JPH0333078Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0333078Y2 JPH0333078Y2 JP1981141282U JP14128281U JPH0333078Y2 JP H0333078 Y2 JPH0333078 Y2 JP H0333078Y2 JP 1981141282 U JP1981141282 U JP 1981141282U JP 14128281 U JP14128281 U JP 14128281U JP H0333078 Y2 JPH0333078 Y2 JP H0333078Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- connection terminal
- heat sink
- capacitor
- semiconductor chip
- rectifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 33
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 31
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
- H01L2224/331—Disposition
- H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/33181—On opposite sides of the body
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は、整流用半導体チツプを雑音防止用
コンデンサと共に保護封止体で絶縁し全体として
一つの素子を構成するようにした整流器に関す
る。
コンデンサと共に保護封止体で絶縁し全体として
一つの素子を構成するようにした整流器に関す
る。
整流用半導体チツプから発生する雑音を低減す
るため一般に用いられている整流回路は第１図の
回路図で示すようになつている。図において、１
は回路上に接続された整流用半導体チツプ、４は
整流用半導体チツプ１と回路上で並列をなして接
続されるコンデンサで、この１と４各１個で対を
なしこの回路では４組がブリツジ接続で配置され
ている。２はこの回路における単相交流入力側端
子、３はこの回路における直流出力側の端子で、
これら１ないし４で整流回路５が構成されてい
る。次にこの整流回路５における動作について説
明する。入力側端子２，２間に単相交流入力Pa
が加えられると、出力側端子３，３間に整流用半
導体チツプ１によつて全波整流された直流出力
Pdが出される。この過程で整流時に生じる整流
サージによつて各整流用半導体チツプ１からの約
500Hz〜2MHzにわたるラジオ無線装置等に有害な
雑音電波を並列接続されたコンデンサ４が除去す
るものである。
るため一般に用いられている整流回路は第１図の
回路図で示すようになつている。図において、１
は回路上に接続された整流用半導体チツプ、４は
整流用半導体チツプ１と回路上で並列をなして接
続されるコンデンサで、この１と４各１個で対を
なしこの回路では４組がブリツジ接続で配置され
ている。２はこの回路における単相交流入力側端
子、３はこの回路における直流出力側の端子で、
これら１ないし４で整流回路５が構成されてい
る。次にこの整流回路５における動作について説
明する。入力側端子２，２間に単相交流入力Pa
が加えられると、出力側端子３，３間に整流用半
導体チツプ１によつて全波整流された直流出力
Pdが出される。この過程で整流時に生じる整流
サージによつて各整流用半導体チツプ１からの約
500Hz〜2MHzにわたるラジオ無線装置等に有害な
雑音電波を並列接続されたコンデンサ４が除去す
るものである。
〔考案が解決しようとする課題〕
この整流回路で対をなして配される整流用半導
体チツプおよびコンデンサは図示してないがそれ
ぞれ入出力端子を有して形成された個別部品で、
これらがそれぞれ回路上で端子同士をハンダ付け
又はボルトなどによつて結合され、この例では４
対がブリツジ状に配されたもので部品点数が多く
これにより接続部も多くなつている。このように
部品および接続部の多いということは部品の装着
および端子の接続など組立に長時間を要する、又
誤結線や接続忘れの要因となり品質低下をまねく
などの問題点があつた。この考案は上記のような
問題点を解決するためになされれたもので、半導
体チツプとコンデンサが接続端子とヒートシンク
間に安定的に位置決めされ容易にろう付接合がで
き、かつ両者が絶縁封止された状態で全体が一体
固着されるとともに、両者でなる並列回路の入出
力端子の単一化がなされ、回路上に装着される際
接続作業を容易にし作業時間の短縮ができるとと
もに、誤結線や接続忘れを防止できる整流器を得
ることを課題とする。
体チツプおよびコンデンサは図示してないがそれ
ぞれ入出力端子を有して形成された個別部品で、
これらがそれぞれ回路上で端子同士をハンダ付け
又はボルトなどによつて結合され、この例では４
対がブリツジ状に配されたもので部品点数が多く
これにより接続部も多くなつている。このように
