JPH02202029A - 化合物半導体装置 - Google Patents

化合物半導体装置

Info

Publication number
JPH02202029A
JPH02202029A JP1022095A JP2209589A JPH02202029A JP H02202029 A JPH02202029 A JP H02202029A JP 1022095 A JP1022095 A JP 1022095A JP 2209589 A JP2209589 A JP 2209589A JP H02202029 A JPH02202029 A JP H02202029A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
ingaas
semiconductor device
compound semiconductor
composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1022095A
Other languages
English (en)
Inventor
Masamichi Ogawa
小川　正道
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP1022095A priority Critical patent/JPH02202029A/ja
Priority to US07/468,357 priority patent/US5099295A/en
Priority to EP90300867A priority patent/EP0381396A1/en
Publication of JPH02202029A publication Critical patent/JPH02202029A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/201—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including two or more compounds, e.g. alloys
    • H01L29/205—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including two or more compounds, e.g. alloys in different semiconductor regions, e.g. heterojunctions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
    • H01L29/7783—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、化合物半導体装置に関し、特に、２次元電子
ガスを用いた化合物半導体装置に関するものである。
〔発明の概要〕
本発明は、チャネル層と電子供給層とを有する２次元電
子ガスを用いた化合物半導体装置において、上記チャネ
ル層と上記電子供給層との界面の近傍の上記チャネル層
をグレーディッド層とすることによって、特性が良好で
しかも製造が容易な化合物半導体装置を実現することが
できるようにしたものである。
〔従来の技術〕
従来、２次元電子ガス（２０ＥＧ）を用いた化合物半導
体装置として、高電子移動度トランジスタ（Ｈｉｇｈ　
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｏｂｉｌｉｔｙ　Ｔｒａｎｓｉｓ
ｔｏｒ　、　ＨＥＭＴ）が知られている。このＨＥＭＴ
は、チャネル層と電子供給層とのへテロ界面の近傍のチ
ャネル層中に形成される２ＤＥＣをチャネルとして用い
るものであり、電子供給層及びチャネル層としてそれぞ
れｎ型Ａ　ｌＧａＡｓ層及びアンドープＧａＡｓ層を用
いたｎ型＾ｌＧａＡｓ　／　ＧａＡｓ　ＨＥ　Ｍ　Ｔが
最もよく知られている。
近年、このｎ型ＡｌＧａＡｓ／　ＧａＡｓ　ＨＥ　Ｍ　
Ｔにおいて、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層とＧａＡｓ層との間に
