JPH07263460A - Ｈｂｔ型化合物半導体装置とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 エミッタとベースが異なる材料で形成される
ヘテロバイポーラドランジスタ型の化合物半導体装置に
関し、実質的に電流が流れる部分において、ｐｎ接合を
露出させないヘテロバイポーラトランジスタの製造方法
を提供することを目的とする。 【構成】 半導体基板上に、コレクタ層、ベース層、ベ
ース層と異なる材料のエミッタ層を含む化合物半導体積
層をエピタキシャルに成長する工程と、前記エミッタ層
の一部を、前記ベース層に近い側の一部厚さを残すよう
に、除去する工程と、前記エミッタ層の側壁上に保護膜
を形成する工程と、前記ベース層に近い側に残された一
部厚さのエミッタ層上に、ベース層と同一導電型でより
高不純物濃度の化合物半導体の外部ベース付加層を再成
長する工程と、前記ベース付加層の表面に金属あるいは
絶縁物の層を形成する工程と、前記外部ベース付加層中
の不純物をその下の一部厚さのエミッタ層およびベース
層中へ拡散させ、一部厚さのエミッタ層の導電型を反転
させる工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は化合物半導体装置に関
し、特にエミッタとベースが異なる材料で形成されるヘ
テロバイポーラドランジスタ型の化合物半導体装置に関
する。

【０００２】エミッタ−ベース間がホモ接合であるバイ
ポーラ接合トランジスタの電流増幅率は、エミッタ領域
とベース領域の不純物濃度比によって支配される。
高速動作をさせるためには、ベース領域の抵抗は低いほ
ど好ましく、ベース領域に出来るだけ多くの不純物をド
ープする事が望まれる。しかしながら、ベース領域の不
純物濃度を高くすると、電流増幅率は低下してしまう。

【０００３】エミッタ領域を、ベース領域よりもバンド
ギャップの広い半導体材料で形成すると、ベース領域を
高不純物濃度領域で形成し、かつ高い電流増幅率を実現
することが可能となる。この様な、エミッタ−ベース接
合にヘテロ接合を有するヘテロバイポーラトランジツタ
（ＨＢＴ）は、半導体装置の高速化、高集積化に適して
おり、活発に研究、開発がなされている。

【０００４】特に、高利得、高速動作が望まれる通信用
半導体素子や、超高速コンピュータ用素子として注目さ
れている。もっとも良く用いられるエミッタ−ベース接
合は、ＡｌＧａＡｓ−ＧａＡｓヘテロ接合である。 図
３に従来の技術によるＨＢＴの構成例を示す。図３
（Ａ）は、化合物半導体上に形成されたＨＢＴ素子の概
略断面図であり、図３（Ｂ）は、その一部拡大図であ
る。

【０００５】半絶縁性ＧａＡｓ基板５１の上に、ｎ⁺ 型
ＧａＡｓサブコレクタ層５２が形成されている。サブコ
レクタ層５２の上には、不純物濃度を低くしたｎ型のコ
レクタ層５３およびｐ型不純物を高濃度に含むｐ⁺ 型ベ
ース層５４が形成されている。なお、コレクタ層５３、
ベース層５４もＧａＡｓで形成される。

【０００６】ベース層５４の上には、メサ形状を有し、
周囲に薄い厚さの部分を有するｎ型ＡｌＧａＡｓのエミ
ッタ層５５が形成されている。エミッタ層５５は、Ｇａ
Ａｓよりもバンドギャップの広いＡｌＧａＡｓで形成さ
れているため、ベース層５４からの正孔電流を反射させ
ることが出来る。

【０００７】エミッタ層５５の周辺部に設けられた厚さ
の薄い領域はガードリングＧＲと呼ばれる領域であり、
その内側に真性エミッタ領域を画定する。すなわち、エ
ミッタ層５５はその下面全面でベース層５４とｐｎ接合
を形成するが実質的に電流が流れるのは、その中央部分
の真性エミッタ領域であり、ガードリングＧＲの部分に
は余り電流は流れない。