部品および接続部の多いということは部品の装着
および端子の接続など組立に長時間を要する、又
誤結線や接続忘れの要因となり品質低下をまねく
などの問題点があつた。この考案は上記のような
問題点を解決するためになされれたもので、半導
体チツプとコンデンサが接続端子とヒートシンク
間に安定的に位置決めされ容易にろう付接合がで
き、かつ両者が絶縁封止された状態で全体が一体
固着されるとともに、両者でなる並列回路の入出
力端子の単一化がなされ、回路上に装着される際
接続作業を容易にし作業時間の短縮ができるとと
もに、誤結線や接続忘れを防止できる整流器を得
ることを課題とする。
上記課題を解決するため、この考案は平板状の
接続端子、この接続端子の一端部に対向して配置
されたヒートシンク、上記接続端子の一端部と上
記ヒートシンクとの対向面における少なくともい
ずれか一方の対向面を成形加工してなる突出部、
この突出部に対向して配置され、両側の電極がそ
れぞれ上記接続端子の一端部と上記ヒートシンク
とにろう付け接合された整流用半導体チツプ、上
記突出部に近接した上記接続端子の一端部と上記
ヒートシンクとの間に配置され、これらに両側の
電極がそれぞれろう付接合された雑音防止用コン
デンサ、上記接続端子の一端部と上記ヒートシン
クの一部と上記半導体チツプおよび上記コンデン
サとを包囲して設けられこれらを一体に固着する
といる手段を講じた。
接続端子、この接続端子の一端部に対向して配置
されたヒートシンク、上記接続端子の一端部と上
記ヒートシンクとの対向面における少なくともい
ずれか一方の対向面を成形加工してなる突出部、
この突出部に対向して配置され、両側の電極がそ
れぞれ上記接続端子の一端部と上記ヒートシンク
とにろう付け接合された整流用半導体チツプ、上
記突出部に近接した上記接続端子の一端部と上記
ヒートシンクとの間に配置され、これらに両側の
電極がそれぞれろう付接合された雑音防止用コン
デンサ、上記接続端子の一端部と上記ヒートシン
クの一部と上記半導体チツプおよび上記コンデン
サとを包囲して設けられこれらを一体に固着する
といる手段を講じた。
上記手段を講じたため、接続端子とヒートシン
ク間に配される整流用半導体チツプは、上記両者
間の対向面における少なくともいずれか一方の突
出部によつて近接して並列配置される雑音防止用
コンデンサとの厚み差が調節され接続端子とヒー
トシンク間にそれぞれが安定的に位置決めされ、
ろう付接合を容易にする、又接続端子の一端部、
半導体チツプ、ヒートシンクの一部およびコンデ
ンサを包囲して形成された保護封止体が、これら
を一体に固着するとともに半導体チツプおよびコ
ンデンサを絶縁封止する。さらに接続端子の他端
とヒートシンクの露出部が半導体チツプとコンデ
ンサとでなる並列回路の入出力端子となり端子が
一体化する。これによりこの整流器は回路上に装
着される際接続作業を容易にする。
ク間に配される整流用半導体チツプは、上記両者
間の対向面における少なくともいずれか一方の突
出部によつて近接して並列配置される雑音防止用
コンデンサとの厚み差が調節され接続端子とヒー
トシンク間にそれぞれが安定的に位置決めされ、
ろう付接合を容易にする、又接続端子の一端部、
半導体チツプ、ヒートシンクの一部およびコンデ
ンサを包囲して形成された保護封止体が、これら
を一体に固着するとともに半導体チツプおよびコ
ンデンサを絶縁封止する。さらに接続端子の他端
とヒートシンクの露出部が半導体チツプとコンデ
ンサとでなる並列回路の入出力端子となり端子が
一体化する。これによりこの整流器は回路上に装
着される際接続作業を容易にする。
以下この考案の一実施例を図を参酌しつゝ説明
する。第２図及び第３図はこの考案の整流器を示
す正面図及び側面図、第４図は第２図の−線
における断面図、第５図は第３図の−線にお
ける断面図である。
する。第２図及び第３図はこの考案の整流器を示
す正面図及び側面図、第４図は第２図の−線
における断面図、第５図は第３図の−線にお
ける断面図である。
図において、１１は平板状に形成された外部接
続用の接続端子で、一端部にコ字状の切込みを設
け、この中央部分を曲げ起してなる突出片部１１
ａが形成されている。１２は接続端子１１の突出
片部１１ａ上に対向して配置された半導体チツプ
で、これらの対向面に挿入されたはんだ１５によ
つてろう付け接合されている。また、１３は接続
端子１１の一端部全面に亘つて対向配置されたヒ
ートシンクで、半導体チツプ１２との対向面に挿
入されたはんだ１５によつてろう付け接合されて
いる。１４は接続端子１１の一端部における残さ
れた先端片部１１ｂとヒートシンク１３との間に
配設された長方体形のコンデンサで、両側電極が
はんだ１５によつてそれぞれ先端片部１１ｂおよ
びヒートシンク１３にろう付け接合されている。
これらのろう付け接合は、接続端子１１の一端
部、半導体チツプ１２、コンデンサ１４およびヒ
ートシンク１３のそれぞれの対向面にはんだ１５
を挿入しておき、全体が加熱することによつて一
度に行なわせることができる。
続用の接続端子で、一端部にコ字状の切込みを設
け、この中央部分を曲げ起してなる突出片部１１
ａが形成されている。１２は接続端子１１の突出
片部１１ａ上に対向して配置された半導体チツプ
