JPH0831232A - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents

非還元性誘電体磁器組成物

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JPH0831232A
JPH0831232A JP6166554A JP16655494A JPH0831232A JP H0831232 A JPH0831232 A JP H0831232A JP 6166554 A JP6166554 A JP 6166554A JP 16655494 A JP16655494 A JP 16655494A JP H0831232 A JPH0831232 A JP H0831232A
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insulation resistance
dielectric
powder
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明宏 金内
Shinichi Osawa
真一 大沢
Nobuyoshi Fujikawa
信儀 藤川
Hiroshi Kojima
博史 小島
Masahiko Nakanishi
雅彦 中西
Katsuhiro Oda
勝浩 小田
Takashi Maeda
隆 前田
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Abstract

(57)【要約】 【構成】金属元素のモル比による組成式を100BaT
iO3 +aRE2 3 +bMnO+cMgOと表した時
(REは、Ho、Er及びYbのうち少なくとも1
種)、式中のa,b,cが 0.25≦a≦3、0≦b
≦8、1≦c≦9、1≦b+c≦11.2、1.0≦c
/a≦11.0を満足するものである。 【効果】焼成しても還元することがなく、また内部電極
として使用するニッケルなどの卑金属粉末粒子も酸化す
ることがなく、高い比誘電率と優れた絶縁性を有し、か
つ誘電率の温度変化率が広い温度範囲にわたって小さ
く、誘電正接が小さい極めて経済性の高い高誘電率系の
非還元性誘電体磁器組成物として実用性に優れたもので
ある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁器コンデンサ、特に
ニッケル,銅等の卑金属を主成分とする内部電極を有す
る積層型磁器コンデンサに適した非還元性誘電体磁器組
成物に関するものである。
【0002】
【従来技術】従来、一般に積層型磁器コンデンサは、表
面に内部電極が塗布されたBaTiO3 を主成分とする
誘電体シートを複数枚積層するとともに、各シートの内
部電極を交互に並列に一対の外部接続用電極に接続し、
これを焼結一体化することにより形成されている。この
ような積層型磁器コンデンサは、近年のエレクトロニク
スの発展に伴い電子部品の小型化が急速に進行し、広範
な電子回路に使用されるようになってきている。
【0003】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、この
従来のBaTiO3 を主成分とする誘電体材料を誘電体
として使用した積層型磁器コンデンサは、内部電極とし
て高価な貴金属であるパラジウム(融点1555℃)ま
たはその合金が使用され、特に静電容量が大きいもので
は内部電極枚数が大となってコスト高となるという問題
があった。従って、従来の積層コンデンサでは容積効率
が高く、誘電的特性に優れ、かつ高信頼性であるにも拘
らず価格面がその発展に大きな障害となっていた。
【0004】一方、上記従来の積層型磁器コンデンサの
