JPH07211729A - ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法Info
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- JPH07211729A JPH07211729A JP695394A JP695394A JPH07211729A JP H07211729 A JPH07211729 A JP H07211729A JP 695394 A JP695394 A JP 695394A JP 695394 A JP695394 A JP 695394A JP H07211729 A JPH07211729 A JP H07211729A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、ベース電極のコンタクト抵抗を低減
し、電流利得を高く維持することができるＨＢＴ及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】ｎ型ＧａＡｓコレクタ層１０上のｐ型ＧａＡｓ
ベース層１２中央部に、濃度１×１０20ｃｍ-3のカーボ
ンが添加された真性ベース領域１２ａが形成されている
が、このカーボンは水素によりバッシベーションされて
いるため、正孔濃度は５×１０19ｃｍ-3である。ｐ型Ｇ
ａＡｓベース層１２周囲の表面部には、同じく濃度１×
１０20ｃｍ-3のカーボンが添加されたｐ++型ＧａＡｓ外
部ベース領域１２ｂが形成されているが、このカーボン
はほぼ１００％活性化しているため、正孔濃度は１×１
０20ｃｍ-3になっている。真性ベース領域１２ａ上に、
ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４がヘテロ接合して形成
され、ｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域１２ｂ上に、ベー
ス電極２２がオーミック接触して形成されている。
し、電流利得を高く維持することができるＨＢＴ及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】ｎ型ＧａＡｓコレクタ層１０上のｐ型ＧａＡｓ
ベース層１２中央部に、濃度１×１０20ｃｍ-3のカーボ
ンが添加された真性ベース領域１２ａが形成されている
が、このカーボンは水素によりバッシベーションされて
いるため、正孔濃度は５×１０19ｃｍ-3である。ｐ型Ｇ
ａＡｓベース層１２周囲の表面部には、同じく濃度１×
１０20ｃｍ-3のカーボンが添加されたｐ++型ＧａＡｓ外
部ベース領域１２ｂが形成されているが、このカーボン
はほぼ１００％活性化しているため、正孔濃度は１×１
０20ｃｍ-3になっている。真性ベース領域１２ａ上に、
ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４がヘテロ接合して形成
され、ｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域１２ｂ上に、ベー
ス電極２２がオーミック接触して形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ヘテロ接合バイポーラ
トランジスタ（Hetero-junction Bipolar Transistor；
ＨＢＴ）及びぞの製造方法に関する。エミッタにワイド
バンドギャップの半導体を用いるＨＢＴは、エミッタ注
入効率が高く、電流利得が高いこと、また高い電流利得
を維持しつつベース抵抗を小さくすることができること
から、超高速デバイスとして有望である。従って、その
応用は、超高速デジタル集積回路やマイクロ波アナログ
集積回路、更に光信号増幅デバイス等へ広がっている。
トランジスタ（Hetero-junction Bipolar Transistor；
ＨＢＴ）及びぞの製造方法に関する。エミッタにワイド
バンドギャップの半導体を用いるＨＢＴは、エミッタ注
入効率が高く、電流利得が高いこと、また高い電流利得
を維持しつつベース抵抗を小さくすることができること
から、超高速デバイスとして有望である。従って、その
応用は、超高速デジタル集積回路やマイクロ波アナログ
集積回路、更に光信号増幅デバイス等へ広がっている。
【０００２】
【従来の技術】従来のＨＢＴを、図５に示す断面図を用
いて説明する。半絶縁性ＧａＡｓ基板（図示せず）上
に、ｎ+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層２８が形成され、こ
のｎ+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層２８上に、ｎ型ＧａＡ
ｓコレクタ層３０が形成されている。尚、このｎ型Ｇａ
Ａｓコレクタ層３０は、ｉ型ＧａＡｓコレクタ層であっ
てもよい。
いて説明する。半絶縁性ＧａＡｓ基板（図示せず）上
に、ｎ+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層２８が形成され、こ
のｎ+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層２８上に、ｎ型ＧａＡ
ｓコレクタ層３０が形成されている。尚、このｎ型Ｇａ
Ａｓコレクタ層３０は、ｉ型ＧａＡｓコレクタ層であっ
てもよい。
【０００３】また、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層３０上に、
ｐ型ＧａＡｓベース層３２が形成されている。また、こ
のｐ型ＧａＡｓベース層３２上に、ｐ型ＧａＡｓベース
層３２より広いバンドギャップをもつｎ型ＡｌＧａＡｓ
エミッタ層３４が形成され、このｎ型ＡｌＧａＡｓエミ
ッタ層３４上に、ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコンタクト層
３６が形成されている。
ｐ型ＧａＡｓベース層３２が形成されている。また、こ
のｐ型ＧａＡｓベース層３２上に、ｐ型ＧａＡｓベース
層３２より広いバンドギャップをもつｎ型ＡｌＧａＡｓ
エミッタ層３４が形成され、このｎ型ＡｌＧａＡｓエミ
ッタ層３４上に、ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコンタクト層
３６が形成されている。
【０００４】また、このｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコンタ
クト層３６上に、エミッタ電極３８が形成され、ｐ型Ｇ
ａＡｓベース層３２上に、ベース電極４０が形成され、
ｎ+型ＧａＡｓサブコレクタ層２８上に、コレクタ電極
（図示せず）が形成されている。
クト層３６上に、エミッタ電極３８が形成され、ｐ型Ｇ
ａＡｓベース層３２上に、ベース電極４０が形成され、
ｎ+型ＧａＡｓサブコレクタ層２８上に、コレクタ電極
（図示せず）が形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような上記従来の
ＨＢＴにおいて、更なる高速化を図る１つの手段として
ベース抵抗、主にベース電極４０とｐ型ＧａＡｓベース
層３２とのコンタクト抵抗を低減することが考えられ
る。このために、ｐ型ＧａＡｓベース層３２を形成する
際に、例えばガスソース分子線エピタキシー（ＧＳＭＢ
Ｅ）法を用いて、ＧａＡｓ層に１０20ｃｍ-3のオーダー
の超高濃度のｐ型不純物、例えばカーボンをドーピング
して、ｐ++型ＧａＡｓベース層とすることが可能である
が、ベース層全体の正孔濃度が高濃度になることから、
ｐ++型ＧａＡｓベース層中での再結合電流が増加して、
高電流利得を維持することが困難になる。
ＨＢＴにおいて、更なる高速化を図る１つの手段として
ベース抵抗、主にベース電極４０とｐ型ＧａＡｓベース
層３２とのコンタクト抵抗を低減することが考えられ
る。このために、ｐ型ＧａＡｓベース層３２を形成する
際に、例えばガスソース分子線エピタキシー（ＧＳＭＢ
Ｅ）法を用いて、ＧａＡｓ層に１０20ｃｍ-3のオーダー
の超高濃度のｐ型不純物、例えばカーボンをドーピング
して、ｐ++型ＧａＡｓベース層とすることが可能である
が、ベース層全体の正孔濃度が高濃度になることから、
ｐ++型ＧａＡｓベース層中での再結合電流が増加して、
高電流利得を維持することが困難になる。
【０００６】従って、プロセス中にＧＳＭＢＥ法を用い
て、ｐ型ＧａＡｓベース層３２のベース電極４０に接触
する外部ベース領域のみに超高濃度のｐ++型ＧａＡｓ層
を選択的に再成長させ、ベース電極４０とのコンタクト
抵抗を低減することが考えられる。しかし、この場合、
ｐ++型ＧａＡｓ層を再成長させる再成長界面に自然酸化
膜が残留したり、その界面が不純物で汚染されたりする
等の問題が生じる。
て、ｐ型ＧａＡｓベース層３２のベース電極４０に接触
する外部ベース領域のみに超高濃度のｐ++型ＧａＡｓ層
を選択的に再成長させ、ベース電極４０とのコンタクト
抵抗を低減することが考えられる。しかし、この場合、
ｐ++型ＧａＡｓ層を再成長させる再成長界面に自然酸化
膜が残留したり、その界面が不純物で汚染されたりする
等の問題が生じる。
【０００７】また、ｐ型ＧａＡｓベース層３２の外部ベ
ース領域のみに、例えばＺｎ、Ｂｅ等のｐ型不純物イオ
ンを選択的に注入して、ｐ++型ＧａＡｓ層を形成するこ
とも可能である。しかし、この場合、結晶成長させたｎ
型ＧａＡｓコレクタ層３０やｐ型ＧａＡｓベース層３２
にイオン注入によるダメージが生じるという問題があ
る。
ース領域のみに、例えばＺｎ、Ｂｅ等のｐ型不純物イオ
ンを選択的に注入して、ｐ++型ＧａＡｓ層を形成するこ
とも可能である。しかし、この場合、結晶成長させたｎ
型ＧａＡｓコレクタ層３０やｐ型ＧａＡｓベース層３２
にイオン注入によるダメージが生じるという問題があ
る。
【０００８】このため、ｐ++型ＧａＡｓ層の再成長やｐ
型不純物のイオン注入によるｐ++型ＧａＡｓ層の形成の
代わりに、素子特性に悪影響を及ぼすことなく、ベース
電極４０とｐ型ＧａＡｓベース層３２とのコンタクト抵
