に反応後処理すれば、１−（４−シアノフェニル）−２
−（４−（１−ペンチニル）フェニル）アセチレン（１
−６）（収率７５％）を得る。
【００２４】実施例６ 実施例２において１−（４−シアノ−３−フロロフェニ
ル）−２−（２−フロロ−４−ブロモフェニル）アセチ
レン（２−２）にかえ、１−（４−シアノ−３−フロロ
フェニル）−２−（４−ブロモフェニル）アセチレン
（２−７）３．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）を使用する以外は
実施例２と同様に反応後処理すれば、１−（４−シアノ
−３−フロロフェニル）−２−（４−（１−ペンチニ
ル）フェニル）アセチレン２．１ｇ（１−７）（収率７
４％）を得る。
ル）−２−（２−フロロ−４−ブロモフェニル）アセチ
レン（２−２）にかえ、１−（４−シアノ−３−フロロ
フェニル）−２−（４−ブロモフェニル）アセチレン
（２−７）３．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）を使用する以外は
実施例２と同様に反応後処理すれば、１−（４−シアノ
−３−フロロフェニル）−２−（４−（１−ペンチニ
ル）フェニル）アセチレン２．１ｇ（１−７）（収率７
４％）を得る。
【００２５】実施例７ 実施例６において、１−ペンチンにかえ、１−ヘプチン
（３−８）１．９ｇ（２０ｍｍｏｌ）を使用する以外は
実施例６と同様に反応後処理すれば、１−（４−シアノ
−３−フロロフェニル）−２−（４−（１−ヘプチニ
ル）フェニル）アセチレン（１−８）２．２ｇ（収率７
１％）を得る。
（３−８）１．９ｇ（２０ｍｍｏｌ）を使用する以外は
実施例６と同様に反応後処理すれば、１−（４−シアノ
−３−フロロフェニル）−２−（４−（１−ヘプチニ
ル）フェニル）アセチレン（１−８）２．２ｇ（収率７
１％）を得る。
【００２６】実施例８ 実施例２において１−（４−シアノ−３−フロロフェニ
ル）−２−（２−フロロ−４−ブロモフェニル）アセチ
レン（２−２）にかえ、１−（４−シアノ−２、３−ジ
フロロフェニル）−２−（４−ブロモフェニル）アセチ
レン（２−７）３．２ｇ（１０ｍｍｏｌ）、１−ペンチ
ンにかえ、プロピン（３−９）２．０ｇ（５０ｍｍｏ
ｌ）を使用する以外は実施例２と同様に反応後処理すれ
ば、１−（４−シアノ−２、３−ジフロロフェニル）−
２−（４−（１−プロピニル）フェニル）アセチレン
２．０ｇ（１−９）（収率７３％）を得る。
ル）−２−（２−フロロ−４−ブロモフェニル）アセチ
レン（２−２）にかえ、１−（４−シアノ−２、３−ジ
フロロフェニル）−２−（４−ブロモフェニル）アセチ
レン（２−７）３．２ｇ（１０ｍｍｏｌ）、１−ペンチ
ンにかえ、プロピン（３−９）２．０ｇ（５０ｍｍｏ
ｌ）を使用する以外は実施例２と同様に反応後処理すれ
ば、１−（４−シアノ−２、３−ジフロロフェニル）−
２−（４−（１−プロピニル）フェニル）アセチレン
２．０ｇ（１−９）（収率７３％）を得る。
【００２７】実施例９ 実施例３において、１−（４−（４−プロピルシクロヘ
キセニル）フェニル）−２−（２−フロロ−４−ブロモ
フェニル）アセチレンにかえ、１−（４−（４−プロピ
ルシクロヘキシル）フェニル）−２−（２−フロロ−４
−ブロモフェニル）アセチレン（２−１０）４．０ｇ
（１０ｍｍｏｌ）を使用する以外は実施例３と同様に反
応、後処理、精製すれば、１−（４−（４−プロピルシ
クロヘキシル）フェニル）−２−（２−フロロ−４−
（１−ペンチニル）フェニル）アセチレン２．５ｇ（１
−１０）（収率７２％）を得る。
キセニル）フェニル）−２−（２−フロロ−４−ブロモ
フェニル）アセチレンにかえ、１−（４−（４−プロピ
ルシクロヘキシル）フェニル）−２−（２−フロロ−４
−ブロモフェニル）アセチレン（２−１０）４．０ｇ
（１０ｍｍｏｌ）を使用する以外は実施例３と同様に反
応、後処理、精製すれば、１−（４−（４−プロピルシ
クロヘキシル）フェニル）−２−（２−フロロ−４−
（１−ペンチニル）フェニル）アセチレン２．５ｇ（１
−１０）（収率７２％）を得る。
【００２８】実施例１０ 撹拌装置、還流冷却器、温度計を装着し、系内を窒素置
換した四つ口フラスコに、１−（２−フロロ−４−（１
−ｔｒａｎｓ−ペンテニル）フェニル）−２−（４−ト
リフロロメタンスルホニルオキシフェニル）アセチレン
（２−１１）４．１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、１−ペンチン
１．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフ
