JPH0222166A - 静電チャック用誘電体セラミックス及びその製造方法 - Google Patents
静電チャック用誘電体セラミックス及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0222166A JPH0222166A JP1105678A JP10567889A JPH0222166A JP H0222166 A JPH0222166 A JP H0222166A JP 1105678 A JP1105678 A JP 1105678A JP 10567889 A JP10567889 A JP 10567889A JP H0222166 A JPH0222166 A JP H0222166A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrostatic chuck
- raw material
- furnace
- firing
- terms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 150000003624 transition metals Chemical group 0.000 claims abstract description 13
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 4
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 12
- -1 transition metal salts Chemical class 0.000 description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000505 Al2TiO5 Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 229910017676 MgTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- AABBHSMFGKYLKE-SNAWJCMRSA-N propan-2-yl (e)-but-2-enoate Chemical compound C\C=C\C(=O)OC(C)C AABBHSMFGKYLKE-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
- C04B35/111—Fine ceramics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T279/00—Chucks or sockets
- Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、エツチング装置、ＣＶＤ装置、電子ビーム露
光装置、光露光装置等において半導体クエへの固定、平
面度矯正、搬送等に用いられる静電チャックに適する静
電チャック用誘電体セラミックスに関する。
光装置、光露光装置等において半導体クエへの固定、平
面度矯正、搬送等に用いられる静電チャックに適する静
電チャック用誘電体セラミックスに関する。
（従来の技術）
特開昭６２−９４９５３号公報には、所定の遷移金属酸
化物を含むアルミナを還元雰囲気中で焼成することによ
って製造される静電チャックが開示されている。
化物を含むアルミナを還元雰囲気中で焼成することによ
って製造される静電チャックが開示されている。
（発明が解決しようとする課Ｂ）
しかし、上記静電チャックの誘電率εは９〜１０程度で
あり、所定の吸着力を発現させるに際し、高電圧（４０
０Ｖ程度）を印加する必要がある。
あり、所定の吸着力を発現させるに際し、高電圧（４０
０Ｖ程度）を印加する必要がある。
そのため、より誘電率が高く、より低電圧で所定の吸着
力を発現する静電チャック用誘電体セラミックスが要望
されている。
力を発現する静電チャック用誘電体セラミックスが要望
されている。
単に、誘電率を高くするだけであれば、静電チャックに
ＢａＴｉＯ３などの誘電体材料を用いれば良いが、この
種の材料はアルミナに比べておしなべて機械的強度が小
さい欠点がある。
ＢａＴｉＯ３などの誘電体材料を用いれば良いが、この
種の材料はアルミナに比べておしなべて機械的強度が小
さい欠点がある。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決すべく本発明は、アルミナを主成分とす
るセラミックス原料を還元雰囲気で焼成することで得ら
れる静電チャック用誘電体セラミックスにおいて、前記
セラミックス原料中にアルカリ土類金属及びチタン等の
遷移金属をそれぞれ酸化物に換算して１．０〜６．０重
量％及び０．５〜６．０重量％添加した静電チャック用
誘電体を提供する。
るセラミックス原料を還元雰囲気で焼成することで得ら
れる静電チャック用誘電体セラミックスにおいて、前記
セラミックス原料中にアルカリ土類金属及びチタン等の
遷移金属をそれぞれ酸化物に換算して１．０〜６．０重
量％及び０．５〜６．０重量％添加した静電チャック用
誘電体を提供する。
また本発明はアルミナを主成分とし、アルカリ土類金属
を酸化物に換算して１．０〜６．０重量％、遷移金属を
酸化物に換算して０．５〜６．０重量％含むセラミック
ス原料を雰囲気ガスの露点を制御しつつ還元雰囲気で焼
成するようにしたことを特徴とする静電チャック用誘電
体セラミックスの製造方法をも提供する。
を酸化物に換算して１．０〜６．０重量％、遷移金属を
酸化物に換算して０．５〜６．０重量％含むセラミック
ス原料を雰囲気ガスの露点を制御しつつ還元雰囲気で焼
成するようにしたことを特徴とする静電チャック用誘電
体セラミックスの製造方法をも提供する。
ここでセラミックス原料は、必要に応じて、シリカ等の
焼結助剤を含んでもよい。
焼結助剤を含んでもよい。
また、アルカリ土類金属は、カルシア、マグネシア等の
酸化物や炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム等の炭酸塩
等の形で使用すればよい。
酸化物や炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム等の炭酸塩
等の形で使用すればよい。
チタン等の遷移金属についても、同様に酸化物や炭酸塩
の他、チタン酸アルミニウム等の複酸化物の形で使用し
てもよい。
の他、チタン酸アルミニウム等の複酸化物の形で使用し
てもよい。
（作 用）
上記静電チャック用誘電体セラミックスは、主として、
アルミナ粒子とこの粒子間に存在する少量の遷移金属酸
塩（遷移金属酸化物とアルカリ土類金属酸化物との複酸
化物）とから構成され、誘電率が高く、また機械的強度
も十分なものとなる。
アルミナ粒子とこの粒子間に存在する少量の遷移金属酸
塩（遷移金属酸化物とアルカリ土類金属酸化物との複酸
化物）とから構成され、誘電率が高く、また機械的強度
も十分なものとなる。