【０００８】エミッタ層５５の上には、バンドギャップ
の狭いｎ型ＧａＡｓのエミッタキャップ層５６、更にオ
ーミック接触を容易に形成する為のｎ⁺ 型ＩｎＧａＡｓ
エミッタコンタクト層５７が形成されている。エミッタ
コンタクト層５７は、エミッタキャップ層５６よりも広
い面積を有し、エミッタキャップ層５６端部から庇状に
張り出した形状を有する。

【０００９】エミッタコンタクト層５７の全表面上に、
ＷＳｉで形成されたエミッタ電極５８が配置されてい
る。エミッタ電極５８、エミッタコンタクト層５７、エ
ミッタキャップ層５６、エミッタ層５５の側面は、Ｓｉ
ＯＮで形成されたサイドウォール絶縁膜５９によって覆
われている。

【００１０】また、ベース層５４の周辺部分表面上に
は、ベース電極６０が形成され、サブコレクタ層５２の
露出された表面上には、コレクタ電極６３が形成されて
いる。なお、ＨＢＴの周囲を取り囲むように、酸素イオ
ンを注入した素子分離領域６４が形成されている。

【００１１】このような、Ｔ型エミッタ構造、ガードリ
ング構造を有するＨＢＴは、低いエミッタコンタクト抵
抗を実現し、改良させた寿命を有する。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】図３に示すようなＨＢ
Ｔは、サイドウォール絶縁膜５９を形成したのち、露出
した薄いエミッタ層５５をウエットエッチングで除去
し、ベース層５４を露出させている。露出されたベース
領域が、外部ベース領域として機能する。外部ベース領
域の特性を均一に制御するためには、ベース層露出の為
のエッチングを精度よく行う必要がある。

【００１３】ベース層を露出させると、ガードリングＧ
Ｒ周辺にはエミッタ−ベース接合Ｊが露出する。このエ
ッチング工程およびその後の電極形成の際には、ウエハ
を大気中に取り出さねばならない。ｐｎ接合界面が露出
した状態 で、外気に接すると、ｐｎ接合周辺に酸素、
炭素等の不純物が付着する可能性がある。また、後の電
極金属蒸着工程等においては、ｐｎ接合界面に電極金属
が付着する可能性もある。

【００１４】このように、露出したｐｎ接合周辺に不純
物等が付着すると、ＨＢＴを動作させ、エミッタ−ベー
ス接合に電流が流れる際、電流をＯＦＦしたいときの電
流リークの原因となり、また電流をＯＮする際に表面部
分に集中して電流が流れる過電流領域の原因となる。ま
た、ｐｎ接合周辺に付着した不純物が格子欠陥の原因と
もなる。

【００１５】本発明の目的は実質的に電流が流れる部分
において、ｐｎ接合を露出させないヘテロバイポーラト
ランジスタの製造方法を提供することである。本発明の
他の目的は、製造中にも製造後においても、実質的に電
流が流れる領域において、ｐｎ接合を露出させる必要の
ないヘテロバイポーラトランジスタを提供することであ
る。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明のヘテロバイポー
ラトランジスタ型化合物半導体装置の製造方法は、半導
体基板上に、コレクタ層、ベース層、ベース層と異なる
材料のエミッタ層を含む化合物半導体積層をエピタキシ
ャルに成長する工程と、前記エミッタ層の一部を、前記
ベース層に近い側の一部厚さを残すように、除去する工
程と、前記エミッタ層の側壁上に保護膜を形成する工程
と、前記ベース層に近い側に残された一部厚さのエミッ
タ層上に、ベース層と同一導電型でより高不純物濃度の
化合物半導体の外部ベース付加層を再成長する工程と、
前記ベース付加層の表面に金属あるいは絶縁物の層を形
成する工程と、前記外部ベース付加層中の不純物をその
下の一部厚さのエミッタ層およびベース層中へ拡散さ
せ、一部厚さのエミッタ層の導電型を反転させる工程と
を含む。

【００１７】外部ベース付加層は、好ましくはδドープ
によって不純物を添加する。

【００１８】

【作用】エミッタ層の一部除去工程においては、エミッ
タ−ベース接合は露出させないため、この工程において
ｐｎ接合周辺に酸素、炭素などの不純物が付着すること
を防止することが出来る。