抗を低減する方法を開発することが課題となっていた。
そこで本発明は、ベース電極のコンタクト抵抗を低減
し、電流利得を高く維持することができるＨＢＴ及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
型不純物のイオン注入によるｐ++型ＧａＡｓ層の形成の
代わりに、素子特性に悪影響を及ぼすことなく、ベース
電極４０とｐ型ＧａＡｓベース層３２とのコンタクト抵
抗を低減する方法を開発することが課題となっていた。
そこで本発明は、ベース電極のコンタクト抵抗を低減
し、電流利得を高く維持することができるＨＢＴ及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題は、III-Ｖ族化
合物半導体を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ
において、ベース層のうち、ベース電極と接触する外部
ベース領域の少なくとも表面層に、カーボンが添加さ
れ、エミッタ層とヘテロ接合する真性ベース領域に、水
素によりパッシベーションされたカーボンが添加されて
おり、前記外部ベース領域の少なくとも表面層の正孔濃
度が、前記真性ベース領域の正孔濃度より高濃度である
ことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタに
よって達成される。
合物半導体を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ
において、ベース層のうち、ベース電極と接触する外部
ベース領域の少なくとも表面層に、カーボンが添加さ
れ、エミッタ層とヘテロ接合する真性ベース領域に、水
素によりパッシベーションされたカーボンが添加されて
おり、前記外部ベース領域の少なくとも表面層の正孔濃
度が、前記真性ベース領域の正孔濃度より高濃度である
ことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタに
よって達成される。
【００１０】また、上記課題は、III-Ｖ族化合物半導体
を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
ベース層が、コレクタ層上に形成され第１ベース層と前
記第１ベース層上に形成された第２ベース層とからなる
２層構造であり、前記第１ベース層には、カーボンが添
加されており、前記第２ベース層のうち、ベース電極と
接触する外部ベース領域には、カーボンが添加され、エ
ミッタ層とヘテロ接合する真性ベース領域には、水素に
よりパッシベーションされたカーボンが添加されてお
り、前記外部ベース領域の正孔濃度が、前記真性ベース
領域の正孔濃度より高濃度であることを特徴とするヘテ
ロ接合バイポーラトランジスタによって達成される。
を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
ベース層が、コレクタ層上に形成され第１ベース層と前
記第１ベース層上に形成された第２ベース層とからなる
２層構造であり、前記第１ベース層には、カーボンが添
加されており、前記第２ベース層のうち、ベース電極と
接触する外部ベース領域には、カーボンが添加され、エ
ミッタ層とヘテロ接合する真性ベース領域には、水素に
よりパッシベーションされたカーボンが添加されてお
り、前記外部ベース領域の正孔濃度が、前記真性ベース
領域の正孔濃度より高濃度であることを特徴とするヘテ
ロ接合バイポーラトランジスタによって達成される。
【００１１】また、上記のヘテロ接合バイポーラトラン
ジスタにおいて、前記第１ベース層に添加されたカーボ
ン濃度が、前記第２ベース層に添加されたカーボン濃度
より低濃度であることが望ましい。また、上記課題は、
III-Ｖ族化合物半導体を用いたヘテロ接合バイポーラト
ランジスタの製造方法において、コレクタ層上に、水素
によりパッシベーションされたカーボンを添加したｐ型
ベース層、及び前記ｐ型ベース層より広いバンドギャッ
プをもつｎ型エミッタ層を順に積層する工程と、前記ｎ
型エミッタ層をメサエッチングして、前記ｐ型ベース層
の外部ベース領域を露出させる工程と、アニール処理を
行い、露出した前記外部ベース領域に添加された前記水
素によりパッシベーションされたカーボンを活性化し
て、前記外部ベース領域の少なくとも表面層の正孔濃度
を、前記ｐ型ベース層の前記ｎ型エミッタ層とヘテロ接
合する真性ベース領域の正孔濃度より高濃度にする工程
と、前記外部ベース領域上にベース電極を形成する工程
とを有することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトラ
ンジスタの製造方法によって達成される。
ジスタにおいて、前記第１ベース層に添加されたカーボ
ン濃度が、前記第２ベース層に添加されたカーボン濃度
より低濃度であることが望ましい。また、上記課題は、
III-Ｖ族化合物半導体を用いたヘテロ接合バイポーラト
ランジスタの製造方法において、コレクタ層上に、水素
によりパッシベーションされたカーボンを添加したｐ型
ベース層、及び前記ｐ型ベース層より広いバンドギャッ
プをもつｎ型エミッタ層を順に積層する工程と、前記ｎ
型エミッタ層をメサエッチングして、前記ｐ型ベース層
の外部ベース領域を露出させる工程と、アニール処理を
行い、露出した前記外部ベース領域に添加された前記水
素によりパッシベーションされたカーボンを活性化し
て、前記外部ベース領域の少なくとも表面層の正孔濃度
を、前記ｐ型ベース層の前記ｎ型エミッタ層とヘテロ接
合する真性ベース領域の正孔濃度より高濃度にする工程
と、前記外部ベース領域上にベース電極を形成する工程
とを有することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトラ
ンジスタの製造方法によって達成される。
【００１２】また、上記課題は、III-Ｖ族化合物半導体
を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法
において、コレクタ層上に、カーボンを添加したｐ型第
１ベース層、水素によりパッシベーションされたカーボ
ンを添加したｐ型第２ベース層、並びに前記ｐ型第１ベ
ース層及び前記ｐ型第２ベース層より広いバンドギャッ
プをもつｎ型エミッタ層を順に積層する工程と、前記ｎ
型エミッタ層をメサエッチングして、前記ｐ型第２ベー
ス層の外部ベース領域を露出させる工程と、アニール処
理を行い、露出した前記ｐ型第２ベース層の前記外部ベ
ース領域に添加された前記水素によりパッシベーション
されたカーボンを活性化して、前記ｐ型第２ベース層の
前記外部ベース領域の正孔濃度を、前記ｐ型第２ベース
層の前記ｎ型エミッタ層とヘテロ接合する真性ベース領
域の正孔濃度より高濃度にする工程と、前記ｐ型第２ベ
ース層の前記外部ベース領域上に、ベース電極を形成す
る工程とを有することを特徴とするヘテロ接合バイポー
ラトランジスタの製造方法によって達成される。
を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法
において、コレクタ層上に、カーボンを添加したｐ型第
１ベース層、水素によりパッシベーションされたカーボ
ンを添加したｐ型第２ベース層、並びに前記ｐ型第１ベ
ース層及び前記ｐ型第２ベース層より広いバンドギャッ
プをもつｎ型エミッタ層を順に積層する工程と、前記ｎ
型エミッタ層をメサエッチングして、前記ｐ型第２ベー
ス層の外部ベース領域を露出させる工程と、アニール処
理を行い、露出した前記ｐ型第２ベース層の前記外部ベ
ース領域に添加された前記水素によりパッシベーション
されたカーボンを活性化して、前記ｐ型第２ベース層の
前記外部ベース領域の正孔濃度を、前記ｐ型第２ベース
層の前記ｎ型エミッタ層とヘテロ接合する真性ベース領
域の正孔濃度より高濃度にする工程と、前記ｐ型第２ベ
ース層の前記外部ベース領域上に、ベース電極を形成す
る工程とを有することを特徴とするヘテロ接合バイポー
ラトランジスタの製造方法によって達成される。
【００１３】また、上記のヘテロ接合バイポーラトラン
ジスタの製造方法において、前記ｐ型第１ベース層に添
加するカーボン濃度を、前記ｐ型第２ベース層に添加す
るカーボン濃度より低濃度にすることが望ましい。ま
た、上記のヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方
法において、前記ｐ型ベース層が、ＧａＡｓ層からな
り、前記水素によりパッシベーションされたカーボンを
添加したｐ型第２ベース層を形成する工程が、Ｇａ原料
としてトリメチルガリウムを，Ａｓ原料としてアルシン
を、カーボン原料としてカーボンテトラクロライドを用
いてｐ型ＧａＡｓベース層を形成する工程であることを
特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方
法によって達成される。
ジスタの製造方法において、前記ｐ型第１ベース層に添
加するカーボン濃度を、前記ｐ型第２ベース層に添加す
るカーボン濃度より低濃度にすることが望ましい。ま
た、上記のヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方
法において、前記ｐ型ベース層が、ＧａＡｓ層からな
り、前記水素によりパッシベーションされたカーボンを
添加したｐ型第２ベース層を形成する工程が、Ｇａ原料
としてトリメチルガリウムを，Ａｓ原料としてアルシン
を、カーボン原料としてカーボンテトラクロライドを用
いてｐ型ＧａＡｓベース層を形成する工程であることを
特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方
法によって達成される。
【００１４】また、上記のヘテロ接合バイポーラトラン
ジスタの製造方法において、前記ｐ型第１ベース層及び
前記ｐ型第２ベース層が、それぞれＧａＡｓ層からな
り、前記カーボンを添加したｐ型第１ベース層を形成す
る工程が、Ｇａ原料としてトリメチルガリウムを，Ａｓ