ィン）パラジウムクロリド０．１２ｇ、ヨウ化銅０．１
ｇ、トリフェニルホスフィン０．１３ｇ、トリエチルア
ミン３０ｍＬ、Ｎーメチルピペラジン１０ｍＬを入れた
後、加熱し、撹拌しながら６時間還流する。反応終了
後、反応混合物を水１００ｍＬにあけ、酢酸エチル６０
ｍＬにて抽出する。酢酸エチル層を、３％塩酸水、水で
洗浄ののち、減圧濃縮すれば残さを与える。残査をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することに
より、１−（２−フロロ−４−（１−ｔｒａｎｓ−ペン
テニル）フェニル）−２−（４−（１−ペンチニル）フ
ェニル）アセチレン（１−１１）２．６ｇ（収率７８
％）を得る。
換した四つ口フラスコに、１−（２−フロロ−４−（１
−ｔｒａｎｓ−ペンテニル）フェニル）−２−（４−ト
リフロロメタンスルホニルオキシフェニル）アセチレン
（２−１１）４．１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、１−ペンチン
１．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフ
ィン）パラジウムクロリド０．１２ｇ、ヨウ化銅０．１
ｇ、トリフェニルホスフィン０．１３ｇ、トリエチルア
ミン３０ｍＬ、Ｎーメチルピペラジン１０ｍＬを入れた
後、加熱し、撹拌しながら６時間還流する。反応終了
後、反応混合物を水１００ｍＬにあけ、酢酸エチル６０
ｍＬにて抽出する。酢酸エチル層を、３％塩酸水、水で
洗浄ののち、減圧濃縮すれば残さを与える。残査をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することに
より、１−（２−フロロ−４−（１−ｔｒａｎｓ−ペン
テニル）フェニル）−２−（４−（１−ペンチニル）フ
ェニル）アセチレン（１−１１）２．６ｇ（収率７８
％）を得る。
【００２９】実施例１１ 撹拌装置、還流冷却器、温度計を装着し、系内を窒素置
換した四つ口フラスコに、１−（３、４−ジフロロフェ
ニル）−２−（４−ブロモフェニル）アセチレン（２−
１２）２．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）、３−エトキシ−１−
プロピン（３−１２）１、７ｇ（２０ｍｍｏｌ）、ビス
（トリフェニルホスフィン）パラジウムクロリド０．１
２ｇ、ヨウ化銅０．１２、トリフェニルホスフィン０．
１３ｇ、トリエチルアミン５０ｍＬを入れた後、加熱
し、撹拌しながら９時間還流する。反応終了後、反応混
合物を水１００ｍＬにあけ、酢酸エチル６０ｍＬにて抽
出する。酢酸エチル層を、３％塩酸水、水で洗浄のの
ち、減圧濃縮すれば残さを与える。残査をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにより精製することにより、１
−（３、４−ジフロロフェニル）−２−（４−（３−エ
トキシ−１−プロピニルフェニル）アセチレン２．１ｇ
（１−１２）（収率７０％）を得る。
換した四つ口フラスコに、１−（３、４−ジフロロフェ
ニル）−２−（４−ブロモフェニル）アセチレン（２−
１２）２．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）、３−エトキシ−１−
プロピン（３−１２）１、７ｇ（２０ｍｍｏｌ）、ビス
（トリフェニルホスフィン）パラジウムクロリド０．１
２ｇ、ヨウ化銅０．１２、トリフェニルホスフィン０．
１３ｇ、トリエチルアミン５０ｍＬを入れた後、加熱
し、撹拌しながら９時間還流する。反応終了後、反応混
合物を水１００ｍＬにあけ、酢酸エチル６０ｍＬにて抽
出する。酢酸エチル層を、３％塩酸水、水で洗浄のの
ち、減圧濃縮すれば残さを与える。残査をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにより精製することにより、１
−（３、４−ジフロロフェニル）−２−（４−（３−エ
トキシ−１−プロピニルフェニル）アセチレン２．１ｇ
（１−１２）（収率７０％）を得る。
【００３０】実施例１２ 実施例２において１−（４−シアノ−３−フロロフェニ
ル）−２−（２−フロロ−４−ブロモフェニル）アセチ
レン（２−２）にかえ、１−（フェニル）−２ー（４ー
ブロモフェニル）アセチレン（２ー１３）２．６ｇ（１
０ｍｍｏｌ）を使用する以外は実施例２と同様に反応後
処理すれば、１−（フェニル）−２−（４ー（１ーペン
チニル）フェニル）アセチレン（１ー１３）１．９ｇ
（収率７６％）を得る。
ル）−２−（２−フロロ−４−ブロモフェニル）アセチ