高価となる欠点を解消するために、内部電極として安価
な卑金属、例えばニッケルを使用することが試みられて
いる。しかしながら、ニッケルなどの卑金属を内部電極
として使用すると、チタン酸バリウム(BaTiO3
等からなる誘電体と卑金属内部電極とを同時焼結する
際、前記卑金属が酸化する事なく金属膜として焼結する
条件はNi/NiOの平衡酸素分圧が1300℃におい
て約0.03Paであるから、それ以下の酸素分圧でな
ければならず、この場合BaTiO3 またはその固溶体
からなる誘電体は、一般に前記の酸素分圧下では還元さ
れてしまって絶縁性を失い、その結果、積層型磁器コン
デンサとしての実用的な誘電特性が得られなくなるとい
う欠点を有していた。
【0005】そこで、ニッケルなどの内部電極を有する
積層型磁器コンデンサとして使用できる磁器組成物とし
て、チタン酸バリウム固溶体(Ba,Ca,Sr)Ti
3において、塩基性酸化物である(Ba,Ca,S
r)Oを酸性酸化物であるTiO2 に対して化学量論比
より過剰とした非還元性誘電体磁器組成物が特公昭57
−42588号公報等において提案されている。
【0006】これは一般に、ABO3 型結晶において
は、酸素八面体(ペロブスカイト)構造の中心に位置す
るBイオンに対して、Bイオンより大きい酸素に対して
12配位をとるAイオンが化学量論比より過剰である場
合、結晶格子が酸素原子を強く引きつけ、還元され難い
ことが知られており、前記公報に記載された発明は、こ
の化学量論比のずれに立脚し、誘電体の非還元性を向上
させたものである。しかしながら、前記公報に記載され
た誘電体磁器組成物は+25℃を基準にした時の−55
〜125℃における比誘電率の温度変化率が+20〜−
80と大きく、誘電特性が低下するという欠点を有して
いた。
【0007】本発明は、1150℃〜1350℃で焼成
しても還元することがなく、また内部電極として使用す
るニッケルなどの卑金属粉末粒子も酸化することがなく
金属膜として焼結し、高い比誘電率と優れた絶縁性を有
し、かつ誘電率の温度変化率が広い温度範囲にわたって
小さく、誘電正接が小さい極めて経済性の高い高誘電率
系の非還元性誘電体磁器組成物を提供することを目的と
するものである。
【0008】
【問題点を解決する手段】本発明の非還元性誘電体磁器
組成物は、金属元素のモル比による組成式を、100B
aTiO3 +aRE2 3 +bMnO+cMgO(RE
は、Ho、Er及びYbのうち少なくとも1種)と表し
た時、式中のa,b,cが、0.25≦a<3.00、
0≦b<8.00、1.00≦c<9.00、1.00
≦b+c≦11.20、1.00≦c/a≦11.00
を満足するものである。
【0009】本発明では、BaTiO3 に対しHo、E
r及びYb等の希土類元素を含有させることにより、ズ
プレッサー効果が得られ、BaTiO3 のキュリー点近
傍の誘電率の極大値を低くし、誘電率の温度変化率を小
さくするとともに、絶縁抵抗を向上することができる
が、BaTiO3 100モルに対する希土類元素酸化物
RE2 3 のモル比を0.25≦a<3.00としたの
は、aが0.25よりも小さい場合には絶縁抵抗が低く
なり、積層型磁器コンデンサとしての実用的な誘電特性
が得られなくなるからであり、aが3以上になると、比
誘電率が低く、また、焼結性が低下し、絶縁抵抗が低く
なり、積層型磁器コンデンサとしての実用的な誘電特性
が得られなくなるからである。aは0.50≦a≦1.
00であることが望ましい。
【0010】BaTiO3 100モルに対するMnOの
モル比を0≦b<8.00したのは、bが8.00以上
になると絶縁抵抗が低くなり、積層型磁器コンデンサと
しての実用的な誘電特性が得られなくなるからである。
bは0.10≦b≦2.20、エージング特性を向上す