原料及びカーボン原料としてトリメチル砒素を用いてｐ
型ＧａＡｓ第１ベース層を形成する工程であり、前記水
素によりパッシベーションされたカーボンを添加したｐ
型第２ベース層を形成する工程が、Ｇａ原料としてトリ
メチルガリウムを，Ａｓ原料としてアルシンを、カーボ
ン原料としてカーボンテトラクロライドを用いてｐ型Ｇ
ａＡｓ第２ベース層を形成する工程であることを特徴と
するヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法によ
って達成される。
ジスタの製造方法において、前記ｐ型第１ベース層及び
前記ｐ型第２ベース層が、それぞれＧａＡｓ層からな
り、前記カーボンを添加したｐ型第１ベース層を形成す
る工程が、Ｇａ原料としてトリメチルガリウムを，Ａｓ
原料及びカーボン原料としてトリメチル砒素を用いてｐ
型ＧａＡｓ第１ベース層を形成する工程であり、前記水
素によりパッシベーションされたカーボンを添加したｐ
型第２ベース層を形成する工程が、Ｇａ原料としてトリ
メチルガリウムを，Ａｓ原料としてアルシンを、カーボ
ン原料としてカーボンテトラクロライドを用いてｐ型Ｇ
ａＡｓ第２ベース層を形成する工程であることを特徴と
するヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法によ
って達成される。
【００１５】
【作用】第１の発明は、同一濃度のカーボンが添加され
たｐ型ベース層のうち、外部ベース領域の少なくとも表
面層の正孔濃度が真性ベース領域の正孔濃度より高濃度
であることにより、真性ベース領域での再結合電流の増
加を防止しつつ、ベース電極と外部ベース領域とのコン
タクト抵抗を低減することができる。従って、ＨＢＴの
高電流利得を維持しつつ、その高速化を実現することが
可能になる。
たｐ型ベース層のうち、外部ベース領域の少なくとも表
面層の正孔濃度が真性ベース領域の正孔濃度より高濃度
であることにより、真性ベース領域での再結合電流の増
加を防止しつつ、ベース電極と外部ベース領域とのコン
タクト抵抗を低減することができる。従って、ＨＢＴの
高電流利得を維持しつつ、その高速化を実現することが
可能になる。
【００１６】また、第２の発明は、ベース層が第１ベー
ス層と第２ベース層とからなる２層構造であり、同一濃
度のカーボンが添加された第２ベース層のうち、外部ベ
ース領域の正孔濃度が真性ベース領域の正孔濃度より高
濃度であることにより、上記第１の発明と同様の作用が
可能になると共に、外部ベース領域を所望の厚さに制御
することが可能になる。
ス層と第２ベース層とからなる２層構造であり、同一濃
度のカーボンが添加された第２ベース層のうち、外部ベ
ース領域の正孔濃度が真性ベース領域の正孔濃度より高
濃度であることにより、上記第１の発明と同様の作用が
可能になると共に、外部ベース領域を所望の厚さに制御
することが可能になる。
【００１７】また、第３の発明は、上記第２の発明によ
るヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、第１ベ
ース層に添加されたカーボン濃度が第２ベース層に添加
されたカーボン濃度より低濃度であることにより、第１
ベース層内での再結合電流の増加が抑制されるため、上
記第２の発明と同様の作用が可能になると共に、ＨＢＴ
の電流利得の向上を図ることができる。
るヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、第１ベ
ース層に添加されたカーボン濃度が第２ベース層に添加
されたカーボン濃度より低濃度であることにより、第１
ベース層内での再結合電流の増加が抑制されるため、上
記第２の発明と同様の作用が可能になると共に、ＨＢＴ
の電流利得の向上を図ることができる。
【００１８】また、第４の発明は、水素によりパッシベ
ーションされたカーボンを添加したｐ型ベース層を形成
し、エミッタ層のメサエッチングによってベース層の外
部ベース領域を露出させた後、アニール処理により、外
部ベース領域に添加された水素によりパッシベーション
されたカーボンを活性化することにより、外部ベース領
域と真性ベース領域に添加されたカーボン濃度は同一で
あるにも拘らず、外部ベース領域の少なくとも表面層の
正孔濃度を真性ベース領域の正孔濃度よりも高濃度にす
ることができるため、上記第１の発明によるヘテロ接合
バイポーラトランジスタの製造が可能になる。
ーションされたカーボンを添加したｐ型ベース層を形成
し、エミッタ層のメサエッチングによってベース層の外
部ベース領域を露出させた後、アニール処理により、外
部ベース領域に添加された水素によりパッシベーション
されたカーボンを活性化することにより、外部ベース領
域と真性ベース領域に添加されたカーボン濃度は同一で
あるにも拘らず、外部ベース領域の少なくとも表面層の
正孔濃度を真性ベース領域の正孔濃度よりも高濃度にす
ることができるため、上記第１の発明によるヘテロ接合
バイポーラトランジスタの製造が可能になる。
【００１９】また、第５の発明は、カーボンを添加した
ｐ型第１ベース層と水素によりパッシベーションされた
カーボンを添加したｐ型第２ベース層とを順に形成し、
エミッタ層のメサエッチングによって第２ベース層の外
部ベース領域を露出させた後、アニール処理により、第
２ベース層の外部ベース領域に添加された水素によりパ
ッシベーションされたカーボンを活性化することによ
り、所望の厚さの第２ベース層の外部ベース領域の正孔
濃度を真性ベース領域の正孔濃度よりも高濃度にするこ
とができるため、上記第２の発明によるヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタの製造が可能になる。
ｐ型第１ベース層と水素によりパッシベーションされた
カーボンを添加したｐ型第２ベース層とを順に形成し、
エミッタ層のメサエッチングによって第２ベース層の外
部ベース領域を露出させた後、アニール処理により、第
２ベース層の外部ベース領域に添加された水素によりパ
ッシベーションされたカーボンを活性化することによ
り、所望の厚さの第２ベース層の外部ベース領域の正孔
濃度を真性ベース領域の正孔濃度よりも高濃度にするこ
とができるため、上記第２の発明によるヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタの製造が可能になる。
【００２０】また、第６の発明は、上記第５の発明によ
るヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法におい
て、第１ベース層に添加するカーボン濃度を第２ベース
層に添加するカーボン濃度より低濃度にすることによ
り、上記第３の発明によるヘテロ接合バイポーラトラン
ジスタの製造が可能になる。また、第７の発明は、上記
第４の発明によるヘテロ接合バイポーラトランジスタの
製造方法において、Ｇａ原料としてトリメチルガリウム
を，Ａｓ原料としてアルシンを、カーボン原料としてカ
ーボンテトラクロライドを用いることにより、水素によ
りパッシベーションされたカーボンを添加したｐ型Ｇａ
Ａｓベース層を形成することが可能となる。
るヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法におい
て、第１ベース層に添加するカーボン濃度を第２ベース
層に添加するカーボン濃度より低濃度にすることによ
り、上記第３の発明によるヘテロ接合バイポーラトラン
ジスタの製造が可能になる。また、第７の発明は、上記
第４の発明によるヘテロ接合バイポーラトランジスタの
製造方法において、Ｇａ原料としてトリメチルガリウム
を，Ａｓ原料としてアルシンを、カーボン原料としてカ
ーボンテトラクロライドを用いることにより、水素によ
りパッシベーションされたカーボンを添加したｐ型Ｇａ
Ａｓベース層を形成することが可能となる。
【００２１】また、第８の発明は、上記第５又は第６の
発明によるヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方
法において、Ｇａ原料としてトリメチルガリウムを，Ａ
ｓ原料及びカーボン原料としてトリメチル砒素を用いる
ことにより、カーボンを添加したｐ型ＧａＡｓ第１ベー
ス層を形成することが可能となり、Ｇａ原料としてトリ
メチルガリウムを，Ａｓ原料としてアルシンを、カーボ
ン原料としてカーボンテトラクロライドを用いることに
より、水素によりパッシベーションされたカーボンを添
加したｐ型ＧａＡｓ第２ベース層を形成することが可能
となる。
発明によるヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方
法において、Ｇａ原料としてトリメチルガリウムを，Ａ
ｓ原料及びカーボン原料としてトリメチル砒素を用いる
ことにより、カーボンを添加したｐ型ＧａＡｓ第１ベー
ス層を形成することが可能となり、Ｇａ原料としてトリ
メチルガリウムを，Ａｓ原料としてアルシンを、カーボ
ン原料としてカーボンテトラクロライドを用いることに
より、水素によりパッシベーションされたカーボンを添
加したｐ型ＧａＡｓ第２ベース層を形成することが可能
となる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明を図示する実施例を用いて具体
的に説明する。図１は本発明の第１の実施例によるＨＢ
Ｔを示す断面図である。半絶縁性ＧａＡｓ基板（図示せ
ず）上に、ｎ+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層（図示せず）
が形成され、このｎ+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層上に、
ｎ型ＧａＡｓコレクタ層１０が形成されている。尚、こ
のｎ型ＧａＡｓコレクタ層１０は、ｉ型ＧａＡｓコレク
タ層であってもよい。また、このｎ型ＧａＡｓコレクタ
層１０上に、ｐ型ＧａＡｓベース層１２が形成されてい
る。
的に説明する。図１は本発明の第１の実施例によるＨＢ
Ｔを示す断面図である。半絶縁性ＧａＡｓ基板（図示せ