誘電率が高くなる理由については、アルミナ粒子間にチ
タン酸塩等の遷移金属酸塩が存在すると共に、還元焼成
によっているために、この遷移金属酸塩の一部が非化学
量論的化合物となる。その結果、組織内に抵抗値の不均
一が生じて、微小なコンデンサが多数存在するようにな
るためと考えられる。
タン酸塩等の遷移金属酸塩が存在すると共に、還元焼成
によっているために、この遷移金属酸塩の一部が非化学
量論的化合物となる。その結果、組織内に抵抗値の不均
一が生じて、微小なコンデンサが多数存在するようにな
るためと考えられる。
また、本発明の静電チャック用誘電体セラミックスにお
いては、他の成分が主成分であるアルミナの機械的性質
を阻害しないために十分な機械的強度を得ることができ
る。
いては、他の成分が主成分であるアルミナの機械的性質
を阻害しないために十分な機械的強度を得ることができ
る。
（実施例）
本発明の誘電体セラミックス成形に際して、アルミナ粒
子間に遷移金属酸塩を介在させる為に添加する添加物は
アルカリ土類金属と、遷移金属である。
子間に遷移金属酸塩を介在させる為に添加する添加物は
アルカリ土類金属と、遷移金属である。
アルカリ土類金属源としてはＣａ、 Ｍｇ、 Ｓｒ、
Ｂａ等の酸化物や炭酸塩から任意に選定し、少なくとも
これらのうちのいずれかを酸化物に換算して１．０〜６
．０重量％添加し、遷移金属としてはＴｉの他にＦｅ、
Ｐｂも考えられ、これらを酸化物に換算して０．５〜０
．６重量％程度添加する。
Ｂａ等の酸化物や炭酸塩から任意に選定し、少なくとも
これらのうちのいずれかを酸化物に換算して１．０〜６
．０重量％添加し、遷移金属としてはＴｉの他にＦｅ、
Ｐｂも考えられ、これらを酸化物に換算して０．５〜０
．６重量％程度添加する。
なお、アルミナ原料中のアルカリ土類金属原料が酸化物
に換算して１．０重量％よりも少ないと添加した効果が
現れず、一方、 ６．０重量％よりも多いと低温で液相
が生じ十分な焼成が行えない。また、アルミナ原料中の
遷移金属が酸化物に換算して０．５重量％よりも少ない
と添加した効果が現れず、一方、６．０重量％よりも多
いと低温で液相が生じ十分な焼成が行えない。
に換算して１．０重量％よりも少ないと添加した効果が
現れず、一方、 ６．０重量％よりも多いと低温で液相
が生じ十分な焼成が行えない。また、アルミナ原料中の
遷移金属が酸化物に換算して０．５重量％よりも少ない
と添加した効果が現れず、一方、６．０重量％よりも多
いと低温で液相が生じ十分な焼成が行えない。
ここでアルカリ土類金属及び遷移金属はグリーンシート
成形時にアルミナや５ｉ０２等の焼結助剤等と共に混入
され、還元焼成下で反応して遷移金属酸塩を生成する。
成形時にアルミナや５ｉ０２等の焼結助剤等と共に混入
され、還元焼成下で反応して遷移金属酸塩を生成する。
ここで遷移金属酸塩としてのチタン酸塩にはＣａＴｉＯ
３，ＭｇＴｉＯ３，ＳｒＴｉＯ３，ＢａＴｉＯ３等があ
る。またこれら遷移金属酸塩は、酸素を不定比に失フて
アルミナ粒子間のガラス相内に混入して誘電率を高め絶
縁抵抗を低下させる働きをもっている。
３，ＭｇＴｉＯ３，ＳｒＴｉＯ３，ＢａＴｉＯ３等があ
る。またこれら遷移金属酸塩は、酸素を不定比に失フて
アルミナ粒子間のガラス相内に混入して誘電率を高め絶
縁抵抗を低下させる働きをもっている。
またアルカリ土類金属及び遷移金属の酸化物に換算した
添加量を上記の割合としたのは、各々の添加量が上記の
割合よりも少ないと添加した効果が現れず、また各々の
添加量が上記の割合より多いと生成される遷移金属酸塩
も比例して量産されるが、アルミナセラミックス素材と
しての機械的強度が低下することによる。
添加量を上記の割合としたのは、各々の添加量が上記の
割合よりも少ないと添加した効果が現れず、また各々の
添加量が上記の割合より多いと生成される遷移金属酸塩
も比例して量産されるが、アルミナセラミックス素材と
しての機械的強度が低下することによる。
還元雰囲気での焼成、即ち、緻密化された焼結体を得る
ための本焼け、１５００℃〜１６５０℃（通常１６００
℃）で１時間乃至７時間（通常２時間）行なわれる。本
発明では、この段階における雰囲気ガスの露点の制御が
得られたセラミｔ・クスの体積固有抵抗と大きな関係を
もつものである。
ための本焼け、１５００℃〜１６５０℃（通常１６００
℃）で１時間乃至７時間（通常２時間）行なわれる。本
発明では、この段階における雰囲気ガスの露点の制御が
得られたセラミｔ・クスの体積固有抵抗と大きな関係を
もつものである。
次に、本発明の実験例について説明する。
所定量のアルミナ及び５ｔ（ｈ Ｃａｂ、 ＭｇＯ，Ｓ
ｒＯ。
ｒＯ。
Ｂａｄ、 ＴｉＯ２を表■のサンプル■〜■の重量％の
ように秤量し、ボールミルで混合粉砕したものをバイン
ダー及びトルエン、酢酸ブチル等を加えた後、脱泡、熟
成を経て、グリーンシート成形し、このグリーンシート
を、同様にグリーンシート化され上面にタングステン、
モリブデン等の電極層を印刷した支持基板上に積層し、
雰囲気ガスの露点を３０℃として還元雰囲気下で１６０
０℃で焼成した。
ように秤量し、ボールミルで混合粉砕したものをバイン
ダー及びトルエン、酢酸ブチル等を加えた後、脱泡、熟
成を経て、グリーンシート成形し、このグリーンシート
を、同様にグリーンシート化され上面にタングステン、
モリブデン等の電極層を印刷した支持基板上に積層し、
雰囲気ガスの露点を３０℃として還元雰囲気下で１６０
０℃で焼成した。
本発明に係る静電チャック用誘電体セラミックスの製造
方法を実施する焼成装置は第１図のように炉１と、この
炉１内への雰囲気ガスを導入する導入装置２とからなり
、導入装置２はチッ素ガスボンベ３及び水素ガスボンベ
４内のチッ素ガス及び水素ガスを、バルブ５．６、流量
計７．８を通して合流させ、パイプ９ａを介して直接炉
１内に導入し、又はバイブ９ｂを介して水を満たした水
槽１０内を通し、バブリングした後のチッ素ガスＮ２、
水素ガスＨ２及び水蒸気Ｈ２０を雰囲気ガスとして炉１
内に導入し、炉１内の台１１上にセットした未焼成セラ
ミックス１２を焼成して目的とする静電チャックｍ８電
体セラミックスとする。ここで水槽１０はヒータ等によ
って水温を所望の温度に調整できる。斯かる構成により
、水素ガス及びチッ素ガスを水槽１０内を通して炉１内
に導入した場合には、水槽ｌｏ内の水温を調節すること
により、炉１内に導入される雰囲気ガスの露点を所定温
度に維持できる構造となっている。
方法を実施する焼成装置は第１図のように炉１と、この
炉１内への雰囲気ガスを導入する導入装置２とからなり
、導入装置２はチッ素ガスボンベ３及び水素ガスボンベ
４内のチッ素ガス及び水素ガスを、バルブ５．６、流量
計７．８を通して合流させ、パイプ９ａを介して直接炉
１内に導入し、又はバイブ９ｂを介して水を満たした水
槽１０内を通し、バブリングした後のチッ素ガスＮ２、
水素ガスＨ２及び水蒸気Ｈ２０を雰囲気ガスとして炉１
内に導入し、炉１内の台１１上にセットした未焼成セラ
ミックス１２を焼成して目的とする静電チャックｍ８電
体セラミックスとする。ここで水槽１０はヒータ等によ