るには特に0.10≦b≦0.50であることが望まし
い。
【0011】また、BaTiO3 100モルに対するM
gOのモル比を1.00≦c<9.00としたのは、c
が1よりも小さい場合には絶縁抵抗が低下するからであ
り、cが9.00以上の場合には比誘電率が低く、また
絶縁抵抗が低くなるからである。cは1.00≦c≦
2.00であることが望ましい。
【0012】さらに、BaTiO3 100モルに対する
MnOとMgOの合量のモル比を1.00≦b+c≦1
1.20としたのは、b+cが1.00よりも小さい場
合には絶縁抵抗が低くなり、積層型磁器コンデンサとし
ての実用的な誘電特性が得られなくなり、b+cが1
1.20よりも大きい場合には比誘電率が低下するから
である。b+cは、3.10≦b+c≦5.30である
ことが望ましい。
【0013】さらにまた、希土類元素酸化物RE2 3
に対するMgOの比を1.00≦c/a≦11.00と
したのは、c/aが1.00よりも小さい場合には絶縁
抵抗が低くなり、c/aが11.00よりも大きい場合
には比誘電率が低下するからである。c/aは1.00
≦c/a≦4.00であることが望ましい。
【0014】本発明では、BaTiO3 100モルに対
する希土類元素酸化物RE2 3 のモル比を0.50≦
a≦1.00、0.10≦b≦2.20、1.00≦c
≦2.00、3.10≦b+c≦5.30、1.00≦
c/a≦4.00であることが望ましい。
【0015】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
は、金属元素のモル比による組成式を、100BaTi
3 +aRE2 3 +bMnO+cMgO+dLi2
+eSiO2 (REは、Y、Gd、Dy、Ho、Er及
びYbのうち少なくとも1種)と表した時、式中のa,
b,c,d及びeが、0.25≦a≦2.50、0.0
5≦b≦0.50、0.50≦c≦8.00、1.50
≦d≦4.50、0.75≦e<2.00を満足するも
のである。
【0016】モル比による組成式を、100BaTiO
3 +aRE2 3 +bMnO+cMgO+dLi2 O+
eSiO2 と表した時、BaTiO3 100モルに対す
る希土類元素酸化物RE2 3 のモル比aを、0.25
≦a≦2.50としたのは、aが0.25よりも小さい
場合には絶縁抵抗が小さくなり、積層型磁器コンデンサ
としての実用的な誘電特性が得られなくなり、aが2.
50よりも大きい場合には比誘電率が低くなり、焼結性
が低下し、絶縁抵抗が小さくなるからである。
【0017】aは0.50≦a≦1.00であることが
望ましい。
【0018】また、BaTiO3 100モルに対するM
nOのモル比bを、0.05≦b≦0.50としたの
は、bが0.05よりも小さい場合には、絶縁抵抗が低
くなり積層型磁器コンデンサとしての実用的な誘電特性
が得られなくなり、bが0.50よりも大きい場合に
は、エージングレートが大きくなり、積層型磁器コンデ
ンサとしての実用的な誘電特性が得られなくなるからで
ある。bは0.10≦b≦0.40、特に0.10≦b
≦0.20であることが望ましい。
【0019】BaTiO3 100モルに対するMgOの
モル比cを、0.50≦c≦8.00としたのは、cが
0.50よりも小さい場合には絶縁抵抗が低下するから
であり、cが8.00よりも大きい場合には、比誘電率
が低く、絶縁抵抗も低くなるからである。cは1.00
≦c≦2.00であることが望ましい。
【0020】また、BaTiO3 100モルに対するL
2 Oのモル比dを、1.50≦d≦4.50としたの
は、dが1.50よりも小さい場合には比誘電率の温度
特性が悪くなり、dが4.50よりも大きい場合には比
誘電率が低くなるからである。dは1.50≦d≦2.