ＧａＡｓよりも電子親和力の大きい一定組成のｆｎＧａ
Ａｓ層を介在させることによりｎ型Ａ　ｌＧａＡｓ　／
　ＧａＡｓヘテロ界面における伝導帯端（Ｅ、）の段差
ΔＥｃを大きくし、これによって２ＤＥＣ密度ｎ、の増
大を図る提案がなされている。この場合、ＩｎＧａＡｓ
の格子定数はＧａＡｓの格子定数よりも大きいため、Ｉ
ｎＧａＡｓ層とＧａＡｓｊｌとの間には格子のミスマツ
チが存在する。この結果、このＩｎＧａＡｓ層には格子
歪みが生じている。このような理由により、このＩｎＧ
ａＡｓ層は歪層（ｐｓｅｕｄｏｍ。
ｒｐｈｉｃ層）と呼ばれている。このＩｎＧａＡｓ層は
、その組成に応じて決まる臨界膜厚と呼ばれる値以上の
厚さにすると、このＩｎＧａＡｓ層とＧａＡｓ層との界
面にミスフィツト転位が発生してしまうため、このミス
フィツト転位の発生を抑えるためにこのＩｎＧａＡｓ層
の厚さは臨界膜厚以下とする必要がある。
ところで、ＨＥＭＴの特性向上を図るためには、２ＤＥ
Ｃ密度ｎ、及び電子の飽和速度Ｖ、を大きくする必要が
ある。上述のように一定組成のＩｎＧａＡｓ層を歪層と
して用いる場合には、Ｉｎ組成が大きいほど２ＤＥＣ密
度ｎ３及び飽和速度Ｖ、が大きくなり有利であるが、一
方では次のような問題がある（Ｊｐｎ、　Ｊ、　Ａｐｐ
ｌ、　Ｐｈｙｓ、　■（１９８７）５３９）。
１　）　ＩｎＭｉ成が大きいほど臨界膜厚が小さくなる
。
例えば、Ｉｎ組成が２０％のとき臨界膜厚は２００Å以
下であると言われている。
２　）　ＩｎＧａＡｓ層の厚さを臨界膜厚以下の値にし
た結果、このＩｎＧａＡｓ層の厚さが量子効果を伴うほ
どの値（＜２００人）になると量子準位が大きくなるた
め、Ｉｎ組成を大きくしても２ＤＥＣ密度ｎ。
が大きくならない。
〔発明が解決しようとする課題〕
以上のことから、ＩｎＧａＡｓ層を歪層として用いた従
来のｎ型へ１ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭ
Ｔでは、２ＤＥＣ密度ｎ１を最大にしようとすると、Ｉ
ｎＧａＡｓ層のＩｎ組成は１５〜２０％、厚さは２００
〜１５０人に決まってしまう。このため、これらのＩｎ
組成及び厚さの選択の自由度は小さい。また、このｎ型
ＡｌＧａＡｓ／　ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ　ＨＥ　Ｍ　
Ｔでは、ｎ型ＡｌＧａＡｓ／　ＩｎＧａＡｓヘテロ接合
とＩｎＧａＡｓ　／　ＧａＡｓ　ヘテロ接合とのダブル
へテロ接合により形成された量子井戸内に電子が閉じ込
められて２ＤＥＣが形成されるので、このダブルへテロ
接合にアロイクラスタ等の欠陥や他の散乱体が存在した
場合には、それらの影響でＨＥＭＴの特性劣化が生じや
すい。
さらに、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法を用いてＨＥ
ＭＴを製造する場合、ＩｎＧａＡｓ層の成長温度はＧａ
Ａｓ層やＡｌＧａＡｓ層の成長温度よりも約１００°Ｃ
程度低くする必要があるが、このためには例えばＧａＡ
ｓ層を成長させた後に直ちに成長温度を約１００°Ｃ程
度下げてからＩｎＧａＡｓ層の成長を行う必要がある。
ところが、成長温度を急激にしかも制御性良く変化させ
ることは簡単ではない。この成長温度の制御性が悪いと
、上述のダブルへテロ接合のへテロ界面にアロイクラス
タ等が形成されてＨＥＭＴの特性劣化が生じるおそれが
あるため、これを防止するために成長温度の制御には十
分な注意を払わなければならなかった。また、ＩｎＧａ
Ａｓ層の厚さは上述のように２００〜１５０人と小さい
ので、このＩｎＧａＡｓ層を厚さの制御性良く成長させ
ることは難しい。
従って本発明の目的は、特性が良好でしかも製造が容易
な化合物半導体装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明は、チャネル層（２
）と電子供給層（３）とを有する２次元電子ガス（９）
を用いた化合物半導体装置において、チャネル層（２）
と電子供給層（３）との界面の近傍のチャネル層（２）
をグレーディッド層（８）としている。
ここで、グレーディッド層（ｇｒａｄｅｄ　１ａｙｅｒ
）（８）とは、組成が連続的に変化している層のことを
言う。ここでは、このグレーディッド層（８）はチャネ