って水温を所望の温度に調整できる。斯かる構成により
、水素ガス及びチッ素ガスを水槽１０内を通して炉１内
に導入した場合には、水槽ｌｏ内の水温を調節すること
により、炉１内に導入される雰囲気ガスの露点を所定温
度に維持できる構造となっている。
これにより、雰囲気ガス中に含まれる水蒸気の有無及び
雰囲気ガス中の酸素分圧をコントロールしている。
雰囲気ガス中の酸素分圧をコントロールしている。
表■は、表■のサンプル■〜■及び従来例の各配合個別
に特性である話電率、絶縁抵抗、遷移金属酸塩の有無、
吸着強度、機械的強度を比較したものである。
に特性である話電率、絶縁抵抗、遷移金属酸塩の有無、
吸着強度、機械的強度を比較したものである。
この表■によるとＴｉＯ２が増量されると遷移金属酸塩
がセラミックス内に析出するとともに、誘電率が１．５
倍から１５．５倍まで高くなり、吸着強度も４０倍〜６
２．５倍まで増強され、また、絶縁抵抗もＴｉＯ２の増
量に反比例して１０１２Ω・ｃｍ〜１０８Ω・ｃｍの範
囲まで低下し、このことにより、絶縁膜内により多くの
体積電荷、又、絶縁膜表面に表面電荷が生成し吸湯力の
増大を招来することも理解される。機械的強度について
は若干小さくなるものの支障を与える程度ではなかった
。
がセラミックス内に析出するとともに、誘電率が１．５
倍から１５．５倍まで高くなり、吸着強度も４０倍〜６
２．５倍まで増強され、また、絶縁抵抗もＴｉＯ２の増
量に反比例して１０１２Ω・ｃｍ〜１０８Ω・ｃｍの範
囲まで低下し、このことにより、絶縁膜内により多くの
体積電荷、又、絶縁膜表面に表面電荷が生成し吸湯力の
増大を招来することも理解される。機械的強度について
は若干小さくなるものの支障を与える程度ではなかった
。
次に、残留静電力を小さく押えて応答性をアップさせる
際等に有用な絶縁抵抗ρの制御方法について説明する。
際等に有用な絶縁抵抗ρの制御方法について説明する。
絶縁膜内の残留電荷を除去する為には絶縁抵抗を低くす
れば効果があるが、あまり低くすると消費電力が大きく
なり望ましくなく、１０８Ω・ｃｍ〜１０１３Ω・ｃｍ
程度例えば、静電チャックの使用温度が一５０〜２００
℃である時には、常温で１ｏｌＯΩ・ｃｍ〜１０１３Ω
・ｃｍ程度、にするのが経済面を加味した上で適切な値
であ粂。この絶縁抵抗値を得る為には還元焼成時に水蒸
気の有無及び雰囲気ガスの露点を４５℃以下にコントロ
ールすればよい。
れば効果があるが、あまり低くすると消費電力が大きく
なり望ましくなく、１０８Ω・ｃｍ〜１０１３Ω・ｃｍ
程度例えば、静電チャックの使用温度が一５０〜２００
℃である時には、常温で１ｏｌＯΩ・ｃｍ〜１０１３Ω
・ｃｍ程度、にするのが経済面を加味した上で適切な値
であ粂。この絶縁抵抗値を得る為には還元焼成時に水蒸
気の有無及び雰囲気ガスの露点を４５℃以下にコントロ
ールすればよい。
表■はＡｌ１２０３−５ｉＯ２−（ＣａＯ，ＪＯ，Ｓｒ
Ｏ，Ｂａ０）−Ｔｉ０２系のセラミックス組成物の配合
例、焼成条件、得られた絶縁抵抗ρを、サンプル■〜■
別に示している。
Ｏ，Ｂａ０）−Ｔｉ０２系のセラミックス組成物の配合
例、焼成条件、得られた絶縁抵抗ρを、サンプル■〜■
別に示している。
第２図に示す通り、サンプル０．［相］、■、■と還元
焼成時の７囲気ガスの露点が下がると共に残留静電力の
除去時間が短くなっている。特にサンプル■は残留静電
力（４［１０ｇ／ｃＩｌ１２）の除去に要する経過時間
が１３秒と極めて小さい特徴を示した。
焼成時の７囲気ガスの露点が下がると共に残留静電力の
除去時間が短くなっている。特にサンプル■は残留静電
力（４［１０ｇ／ｃＩｌ１２）の除去に要する経過時間
が１３秒と極めて小さい特徴を示した。
また、残留静電力の低減は絶縁抵抗ρの低下によって促
進され、残留する体積電荷１表面電荷の流失速度が絶縁
抵抗ρの低下に反比例して早まる為と考察される。
進され、残留する体積電荷１表面電荷の流失速度が絶縁
抵抗ρの低下に反比例して早まる為と考察される。
グリーンシート積層法を用いて作成された成形体は多量
のバインダーを含むため、雰囲気ガスの露点が低すぎる
と十分な酸素分圧が得られずバインダーの脱脂が行われ
ず、焼成体が緻密化されない。従フて、本発明において
は、−旦４５℃の露点で仮焼し、充分脱脂を行い、その
後、絶対抵抗値をコントロールするために露点を調節し
つつ高温で焼結（本焼、即ち還元焼成）を行う方法を採
る。
のバインダーを含むため、雰囲気ガスの露点が低すぎる
と十分な酸素分圧が得られずバインダーの脱脂が行われ
ず、焼成体が緻密化されない。従フて、本発明において
は、−旦４５℃の露点で仮焼し、充分脱脂を行い、その
後、絶対抵抗値をコントロールするために露点を調節し
つつ高温で焼結（本焼、即ち還元焼成）を行う方法を採
る。
尚、仮焼は５００℃〜１２００℃（通常１２００℃）で
約１時間乃至約２時間行なわれる。
約１時間乃至約２時間行なわれる。
表■は、還元雰囲気下での焼成時に雰囲気ガスの露点を
制御する方法によって更に絶縁抵抗ρを下げた実施例の
配合例、焼成条件を示している。
制御する方法によって更に絶縁抵抗ρを下げた実施例の
配合例、焼成条件を示している。
この制御方法の場合には残留静電力が小さな誘電体セラ
ミックスを製造できる利点があり、逆電圧や交流を印加
して残留静電力を取り除いたり、スリット加工を施して
容量成分を減小させて残留静電力を小さくする等の操作
や特殊加工を施すことがない。
ミックスを製造できる利点があり、逆電圧や交流を印加
して残留静電力を取り除いたり、スリット加工を施して
容量成分を減小させて残留静電力を小さくする等の操作
や特殊加工を施すことがない。
（発明の効果）
本発明は以上のように構成したので、下記の利轡、があ
る。
る。
誘電率が先行技術に比べて１．５倍から１５倍程度まで
高められている為、低電圧の印加で吸着物を安定良く吸
着保持し得、経済的であるばかりか、半導体デバイスを
吸着させた場合、これに絶縁破壊をもたらす虞れがなく
、痛論静電チャックの絶縁膜も破壊しにくく安全であり
、機械的強度もアルミナと近似する値を示し、統合的に
信頼性の向上が期待できる。
高められている為、低電圧の印加で吸着物を安定良く吸
着保持し得、経済的であるばかりか、半導体デバイスを
吸着させた場合、これに絶縁破壊をもたらす虞れがなく
、痛論静電チャックの絶縁膜も破壊しにくく安全であり
、機械的強度もアルミナと近似する値を示し、統合的に
信頼性の向上が期待できる。
また大気中及び真空中でウニ八等の非磁性体の搬送に十
分な静電力を発現できるまで絶縁抵抗を低下させること
ができ且つ残留静電力を小さく抑えることも可能であり
、応答性の改善にも寄与できる。
分な静電力を発現できるまで絶縁抵抗を低下させること
ができ且つ残留静電力を小さく抑えることも可能であり
、応答性の改善にも寄与できる。
第１図は本発明に係る静電チャック用誘電体セラミック
スの製造方法を実施する焼成装置の概略図、第２図は表
■の各サンプル■、■、＠、０の残留静電力の大小及び
消滅までの経過時間を表したグラフである。 尚、図面中１は炉、２は雰囲気ガス導入装置である。