50であることが望ましい。
【0021】さらに、BaTiO3 100モルに対する
SiO2 のモル比eを、0.75≦e<2.00とした
のは、eが0.75よりも小さい場合には、焼結性が低
下し、焼成温度1350℃で緻密な磁器が得られなくな
り、eが2.00以上となると比誘電率が低く、絶縁抵
抗が低くなるからである。eは0.75≦e≦1.5
0、特には0.75≦e≦1.00であることが望まし
い。
【0022】本発明では、BaTiO3 100モルに対
する希土類元素酸化物RE2 3 のモル比を0.50≦
a≦1.00、0.10≦b≦0.20、1.00≦c
≦2.00、1.50≦d≦2.50、0.75≦e≦
1.50であることが望ましい。
【0023】さらに、本発明の非還元性誘電体磁器組成
物は、金属元素のモル比による組成式を、100(Ba
1-x Cax 1+k TiO3 +aRE2 3 +bMnO+
cMgO+dLi2 O+eSiO2 (REは、Y、G
d、Dy、Ho、Er及びYbのうち少なくとも1種)
と表した時、式中のa,b,c,d,e,x及びkが、
0.25≦a≦2.50、0.05≦b≦0.50、
0.50≦c≦8.00、1.50≦d≦4.50、
0.75≦e<2.00、0<x≦0.025、0≦k
<a/50を満足するものである。
【0024】ここで、モル比による組成式を、100
(Ba1-x Cax 1+k TiO3 +aRE2 3 +bM
nO+cMgO+dLi2 O+eSiO2 と表した時、
BaTiO3 100モルに対するモル比a,b,c,
d,e,x及びkを上記のように限定したのは、上記理
由と同様である。そして、BaのCaによる置換量xを
0<x≦0.025としたのは、xが0.025よりも
多くなると、比誘電率が低くなり、絶縁抵抗も低くなる
からである。xは0<x≦0.010であることが望ま
しい。
【0025】また、組成式におけるkを0≦k<a/5
0としたのは、kが0よりも小さい場合には絶縁抵抗が
低くなり、kがa/50以上となる場合には焼結性が低
下し緻密化しないからである。kは0.010≦k≦
0.020であること望ましい。また、本発明において
は、BaTiO3 の平均結晶粒径は1.5μm以下であ
ることが望ましい。これは、BaTiO3 の平均結晶粒
径が1.5μmよりも大きくなると絶縁抵抗が低くな
り、誘電率の温度変化率の絶対値が大きくなる傾向にあ
るからである。
【0026】本発明では、BaTiO3 100モルに対
する希土類元素酸化物RE2 3 のモル比を0.50≦
a≦1.00、0.10≦b≦0.40、1.00≦c
≦2.00、1.50≦d≦2.50、0.75≦e≦
1.50、0<x≦0.010、0.01≦k≦0.0
2であることが望ましい。
【0027】本発明の非還元性誘電体磁器組成物は、例
えば、BaCO3 粉末、TiO2 粉末、またはこれらと
CaCO3 粉末を用い混合後所定温度にて固相反応さ
せ、BaTiO3 粉末または(Ba,Ca)TiO3
末を合成し、粒径1.5μm 以下に微粉砕する。次にこ
の合成微粉末BaTiO3 または(Ba,Ca)TiO
3 粉末とMnCO3 粉末、MgCO3 粉末に、Ho2
3 、Er2 3 、Yb2 3 から選ばれる少なくとも
1種の粉末、或いはY2 3 、Gd2 3 、Dy2
3 、Ho2 3 、Er2 3 、Yb2 3 から選ばれる
少なくとも1種の粉末と、Li2 CO3 粉末と、SiO
2 粉末とを加えてそれぞれ所定の割合になるように秤量
し、分散剤、分散媒とともにボールミルにて混合し、原
料スラリーを調整した。このスラリーに有機バインダ
ー、可塑剤を加え、十分撹拌後ドクターブレード法によ
りフィルム状に成形した。このフィルムを積み重ね熱圧
着後所定形状に切断する。そして、この成形体を酸素分
圧3×10-5〜3×10-3Paに制御し、キャリアガス
を窒素ガスとして1150〜1350℃にて焼成するこ
とにより得られる。
【0028】
【作用】本発明においては、1150℃〜1350℃で