ル層（２）との界面ではこのチャネル層（２）と同一組
成であるが、その組成は電子供給層（３）に向かって伝
導帯端Ｅｃが低（なるように連続的に変化している。こ
のグレーディッド層（８）が歪層を構成する。
〔作用〕
上記した手段によれば、チャネル層（２）と電子供給層
（３）との界面の近傍のチャネル層（２）をグレーディ
ッド層（８）としているので、このグレーディッド層（
８）を歪層として用いることにより、従来のように一定
組成の歪層を用いた場合に比べて歪層の臨界膜厚が大き
くなる。このため、従来の一定組成の歪層に比べて歪層
の厚さを大きくすることができる。これによって、例え
ばＭＢＥ法により歪層を成長させる場合にその厚さの制
御を容易に行うことができる。また、従来のように歪層
を成長させる場合に成長温度を急激に変える必要もなく
なる。さらに、この化合物半導体装置には、電子供給層
（３）とグレーディト層（８）との単一のへテロ接合し
か存在しないので、ダブルへテロ接合を有する上述の従
来のＨＥＭＴのようにアロイクラスタ等による影響を受
けにくく、従ってこれによる化合物半導体装置の特性劣
化も生じにくい。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。この実施例は、歪層としてＩｎＧａＡｓ層を用
いたｎ型Ａ　ｌＧａＡｓ　／　ＩｎＧａＡｓ　／　Ｇａ
Ａｓ　ＨＥ　Ｍ　Ｔに本発明を適用した実施例である。
第１図に示すように、この実施例による）ＩＥＭＴにお
いては、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にチャネル層を構成
するアンドープＧａＡｓ層２、電子供給層を構成するｎ
型ＡｌＧａＡｓ層（例えば、ｎ型Ａ１６．３　Ｇａｏ、
７Ａｓ層）３及びキャップ層を構成するアンドープＧａ
Ａｓ層４が順次形成されている。このｎ型ＡｌＧａＡｓ
層３の厚さは例えば７００人程度である。また、アンド
ープＧａＡｓ層４上には、ショットキーゲート電極５が
形成されている。符号６．７はそれぞれソース電極及び
ドレイン電極を示す。
この実施例においては、アンドープＧａＡｓ層２とｎ型
ＡｌＧａＡｓ層３との界面の近傍のアンドープＧａＡｓ
層２中にＩｎＧａＡｓ層８が形成されている。このＩｎ
ＧａＡｓ層８の厚さは例えば５００人程度である。第３
図に示すように、このＩｎＧａＡｓ層８のＩｎ組成は、
アンドープＧａＡｓ層２からｎ型ＡｌＧａＡｓ層３に向
かって０から例えば２０％まで線形に連続的に変化して
いる。また、符号９は２　ＤＥＣ，を示す、この２ＤＥ
Ｇ９は、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層３とＩｎＧａＡｓ層８との
へテロ界面の近傍のＩｎＧａＡｓ層８中に形成されてい
る。
次に、上述のように構成された本実施例によるＨＥＭＴ
の製造方法の一例について説明する。
第１図に示すように、まず半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に
例えばＭＢＥ法によりアンドープＧａＡｓ層２を成長さ
せる。次に、引き続きこのアンドープＧａＡｓ層２上に
ＩｎＧａＡｓ層８を成長させる。この場合、このＩｎＧ
ａＡｓ層８をグレーディッド層とするために、Ｉｎの分
子線源を構成する例えばクヌードセンセルの温度を成長
中に例えば線形に徐々に高くし、このＩｎＧａＡｓｊｉ
ｉ　８が目的とする厚さになった時点でＩｎ組成が例え
ば２０％になるようにする。これによって、第３図に示
すようなＩｎ組成分布を有するＩｎＧａＡｓ層８が成長
される。また、アンドープＧａＡｓ層２の成長を終えた
後にこのＩｎＧａＡｓ層８の成長を行う場合、従来のよ
うにＩｎ組成が一定なＩｎＧａＡｓ層を用いる場合に比
べて成長温度の下げ方はゆっくりでよい。次に、引き続
きこのＩｎＧａＡｓ層８上にＭＢＥ法により例えばＳｔ
ドープのｎ型ＡｌＧａＡｓ層３を成長させた後、このｎ
型ＡｌＧａＡｓ層３上にアンドープＧａＡｓ層４を成長
させる０次に、このアンドープＧａＡｓ層４上に例えば
蒸着法によりオーミック金属膜を形成し、このオーミッ
ク金属膜を所定形状にパターンニングした後、熱処理を
行うことにより二〇オーミック金属膜とアンドープＧａ