ず）上に、ｎ+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層（図示せず）
が形成され、このｎ+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層上に、
ｎ型ＧａＡｓコレクタ層１０が形成されている。尚、こ
のｎ型ＧａＡｓコレクタ層１０は、ｉ型ＧａＡｓコレク
タ層であってもよい。また、このｎ型ＧａＡｓコレクタ
層１０上に、ｐ型ＧａＡｓベース層１２が形成されてい
る。
【００２３】このｐ型ＧａＡｓベース層１２中央部に
は、濃度１×１０20ｃｍ-3のカーボンが添加された真性
ベース領域１２ａが形成されているが、この真性ベース
領域１２ａ中のカーボンは水素によりパッシベーション
されているため、実際に活性化した正孔濃度は５×１０
19ｃｍ-3である。また、ｐ型ＧａＡｓベース層１２周囲
の表面部には、同じく濃度１×１０20ｃｍ-3のカーボン
が添加されたｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域１２ｂが形
成されているが、このｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域１
２ｂ中のカーボンはほぼ１００％活性化しているため、
正孔濃度は１×１０20ｃｍ-3と高濃度になっている。
は、濃度１×１０20ｃｍ-3のカーボンが添加された真性
ベース領域１２ａが形成されているが、この真性ベース
領域１２ａ中のカーボンは水素によりパッシベーション
されているため、実際に活性化した正孔濃度は５×１０
19ｃｍ-3である。また、ｐ型ＧａＡｓベース層１２周囲
の表面部には、同じく濃度１×１０20ｃｍ-3のカーボン
が添加されたｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域１２ｂが形
成されているが、このｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域１
２ｂ中のカーボンはほぼ１００％活性化しているため、
正孔濃度は１×１０20ｃｍ-3と高濃度になっている。
【００２４】また、ｐ型ＧａＡｓベース層１２中央部の
真性ベース領域１２ａ上には、ｐ型ＧａＡｓベース層１
２より広いバンドギャップをもつｎ型ＡｌＧａＡｓエミ
ッタ層１４がヘテロ接合して形成され、このｎ型ＡｌＧ
ａＡｓエミッタ層１４上に、ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコ
ンタクト層１６が形成されている。尚、ここで、ｎ型Ａ
ｌＧａＡｓエミッタ層１４とｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコ
ンタクト層１６との断面が、Ｔ型形状をなしている。
真性ベース領域１２ａ上には、ｐ型ＧａＡｓベース層１
２より広いバンドギャップをもつｎ型ＡｌＧａＡｓエミ
ッタ層１４がヘテロ接合して形成され、このｎ型ＡｌＧ
ａＡｓエミッタ層１４上に、ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコ
ンタクト層１６が形成されている。尚、ここで、ｎ型Ａ
ｌＧａＡｓエミッタ層１４とｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコ
ンタクト層１６との断面が、Ｔ型形状をなしている。
【００２５】また、このｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコンタ
クト層１６上に、エミッタ電極１８がオーミック接触し
て形成されている。また、このエミッタ電極１８、ｎ+
型ＧａＡｓエミッタコンタクト層１６、及びｎ型ＡｌＧ
ａＡｓエミッタ層１４の側面には、ＳｉＯ2 又はＳｉＯ
Ｎからなる絶縁膜２０が形成されている。また、ｐ型Ｇ
ａＡｓベース層１２周囲の表面部のｐ++型ＧａＡｓ外部
ベース領域１２ｂ上には、Ｃｒ／Ａｕからなるベース電
極２２がオーミック接触して形成されている。また、ｎ
+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層上には、コレクタ電極（図
示せず）がオーミック接触して形成されている。
クト層１６上に、エミッタ電極１８がオーミック接触し
て形成されている。また、このエミッタ電極１８、ｎ+
型ＧａＡｓエミッタコンタクト層１６、及びｎ型ＡｌＧ
ａＡｓエミッタ層１４の側面には、ＳｉＯ2 又はＳｉＯ
Ｎからなる絶縁膜２０が形成されている。また、ｐ型Ｇ
ａＡｓベース層１２周囲の表面部のｐ++型ＧａＡｓ外部
ベース領域１２ｂ上には、Ｃｒ／Ａｕからなるベース電
極２２がオーミック接触して形成されている。また、ｎ
+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層上には、コレクタ電極（図
示せず）がオーミック接触して形成されている。
【００２６】次に、図１のＨＢＴの製造方法を、図２に
示す工程図を用いて説明する。半絶縁性ＧａＡｓ基板
（図示せず）上に、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法
を用いて、ｎ+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層（図示せ
ず）、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層１０、ｐ型ＧａＡｓベー
ス層１２、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４、及びｎ+
型ＧａＡｓエミッタコンタクト層１６を順に積層する。
このとき、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層３０は、ｉ型ＧａＡ
ｓコレクタ層であってもよい。
示す工程図を用いて説明する。半絶縁性ＧａＡｓ基板
（図示せず）上に、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法
を用いて、ｎ+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層（図示せ
ず）、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層１０、ｐ型ＧａＡｓベー
ス層１２、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４、及びｎ+
型ＧａＡｓエミッタコンタクト層１６を順に積層する。
このとき、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層３０は、ｉ型ＧａＡ
ｓコレクタ層であってもよい。
【００２７】尚、ｐ型ＧａＡｓベース層１２の成長にお
いては、母体原料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）
とアルシン（ＡｓＨ3 ）を用い、ｐ型不純物であるカー
ボン原料としてカーボンテトラクロライド（ＣＣｌ4 ）
を用いることにより、ＧａＡｓ層に添加されるカーボン
が、ＡｓＨ3 から分解した水素によってパッシベーショ
ンされる。このため、ｐ型ＧａＡｓベース層１２の正孔
濃度は、実際に結晶中に含まれるカーボン濃度より小さ
くなる。
いては、母体原料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）
とアルシン（ＡｓＨ3 ）を用い、ｐ型不純物であるカー
ボン原料としてカーボンテトラクロライド（ＣＣｌ4 ）
を用いることにより、ＧａＡｓ層に添加されるカーボン
が、ＡｓＨ3 から分解した水素によってパッシベーショ
ンされる。このため、ｐ型ＧａＡｓベース層１２の正孔
濃度は、実際に結晶中に含まれるカーボン濃度より小さ
くなる。
【００２８】本実施例の場合、基板温度５２０℃で結晶
成長させたｐ型ＧａＡｓベース層１２中のカーボン濃度
は１×１０20ｃｍ-3であるが、実際に活性化した正孔濃
度は５×１０19ｃｍ-3であった（図２（ａ）参照）。次
いで、ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコンタクト層１６上に、
金属層を堆積した後、この金属層を所定の形状にパター
ニングして、ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコンタクト層１６
にオーミック接触するエミッタ電極１８を形成する。そ
して、このエミッタ電極１８をマスクとして、セルフア
ラインにより、ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコンタクト層１
６及びｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４をメサエッチン
グして、ｐ型ＧａＡｓベース層１２を露出させる。
成長させたｐ型ＧａＡｓベース層１２中のカーボン濃度
は１×１０20ｃｍ-3であるが、実際に活性化した正孔濃
度は５×１０19ｃｍ-3であった（図２（ａ）参照）。次
いで、ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコンタクト層１６上に、
金属層を堆積した後、この金属層を所定の形状にパター
ニングして、ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコンタクト層１６
にオーミック接触するエミッタ電極１８を形成する。そ
して、このエミッタ電極１８をマスクとして、セルフア
ラインにより、ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコンタクト層１
６及びｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４をメサエッチン
グして、ｐ型ＧａＡｓベース層１２を露出させる。