焼成しても磁器が還元することがなく、また内部電極と
して使用するニッケルなどの卑金属粉末粒子も酸化する
ことがなく金属膜として焼結し、高い比誘電率と優れた
絶縁性を有し、かつ誘電率の温度変化率が広い温度範囲
にわたって小さく、誘電正接が小さく極めて経済性が高
い。
【0029】MnO、MgO、希土類酸化物(Re2
3 )の添加は、耐還元性、信頼性の向上に有効に作用す
る。これらはアクセプタ準位を形成するものであり、こ
れらを添加することにより、3×10-5〜3×10-3
aの低い酸素分圧下で焼成する際に生ずる酸素欠陥によ
って形成されるドナー準位電子を、MnO、MgO、希
土類酸化物を添加することによって形成されるアクセプ
タ準位で再結合せしめることにより、誘電体磁器の半導
体化を抑制し、高い絶縁性を保持するものである。
【0030】また、エージング特性は、MnO添加量に
比例し、MnO量を限定する事により、エージングの小
さい誘電体磁器組成物が得られる。
【0031】
【実施例】
実施例1 出発原料として純度99%以上のBaCO3 粉末、TiO
2 粉末を用い混合後1150℃にて固相反応させBaT
iO3 を合成し、粒径1.5μm 以下に微粉砕した。次
にこの合成微粉末BaTiO3 とMnCO3 粉末、Mg
CO3 粉末に、Ho2 3 、Er2 3 、Yb2 3
ら選ばれる少なくとも1種の粉末を加えてそれぞれ表
1,2の割合になるように秤量し、分散剤、分散媒とと
もにボールミルにて混合し、原料スラリーを調整した。
【0032】このスラリーに有機バインダー、可塑剤を
加え、十分撹拌後ドクターブレード法によりフィルム状
に成形した。このフィルムを積み重ね熱圧着後切断して
(縦)10mm×(横)10mm×(厚み)0.5mm
の試料を得た。この試料を酸素分圧3×10-5Paに制
御し、キャリアガスを窒素ガスとして1250℃にて2
時間焼成した。最後に得られた焼結体の上下両面にIn
−Ga合金を塗布して電気特性用電極とした。
【0033】
【表1】
【0034】
【表2】
【0035】次にこれらの評価試料を室温にて48時間
放置した後、周波数1.0kHz、入力信号レベル1.
0Vrmsにて静電容量および誘電正接を測定した。静
電容量から比誘電率を算出した。その後、直流50Vを
1分間印加し、そのときの絶縁抵抗を測定した。また、
−55〜125℃の温度範囲においても上記と同様の条
件にて静電容量および誘電正接を測定し、+25℃での
静電容量に対する各温度での静電容量の変化率を算出し
た。
【0036】上記の結果を表3,4に示す。
【0037】但し、表1中のa,b,cは、BaTiO
3 100モルに対するモル比を示しており、単位はモル
部である。また、絶縁抵抗は静電容量(C,μF)と絶
縁抵抗(R,MΩ)との積(CR,MΩ・μF)で表わ
した。単位はMΩ・μFである。
【0038】
【表3】
【0039】
【表4】
【0040】表1〜4からも明らかなように、希土類元
素酸化物の添加量aが0.25モル部を下回るNo1で
は絶縁抵抗が低く、逆に3モル部を超えるNo.11、
16、20では比誘電率が低い傾向にあるとともに焼結
性が低下し、絶縁抵抗が低くなる。MgOの量cが1モ
ル部を下回るNo.6では絶縁抵抗が低く、逆に9モル
部を超えるNo.21では比誘電率が低く、絶縁抵抗も
低い。
【0041】また、MnOの量bが8モル部を超えるN
o.26、27では絶縁抵抗が低く、(b+c)値が1
1.2モル部を超えるNo.21、26、34では比誘
電率が低くなる。
【0042】これらの比較例に対し、本発明の試料では
いずれも比誘電率2500以上、誘電正接(tanδ)
が1.5%以下、絶縁抵抗1000MΩ・μF以上、比
誘電率の温度変化率が±15%以下と優れた特性を示し
た。
【0043】実施例2 出発原料として純度99%以上のBaCO3 粉末、Ti
2 粉末を用い混合後1150℃にて固相反応させBa
TiO3 を合成し、粒径1.5μm以下に微粉砕した。