Ａｓ層４、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層３、ＩｎＧａＡｓ層８及
びアンドープＧａＡｓ層２とを合金化させてソース電極
６及びドレイン電極７を形成する。この後、アンドープ
ＧａＡｓ層４上にショットキーゲート電極５を形成して
、目的とするＨＥＭＴを完成させる。
なお、ソース電極６及びドレイ、ン電極７とショットキ
ーゲート電極５との形成順序は逆にすることも可能であ
る。
第２図は、この実施例によるＨＥＭＴのエネルギーバン
ド構造を示す、なお、第２図において、Ｅｖは価電子帯
端を示す。第２図に示すように、このＨＥＭＴにおいて
は、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層３とＩ　ｎＧａＡｓ層８とのへ
テロ界面の近傍のＩｎＧａＡｓ層８中に逆三角形状の深
い量子井戸が形成されており、この量子井戸内に２０Ｅ
Ｃ；９が形成されている・この場合、ＩｎＧａＡｓ層８
はアンドープＧａＡｓ層２との界面７４よ１ｎ組成が０
％・すなわち実際に番よＧａＡｓ層であるので、このＩ
ｎＧａＡｓ層８のエネルギーバンドはアンドープＧａＡ
ｓ層２のエネルギーバンドと連続的につながっている。
一方、比較のために、Ｉｎ組成が一定のＩｎＧａＡｓ層
を歪層として用いた従来のｎ型ＡｌＧａＡｓ／　ＩｎＧ
ａＡｓ／ＧａＡｓ　ＨＥ　Ｍ　Ｔのエネルギーバンド構
造を第４図に示す。また、この場合のＩｎ組成分布を第
５図に示す。
この実施例によれば、歪層としてのＩｎＧａＡｓ層８を
そのＩｎ組成がアンドープＧａＡｓ層２からｎ型ＡｌＧ
ａＡｓＮ３に向かって線形に連続的に変化するグレーデ
ィッド層としているので、第４図及び第５図に示すよう
にＩｎ組成が一定のＩｎＧａＡｓ層を歪層として用いた
従来のＨＥＭＴでは臨界膜厚による制約によりＩｎＧａ
Ａｓ層の厚さを２００〜１５０人程度に小さくする必要
があったのに対し、この実施例の場合にはこのＩｎＧａ
Ａｓ層８の厚さを例えば約５００人程度に大きくするこ
とができる。このため、このＩｎＧａＡｓ層８の厚さの
制御性は従来に比べて良好である。また、アンドープＧ
ａＡｓ層２の成長を終えた後にこのＩｎＧａＡｓ層８を
成長させる場合には、従来のように成長温度を急激に低
くする必要がなく、成長温度は従来に比べてゆっくりと
低くすればよい。
さらに、ＩｎＧａＡｓ層８とアンドープＧａＡｓ層２と
の接合はへテロ接合ではなくホモ接合であるので、この
実施例によるＨＥＭＴにはｎ型ＡｌＧａＡｓ層３とＩｎ
ＧａＡｓ層８との単一のへテロ接合しか存在しない。
従って、従来に比べてアロイクラスタ等による影響を受
けにくくなるので、これによるＨＥＭＴの特性劣化を防
止することができる。
また、量子井戸を構成するＩｎＧａＡｓ層８の厚さが従
来に比べて大きいので、従来に比べて２　ＤＥＧ９の密
度ｎ、の増大を図ることができる（第２図及び第４図参
照）。
以上のように、この実施例によれば、２　ＤＥＣ密度密
度が高い特性が良好なＨＥＭＴを実現することができる
とともに、従来に比べて製造も容易に行うことができる
。
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本発
明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施例においては、ＩｎＧａＡｓ層８の
Ｉｎ組成を線形に変化させているが、アンドープＧａＡ
ｓ層２からｎ型ＡｌＧａＡｓ層３に向かってＩｎ組成が
単調に増加するようなＩｎ組成分布ならばどのような分
布にすることも可能である。具体的には、例えばＩｎ組
成の分布曲線が上に凸または上に凹となるようにするこ
とが可能である。この場合、ＩｎＧａＡｓ層８の厚さは
、このＩｎ組成の分布曲線に応じて決まってくる。Ｉｎ
組成の分布曲線が例えば上に凸の場合には、ＩｎＧａＡ
ｓ層８のエネルギーバンドの傾斜が大きくなるので、Ｉ
ｎＧａＡｓ層を用いないｎ型ＡｌＧａＡｓ　／　ＧａＡ
ｓ　ＨＥ　Ｍ　Ｔに比べるとショートチャネル効果が生
じるおそれが少なくなるという利点がある。
また、上述の実施例においては、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層３