で、これらの対向面に挿入されたはんだ１５によ
つてろう付け接合されている。また、１３は接続
端子１１の一端部全面に亘つて対向配置されたヒ
ートシンクで、半導体チツプ１２との対向面に挿
入されたはんだ１５によつてろう付け接合されて
いる。１４は接続端子１１の一端部における残さ
れた先端片部１１ｂとヒートシンク１３との間に
配設された長方体形のコンデンサで、両側電極が
はんだ１５によつてそれぞれ先端片部１１ｂおよ
びヒートシンク１３にろう付け接合されている。
これらのろう付け接合は、接続端子１１の一端
部、半導体チツプ１２、コンデンサ１４およびヒ
ートシンク１３のそれぞれの対向面にはんだ１５
を挿入しておき、全体が加熱することによつて一
度に行なわせることができる。
この結果、接続端子１１とヒートシンク１３と
の間に、半導体チツプ１２とコンデンサ１４が並
列接続されたことになる。１６は接続端子１１の
一端部、半導体チツプ１２、ヒートシンク１３の
一部およびコンデンサ１４の外周を包囲して形成
され、これらを一体に固着するとともに半導体チ
ツプ１２およびコンデンサ１４を絶縁封止する保
護封止体で、例えば合成樹脂を成型することによ
つて形成されている。なお、このような整流器１
０は接続端子１１およびヒートシンク１３を入出
力端子としてリード線等を介して接続され、整流
回路を構成することになる。
の間に、半導体チツプ１２とコンデンサ１４が並
列接続されたことになる。１６は接続端子１１の
一端部、半導体チツプ１２、ヒートシンク１３の
一部およびコンデンサ１４の外周を包囲して形成
され、これらを一体に固着するとともに半導体チ
ツプ１２およびコンデンサ１４を絶縁封止する保
護封止体で、例えば合成樹脂を成型することによ
つて形成されている。なお、このような整流器１
０は接続端子１１およびヒートシンク１３を入出
力端子としてリード線等を介して接続され、整流
回路を構成することになる。
第６図ないし第９図はこの考案の他の実施例に
よる整流器を示し、第６図は正面図で、第８図は
その−線における断面図であり、第７図は側
面図で、第９図はその−線における断面図で
ある。図において、２０は整流器全体を示し、こ
の整流器２０は次のように構成されている。２１
は平板状の外部接続用の接続端子で、この一端部
２１ａの中央にシリコンチツプなどからなる整流
用の半導体チツプ２２がはんだ１５によりろう付
接合されている。また、接続端子２１の一端部２
１ａにおける外周側には円筒状のコンデンサ２４
が半導体チツプ２２を包囲して配置され、はんだ
１５により接続端子２１にろう付接合されてい
る。２３は接続端子２１に対向する対向面の中央
部分に突出部が形成されてなるヒートシンクで、
この突出部は半導体チツプ２２と、突出部外周は
コンデンサ２４とそれぞれ対向して配置され、こ
れらの対向面においてそれぞれはんだ１５により
ろう付け接合されている。これらのろう付接合は
上述と同様に一度に行なうことができる。このよ
うにして半導体チツプ２２とコンデンサ２４とが
並列接続された整流器を構成することになる。
よる整流器を示し、第６図は正面図で、第８図は
その−線における断面図であり、第７図は側
面図で、第９図はその−線における断面図で
ある。図において、２０は整流器全体を示し、こ
の整流器２０は次のように構成されている。２１
は平板状の外部接続用の接続端子で、この一端部
２１ａの中央にシリコンチツプなどからなる整流
用の半導体チツプ２２がはんだ１５によりろう付
接合されている。また、接続端子２１の一端部２
１ａにおける外周側には円筒状のコンデンサ２４
が半導体チツプ２２を包囲して配置され、はんだ
１５により接続端子２１にろう付接合されてい
る。２３は接続端子２１に対向する対向面の中央
部分に突出部が形成されてなるヒートシンクで、
この突出部は半導体チツプ２２と、突出部外周は
コンデンサ２４とそれぞれ対向して配置され、こ
れらの対向面においてそれぞれはんだ１５により
ろう付け接合されている。これらのろう付接合は
上述と同様に一度に行なうことができる。このよ
うにして半導体チツプ２２とコンデンサ２４とが
並列接続された整流器を構成することになる。
なお、２６は全体を固着するとともに半導体チ
ツプ２２およびコンデンサ２４を絶縁封止する保
護封止体である。
ツプ２２およびコンデンサ２４を絶縁封止する保
護封止体である。
以上のようにこの考案は、平板状の接続端子、
この接続端子の一端部に対向して配置されたヒー
トシンク、上記接続端子の一端部と上記ヒートシ
ンクとの対向面における少なくともいずれか一方
の対向面を成形加工してなる突出部、この突出部
に対向して配置され、両側の電極がそれぞれ上記
接続端子の一端部と上記ヒートシンクとにろう付
け接合された整流用半導体チツプ、上記突出部に
近接した上記接続端子の一端部と上記ヒートシン
クとの間に配置され、これらに両側の電極がそれ
ぞれろう付接合された雑音防止用コンデンサ、上
記接続端子の一端部と上記ヒートシンクの一部と
上記半導体チツプおよび上記コンデンサとを包囲
して設けられこれらを一体に固着するとともに上
記半導体チツプおよび上記コンデンサとを絶縁封
止する保護封止体とで構成したので、半導体チツ
プとコンデンサが接続端子とヒートシンク間に安
