JPH0222998Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0222998Y2 JPH0222998Y2 JP1981040096U JP4009681U JPH0222998Y2 JP H0222998 Y2 JPH0222998 Y2 JP H0222998Y2 JP 1981040096 U JP1981040096 U JP 1981040096U JP 4009681 U JP4009681 U JP 4009681U JP H0222998 Y2 JPH0222998 Y2 JP H0222998Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode plate
- angled
- obtuse
- angled electrode
- bridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
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- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
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- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は樹脂封止型半導体装置の構造に関する
もので、特に入力（交流）側端子と出力（直流）
側端子を分離した新規な交直分離型半導体装置を
提供するものである。
もので、特に入力（交流）側端子と出力（直流）
側端子を分離した新規な交直分離型半導体装置を
提供するものである。
第１図ａ，ｂ及びｃは、従来装置の代表的な構
造を示す平面図と正面断面図及び電気的等価回路
図である。
造を示す平面図と正面断面図及び電気的等価回路
図である。
四角状樹脂ケース１に半導体（ダイオード）チ
ツプ２と接続子（電極板）３を半田付けし、さら
にリード線（端子）４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを接
続して単相全波整流接続（ブリツジ）型半導体装
置を構成して、封止樹脂（例えばエポキシ樹脂）
５で封止している。
ツプ２と接続子（電極板）３を半田付けし、さら
にリード線（端子）４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを接
続して単相全波整流接続（ブリツジ）型半導体装
置を構成して、封止樹脂（例えばエポキシ樹脂）
５で封止している。
第１図ｃの電気的等価回路図に示す様に、入力
（交流）側端子４ａ，４ｂと出力（直流）側端子
４ｃ，４ｄは互いに向い合つた所に位置してい
る。係る従来装置は入力端子４ａ，４ｂと出力端
子４ｃ，４ｄが同一方向に導出されていないた
め、これを分離（揃える）するには第１図ｃに示
すように入力端子４ａ又は４ｂと出力端子４ｄ又
は４ｃを折曲げる等して互いに交差することが必
要である。このため該装置をプリント基板等に実
装（組込み）する場合に不都合であるばかりか該
交差部の絶縁に注意を払う必要がある等の問題が
ある。
（交流）側端子４ａ，４ｂと出力（直流）側端子
４ｃ，４ｄは互いに向い合つた所に位置してい
る。係る従来装置は入力端子４ａ，４ｂと出力端
子４ｃ，４ｄが同一方向に導出されていないた
め、これを分離（揃える）するには第１図ｃに示
すように入力端子４ａ又は４ｂと出力端子４ｄ又
は４ｃを折曲げる等して互いに交差することが必
要である。このため該装置をプリント基板等に実
装（組込み）する場合に不都合であるばかりか該
交差部の絶縁に注意を払う必要がある等の問題が
ある。
本考案は係る欠点を解消した安価、経済的な交
直分離型半導体装置を提供するもので、以下図面
を用いて本考案を詳細に説明する。第２図ａ，
ｂ，ｃ及びｄは本考案の一実施例構造を示す平面
図、正面断面図、電気的等価回路図及び説明図で
第１図と同一符号は同等部分を示す。第２図にお
いてＴ，Ｔ１は内角が略直角状電極板、Ｓ，Ｓ１
は同略鈍角状電極板で、先ずブリツジ回路素体の
構造について第２図ｄを参照して説明する。先ず
直角状電極板Ｔ又はＴ１及び鈍角状電極板Ｓ又は
Ｓ１を夫々内角部が対向する如く配置する。次に
該電極板Ｔの夫々先端部Ta，Tb及び電極板Ｓの
一方の先端部Saとほゞ中心部Scに夫々ダイオー
ドチツプ２ｄ，２ｂ及び２ｃ，２ａを置く。然る
後前記先端部及び中心部上の夫々ダイオードチツ
プ２ａ〜２ｄを挾持する如く他の略直角状電極板
Ｔ１又はＴ及び鈍角状電極板Ｓ１又はＳを同様に
対向配置する。この結果、夫々ダイオードチツプ
２ａ〜２ｄは電極板上で各辺のほゞ中間部で等間
距離で配置される。即ちダイオードチツプ２ａは
電極板Ｓ及びＳ１の中心部間Sc、２ｂは電極板
Ｓ１及びＴの一方の先端間Sa，Tb、２ｃは電極
板Ｓ及びＴ１の一方の先端間Sa，Tb又は２ｄは
電極板Ｔ及びＴ１の夫々他方の先端間Taで挾持
される。そしてこれらを半田付等の方法により一
体に構成し更に各電極板Ｔ，Ｔ１，Ｓ，Ｓ１の所
要部、即ち電極板Ｔ，Ｔ１の中心部及び電極板
Ｓ，Ｓ１の他方の先端部に夫々リード線４ｂ，４
ｃ，４ａ，４ｄを設けて回路素体を形成する。次
いで回路素体をケース内で樹脂封止５して本考案
装置を完成する。このように本考案によれば図２
ｃの電気的等価回路図に示す様に入力（交流）側
端子４ａ，４ｂと出力（直流）側端子４ｃ，４ｄ
が交差することなく取り出すことができる構成で
あり、実装時に於けるプリント基板のパターン配
置、または配線材等が交差することなく取り出す
ことができ、大変に実装しやすくなる。又、半導
体（ダイオード）チツプは、放熱が十分可能な面