次にこの合成微粉末BaTiO3 とMnCO3 粉末、M
gCO3 粉末にY2 3 、Gd2 3 、Dy2 3 、H
2 3 、Er2 3 、Yb2 3 から選ばれる少なく
とも1種の粉末を加え、さらに、Li2 CO3 粉末、S
iO2 粉末をそれぞれ表5の割合になるように秤量し、
分散剤、分散媒とともにボールミルにて混合し、原料ス
ラリーを調整した。
【0044】
【表5】
【0045】このスラリーに有機バインダー、可塑剤を
加え、十分撹拌後ドクターブレード法によりフィルム状
に成形した。このフィルムを積み重ね熱圧着後切断して
(縦)10mm×(横)10mm×(厚み)0.5mm
の試料を得た。この試料を酸素分圧3×10-5Paに制
御し、キャリアガスを窒素ガスとして1250℃にて2
時間焼成した。最後に得られた焼結体の上下両面にIn
−Ga合金を塗布して電気特性用電極とした。
【0046】次にこれらの評価試料を、実施例1と同様
にして比誘電率、絶縁抵抗、誘電正接および+25℃で
の静電容量に対する各温度での静電容量の変化率を測定
するとともに、評価試料を150℃で1時間熱処理後、
25℃で放置し、1時間後の静電容量に対する10時間
後の静電容量の変化率(エージングレート)を算出し
た。この結果を表6に示す。
【0047】但し、絶縁抵抗は静電容量(C,μF)と
絶縁抵抗(R,MΩ)との積(CR,MΩ・μF)で表
わした。また、表5中におけるa,b,c,d,eはB
aTiO3 100モルに対するモル比を示しており、単
位はモル部である。
【0048】
【表6】
【0049】表5,6からも明らかなように、希土類酸
化物Re2 3 の添加量aが0.25モル部を下回るN
o13では絶縁抵抗が低く、逆にaが2.5モル部を超
えるNo17では比誘電率が低い傾向にあるとともに焼
結性が低下し、絶縁抵抗が低くなる。また、イオン半径
が大きい希土類元素であるSmを添加したNo25の場
合、誘電損失が大きく、絶縁抵抗が低く、温度特性も悪
い。MgOの量cが0.5モル部を下回るNo7では絶
縁抵抗が低く、逆にcが8モル部を超えるNo12では
比誘電率が低い。また、MnO量bが0.05モル部を
下回るNo1では絶縁抵抗が低く、bが0.5モル部を
超えるNo6ではエージングレートが大きい。Li2
の量dが1.50モル部を下回るNo32では温度特性
が悪く、4.5モル部を上回るNo24では比誘電率が
低い。SiO2 量eが0.75モル部を下回るNo18
は焼結性が悪く、eが2.0モル部よりも多いNo31
は比誘電率が低く、絶縁抵抗が悪い。
【0050】これらの比較例に対し、本発明の試料では
いずれも比誘電率2500以上、誘電正接(tanδ)
が1.14%以下、絶縁抵抗1500MΩ・μF以上、
比誘電率の温度変化率が±15%以下と優れた特性を示
した。
【0051】実施例3 出発原料として純度99%以上のBaCO3 粉末、Ti
2 粉末、CaCO3粉末を用い混合後1000℃にて
固相反応させ(Ba、Ca)TiO3 を合成し、粒径
1.5μm以下に微粉砕した。次にこの合成微粉末(B
a、Ca)TiO3 とMnCO3 粉末、MgCO3 粉末
にY2 3 、Gd2 3 、Dy2 3 、Ho2 3 、E
2 3 、Yb2 3 から選ばれる少なくとも1種の粉
末を加え、Li2 CO3 粉末、SiO2 粉末をそれぞれ
表7の割合になるように秤量し、分散剤、分散媒ととも
にボールミルにて混合し、原料スラリーを調整した。
【0052】
【表7】
【0053】このスラリーに有機バインダー、可塑剤を
加え、十分撹拌後ドクターブレード法によりフィルム状
に成形した。このフィルムを積み重ね熱圧着後切断して
(縦)10mm×(横)10mm×(厚み)0.5mm
の試料を得た。この試料を酸素分圧3×10-5Paに制
御し、キャリアガスを窒素ガスとして1250℃にて2
時間焼成した。最後に得られた焼結体の上下両面にIn
−Ga合金を塗布して電気特性用電極とした。
【0054】次にこれらの評価試料を上記実施例2と同