スの製造方法を実施する焼成装置の概略図、第２図は表
■の各サンプル■、■、＠、０の残留静電力の大小及び
消滅までの経過時間を表したグラフである。 尚、図面中１は炉、２は雰囲気ガス導入装置である。
Claims (7)
- （１）アルミナを主成分とするセラミックス原料を還元
雰囲気で焼成して成る静電チャック用誘電体セラミック
スにおいて、前記セラミックス原料はアルカリ土類金属
を酸化物に換算して１．０〜６．０重量％、遷移金属を
酸化物に換算して０．５〜６．０重量％含むことを特徴
とする静電チャック用誘電体セラミックス。 - （２）前記遷移金属はチタンであることを特徴とする請
求項（１）に記載の静電チャック用誘電体セラミックス
。 - （３）前記アルカリ土類金属はＣａ，Ｍｇ，Ｓｒ，Ｂａ
のうち少なくとも一種であることを特徴とする請求項（
１）に記載の静電チャック用誘電体セラミックス。 - （４）アルミナを主成分とし、アルカリ土類金属を酸化
物に換算して１．０〜６．０重量、遷移金属を酸化物に
換算して０．５〜６．０重量、含むセラミックス原料を
雰囲気ガスの露点を制御しつつ還元雰囲気で焼成するよ
うにしたことを特徴とする静電チャック用誘電体セラミ
ックスの製造方法。 - （５）前記遷移金属はチタンであることを特徴とする請
求項（４）に記載の静電チャック用誘電体セラミックス
。 - （６）前記雰囲気ガスの露点を４５℃以下とすることを
特徴とする請求項（４）に記載の静電チャック用誘電体
セラミックスの製造方法。 - （７）前記焼成を仮焼成と本焼成に分け、仮焼成におけ
る雰囲気の露点を約４５℃とすることを特徴とする請求
項（４）に記載の静電チャック用誘電体セラミックスの
製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-104844 | 1988-04-26 | ||
| JP10484488 | 1988-04-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0222166A true JPH0222166A (ja) | 1990-01-25 |
| JP2733091B2 JP2733091B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=14391639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1105678A Expired - Lifetime JP2733091B2 (ja) | 1988-04-26 | 1989-04-25 | 静電チャック用誘電体セラミックス及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5104834A (ja) |
| EP (1) | EP0339903B1 (ja) |
| JP (1) | JP2733091B2 (ja) |
| AT (1) | ATE95513T1 (ja) |
| CA (1) | CA1336476C (ja) |
| DE (1) | DE68909665T2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH043956A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Fujitsu Ltd | 静電吸着装置 |
| US5467252A (en) * | 1993-10-18 | 1995-11-14 | Motorola, Inc. | Method for plating using nested plating buses and semiconductor device having the same |
| EP0771772A2 (en) | 1995-11-01 | 1997-05-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminium nitride sintered bodies and their manufacture |
| US6001760A (en) * | 1996-03-29 | 1999-12-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum nitride sintered body, metal embedded article, electronic functional material and electrostatic chuck |
| US6559579B2 (en) | 1999-11-29 | 2003-05-06 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Alumina-based sintered body insulator for spark plugs |
| JP2013241322A (ja) * | 2012-04-26 | 2013-12-05 | Ngk Spark Plug Co Ltd | アルミナ焼結体、それを備える部材、および半導体製造装置 |
| JP2015162618A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
Families Citing this family (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06737A (ja) * | 1991-03-29 | 1994-01-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック基板 |
| EP0564982A3 (en) * | 1992-04-04 | 1995-09-13 | Hoechst Ceram Tec Ag | Ceramic alumina body with high metallization adherence |
| JP2938679B2 (ja) * | 1992-06-26 | 1999-08-23 | 信越化学工業株式会社 | セラミックス製静電チャック |
| US5600530A (en) * | 1992-08-04 | 1997-02-04 | The Morgan Crucible Company Plc | Electrostatic chuck |
| US5413360A (en) * | 1992-12-01 | 1995-05-09 | Kyocera Corporation | Electrostatic chuck |
| US5384681A (en) * | 1993-03-01 | 1995-01-24 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck |
| JPH06326175A (ja) * | 1993-04-22 | 1994-11-25 | Applied Materials Inc | 集積回路処理装置において使用されるウエハサポートの誘電材への保護被覆とその形成方法 |