【００２９】このとき、例えばウエットエッチング法を
用いて、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４の縦方向ばか
りでなく、横方向のサイドエッチングをも行う。こうし
て、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４とｎ+ 型ＧａＡｓ
エミッタコンタクト層１６及びエミッタ電極１８とから
なるＴ型エミッタ構造を形成する。このＴ型エミッタ構
造の採用により、後のベース電極２２を形成する工程
で、エミッタ電極１８に対して自己整合的に形成するこ
とが容易になり、エミッタ電極１８とベース電極２２と
の間の距離が短くなるため、ベース抵抗を小さくするこ
とができる。
用いて、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４の縦方向ばか
りでなく、横方向のサイドエッチングをも行う。こうし
て、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４とｎ+ 型ＧａＡｓ
エミッタコンタクト層１６及びエミッタ電極１８とから
なるＴ型エミッタ構造を形成する。このＴ型エミッタ構
造の採用により、後のベース電極２２を形成する工程
で、エミッタ電極１８に対して自己整合的に形成するこ
とが容易になり、エミッタ電極１８とベース電極２２と
の間の距離が短くなるため、ベース抵抗を小さくするこ
とができる。
【００３０】続いて、全面に、ＳｉＯ2 又はＳｉＯＮか
らなる絶縁膜２０を堆積した後、反応性イオンエッチン
グ（ＲＩＥ）を行い、エミッタ電極１８、ｎ+ 型ＧａＡ
ｓエミッタコンタクト層１６、及びｎ型ＡｌＧａＡｓエ
ミッタ層１４の側面のみに絶縁膜２０を残存させる。続
いて、窒素雰囲気中において、基板温度５５０℃の条件
でアニール処理を行う。このアニール処理により、露出
しているｐ型ＧａＡｓベース層１２の表面層からカーボ
ンをパッシベーションしていた水素が抜ける。このた
め、この水素によりパッシベーションされていたカーボ
ンがほぼ１００％活性化して、正孔濃度が１×１０20ｃ
ｍ-3に増加した。こうして、ｐ型ＧａＡｓベース層１２
周囲の表面部に、ｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域１２ｂ
が形成される。
らなる絶縁膜２０を堆積した後、反応性イオンエッチン
グ（ＲＩＥ）を行い、エミッタ電極１８、ｎ+ 型ＧａＡ
ｓエミッタコンタクト層１６、及びｎ型ＡｌＧａＡｓエ
ミッタ層１４の側面のみに絶縁膜２０を残存させる。続
いて、窒素雰囲気中において、基板温度５５０℃の条件
でアニール処理を行う。このアニール処理により、露出
しているｐ型ＧａＡｓベース層１２の表面層からカーボ
ンをパッシベーションしていた水素が抜ける。このた
め、この水素によりパッシベーションされていたカーボ
ンがほぼ１００％活性化して、正孔濃度が１×１０20ｃ
ｍ-3に増加した。こうして、ｐ型ＧａＡｓベース層１２
周囲の表面部に、ｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域１２ｂ
が形成される。
【００３１】即ち、真性ベース領域１２ａ及びｐ++型Ｇ
ａＡｓ外部ベース領域１２ｂにおけるカーボン濃度は共
に１×１０20ｃｍ-3と等しいが、ｐ++型ＧａＡｓ外部ベ
ース領域１２ｂの正孔濃度は１×１０20ｃｍ-3であり、
真性ベース領域１２ａの正孔濃度５×１０19ｃｍ-3より
も高濃度となる。尚、カーボンは熱的に非常に安定であ
るため、このアニール処理の際に、カーボンがｎ型Ａｌ
ＧａＡｓエミッタ層１４へ拡散することは観測されなか
った（図２（ｂ）参照）。
ａＡｓ外部ベース領域１２ｂにおけるカーボン濃度は共
に１×１０20ｃｍ-3と等しいが、ｐ++型ＧａＡｓ外部ベ
ース領域１２ｂの正孔濃度は１×１０20ｃｍ-3であり、
真性ベース領域１２ａの正孔濃度５×１０19ｃｍ-3より
も高濃度となる。尚、カーボンは熱的に非常に安定であ
るため、このアニール処理の際に、カーボンがｎ型Ａｌ
ＧａＡｓエミッタ層１４へ拡散することは観測されなか
った（図２（ｂ）参照）。
【００３２】次いで、この高い正孔濃度をもつｐ++型Ｇ
ａＡｓ外部ベース領域１２ｂ上に、Ｃｒ／Ａｕからなる
ベース電極２２をノンアロイで形成し、ｐ++型ＧａＡｓ
外部ベース領域１２ｂとオーミック接触する。また、ｎ
+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層上にも、コレクタ電極（図
示せず）をオーミック接触して形成する。こうして、図
１に示すＨＢＴが完成する（図２（ｃ）参照）。
ａＡｓ外部ベース領域１２ｂ上に、Ｃｒ／Ａｕからなる
ベース電極２２をノンアロイで形成し、ｐ++型ＧａＡｓ
外部ベース領域１２ｂとオーミック接触する。また、ｎ
+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層上にも、コレクタ電極（図
示せず）をオーミック接触して形成する。こうして、図
１に示すＨＢＴが完成する（図２（ｃ）参照）。
【００３３】このように本実施例によれば、同一濃度１
×１０20ｃｍ-3のカーボンが添加されたｐ型ＧａＡｓベ
ース層１２のうち、カーボンをパッシベーションしてい
た水素が抜けたｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域１２ｂの
正孔濃度が１×１０20ｃｍ-3と、真性ベース領域１２ａ
の正孔濃度５×１０19ｃｍ-3より高濃度であることによ
り、真性ベース領域１２ａにおける再結合電流の増加を
防止しつつ、ベース電極２２とｐ++型ＧａＡｓ外部ベー
ス領域１２ｂとのコンタクト抵抗を従来の場合の１６％
まで低減することができた。また、ｐ型ＧａＡｓベース
層１２とｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域１２ｂとの界面
も従来の再成長界面よりも良好なものが形成された。従
って、ＨＢＴの高電流利得を維持しつつ、その高速化を
実現することが可能になった。
×１０20ｃｍ-3のカーボンが添加されたｐ型ＧａＡｓベ
ース層１２のうち、カーボンをパッシベーションしてい
た水素が抜けたｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域１２ｂの
正孔濃度が１×１０20ｃｍ-3と、真性ベース領域１２ａ
の正孔濃度５×１０19ｃｍ-3より高濃度であることによ
り、真性ベース領域１２ａにおける再結合電流の増加を
防止しつつ、ベース電極２２とｐ++型ＧａＡｓ外部ベー
ス領域１２ｂとのコンタクト抵抗を従来の場合の１６％
まで低減することができた。また、ｐ型ＧａＡｓベース
層１２とｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域１２ｂとの界面
も従来の再成長界面よりも良好なものが形成された。従
って、ＨＢＴの高電流利得を維持しつつ、その高速化を
実現することが可能になった。
【００３４】次に、本発明の第２の実施例によるＨＢＴ
について説明する。図３は本発明の第２の実施例による
ＨＢＴを示す断面図である。尚、上記図１に示すＨＢＴ
と同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
半絶縁性ＧａＡｓ基板（図示せず）上に、ｎ+ 型ＧａＡ
ｓサブコレクタ層（図示せず）が形成され、このｎ+ 型
ＧａＡｓサブコレクタ層上に、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層
１０が形成されている。尚、ここで、このｎ型ＧａＡｓ
コレクタ層１０は、ｉ型ＧａＡｓコレクタ層であっても
よい。また、このｎ型ＧａＡｓコレクタ層１０上に、ｐ
型ＧａＡｓ第１ベース層２４及びｐ型ＧａＡｓ第２ベー
ス層が順に形成されている。即ち、ベース層が２層構造
となっている点に本実施例の特徴がある。
について説明する。図３は本発明の第２の実施例による
ＨＢＴを示す断面図である。尚、上記図１に示すＨＢＴ
と同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
半絶縁性ＧａＡｓ基板（図示せず）上に、ｎ+ 型ＧａＡ
ｓサブコレクタ層（図示せず）が形成され、このｎ+ 型
ＧａＡｓサブコレクタ層上に、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層
１０が形成されている。尚、ここで、このｎ型ＧａＡｓ
コレクタ層１０は、ｉ型ＧａＡｓコレクタ層であっても
よい。また、このｎ型ＧａＡｓコレクタ層１０上に、ｐ
型ＧａＡｓ第１ベース層２４及びｐ型ＧａＡｓ第２ベー
ス層が順に形成されている。即ち、ベース層が２層構造
となっている点に本実施例の特徴がある。
【００３５】下層のｐ型ＧａＡｓ第１ベース層２４に
は、濃度５×１０19ｃｍ-3のカーボンが添加されている
が、このカーボンはほぼ１００％活性化しているため、
正孔濃度も５×１０19ｃｍ-3である。これに対し、上層
のｐ型ＧａＡｓ第２ベース層中央部には、濃度１×１０
20ｃｍ-3のカーボンが添加された真性ベース領域２６ａ
が形成されているが、この真性ベース領域１２ａ中のカ
ーボンは水素によりパッシベーションされているため、
実際に活性化した正孔濃度は５×１０19ｃｍ-3である。
また、ｐ型ＧａＡｓ第２ベース層周囲部には、同じく濃
度１×１０20ｃｍ-3のカーボンが添加されたｐ++型Ｇａ
Ａｓ外部ベース領域２６ｂが形成されているが、このｐ
++型ＧａＡｓ外部ベース領域１２ｂ中のカーボンはほぼ
１００％活性化しているため、正孔濃度は１×１０20ｃ
ｍ-3と高濃度になっている。
は、濃度５×１０19ｃｍ-3のカーボンが添加されている
が、このカーボンはほぼ１００％活性化しているため、
正孔濃度も５×１０19ｃｍ-3である。これに対し、上層
のｐ型ＧａＡｓ第２ベース層中央部には、濃度１×１０
20ｃｍ-3のカーボンが添加された真性ベース領域２６ａ