【００１９】エミッタ層の一部でベース層を覆ったま
ま、その上に外部ベース付加層を再成長する事により、
エミッタ−ベース間ｐｎ接合は表面下に保護された状態
のままプロセスを進行できる。外部ベース付加層から不
純物を拡散させ、エミッタ層の導電型を反転させること
により、外部ベース付加層とベース層とを電気的に接続
することができる。

【００２０】δドープを用いれば、精度良く高濃度に不
純物を添加することが出来る。

【００２１】

【実施例】図１に本発明の実施例によるヘテロバイポー
ラトランジスタの構成を示す。図１（Ａ）は、ＨＢＴの
構成を示す断面図であり、図１（Ｂ）はその一部拡大図
である。

【００２２】図１（Ａ）において、半絶縁性（１００）
面ＧａＡｓ基板１上に、厚さ約４００ｎｍ、ｎ型不純物
濃度約５×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ のｎ⁺ 型ＧａＡｓ
サブコレクタ層が形成されている。このサブコレクタ層
２は、図中縦方向に流れた電子電流を、横方向に引出
し、コレクタ電極から取り出すための領域である。

【００２３】サブコレクタ層２の上には厚さ約４００ｎ
ｍ，ｎ型不純物濃度約３×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ の
ｎ型ＧａＡｓコレクタ層３が形成されている。このコレ
クタ層３は、印加電圧に応じて電位勾配を形成し、ベー
スを通過した電子を加速して輸送するための領域であ
る。

【００２４】コレクタ層３の上には、例えば厚さ約７０
ｎｍ、ｐ型不純物濃度約４×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³
のＧａＡｓのベース層４が形成されている。ベース層４
は、ベース電圧に応じて障壁高さを制御し、電子電流を
制御するための領域である。

【００２５】４×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ と高いｐ型
不純物濃度を有するため、ベース層４の横方向抵抗は十
分低く、高速動作の場合にも、制御性に優れている。ま
た、エミッタから注入された少数キャリアである電子
が、極めて短時間でベースを通過できるように薄い厚さ
を有している。

【００２６】ベース層４の上には、例えば厚さ約１２０
ｎｍ，ｎ型不純物濃度約５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³
のＡｌ_0.3 Ｇａ_0.7 Ａｓエミッタ層５が形成されてい
る。エミッタ層５のｎ型不純物濃度はベース層４のｐ型
不純物濃度よりも約２桁低いが、エミッタ層はベース層
よりもバンドギャップの広いＡｌＧａＡｓで形成されて
いるため、ベース層４からエミッタ層５への正孔注入は
少なく、エミッタ層５から十分量の電子を引き出すこと
が出来る。

【００２７】なお、周辺部分においてはエミッタ層５の
上部が除去され、下部に薄いガードリング構造を残して
いる。エミッタ層５の上には例えば厚さ約１００ｎｍ、
ｎ型不純物濃度約５×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ のｎ⁺
型ＧａＡｓエミッタキャップ層６が形成され、さらにそ
の上に、厚さ約１００ｎｍ、ｎ型不純物濃度約５×１０
¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ のｎ⁺ 型ＩｎＧａＡｓエミッタコ
ンタクト層７が形成されている。

【００２８】エミッタキャップ層６、エミッタコンタク
ト層７は、不純物濃度が十分高く、低抵抗のコンタクト
領域を構成する。なお、エミッタコンタクト層７は、エ
ミッタキャップ層６上部に張り出す庇状の形状を有し、
全体としてＴ型エミッタ構造を構成する。

【００２９】エミッタコンタクト層７の上には、例えば
厚さ約３００ｎｍのＷＳｉ_x のエミッタ電極８が形成さ
れている。エミッタ電極８からエミッタ層５までの側壁
上には、ＳｉＯ_x Ｎ_y で形成された厚さ約２０ｎｍのサ
イドウォール絶縁膜９が形成されている。

【００３０】エミッタ層５のガードリングより外側に
は、ガードリングと同等の厚さを有し、ベース層４上に
配置された反転領域５ａが形成され、その上に再成長層
１１が形成されている。

