JPH02220207A

JPH02220207A - 磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH02220207A
Application number: JP4106889A
Authority: JP
Inventors: Tokuo Itonaga; 糸永　徳雄
Original assignee: Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd; Kansai Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd; Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date: 1989-02-20
Filing date: 1989-02-20
Publication date: 1990-09-03

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は磁気ヘッドに関し、詳しくは高飽和磁束密度を
有する金属磁性膜を積層したラミネート層を非磁性体基
板で挾み込んだ構造の積層型高密度記録用磁気ヘッドに
関する。

〔従来の技術〕

ＶＴＲ装置やＦＤＤ装置等の磁気記録再生装置に使用さ
れる高密度記録用磁気ヘッドには積層型のものがある。

この積層型高密度記録用磁気ヘッドは、第１０図及び第
１１図に示すように高飽和磁束密度を有するセンダスト
やパーマロイ等の金属磁性膜（１）（１）・・・と５ｉ
０２やＡ１２等の絶縁Ｗｔ膜（２）（２）・・・とを交
互に積層したラミネート層（３）をセラミック等の非磁
性体基板（４）（４）で両側から挾み込んだ一対のコア
（５）（６）を接合一体化したコアチップ（７）で構成
される。コア（５）（６）は、一方のコア（６）の下部
に設けられたガラス溜り部（８）の低融点ガラス（９）
により接合−体化されている。このコアチップ（７）の
、磁気記録媒体が摺接する頂端面（１０）では、上記コ
ア（５）（６）の接合面（５ａ）　　（６ａ）間に５ｉ
Ｊ４等の非磁性体′Ｎ膜を介在させることにより磁気ギ
ャップｇが形成される。この磁気ギャップｇでは、上記
金属磁性膜（１）（１）・・・及び絶縁溝Ｉｌ！Ｊ！　
（２）　　（２）・・・からなるラミネート層（３）の
厚みがトラック幅（Ｔ）となる。上記ラミネート層（３
）を構成する金属磁性膜（１）（１）・・・間に絶縁薄
膜（２）（２）・・・を介在させることにより、厚みの
大きいラミネート層（３）を絶縁１！膜（２）（２）・
・・で厚みの小さい各金属磁性膜（１）（１）・・・に
電気的に絶縁し、磁束通過時に渦電流が発生することを
抑制して高周波特性の劣化を未然に防止している。尚、
上記コアチップ（７）には、コア（５）（６）の側部に
設けられた巻線挿通穴（１１）及び巻線係止＊　（１２
）　　（１３）を利用することにより絶縁被覆処理した
線材（１４）を所定ターン数巻回してコイル（１５）を
形成する。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、上述した従来の磁気ヘッドでは、金属磁性Ｐ
！！（１）（１）　・・・と絶縁ｉ膜（２）（２）・・
・を交互に積層したラミネート層（３）の厚みが磁気ギ
ャップｇのトラック＠（Ｔ）となる、ここで、上記金属
磁性膜（１）（１）・・・及び絶縁薄１！ｌ１（２）（
２）・・・はいずれか一方の非磁性体基板（４）或いは
（４）上にスパッタリング等で接着形成されるため、そ
の膜厚を管理することが困難で膜厚がばらつき易く、上
記ラミネート層（３）の膜厚によってトラック幅（Ｔ）
を規制することが難しいという問題があった。

また、コアチップ（７）は一対のコア（５）（６）をガ
ラス溜り部（８）の低融点ガラス（９）でしか接合して
いないので、チップ強度が比較的小さいという問題もあ
った。

そこで、本発明は上記問題点に鑑みて提案されたもので
、その目的とするところは、磁気ギャップのトラック幅
の規制を簡便な手段により高精度に行い得る磁気ヘッド
を提供するにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明における上記目的を達成するための技術的手段は
、高飽和磁束密度を有する金属磁性膜と絶縁薄膜とを交
互に積層したラミネート層の最外層の金属磁性膜を厚膜
にし、上記ラミネート層を非磁性体基板で挾み込んだ一
対のコアを接合一体化したコアチップの接合部位に、そ
の両側方から最外層の金属磁性膜に食い込んだ切削溝を
設けて、さらに、低融点ガラスを充填したガラス溜り部
を設けて所定のトラック幅の磁気ギャップを形成するこ
とである。