が形成されているが、この真性ベース領域１２ａ中のカ
ーボンは水素によりパッシベーションされているため、
実際に活性化した正孔濃度は５×１０19ｃｍ-3である。
また、ｐ型ＧａＡｓ第２ベース層周囲部には、同じく濃
度１×１０20ｃｍ-3のカーボンが添加されたｐ++型Ｇａ
Ａｓ外部ベース領域２６ｂが形成されているが、このｐ
++型ＧａＡｓ外部ベース領域１２ｂ中のカーボンはほぼ
１００％活性化しているため、正孔濃度は１×１０20ｃ
ｍ-3と高濃度になっている。
【００３６】また、この真性ベース領域２６ａ上には、
ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４がヘテロ接合して形成
され、このｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４上に、ｎ+
型ＧａＡｓエミッタコンタクト層１６が形成されてい
る。そしてｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４とｎ+ 型Ｇ
ａＡｓエミッタコンタクト層１６とは、上記第１の実施
例の場合と同様に、Ｔ型エミッタ構造を形成している。
ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４がヘテロ接合して形成
され、このｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４上に、ｎ+
型ＧａＡｓエミッタコンタクト層１６が形成されてい
る。そしてｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４とｎ+ 型Ｇ
ａＡｓエミッタコンタクト層１６とは、上記第１の実施
例の場合と同様に、Ｔ型エミッタ構造を形成している。
【００３７】また、ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコンタクト
層１６上に、エミッタ電極１８がオーミック接触して形
成されている。また、このエミッタ電極１８、ｎ+ 型Ｇ
ａＡｓエミッタコンタクト層１６、及びｎ型ＡｌＧａＡ
ｓエミッタ層１４の側面には、ＳｉＯ2 又はＳｉＯＮか
らなる絶縁膜２０が形成されている。また、ｐ++型Ｇａ
Ａｓ外部ベース領域２６ｂ上には、Ｃｒ／Ａｕからなる
ベース電極２２がオーミック接触して形成され、またｎ
+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層上には、コレクタ電極（図
示せず）がオーミック接触して形成されている。
層１６上に、エミッタ電極１８がオーミック接触して形
成されている。また、このエミッタ電極１８、ｎ+ 型Ｇ
ａＡｓエミッタコンタクト層１６、及びｎ型ＡｌＧａＡ
ｓエミッタ層１４の側面には、ＳｉＯ2 又はＳｉＯＮか
らなる絶縁膜２０が形成されている。また、ｐ++型Ｇａ
Ａｓ外部ベース領域２６ｂ上には、Ｃｒ／Ａｕからなる
ベース電極２２がオーミック接触して形成され、またｎ
+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層上には、コレクタ電極（図
示せず）がオーミック接触して形成されている。
【００３８】次に、図３のＨＢＴの製造方法を、図４に
示す工程図を用いて説明する。尚、上記図２に示すＨＢ
Ｔと同一構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。半絶縁性ＧａＡｓ基板（図示せず）上に、ＭＯＣＶ
Ｄ法を用いて、ｎ+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層（図示せ
ず）、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層１０、ｐ型ＧａＡｓ第１
ベース層２４、ｐ型ＧａＡｓ第２ベース層２６、ｎ型Ａ
ｌＧａＡｓエミッタ層１４、ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコ
ンタクト層１６を順に積層する。このとき、ｎ型ＧａＡ
ｓコレクタ層１０は、ｉ型ＧａＡｓコレクタ層であって
もよい。
示す工程図を用いて説明する。尚、上記図２に示すＨＢ
Ｔと同一構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。半絶縁性ＧａＡｓ基板（図示せず）上に、ＭＯＣＶ
Ｄ法を用いて、ｎ+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層（図示せ
ず）、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層１０、ｐ型ＧａＡｓ第１
ベース層２４、ｐ型ＧａＡｓ第２ベース層２６、ｎ型Ａ
ｌＧａＡｓエミッタ層１４、ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコ
ンタクト層１６を順に積層する。このとき、ｎ型ＧａＡ
ｓコレクタ層１０は、ｉ型ＧａＡｓコレクタ層であって
もよい。
【００３９】尚、ｐ型ＧａＡｓ第１ベース層２４の成長
においては、基板温度５２０℃の条件で、Ｇａ原料とし
てＴＭＧを用い、Ａｓ原料及びカーボン原料としてトリ
メチル砒素（ＴＭＡｓ）用いることにより、ＧａＡｓ層
に添加されるカーボンはほぼ１００％活性化する。本実
施例の場合、ｐ型ＧａＡｓ第１ベース層２４中のカーボ
ン濃度は５×１０19ｃｍ-3であり、実際に活性化した正
孔濃度も５×１０19ｃｍ-3であった。
においては、基板温度５２０℃の条件で、Ｇａ原料とし
てＴＭＧを用い、Ａｓ原料及びカーボン原料としてトリ
メチル砒素（ＴＭＡｓ）用いることにより、ＧａＡｓ層
に添加されるカーボンはほぼ１００％活性化する。本実
施例の場合、ｐ型ＧａＡｓ第１ベース層２４中のカーボ
ン濃度は５×１０19ｃｍ-3であり、実際に活性化した正
孔濃度も５×１０19ｃｍ-3であった。
【００４０】また、ｐ型ＧａＡｓ第２ベース層２６の成
長においては、上記第１の実施例におけるｐ型ＧａＡｓ
ベース層１２の成長の場合と同様に、母体原料としてＴ
ＭＧとＡｓＨ3 を用い、カーボン原料としてＣＣｌ4 を
用いることにより、ＧａＡｓ層に添加されるカーボンが
水素によってパッシベーションされる。本実施例の場合
も、基板温度５２０℃で結晶成長させたｐ型ＧａＡｓ第
２ベース層２６中のカーボン濃度は１×１０20ｃｍ-3で
あるが、実際に活性化した正孔濃度は５×１０ 19ｃｍ-3
であった（図４（ａ）参照）。
長においては、上記第１の実施例におけるｐ型ＧａＡｓ
ベース層１２の成長の場合と同様に、母体原料としてＴ
ＭＧとＡｓＨ3 を用い、カーボン原料としてＣＣｌ4 を
用いることにより、ＧａＡｓ層に添加されるカーボンが
水素によってパッシベーションされる。本実施例の場合
も、基板温度５２０℃で結晶成長させたｐ型ＧａＡｓ第
２ベース層２６中のカーボン濃度は１×１０20ｃｍ-3で
あるが、実際に活性化した正孔濃度は５×１０ 19ｃｍ-3
であった（図４（ａ）参照）。
【００４１】次いで、ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコンタク
ト層１６上に、エミッタ電極１８をオーミック接触して
形成する。そして、このエミッタ電極１８をマスクとし
て、セルフアラインにより、ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコ
ンタクト層１６及びｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４を
メサエッチングして、ｐ型ＧａＡｓ第２ベース層２６を
露出させると共に、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４の
サイドエッチングをも行う。こうして、ｎ型ＡｌＧａＡ
ｓエミッタ層１４とｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコンタクト
層１６及びエミッタ電極１８とからなるＴ型エミッタ構
造を形成する。
ト層１６上に、エミッタ電極１８をオーミック接触して
形成する。そして、このエミッタ電極１８をマスクとし
て、セルフアラインにより、ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコ
ンタクト層１６及びｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４を
メサエッチングして、ｐ型ＧａＡｓ第２ベース層２６を
露出させると共に、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４の
サイドエッチングをも行う。こうして、ｎ型ＡｌＧａＡ
ｓエミッタ層１４とｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコンタクト
層１６及びエミッタ電極１８とからなるＴ型エミッタ構
造を形成する。
【００４２】続いて、全面に絶縁膜２０を堆積した後、
ＲＩＥを行い、エミッタ電極１８、ｎ+ 型ＧａＡｓエミ
ッタコンタクト層１６、及びｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ
層１４の側面のみに絶縁膜２０を残存させる。続いて、
窒素雰囲気中において、基板温度５５０℃の条件でアニ
ール処理を行う。このアニール処理により、露出してい
るｐ型ＧａＡｓ第２ベース層２６からカーボンをパッシ
ベーションしていた水素が抜け、この水素によりパッシ
ベーションされていたカーボンがほぼ１００％活性化し
て正孔濃度が１×１０20ｃｍ-3に増加した。こうして、
ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４にヘテロ接合するｐ型
ＧａＡｓ第２ベース層２６中央部の真性ベース領域２６
ａ周囲に、ｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域２６ｂが形成