| US5511799A (en) * | 1993-06-07 | 1996-04-30 | Applied Materials, Inc. | Sealing device useful in semiconductor processing apparatus for bridging materials having a thermal expansion differential |
| JPH07153825A (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-16 | Toto Ltd | 静電チャック及びこの静電チャックを用いた被吸着体の処理方法 |
| US6278600B1 (en) | 1994-01-31 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with improved temperature control and puncture resistance |
| US5801915A (en) * | 1994-01-31 | 1998-09-01 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having a unidirectionally conducting coupler layer |
| US5729423A (en) * | 1994-01-31 | 1998-03-17 | Applied Materials, Inc. | Puncture resistant electrostatic chuck |
| TW288253B (ja) * | 1994-02-03 | 1996-10-11 | Aneruba Kk | |
| US5792562A (en) * | 1995-01-12 | 1998-08-11 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with polymeric impregnation and method of making |
| US5671116A (en) * | 1995-03-10 | 1997-09-23 | Lam Research Corporation | Multilayered electrostatic chuck and method of manufacture thereof |
| JP2971369B2 (ja) * | 1995-08-31 | 1999-11-02 | トーカロ株式会社 | 静電チャック部材およびその製造方法 |
| US5835333A (en) * | 1995-10-30 | 1998-11-10 | Lam Research Corporation | Negative offset bipolar electrostatic chucks |
| US5812361A (en) * | 1996-03-29 | 1998-09-22 | Lam Research Corporation | Dynamic feedback electrostatic wafer chuck |
| AU2451897A (en) * | 1996-04-10 | 1997-10-29 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Process for providing a glass-ceramic dielectric layer on an electrically conductive substrate and electrostatic chucks made by the process |
| US5761023A (en) * | 1996-04-25 | 1998-06-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with pressure zones having reduced contact area and temperature feedback |
| US6108189A (en) * | 1996-04-26 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having improved gas conduits |
| TW303505B (en) * | 1996-05-08 | 1997-04-21 | Applied Materials Inc | Substrate support chuck having a contaminant containment layer and method of fabricating same |
| US6175485B1 (en) * | 1996-07-19 | 2001-01-16 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck and method for fabricating the same |
| US5864459A (en) * | 1996-08-14 | 1999-01-26 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Process for providing a glass dielectric layer on an electrically conductive substrate and electrostatic chucks made by the process |
| WO1998047176A1 (en) * | 1997-04-11 | 1998-10-22 | The Morgan Crucible Company Plc | Composite ceramic dielectrics |
| JPH11157953A (ja) * | 1997-12-02 | 1999-06-15 | Nhk Spring Co Ltd | セラミックスと金属との構造体及びそれを用いた静電チャック装置 |
| US6641939B1 (en) | 1998-07-01 | 2003-11-04 | The Morgan Crucible Company Plc | Transition metal oxide doped alumina and methods of making and using |
| US6259592B1 (en) | 1998-11-19 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for retaining a workpiece upon a workpiece support and method of manufacturing same |