〔作用〕

本発明に係る磁気ヘッドでは、磁気ギャップのトラック
幅を、コアチップの接合部位にあるラミネート層の両側
方から最外層の金属磁性膜に食い込んだ切削溝により規
制する。従って、上記ラミネート層での膜厚のばらつき
にかかわりなく、上記切削溝の加工精度によってトラッ
ク幅を高精度で設定できる。また、上述した最外層の金
属磁性膜をＷ−１臭にしたことにより、上記切削溝形成
によるトラック幅の調整が容易となる。更に、上記切削
溝に低融点ガラスを充填してガラス溜り部を設けたこと
により、このガラス溜り部でコアを接着固定することに
なってチップ強度の向上も図れる。

〔実施例〕

本発明に係る磁気ヘッドの一実施例を第１図乃至第９図
を参照しながら説明する。

第１図及び５８２図に示す磁気ヘッドにおいて（２０）
は一対のコア（２１）　　（２３）をガラス溜り部（２
３）にて接合一体化したコアチップで、その頂端面（２
４）に５ｉ０２等の非磁性体薄膜（例えば膜厚が０．２
５〜０．３μｍ）からなる磁気ギャップｇが形成される
。上記ガラス溜り部（２３）は、一方のコア（２２）の
下部内側面に形成したｖＩＩに低融点ガラス（２５）を
充填することにより形成される。両コア（２１）　　（
２２）は、高飽和磁束密度を有するセンダストやパーマ
ロイ等の金属磁性膜（２Ｂ）　　（２６）・・・とＡ１
２０３や５ｉｏ２等の非磁性体の絶縁薄膜（２７）　　
（２７）・・・とを交互に積層したラミネート層（２８
）をセラミック等の非磁性体基板（２９）　　（２９）
で挾み込んだものである。尚、上記ラミネート層（２８
）の最外層の金属磁性膜（２６”）　　（２６’）は、
後述するようにトラック幅調整用として厚膜に設定され
る０例えば、他の金属磁性膜（２６）　　（２６）・・
・の膜厚を５μｍ程度、最外層の金属磁性膜（２６’）
　　（２６’）の膜厚を１０〜１５μｍ程度に設定すれ
ばよい、　　（３０）　　（３０）はコアチップ（２０
）の接合部位にあるラミネート層（２８）の両側方から
最外層の金属磁性膜（２６’）（２６°）に食い込んで
形成された切削ｉ　（３１）　　（３１）に、低融点ガ
ラス（３２）　　（３２）を充填したガラス溜り部で、
上記切削’ａ　（３１）　　（３１）が最外層の金属磁
性膜（２６″）（２６’）へ食い込む量によりラミネー
ト層（２８）でのトラック幅（Ｔ）（例えば２０μｍ程
度）を規制する。上記ガラス溜り部（３０）　　（３０
）はコア（２１）　　（２２）を接着固定すると共に磁
気ギャップをその両側方から保護する。前述したように
、切削溝（３１）　　（３１）の、最外層の金兄磁性膜
（２６“）（２６’）への食い込み形成が高精度で行え
るため、トラック幅（Ｔ）を高精度に設定でき、而も上
記最外層の金属磁性膜（２６’）（２６°）が厚膜であ
るのでトラック＠（Ｔ）の調整が容易に行える。　　（
３３）（３４）はコア（２１＞　　（２２）の外側面に
形成した巻線係止溝、（３５）は一方のコア（２１）の
内側面に形成してコア（２１）　　（２２）の接合一体
化によりコアチップ（２０）の中央上部に設けた巻線挿
通穴である。上記巻線係止ｍ　（３３）　　（３４）及
び巻線挿通穴（３５）を利用して絶縁被覆処理の線材（
３６）を所定ターン数巻回してコイル（３７）を形成す
る。

次に上記磁気ヘッドの製造方法を第３図乃至第９図を参
照しながら説明する。

まず、第３図に示すように非磁性体基板（２９）（２９
）となる複数の母材（４０）　　（４０）・・・を用意
し、その一方の各側面に金属磁性膜（２６）　　（２６
）・・・と絶縁薄膜（２７）　　（２７）・・・とを交
互にスパッタリング等により積層してラミネート層（２
８）（２８）・・・を形成する。この時、最初と最後の
金属磁性膜（２６°）（２６°）を厚膜に形成する。