レン（２−２）にかえ、１−（フェニル）−２ー（４ー
ブロモフェニル）アセチレン（２ー１３）２．６ｇ（１
０ｍｍｏｌ）を使用する以外は実施例２と同様に反応後
処理すれば、１−（フェニル）−２−（４ー（１ーペン
チニル）フェニル）アセチレン（１ー１３）１．９ｇ
（収率７６％）を得る。
【００３１】実施例１３ 実施例２において１−（４−シアノ−３−フロロフェニ
ル）−２−（２−フロロ−４−ブロモフェニル）アセチ
レン（２−２）にかえ、１−（４−トリフロロメチルフ
ェニル）−２−（４−ブロモフェニル）アセチレン（２
−１４）３．２ｇ（１０ｍｍｏｌ）、１−ペンチンにか
え、１−ノニン（３−１４）２．６ｇ（２０ｍｍｏｌ）
をを使用する以外は実施例２と同様に反応後処理すれ
ば、１−（４−トリフロロメチルフェニル）−２−（４
−（１−ノニイル）フェニル）アセチレン（１−１４）
２．６ｇ（収率６９％）を得る。
ル）−２−（２−フロロ−４−ブロモフェニル）アセチ
レン（２−２）にかえ、１−（４−トリフロロメチルフ
ェニル）−２−（４−ブロモフェニル）アセチレン（２
−１４）３．２ｇ（１０ｍｍｏｌ）、１−ペンチンにか
え、１−ノニン（３−１４）２．６ｇ（２０ｍｍｏｌ）
をを使用する以外は実施例２と同様に反応後処理すれ
ば、１−（４−トリフロロメチルフェニル）−２−（４
−（１−ノニイル）フェニル）アセチレン（１−１４）
２．６ｇ（収率６９％）を得る。
【００３２】（実施例１４〜２１）表１に示した出発原
料を用いる以外は実施例１に準じて、反応および後処理
を順次行なうと表−１に示したトラン化合物〔１〕が得
られる。
料を用いる以外は実施例１に準じて、反応および後処理
を順次行なうと表−１に示したトラン化合物〔１〕が得
られる。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 22/08 25/24 43/225 Ｃ 7419−4Ｈ 255/50 309/65 // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (1)
- 【請求項１】一般式〔２〕 （式中、Ｘ、Ｙはそれぞれ水素原子またはフッ素原子を
示す。ｒおよびｓは、０から３の整数である。Ａは、水
素原子、フッ素原子、トリフロロメチル基、トリフロロ
メトキシ基、シアノ基、 ４−Ｒ1 −（シクロアルキ
ル）基、４−Ｒ1 −（シクロアルケニル）基またはＲ1
−（Ｏ）m 基を示し、Ｒ1 は、Ｃ1 〜Ｃ12のアルキル
基、アルケニル基またはアルキニル基を示し、ｍは、０
または１である。Ｄは、臭素原子、ヨウ素原子などのハ
ロゲン原子または−ＯＳＯ2 Ｒ’を示す。ただし、Ｒ’
はフッ素原子で置換されていてもよい低級アルキル基、
または置換されていてもよいフェニル基を示す。）で示
されるエチニルベンゼン誘導体と一般式〔３〕 ＣＨ≡Ｃ−Ｒ 〔３〕 （式中、ＲはＣ1 〜Ｃ12のアルキル基、アルケニル基ま
たはアルコキシアルキル基を示す。）で示されるアセチ
レン化合物とを金属触媒と塩基性物質との存在下に反応
させることを特徴とする一般式〔１〕 （式中、Ａ、Ｒ、ｒ、ｓ、ＸおよびＹは、前記と同じ意
味を表わす。）で示されるトラン化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6144866A JPH0812599A (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | トラン化合物の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6144866A JPH0812599A (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | トラン化合物の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0812599A true JPH0812599A (ja) | 1996-01-16 |
Family
ID=15372223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6144866A Pending JPH0812599A (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | トラン化合物の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812599A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6168728B1 (en) | 1997-03-13 | 2001-01-02 | Chisso Corporation | Acetylene derivatives, and liquid crystal composition and liquid crystal display device each comprising the same |