| US6263829B1 (en) | 1999-01-22 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having improved gas distributor and method of manufacture |
| US6273958B2 (en) | 1999-06-09 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for plasma processing |
| US6478924B1 (en) | 2000-03-07 | 2002-11-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber support having dual electrodes |
| US6598559B1 (en) | 2000-03-24 | 2003-07-29 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled chamber |
| US6581275B2 (en) | 2001-01-22 | 2003-06-24 | Applied Materials Inc. | Fabricating an electrostatic chuck having plasma resistant gas conduits |
| US6682627B2 (en) | 2001-09-24 | 2004-01-27 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having a corrosion-resistant wall and method |
| US6986865B2 (en) * | 2002-07-10 | 2006-01-17 | Watlow Electric Manufacturing Company | Method for manufacturing an electrostatic chuck |
| JP4248833B2 (ja) | 2002-09-12 | 2009-04-02 | 株式会社ソディック | セラミックス及びその製造方法 |
| US7910218B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings |
| US7670436B2 (en) | 2004-11-03 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Support ring assembly |
| US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
| US7762114B2 (en) * | 2005-09-09 | 2010-07-27 | Applied Materials, Inc. | Flow-formed chamber component having a textured surface |
| US9127362B2 (en) * | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
| US8647484B2 (en) * | 2005-11-25 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering chamber |
| JP2007266289A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Tdk Corp | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 |
| US20070283884A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Applied Materials, Inc. | Ring assembly for substrate processing chamber |
| US7981262B2 (en) | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
| US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
| US10246375B2 (en) | 2016-03-30 | 2019-04-02 | Skyworks Solutions, Inc. | Multi-phase high thermal conductivity composite dielectric materials |
| GB2583911A (en) | 2019-05-03 | 2020-11-18 | Morgan Advanced Ceramics Inc | High density corrosion resistant layer arrangement for electrostatic chucks |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59152636A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Toshiba Corp | 静電チャック装置の製造方法 |
| JPS60127259A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-06 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜用基板の製造方法 |
| JPS61179009A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-11 | 日本特殊陶業株式会社 | 高周波誘電体磁器 |
| JPS61211907A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-20 | 日本特殊陶業株式会社 | アルミナ磁器組成物 |
| JPS623066A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-09 | 株式会社東芝 | セラミツク組成物 |
| JPS6294953A (ja) * | 1985-10-21 | 1987-05-01 | Toto Ltd | 静電チヤツク基盤の製造方法 |
| JPS62229711A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | 日本特殊陶業株式会社 | アルミナ磁器組成物 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4020234A (en) * | 1974-01-02 | 1977-04-26 | International Business Machines Corporation | High-alumina content compositions containing BaO-MgO-SiO2 glass and sintered ceramic articles made therefrom |