積を有する電極板TS上の等距離に分散した所に
位置し、発生する熱を効果的に放熱できる利点が
ある。
直分離型半導体装置を提供するもので、以下図面
を用いて本考案を詳細に説明する。第２図ａ，
ｂ，ｃ及びｄは本考案の一実施例構造を示す平面
図、正面断面図、電気的等価回路図及び説明図で
第１図と同一符号は同等部分を示す。第２図にお
いてＴ，Ｔ１は内角が略直角状電極板、Ｓ，Ｓ１
は同略鈍角状電極板で、先ずブリツジ回路素体の
構造について第２図ｄを参照して説明する。先ず
直角状電極板Ｔ又はＴ１及び鈍角状電極板Ｓ又は
Ｓ１を夫々内角部が対向する如く配置する。次に
該電極板Ｔの夫々先端部Ta，Tb及び電極板Ｓの
一方の先端部Saとほゞ中心部Scに夫々ダイオー
ドチツプ２ｄ，２ｂ及び２ｃ，２ａを置く。然る
後前記先端部及び中心部上の夫々ダイオードチツ
プ２ａ〜２ｄを挾持する如く他の略直角状電極板
Ｔ１又はＴ及び鈍角状電極板Ｓ１又はＳを同様に
対向配置する。この結果、夫々ダイオードチツプ
２ａ〜２ｄは電極板上で各辺のほゞ中間部で等間
距離で配置される。即ちダイオードチツプ２ａは
電極板Ｓ及びＳ１の中心部間Sc、２ｂは電極板
Ｓ１及びＴの一方の先端間Sa，Tb、２ｃは電極
板Ｓ及びＴ１の一方の先端間Sa，Tb又は２ｄは
電極板Ｔ及びＴ１の夫々他方の先端間Taで挾持
される。そしてこれらを半田付等の方法により一
体に構成し更に各電極板Ｔ，Ｔ１，Ｓ，Ｓ１の所
要部、即ち電極板Ｔ，Ｔ１の中心部及び電極板
Ｓ，Ｓ１の他方の先端部に夫々リード線４ｂ，４
ｃ，４ａ，４ｄを設けて回路素体を形成する。次
いで回路素体をケース内で樹脂封止５して本考案
装置を完成する。このように本考案によれば図２
ｃの電気的等価回路図に示す様に入力（交流）側
端子４ａ，４ｂと出力（直流）側端子４ｃ，４ｄ
が交差することなく取り出すことができる構成で
あり、実装時に於けるプリント基板のパターン配
置、または配線材等が交差することなく取り出す
ことができ、大変に実装しやすくなる。又、半導
体（ダイオード）チツプは、放熱が十分可能な面
積を有する電極板TS上の等距離に分散した所に
位置し、発生する熱を効果的に放熱できる利点が
ある。
以上の説明から明らかなように、本考案によれ
ば交流入力端子及び直流出力端子を分離（揃え
た）した安価、経済的なブリツジ型半導体装置が
提供できるので実用上の効果は大きい。
ば交流入力端子及び直流出力端子を分離（揃え
た）した安価、経済的なブリツジ型半導体装置が
提供できるので実用上の効果は大きい。
第１図ａ，ｂ，ｃは従来装置の平面図、正面断
面図及び電気的等価回路図、第２図ａ，ｂ，ｃ及
びｄは本考案の一実施例を示す平面図、正面断面
図電気的等価回路図及び説明図である。図におい
て１はケース、２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄは半
導体チツプ、３は電極板、４ａ，４ｂ，４ｃ，４
ｄはリード線（端子）、５は封止樹脂、Ｔ，Ｔ１
は略直角状電極板、Ｓ，Ｓ１は略鈍角状電極板で
ある。
面図及び電気的等価回路図、第２図ａ，ｂ，ｃ及
びｄは本考案の一実施例を示す平面図、正面断面
図電気的等価回路図及び説明図である。図におい
て１はケース、２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄは半
導体チツプ、３は電極板、４ａ，４ｂ，４ｃ，４
ｄはリード線（端子）、５は封止樹脂、Ｔ，Ｔ１
は略直角状電極板、Ｓ，Ｓ１は略鈍角状電極板で
ある。
Claims (1)
- 電極端子間に半導体チツプを接着してブリツジ
回路素体を形成し、これを略四角状ケースに収容
して樹脂封止するようにしたブリツジ型半導体装
置において、前記ケース内で内角部が略直角状電
極板と略鈍角状電極板を夫々内角部が対向する如
く配置せしめると共に前記直角状電極板及び鈍角
状電極板の一端間と直角状電極板の他端間及び鈍
角状電極板の中心部間に夫々半導体チツプを狭持
せしめてブリツジ回路素体を形成し、且つ直角状
電極のほゞ中心部及び鈍角状電極板の他端部にリ
ード線を設けて該リード線を交直分離形状とした
ことを特徴とするブリツジ型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981040096U JPH0222998Y2 (ja) | 1981-03-20 | 1981-03-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981040096U JPH0222998Y2 (ja) | 1981-03-20 | 1981-03-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57154164U JPS57154164U (ja) | 1982-09-28 |
| JPH0222998Y2 true JPH0222998Y2 (ja) | 1990-06-21 |
Family
ID=29837209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981040096U Expired JPH0222998Y2 (ja) | 1981-03-20 | 1981-03-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0222998Y2 (ja) |
-
1981
- 1981-03-20 JP JP1981040096U patent/JPH0222998Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57154164U (ja) | 1982-09-28 |
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