そして、第４図に示すように、このラミネート層（２Ｂ
）　　（２Ｂ）・・・を形成した各母材（４０）　　（
４０）・・・を溶着して一体化し、図中鎖線で示すよう
に各母材（４０）　　（４０）・・・の溶着面と直交す
る方向に切断して第５図に示す一対のコアブロック（４
１）　　（４２）を得る。次に、第６図に示すように一
方のコアブロック（４１）の内外側面にその長手方向に
沿って巻線挿通穴（３５）及び巻線係止溝（３３）とな
る凹溝（４３）　　（４４）を切削加工し、他方のコア
ブロック（４２）の内外側面にガラス溜り部（２３）及
び巻線係止溝（３４）となるＶ溝（４５）及び凹溝（４
６）を切削加工する。その後、第７図に示すようにコア
ブロック（４１）（４２）の内側面の上方エツジ部にそ
の長手方向に沿って所定のトラック幅（Ｔ）、（Ｔ）・
・・を残して切削溝（４７）　　（４７）・・・を切削
加工する。この各切削溝（４７）　　（４７）・・・は
、その両側部がラミネート層（２８）　　（２Ｂ）・・
・の最外層の金属磁性１！！！　（２６’）　　（２６
’）・・・に食い込むように跨がって形成される。そし
て第８図に示すように上記コアブロック（４１）　　（
４２）の各切削溝（４７）（４７）・・・及びＶ溝（４
５）を低融点ガラス（３２）（３２）・・・及び（２５
）でガラスモールドし、その後コアブロック（４１）　
　（４２）のいずれか一方の内側面にギャップスペーサ
となる５ｉ０２等の非磁性体薄膜（図示せず）を被着形
成する。その後、第９図に示すようにコアブロック（４
１）（４２）の内側面を突合わせて加熱し、切削溝（４
７）　　（４７）・・・及び■溝（４５）の低融点ガラ
ス（３２）　　（３２）・・・及び（２５）を溶融させ
てコアブロック（４１）　　（４２）を接合一体化する
。そして、図中鎖線で示すようにコアブロック（４１）
（４２）をその短手方向に沿って切削溝（４７）（４７
）・・・ごとにスライスして第１図及び第２図に示すコ
アチップ（２０）を得る。

〔発明の効果〕

本発明に係る磁気ヘッドによれば、磁気ギャップのトラ
ック幅を、ラミネート層の両側方から最外層の金属磁性
膜に食い込んだ切削溝により規制することにより、その
切削溝の加工精度によって高精度のトラック幅設定が実
現でき、而も、上記最外層の金属磁性膜が厚膜であるた
め、そのトラック幅調整も容易となる。また、上記切削
溝に低融点ガラスを充填したガラス溜り部でコアを接合
一体化するため、チップ強度も大幅に向上して信頼性の
高い良品質の磁気ヘッドを提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る磁気ヘッドの一実施例を示す斜視
図、第２図は第１図の磁気ヘッドの拡大部分平面図であ
る。第３図乃至第９図は第１図の磁気ヘッドの製造方法を説
明するための母材及びコア°ブロックを示す各斜視図で
ある。第１０図は積層型磁気ヘッドの従来例を示す斜視図、第
１１図は第１Ｏ図の磁気ヘッドの拡大部分平面図である
。（２０）−・−コアチップ、　　（２１）　　（２２）
・・−コア、（２６）　　（２６’）・−金属磁性膜、
（２７）　−・絶縁薄膜、（２８）−・・ラミネート層
、（２９）　−非磁性体基板、（３０）・・−ガラス溜
り部、（３２）　−低融点ガラス、ｇ　・・−磁気ギャ
ップ、　Ｔ　−・−トラ、り幅。特　許　出　願　人　　関西日本電気株式会社・代　　
　　理　　　　人　　江　　原　　省　　吾第３図第４図第１図２６　　ラミ半一１−Ａ２９°ｑｐ醒古ψＵ欠３ｏｚ　力パクスジＣ＃・ノ叶３２：　イも融！Ｌ刀゛２ス、第５図第６図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）高飽和磁束密度を有する金属磁性膜と絶縁薄膜と
を交互に積層したラミネート層の最外層の金属磁性膜を
厚膜にし、上記ラミネート層を非磁性体基板で挾み込ん
だ一対のコアを接合一体化したコアチップの接合部位に
、その両側方から最外層の金属磁性膜に食い込んだ切削
溝に低融点ガラスを充填したガラス溜り部を設けて所定
のトラック幅の磁気ギャップを形成したことを特徴とす
る磁気ヘッド。