| US4109377A (en) * | 1976-02-03 | 1978-08-29 | International Business Machines Corporation | Method for preparing a multilayer ceramic |
| JPS6059104B2 (ja) * | 1982-02-03 | 1985-12-23 | 株式会社東芝 | 静電チヤツク板 |
| JPS60176967A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-11 | 日本特殊陶業株式会社 | アルミナ磁器組成物 |
| FR2568722B1 (fr) * | 1984-08-03 | 1987-10-23 | Thomson Csf | Substrat en ceramique dielectrique et procede d'obtention |
| US4678683A (en) * | 1985-12-13 | 1987-07-07 | General Electric Company | Process for cofiring structure comprised of ceramic substrate and refractory metal metallization |
| US4769294A (en) * | 1986-11-26 | 1988-09-06 | Ceramics Process Systems Corp. | Alumina materials for low temperature co-sintering with refractory metallization |
-
1989
- 1989-04-24 DE DE89304049T patent/DE68909665T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-24 AT AT89304049T patent/ATE95513T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-04-24 EP EP89304049A patent/EP0339903B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-25 JP JP1105678A patent/JP2733091B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-26 US US07/343,805 patent/US5104834A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-26 CA CA000597909A patent/CA1336476C/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59152636A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Toshiba Corp | 静電チャック装置の製造方法 |
| JPS60127259A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-06 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜用基板の製造方法 |
| JPS61179009A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-11 | 日本特殊陶業株式会社 | 高周波誘電体磁器 |
| JPS61211907A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-20 | 日本特殊陶業株式会社 | アルミナ磁器組成物 |
| JPS623066A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-09 | 株式会社東芝 | セラミツク組成物 |
| JPS6294953A (ja) * | 1985-10-21 | 1987-05-01 | Toto Ltd | 静電チヤツク基盤の製造方法 |
| JPS62229711A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | 日本特殊陶業株式会社 | アルミナ磁器組成物 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH043956A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Fujitsu Ltd | 静電吸着装置 |
| US5467252A (en) * | 1993-10-18 | 1995-11-14 | Motorola, Inc. | Method for plating using nested plating buses and semiconductor device having the same |
| USRE36773E (en) * | 1993-10-18 | 2000-07-11 | Motorola, Inc. | Method for plating using nested plating buses and semiconductor device having the same |
| EP0771772A2 (en) | 1995-11-01 | 1997-05-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminium nitride sintered bodies and their manufacture |
| US5998320A (en) * | 1995-11-01 | 1999-12-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum nitride sintered body, metal including member, electrostatic chuck, method of producing aluminum nitride sintered body, and method of producing metal including member |