との界面でのＩｎＧａＡｓ層８のＩｎ組成を２０％とし
ているが、このＩｎ組成は２０％以外の値にすることが
可能であることは言うまでもない。さらに、アンドープ
ＧａＡｓ層２、ＩｎＧａＡｓ層８、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層
３及びアンドープＧａＡｓ層４の成長は、ＭＢＥ法以外
の方法、例えば有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用
いて行うことも可能である。
また、上述の実施例のＨＥＭＴはいわゆる順（または正
）ＨＥＭＴであるが、本発明は、アンドープＧａＡｓ層
２とｎ型ＡｌＧａＡｓ層３との積層順序が第１図と逆で
あるいわゆる逆ＨＥＭＴに適用することも可能である。
さらに、本発明は、上述の実施例のようにｎ型ＡｌＧａ
Ａｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴばかりでなく、
例えばｎ型ＩｎＧａ　Ｐ　／　ＩｎＧａＡｓ　／　Ｇａ
ＡｓＨＥＭＴのような各種の半導体へテロ接合を用いた
ＨＥＭＴに適・用することが可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、チャネル層と電
子供給層との界面の近傍のチャネル層をグレーディッド
層としているので、特性が良好でしかも製造が容易な化
合物半導体装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例によるｎ型ＡｌＧａＡｓ／Ｉ
ｎＧａＡｓ　／　ＧａＡｓ　ＨＥ　Ｍ　Ｔを示す断面図
、第２図は第１図に示すＨＥＭＴのエネルギーバンド構
造を示すエネルギーバンド図、第３図は第１図に示すＨ
ＥＭＴにおけるＩｎＧａＡｓ層のＩｎ組成分布を示すグ
ラフ、第４図はＩｎ組成が一定のＩｎＧａＡｓ層を歪層
として用いた従来のｎ型＾ｌＧａＡｓ　／　ＩｎＧａＡ
ｓ　／　ＧａＡｓ　ＨＥ　ＭＴのエネルギーバンド構造
を示すエネルギーバンド図、第５図は第４図に示すＨＥ
ＭＴにおけるＩｎＧａＡｓ層のＩｎ！成分布を示すグラ
フである。 ５ニジヨツトキーゲート電極、　　６：ソース電極、７
：ドレイン電極、　　８　：　ＩｎＧａＡｓ層、　　９
：２ＤＥＣ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 チャネル層と電子供給層とを有する２次元電子ガスを用
    いた化合物半導体装置において、 上記チャネル層と上記電子供給層との界面の近傍の上記
    チャネル層をグレーディッド層としたことを特徴とする
    化合物半導体装置。
JP1022095A 1989-01-31 1989-01-31 化合物半導体装置 Pending JPH02202029A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1022095A JPH02202029A (ja) 1989-01-31 1989-01-31 化合物半導体装置
US07/468,357 US5099295A (en) 1989-01-31 1990-01-22 Compound semiconductor device which utilizes an electron supply layer which has a graded composition so that a constituent varies in percentage composition from one side to the other
EP90300867A EP0381396A1 (en) 1989-01-31 1990-01-26 Compound semiconductor devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1022095A JPH02202029A (ja) 1989-01-31 1989-01-31 化合物半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02202029A true JPH02202029A (ja) 1990-08-10