様にして、比誘電率、絶縁抵抗、誘電正接および+25
℃での静電容量に対する各温度での静電容量の変化率を
測定するとともに、評価試料を150℃で1時間熱処理
後、25℃で放置し、1時間後の静電容量に対する10
時間後の静電容量の変化率(エージングレート)を算出
した。この結果を表8に示す。
【0055】
【表8】
【0056】但し、絶縁抵抗は静電容量(C,μF)と
絶縁抵抗(R,MΩ)との積(CR,MΩ・μF)で表
わした。
【0057】表7,8からも明らかなように、Caのモ
ル比xが0.025モルを越えるNo39では比誘電率
低く、絶縁抵抗も低い。また、kの値が0を下回るNo
40では絶縁抵抗が低く、kの値がa/50以上のNo
42では焼結性が悪く緻密化せず、比誘電率が低い。ま
た、イオン半径が大きい希土類元素であるSmを添加し
たNo43の場合、誘電損失が大きく、絶縁抵抗が低
く、温度特性も悪い。
【0058】これらの比較例に対し、本発明の試料では
いずれも比誘電率2500以上、誘電正接(tanδ)
が1.0%以下、絶縁抵抗2700MΩ・μF以上、比
誘電率の温度変化率が±15%以下と優れた特性を示し
た。
【0059】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の非還元性誘
電体磁器組成物は焼成温度が1150〜1350℃の範
囲で、酸素分圧がNi/NiOの平衡酸素分圧以下の焼
成条件で焼成しても、比誘電率、誘電正接、絶縁抵抗、
比誘電率の温度特性において優れた特性を示すことか
ら、ニッケルを主成分とする内部電極を用いた積層形磁
器コンデンサ用の誘電体磁器組成物として実用性に優れ
たものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小島 博史 鹿児島県川内市高城町1810番地 京セラ株 式会社鹿児島川内工場内 (72)発明者 中西 雅彦 鹿児島県川内市高城町1810番地 京セラ株 式会社鹿児島川内工場内 (72)発明者 小田 勝浩 鹿児島県川内市高城町1810番地 京セラ株 式会社鹿児島川内工場内 (72)発明者 前田 隆 鹿児島県川内市高城町1810番地 京セラ株 式会社鹿児島川内工場内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金属元素のモル比による組成式を 100BaTiO3 +aRE2 3 +bMnO+cMg
    O (REは、Ho、Er及びYbのうち少なくとも1種)
    と表した時、式中のa,b,cが 0.25≦a<3.00 0 ≦b<8.00 1.00≦c<9.00 1.00≦b+c≦11.20 1.00≦c/a≦11.00 を満足することを特徴とする非還元性誘電体磁器組成
    物。
  2. 【請求項2】金属元素のモル比による組成式を 100BaTiO3 +aRE2 3 +bMnO+cMg
    O+dLi2 O+eSiO2 (REは、Y、Gd、Dy、Ho、Er及びYbのうち
    少なくとも1種)と表した時、式中のa,b,c,d及
    びeが 0.25≦a≦2.50 0.05≦b≦0.50 0.50≦c≦8.00 1.50≦d≦4.50 0.75≦e<2.00 を満足することを特徴とする非還元性誘電体磁器組成
    物。
  3. 【請求項3】金属元素のモル比による組成式を 100(Ba1-x Cax 1+k TiO3 +aRE2 3
    +bMnO+cMgO+dLi2 O+eSiO2 (REは、Y、Gd、Dy、Ho、Er及びYbのうち
    少なくとも1種)と表した時、式中のa,b,c,d,
    e,x及びkが 0.25≦a≦2.50 0.05≦b≦0.50 0.50≦c≦8.00 1.50≦d≦4.50 0.75≦e<2.00 0 <x≦0.025 0 ≦k<a/50 を満足することを特徴とする非還元性誘電体磁器組成
    物。
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