定的に位置決めされ容易にろう付接合ができ、か
つ両者が絶縁封止された状態で全体が一体固着さ
れるとともに、両者でなる平列回路の入出力端子
の単一化がなされ、回路上に装着される際接続作
業を容易にし作業時間の短縮ができるとともに、
誤結線や接続忘れを防止できる整流器を提供する
ことができる。
この接続端子の一端部に対向して配置されたヒー
トシンク、上記接続端子の一端部と上記ヒートシ
ンクとの対向面における少なくともいずれか一方
の対向面を成形加工してなる突出部、この突出部
に対向して配置され、両側の電極がそれぞれ上記
接続端子の一端部と上記ヒートシンクとにろう付
け接合された整流用半導体チツプ、上記突出部に
近接した上記接続端子の一端部と上記ヒートシン
クとの間に配置され、これらに両側の電極がそれ
ぞれろう付接合された雑音防止用コンデンサ、上
記接続端子の一端部と上記ヒートシンクの一部と
上記半導体チツプおよび上記コンデンサとを包囲
して設けられこれらを一体に固着するとともに上
記半導体チツプおよび上記コンデンサとを絶縁封
止する保護封止体とで構成したので、半導体チツ
プとコンデンサが接続端子とヒートシンク間に安
定的に位置決めされ容易にろう付接合ができ、か
つ両者が絶縁封止された状態で全体が一体固着さ
れるとともに、両者でなる平列回路の入出力端子
の単一化がなされ、回路上に装着される際接続作
業を容易にし作業時間の短縮ができるとともに、
誤結線や接続忘れを防止できる整流器を提供する
ことができる。
第１図は一般に用いられている整流回路を示す
回路図、第２図及び第３図はこの考案の一実施例
に係る整流器を示す正面図および側面図、第４図
は第２図の−線における拡大断面図、第５図
は第３図の−線における拡大断面図、第６図
及び第７図はこの考案の他の実施例に係る整流器
の正面図及び側面図、第８図は第６図の−線
における拡大断面図、第９図は第７図の−線
における拡大断面図である。 図において、１０は整流器、１１は接続端子、
１１ａ突出片部、１１ｂは先端片部、１２は半導
体チツプ、１３はヒートシンク、１４はコンデン
サ、１５ははんだ、１６は保護封止体である。な
お、図中同一符号は同一又は相当部分を示すもの
とする。
回路図、第２図及び第３図はこの考案の一実施例
に係る整流器を示す正面図および側面図、第４図
は第２図の−線における拡大断面図、第５図
は第３図の−線における拡大断面図、第６図
及び第７図はこの考案の他の実施例に係る整流器
の正面図及び側面図、第８図は第６図の−線
における拡大断面図、第９図は第７図の−線
における拡大断面図である。 図において、１０は整流器、１１は接続端子、
１１ａ突出片部、１１ｂは先端片部、１２は半導
体チツプ、１３はヒートシンク、１４はコンデン
サ、１５ははんだ、１６は保護封止体である。な
お、図中同一符号は同一又は相当部分を示すもの
とする。
Claims (1)
- 平板状の接続端子、この接続端子の一端部に対
向して配置されたヒートシンク、上記接続端子の
一端部と上記ヒートシンクとの対向面における少
なくともいずれか一方の対向面を成形加工してな
る突出部、この突出部に対向して配置され、両側
の電極がそれぞれ上記接続端子の一端部と上記ヒ
ートシンクとにろう付け接合された整流用半導体
チツプ、上記突出部に近接した上記接続端子の一
端部と上記ヒートシンクとの間に配置され、これ
らに両側の電極がそれぞれろう付接合された雑音
防止用コンデンサ、上記接続端子の一端部と上記
ヒートシンクの一部と上記半導体チツプおよび上
記コンデンサとを包囲して設けられこれらを一体
に固着するとともに上記半導体チツプおよび上記
コンデンサとを絶縁封止する保護封止体を備えた
ことを特徴とする整流器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981141282U JPS5844855U (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 整流素子 |
| US06/418,176 US4489374A (en) | 1981-09-21 | 1982-09-14 | Rectifying apparatus for automotive A.C. generator |
| DE8282108711T DE3271391D1 (en) | 1981-09-21 | 1982-09-21 | Rectifying apparatus for automotive a.c. generator |
| EP82108711A EP0075320B1 (en) | 1981-09-21 | 1982-09-21 | Rectifying apparatus for automotive a.c. generator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981141282U JPS5844855U (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 整流素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5844855U JPS5844855U (ja) | 1983-03-25 |