される。
ＲＩＥを行い、エミッタ電極１８、ｎ+ 型ＧａＡｓエミ
ッタコンタクト層１６、及びｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ
層１４の側面のみに絶縁膜２０を残存させる。続いて、
窒素雰囲気中において、基板温度５５０℃の条件でアニ
ール処理を行う。このアニール処理により、露出してい
るｐ型ＧａＡｓ第２ベース層２６からカーボンをパッシ
ベーションしていた水素が抜け、この水素によりパッシ
ベーションされていたカーボンがほぼ１００％活性化し
て正孔濃度が１×１０20ｃｍ-3に増加した。こうして、
ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１４にヘテロ接合するｐ型
ＧａＡｓ第２ベース層２６中央部の真性ベース領域２６
ａ周囲に、ｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域２６ｂが形成
される。
【００４３】即ち、真性ベース領域２６ａ及びｐ++型Ｇ
ａＡｓ外部ベース領域２６ｂにおけるカーボン濃度は共
に１×１０20ｃｍ-3と等しいが、ｐ++型ＧａＡｓ外部ベ
ース領域２６ｂの正孔濃度は１×１０20ｃｍ-3であり、
真性ベース領域２６ａの正孔濃度５×１０19ｃｍ-3より
も高濃度となる（図４（ｂ）参照）。次いで、この高い
正孔濃度をもつｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域２６ｂ上
に、Ｃｒ／Ａｕからなるベース電極２２をノンアロイで
オーミック接触して形成する。また、ｎ+ 型ＧａＡｓサ
ブコレクタ層上にも、コレクタ電極（図示せず）をオー
ミック接触して形成する。こうして、図３に示すＨＢＴ
が完成する（図４（ｃ）参照）。
ａＡｓ外部ベース領域２６ｂにおけるカーボン濃度は共
に１×１０20ｃｍ-3と等しいが、ｐ++型ＧａＡｓ外部ベ
ース領域２６ｂの正孔濃度は１×１０20ｃｍ-3であり、
真性ベース領域２６ａの正孔濃度５×１０19ｃｍ-3より
も高濃度となる（図４（ｂ）参照）。次いで、この高い
正孔濃度をもつｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域２６ｂ上
に、Ｃｒ／Ａｕからなるベース電極２２をノンアロイで
オーミック接触して形成する。また、ｎ+ 型ＧａＡｓサ
ブコレクタ層上にも、コレクタ電極（図示せず）をオー
ミック接触して形成する。こうして、図３に示すＨＢＴ
が完成する（図４（ｃ）参照）。
【００４４】このように本実施例によれば、ベース層が
ｐ型ＧａＡｓ第１ベース層２４及びｐ型ＧａＡｓ第２ベ
ース層２６からなる２層構造であり、同一濃度１×１０
20ｃｍ-3のカーボンが添加されたｐ型ＧａＡｓ第２ベー
ス層２６のうち、ｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域２６ｂ
の正孔濃度は１×１０20ｃｍ-3と、真性ベース領域２６
ｂの正孔濃度５×１０19ｃｍ-3より高濃度であることに
より、上記第１の実施例の場合と同様の効果を奏するこ
とができる。
ｐ型ＧａＡｓ第１ベース層２４及びｐ型ＧａＡｓ第２ベ
ース層２６からなる２層構造であり、同一濃度１×１０
20ｃｍ-3のカーボンが添加されたｐ型ＧａＡｓ第２ベー
ス層２６のうち、ｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域２６ｂ
の正孔濃度は１×１０20ｃｍ-3と、真性ベース領域２６
ｂの正孔濃度５×１０19ｃｍ-3より高濃度であることに
より、上記第１の実施例の場合と同様の効果を奏するこ
とができる。
【００４５】また、本実施例の場合、２層構造にしたベ
ース層のうち、ｐ型ＧａＡｓ第２ベース層２６の厚さを
制御することにより、ｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域２
６ｂを所望の厚さに制御することが可能になる。更に、
ｐ型ＧａＡｓ第１ベース層２４に添加されたカーボン濃
度が５×１０19ｃｍ-3と、ｐ型ＧａＡｓ第２ベース層２
６に添加されたカーボン濃度１×１０20ｃｍ-3より低濃
度であることにより、ｐ型ＧａＡｓ第１ベース層２４内
での再結合電流の増加が防止されるため、更に電流利得
を向上することができる。
ース層のうち、ｐ型ＧａＡｓ第２ベース層２６の厚さを
制御することにより、ｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域２
６ｂを所望の厚さに制御することが可能になる。更に、
ｐ型ＧａＡｓ第１ベース層２４に添加されたカーボン濃
度が５×１０19ｃｍ-3と、ｐ型ＧａＡｓ第２ベース層２
６に添加されたカーボン濃度１×１０20ｃｍ-3より低濃
度であることにより、ｐ型ＧａＡｓ第１ベース層２４内
での再結合電流の増加が防止されるため、更に電流利得
を向上することができる。
【００４６】尚、上記第１及び第２の実施例において
は、最も単純な構造のＨＢＴについて説明したが、本発
明はこうしたＨＢＴに限定されることなく、例えば高電
流密度化に伴う特性劣化を防止するためのエミッタ・ガ
ードリング構造を有するものや、ベース内やヘテロ接合
界面での再結合電流の影響を小さくするための傾斜ベー
ス構造を有するもの等々、種々のＨＢＴに適用すること
が可能である。
は、最も単純な構造のＨＢＴについて説明したが、本発
明はこうしたＨＢＴに限定されることなく、例えば高電
流密度化に伴う特性劣化を防止するためのエミッタ・ガ
ードリング構造を有するものや、ベース内やヘテロ接合
界面での再結合電流の影響を小さくするための傾斜ベー
ス構造を有するもの等々、種々のＨＢＴに適用すること
が可能である。
【００４７】また、上記第１及び第２の実施例において
は、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系のＨＢＴに本発明を適用
したが、これに限定されることなく、例えばＩｎＰ／Ｉ
ｎＧａＡｓ系などの他のIII-Ｖ族化合物半導体を用いた
ＨＢＴに適用することも可能である。
は、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系のＨＢＴに本発明を適用
したが、これに限定されることなく、例えばＩｎＰ／Ｉ
ｎＧａＡｓ系などの他のIII-Ｖ族化合物半導体を用いた
ＨＢＴに適用することも可能である。
【００４８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、III-Ｖ族
化合物半導体を用いたヘテロ接合バイポーラトランジス
タにおいて、ベース層のうち、ベース電極と接触する外
部ベース領域の少なくとも表面層に殆ど活性化されたカ
ーボンが添加され、エミッタ層とヘテロ接合する真性ベ
ース領域に水素によりパッシベーションされたカーボン
が添加されており、外部ベース領域の少なくとも表面層
の正孔濃度が、真性ベース領域の正孔濃度より高濃度で
あることにより、真性ベース領域での再結合電流の増加
を防止しつつ、ベース電極と外部ベース領域とのコンタ
クト抵抗を低減することができる。
化合物半導体を用いたヘテロ接合バイポーラトランジス
タにおいて、ベース層のうち、ベース電極と接触する外
部ベース領域の少なくとも表面層に殆ど活性化されたカ
ーボンが添加され、エミッタ層とヘテロ接合する真性ベ
ース領域に水素によりパッシベーションされたカーボン
が添加されており、外部ベース領域の少なくとも表面層
の正孔濃度が、真性ベース領域の正孔濃度より高濃度で
あることにより、真性ベース領域での再結合電流の増加
を防止しつつ、ベース電極と外部ベース領域とのコンタ
クト抵抗を低減することができる。
【００４９】また、本発明は、III-Ｖ族化合物半導体を
用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法に
おいて、コレクタ層上に水素によりパッシベーションさ
れたカーボンを添加したｐ型ベース層及びｎ型エミッタ
層を順に積層する工程と、ｎ型エミッタ層をメサエッチ
ングしてｐ型ベース層の外部ベース領域を露出させる工
程と、露出した外部ベース領域に添加された水素により
パッシベーションされたカーボンを活性化して、外部ベ
ース領域の少なくとも表面層の正孔濃度をｐ型ベース層
のｎ型エミッタ層とヘテロ接合する真性ベース領域の正
孔濃度より高濃度にする工程と、外部ベース領域上にベ
ース電極を形成する工程とを有することにより、真性ベ
ース領域での再結合電流の増加を防止しつつ、ベース電
極と外部ベース領域とのコンタクト抵抗を低減すること
ができるヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造が可
能になる。
用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法に
おいて、コレクタ層上に水素によりパッシベーションさ
れたカーボンを添加したｐ型ベース層及びｎ型エミッタ
層を順に積層する工程と、ｎ型エミッタ層をメサエッチ
ングしてｐ型ベース層の外部ベース領域を露出させる工
程と、露出した外部ベース領域に添加された水素により
パッシベーションされたカーボンを活性化して、外部ベ
ース領域の少なくとも表面層の正孔濃度をｐ型ベース層
のｎ型エミッタ層とヘテロ接合する真性ベース領域の正
孔濃度より高濃度にする工程と、外部ベース領域上にベ
ース電極を形成する工程とを有することにより、真性ベ
ース領域での再結合電流の増加を防止しつつ、ベース電
極と外部ベース領域とのコンタクト抵抗を低減すること
ができるヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造が可
能になる。
【００５０】従って、ヘテロ接合バイポーラトランジス
タの高電流利得を維持しつつ、その高速化を実現するこ
とが可能になる。
タの高電流利得を維持しつつ、その高速化を実現するこ
とが可能になる。
【図１】本発明の第１の実施例によるＨＢＴを示す断面
図である。
図である。