Family

ID=12073315

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1022095A Pending JPH02202029A (ja) 1989-01-31 1989-01-31 化合物半導体装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5099295A (ja)
EP (1) EP0381396A1 (ja)
JP (1) JPH02202029A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03205834A (ja) * 1990-01-05 1991-09-09 Hitachi Cable Ltd 電界効果トランジスタ

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2248966A (en) * 1990-10-19 1992-04-22 Philips Electronic Associated Field effect semiconductor devices
JP2786327B2 (ja) * 1990-10-25 1998-08-13 三菱電機株式会社 ヘテロ接合電界効果トランジスタ
US5206527A (en) * 1990-11-09 1993-04-27 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Field effect transistor
JPH0691249B2 (ja) * 1991-01-10 1994-11-14 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 変調ドープ形ｍｉｓｆｅｔ及びその製造方法
US5262660A (en) * 1991-08-01 1993-11-16 Trw Inc. High power pseudomorphic gallium arsenide high electron mobility transistors
JPH05102196A (ja) * 1991-10-03 1993-04-23 Rohm Co Ltd 電界効果トランジスタ
JPH05121453A (ja) * 1991-10-29 1993-05-18 Rohm Co Ltd 化合物半導体装置
FR2686455A1 (fr) * 1992-01-22 1993-07-23 Picogiga Sa Transistor a effet de champ a canal p a heterojonction, et circuit integre a transistors complementaires.
FR2694132B1 (fr) * 1992-07-21 1994-10-14 Picogiga Sa Transistor à effet de champ à canal p à puits quantique, et circuit intégré à transistors complémentaires.
JPH07506461A (ja) * 1992-01-22 1995-07-13 ピコジガ　エス．アー． 量子井戸ｐチャンネル電界効果トランジスタと、相補形トランジスタを有する集積回路
JPH06333956A (ja) * 1992-08-26 1994-12-02 Sanyo Electric Co Ltd 電界効果型半導体装置
JP3224437B2 (ja) * 1992-11-30 2001-10-29 富士通株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置
JPH0815213B2 (ja) * 1993-01-14 1996-02-14 日本電気株式会社 電界効果トランジスタ
US5841802A (en) * 1996-08-30 1998-11-24 Mcdonnell Douglas Corporation Multiple, isolated strained quantum well semiconductor laser
US5939764A (en) * 1997-04-23 1999-08-17 President And Fellows Of Harvard College Direct current voltage transformer
JP4186032B2 (ja) * 2000-06-29 2008-11-26 日本電気株式会社 半導体装置
JP4220683B2 (ja) * 2001-03-27 2009-02-04 パナソニック株式会社 半導体装置
US7692298B2 (en) * 2004-09-30 2010-04-06 Sanken Electric Co., Ltd. III-V nitride semiconductor device comprising a concave shottky contact and an ohmic contact
US20060148182A1 (en) * 2005-01-03 2006-07-06 Suman Datta Quantum well transistor using high dielectric constant dielectric layer
JP2007165446A (ja) * 2005-12-12 2007-06-28 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子のオーミックコンタクト構造
CN107731916B (zh) * 2017-10-12 2024-02-13 中国电子科技集团公司第十三研究所 半导体器件及利用异质结形成金刚石n型导电沟道的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4410065Y1 (ja) * 1966-06-29 1969-04-23
JPS641085U (ja) * 1987-06-18 1989-01-06

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0783107B2 (ja) * 1984-04-19 1995-09-06 日本電気株式会社 電界効果トランジスタ
US4827320A (en) * 1986-09-19 1989-05-02 University Of Illinois Semiconductor device with strained InGaAs layer
JPH01143270A (ja) * 1987-11-27 1989-06-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4410065Y1 (ja) * 1966-06-29 1969-04-23
JPS641085U (ja) * 1987-06-18 1989-01-06

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03205834A (ja) * 1990-01-05 1991-09-09 Hitachi Cable Ltd 電界効果トランジスタ

Also Published As

Publication number Publication date
US5099295A (en) 1992-03-24
EP0381396A1 (en) 1990-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02202029A (ja) 化合物半導体装置
US5907159A (en) Hot electron device and a resonant tunneling hot electron device
JPH06333937A (ja) バイポーラトランジスタ
US20040169194A1 (en) Semiconductor device
JPH07183494A (ja) ヘテロ接合ｆｅｔ
JPS6353711B2 (ja)
US6172420B1 (en) Silicon delta-doped gallium arsenide/indium arsenide heterojunction OHMIC contact
JPH0574819A (ja) 化合物半導体装置
JP2808671B2 (ja) 電界効果トランジスタ
JP2980630B2 (ja) 化合物半導体装置
JPH04343438A (ja) 電界効果トランジスタ
JPH0669248A (ja) 電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP3077670B2 (ja) ヘテロ接合電界効果トランジスタ
TWI495099B (zh) 具高電流增益之異質接面雙極電晶體結構及其製程方法
JP2708492B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0574813A (ja) 化合物半導体装置
JPH08250711A (ja) 化合物半導体装置
JPS609174A (ja) 半導体装置
JPH07211729A (ja) ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法
van der Zanden et al. Comparison of Metamorphic InGaAs/InAlAs HEMT’s on GaAs with InP based LM HEMT’s
JPH01199474A (ja) ヘテロ接合型電界効果トランジスタ
JP2800457B2 (ja) 半導体装置
JPS63172A (ja) 半導体装置
JP2890885B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH09172165A (ja) 電界効果トランジスタおよびその製造方法