| JPH0333078Y2 true JPH0333078Y2 (ja) | 1991-07-12 |
Family
ID=29934392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981141282U Granted JPS5844855U (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 整流素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5844855U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015231306A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | トヨタ自動車株式会社 | 非接触受電装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4812089U (ja) * | 1971-06-23 | 1973-02-10 | ||
| JPS5550651A (en) * | 1978-09-11 | 1980-04-12 | Varo Semiconductor | Diode*condenser assembly and same configuration and fabrication |
-
1981
- 1981-09-21 JP JP1981141282U patent/JPS5844855U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4812089U (ja) * | 1971-06-23 | 1973-02-10 | ||
| JPS5550651A (en) * | 1978-09-11 | 1980-04-12 | Varo Semiconductor | Diode*condenser assembly and same configuration and fabrication |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5844855U (ja) | 1983-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100307465B1 (ko) | 파워모듈 | |
| JPS62202548A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0333078Y2 (ja) | ||
| US5200640A (en) | Hermetic package having covers and a base providing for direct electrical connection | |
| JPH01115127A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0487354A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2869771B2 (ja) | 電力用半導体モジュール | |
| JPS62104058A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0222998Y2 (ja) | ||
| JPH0617317Y2 (ja) | 混成集積回路の接続構造 | |
| JPS62108534A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5840848A (ja) | 絶縁型半導体装置 | |
| JPH0414914Y2 (ja) | ||
| JPS63252457A (ja) | 半導体整流素子 | |
| JPH02203555A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2753363B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61198656A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05251632A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH046209Y2 (ja) | ||
| JPH02146752A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6033749Y2 (ja) | ブリツジ型整流装置 | |
| JPS634658A (ja) | 電子装置 | |
| JPH0864745A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH077817B2 (ja) | 複合リードフレームの製造方法 | |
| JPH06104139A (ja) | セラミックチップ部品 |