【図２】図１のＨＢＴの製造方法を説明するための工程
図である。
図である。
【図３】本発明の第２の実施例によるＨＢＴを示す断面
図である。
図である。
【図４】図３のＨＢＴの製造方法を説明するための工程
図である。
図である。
【図５】従来のＨＢＴを示す断面図である。
１０…ｎ型ＧａＡｓコレクタ層 １２…ｐ型ＧａＡｓベース層 １２ａ…真性ベース領域 １２ｂ…ｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域 １４…ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層 １６…ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコンタクト層 １８…エミッタ電極 ２０…絶縁膜 ２２…ベース電極 ２４…ｐ型ＧａＡｓ第１ベース層 ２６…ｐ型ＧａＡｓ第２ベース層 ２６ａ…真性ベース領域 ２６ｂ…ｐ++型ＧａＡｓ外部ベース領域 ２８…ｎ+ 型ＧａＡｓサブコレクタ層 ３０…ｎ型ＧａＡｓコレクタ層 ３２…ｐ型ＧａＡｓベース層 ３４…ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層 ３６…ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタコンタクト層 ３８…エミッタ電極 ４０…ベース電極
Claims (8)
- 【請求項１】 III-Ｖ族化合物半導体を用いたヘテロ接
合バイポーラトランジスタにおいて、 ベース層のうち、ベース電極と接触する外部ベース領域
の少なくとも表面層に、カーボンが添加され、エミッタ
層とヘテロ接合する真性ベース領域に、水素によりパッ
シベーションされたカーボンが添加されており、 前記外部ベース領域の少なくとも表面層の正孔濃度が、
前記真性ベース領域の正孔濃度より高濃度であることを
特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。 - 【請求項２】 III-Ｖ族化合物半導体を用いたヘテロ接
合バイポーラトランジスタにおいて、 ベース層が、コレクタ層上に形成され第１ベース層と前
記第１ベース層上に形成された第２ベース層とからなる
２層構造であり、 前記第１ベース層には、カーボンが添加されており、 前記第２ベース層のうち、ベース電極と接触する外部ベ
ース領域には、カーボンが添加され、エミッタ層とヘテ
ロ接合する真性ベース領域には、水素によりパッシベー
ションされたカーボンが添加されており、 前記外部ベース領域の正孔濃度が、前記真性ベース領域
の正孔濃度より高濃度であることを特徴とするヘテロ接
合バイポーラトランジスタ。 - 【請求項３】 請求項２に記載のヘテロ接合バイポーラ
トランジスタにおいて、 前記第１ベース層に添加されたカーボン濃度が、前記第
２ベース層に添加されたカーボン濃度より低濃度である
ことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。 - 【請求項４】 III-Ｖ族化合物半導体を用いたヘテロ接
合バイポーラトランジスタの製造方法において、 コレクタ層上に、水素によりパッシベーションされたカ
ーボンを添加したｐ型ベース層、及び前記ｐ型ベース層
より広いバンドギャップをもつｎ型エミッタ層を順に積
層する工程と、 前記ｎ型エミッタ層をメサエッチングして、前記ｐ型ベ
ース層の外部ベース領域を露出させる工程と、 アニール処理を行い、露出した前記外部ベース領域に添
加された前記水素によりパッシベーションされたカーボ
ンを活性化して、前記外部ベース領域の少なくとも表面
層の正孔濃度を、前記ｐ型ベース層の前記ｎ型エミッタ
層とヘテロ接合する真性ベース領域の正孔濃度より高濃
度にする工程と、 前記外部ベース領域上にベース電極を形成する工程とを
有することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジ
スタの製造方法。 - 【請求項５】 III-Ｖ族化合物半導体を用いたヘテロ接
合バイポーラトランジスタの製造方法において、 コレクタ層上に、カーボンを添加したｐ型第１ベース
層、水素によりパッシベーションされたカーボンを添加
したｐ型第２ベース層、並びに前記ｐ型第１ベース層及
び前記ｐ型第２ベース層より広いバンドギャップをもつ
ｎ型エミッタ層を順に積層する工程と、 前記ｎ型エミッタ層をメサエッチングして、前記ｐ型第
２ベース層の外部ベース領域を露出させる工程と、 アニール処理を行い、露出した前記ｐ型第２ベース層の
前記外部ベース領域に添加された前記水素によりパッシ
ベーションされたカーボンを活性化して、前記ｐ型第２
ベース層の前記外部ベース領域の正孔濃度を、前記ｐ型
第２ベース層の前記ｎ型エミッタ層とヘテロ接合する真
性ベース領域の正孔濃度より高濃度にする工程と、 前記ｐ型第２ベース層の前記外部ベース領域上に、ベー
ス電極を形成する工程とを有することを特徴とするヘテ
ロ接合バイポーラトランジスタの製造方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載のヘテロ接合バイポーラ
トランジスタの製造方法において、 前記ｐ型第１ベース層に添加するカーボン濃度を、前記
ｐ型第２ベース層に添加するカーボン濃度より低濃度に
することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジス
タの製造方法。 - 【請求項７】 請求項４に記載のヘテロ接合バイポーラ
トランジスタの製造方法において、 前記ｐ型ベース層が、ＧａＡｓ層からなり、 前記水素によりパッシベーションされたカーボンを添加
したｐ型第２ベース層を形成する工程が、Ｇａ原料とし
てトリメチルガリウムを，Ａｓ原料としてアルシンを、
カーボン原料としてカーボンテトラクロライドを用いて
ｐ型ＧａＡｓベース層を形成する工程であることを特徴
とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法。 - 【請求項８】 請求項５又は６に記載のヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタの製造方法において、 前記ｐ型第１ベース層及び前記ｐ型第２ベース層が、そ
れぞれＧａＡｓ層からなり、 前記カーボンを添加したｐ型第１ベース層を形成する工
程が、Ｇａ原料としてトリメチルガリウムを，Ａｓ原料
及びカーボン原料としてトリメチル砒素を用いてｐ型Ｇ
ａＡｓ第１ベース層を形成する工程であり、 前記水素によりパッシベーションされたカーボンを添加
したｐ型第２ベース層を形成する工程が、Ｇａ原料とし
てトリメチルガリウムを，Ａｓ原料としてアルシンを、
カーボン原料としてカーボンテトラクロライドを用いて
ｐ型ＧａＡｓ第２ベース層を形成する工程であることを
特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP695394A JPH07211729A (ja) | 1994-01-26 | 1994-01-26 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP695394A JPH07211729A (ja) | 1994-01-26 | 1994-01-26 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211729A true JPH07211729A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=11652598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP695394A Withdrawn JPH07211729A (ja) | 1994-01-26 | 1994-01-26 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07211729A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007512687A (ja) * | 2003-11-17 | 2007-05-17 | インテル コーポレイション | 改善された外部ベース領域を備えたバイポーラ接合形トランジスタ及びその製造方法 |
| US7462892B2 (en) | 2005-07-26 | 2008-12-09 | Sony Corporation | Semiconductor device |
| CN106683993A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-05-17 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种晶体管欧姆接触电极的制备方法 |
-
1994
- 1994-01-26 JP JP695394A patent/JPH07211729A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007512687A (ja) * | 2003-11-17 | 2007-05-17 | インテル コーポレイション | 改善された外部ベース領域を備えたバイポーラ接合形トランジスタ及びその製造方法 |
| US7462892B2 (en) | 2005-07-26 | 2008-12-09 | Sony Corporation | Semiconductor device |
| CN106683993A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-05-17 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种晶体管欧姆接触电极的制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010403 |