| US6174583B1 (en) | 1995-11-01 | 2001-01-16 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum nitride sintered body, metal including member, electrostatic chuck, method of producing aluminum nitride sintered body, and method of producing metal including member |
| US6001760A (en) * | 1996-03-29 | 1999-12-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum nitride sintered body, metal embedded article, electronic functional material and electrostatic chuck |
| US6559579B2 (en) | 1999-11-29 | 2003-05-06 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Alumina-based sintered body insulator for spark plugs |
| JP2013241322A (ja) * | 2012-04-26 | 2013-12-05 | Ngk Spark Plug Co Ltd | アルミナ焼結体、それを備える部材、および半導体製造装置 |
| JP2015162618A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0339903A1 (en) | 1989-11-02 |
| US5104834A (en) | 1992-04-14 |
| JP2733091B2 (ja) | 1998-03-30 |
| DE68909665D1 (de) | 1993-11-11 |
| DE68909665T2 (de) | 1994-02-10 |
| CA1336476C (en) | 1995-08-01 |
| ATE95513T1 (de) | 1993-10-15 |
| EP0339903B1 (en) | 1993-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0222166A (ja) | 静電チャック用誘電体セラミックス及びその製造方法 | |
| JP5872998B2 (ja) | アルミナ焼結体、それを備える部材、および半導体製造装置 | |
| KR100444229B1 (ko) | 내환원성 유전체 자기 조성물 | |
| JPH09205036A (ja) | 改質バリウムストロンチウムチタネートの誘電体を備える多層コンデンサー | |
| Huang et al. | Ameliorative energy-storage properties stemmed from the refined grains in PBLZS antiferroelectric ceramics via introducing liquid phase sintering | |
| JP2001163672A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体および半導体製造用部材 | |
| US4506026A (en) | Low firing ceramic dielectric for temperature compensating capacitors | |
| Armstrong et al. | Dielectric properties of fluxed barium titanate ceramics with zirconia additions | |
| AU2008240798B2 (en) | Ceramic material with a composition which is matched to a coefficient of thermal expansion specified by a metallic material | |
| JP2009263209A (ja) | 誘電体磁器組成物、電子部品およびこれらの製造方法 | |
| JPH0831232A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP4678022B2 (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法 | |
| EP0128956B1 (en) | Low firing ceramic dielectric for temperature compensating capacitors | |
| US9573851B2 (en) | Dielectric ceramic composition and composite ceramic structure | |
| JP3259406B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2006165107A (ja) | 静電チャック用誘電体セラミックス及びその製造方法 | |
| JP4836509B2 (ja) | 誘電体磁器 | |
| JP3019854B1 (ja) | 誘電体磁器組成物とこれを用いた積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| CN110304916B (zh) | 一种抗还原BaTiO3基介质陶瓷及制备方法 | |
| EP0200484B1 (en) | Ultralow fire ceramic composition | |
| CN116844862B (zh) | 一种电介质材料及其在制备陶瓷电容器中的应用 | |
| KR20000067819A (ko) | 도전성 세라믹스, 그 제조방법 및 정전 척 | |
| JP2681981B2 (ja) | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 | |
| JP3233020B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| US9505661B2 (en) | Dielectric ceramic composition and composite ceramic structure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071226 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081226 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091226 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091226 Year of fee payment: 12 |