| EP1731587A1 (de) * | 2005-06-03 | 2006-12-13 | MERCK PATENT GmbH | Tolane, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung |
| JP2010512325A (ja) * | 2006-12-07 | 2010-04-22 | ザ・トラスティーズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ペンシルバニア | アセチレン誘導体、ならびにアミロイドプラークと結合し、および画像化するためのそれらの使用 |
| JP4627576B2 (ja) * | 1999-09-24 | 2011-02-09 | 経済産業大臣 | 骨格にフッ素置換されたアルキル基又はアルコキシ基を有するフェニルアセチレン化合物、その中間体、その製造法、それを含む液晶組成物及びそれを用いた液晶素子 |
| DE102011112950A1 (de) | 2010-10-13 | 2012-04-19 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für ein flüssigkristallines Medium und deren Verwendung für Hochfrquenzbauteile |
| DE102011117048A1 (de) | 2010-11-23 | 2012-05-24 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für ein flüssigkristallines Medium und deren Verwendung für Hochfrequenzbauteile |
| DE102011119293A1 (de) | 2011-01-10 | 2012-07-12 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für ein flüssigkristallines Medium und deren Verwendung für Hochfrequenzbauteile |
| DE102012004393A1 (de) | 2011-03-22 | 2012-09-27 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für ein flüssigkristallines Medium und deren Verwendung für Hochfrequenzbauteile |
| DE102012006878A1 (de) | 2011-04-27 | 2012-10-31 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für ein flüssigkristallines Medium und deren Verwendung für Hochfrequenzbauteile |
| DE102012009811A1 (de) | 2011-05-27 | 2012-11-29 | Merck Patent Gmbh | 1-Brom-3-Halo-2-Cycloalkylbenzol-Verbindungen |
| CN103232591A (zh) * | 2013-05-09 | 2013-08-07 | 上海大学 | 太阳能电池导电膜用导电聚合物及其合成方法 |
| JP2016534108A (ja) * | 2013-08-23 | 2016-11-04 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ | アルキニル−トラン、それらを含む液晶混合物および高周波技術のためのコンポーネント |
-
1994
- 1994-06-27 JP JP6144866A patent/JPH0812599A/ja active Pending
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