【００３１】再成長層１１は、例えば厚さ約２０ｎｍで
あり、約４×１０¹⁹ｃｍ^-3以上のｐ型不純物濃度を有す
る。再成長層１１の下に配置された反転領域５ａは、ｐ
型不純物とｎ型不純物を含むが、ｐ型不純物濃度の方が
ｎ型不純物濃度よりも高く、ｐ⁺ 型を有する。再成長層
１１は低抵抗の外部ベース領域を形成するために付加さ
れた層であり、この再成長層１１からの不純物拡散によ
り、反転領域５ａの導電型を反転するものである。

【００３２】なお、ｐ型不純物としてＢｅを用いた場
合、Ｂｅ濃度が２×１０¹⁹ｃｍ^-3以上になると急激に拡
散係数が大きくなる。特に、再成長後に加熱をしなくて
もエミッタ層５ａのｐ型反転を実現できる。

【００３３】再成長層１１の上には、ベース電極１１が
形成されている。また、サブコレクタ層２の一部が露出
され、その上にコレクタ電極１３が形成されている。Ｈ
ＢＴ周囲には酸素イオンを注入した素子分離領域１４が
形成され、ＨＢＴを隣接素子から電気的に分離してい
る。

【００３４】図１（Ｂ）は、反転領域５ａ、再成長層１
１の部分を拡大して示すための図である。高いｐ型不純
物濃度を有する再成長層１１が薄く残されたエミッタ層
の上に形成されている。エミッタ−ベース間のｐｎ接合
は、この薄く残されたエミッタ層の下に配置され表面か
らは隠された状態にある。再成長層１１からｐ型不純物
が拡散することにより、薄く残されたエミッタ層５ａは
ｐ型に反転させられている。

【００３５】なお、気相成長において、ドーパントガス
を添加すると成長条件が変化する。高濃度のｐ型不純物
を高精度にドープするためには、再成長層１１成長中の
限られた時間に高い不純物濃度をドープするδドープを
利用することが好ましい。例えば、再成長層１１の厚さ
方向の中央部分にデルタドープ面１２を形成し、その後
の成長工程およびそれに続くアニール工程に於いて不純
物を拡散すれば、再成長層１１及び反転領域５ａ、ベー
ス層４の少なくとも一部に高いｐ型不純物濃度を実現す
ることができる。

【００３６】なお、特に加熱工程を実施しなくても１×
１０¹⁴ｃｍ^-2程度のδドープを行えば、ドープ面から下
方へ１００ｎｍ程度の拡散を生じさせることができる。
従って、再成長終了時にはエミッタ層５ａのｐ型反転が
実現できる。

【００３７】図１に示す構成によれば、ＨＢＴを流れる
電流は実質的に電子電流であり、エミッタキャップ層
６、エミッタ層５の中央部分（ガードリング部分を除い
た領域）から下方に流れる。この電流領域となる部分で
ｐｎ接合はほぼ完全に外気から遮蔽されている。このた
め、信頼性高く、寿命の長いＨＢＴを構成することがで
きる。

【００３８】図２は、図１に示すようなＨＢＴの製造方
法を説明するための概略断面図である。図２（Ａ）に示
すように、（１００）面を有する半絶縁性ＧａＡｓ基板
１の主表面上に、分子線エピタキシ（ＭＢＥ），ガスソ
ース（ＧＳ）ＭＢＥ，有機金属（ＭＯ）ＭＢＥ、有機金
属気相成長（ＯＭＶＰＥ）、化学ビームエピタキシ（Ｃ
ＢＥ）などのエピタキシャル成長技術により、ｎ⁺ 型Ｇ
ａＡｓサブコレクタ層２、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層３、
ｐ⁺ 型ＧａＡｓベース層４、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ
層５、ｎ型ＧａＡｓエミッタキャップ層６、ｎ⁺ 型Ｉｎ
ＧａＡｓエミッタコンタクト層７をこの順番で連続的に
エピタキシャル成長する。

【００３９】次に、エミッタ電極を形成する領域に開口
を有するレジストマスクを形成し、ＷＳｉ層を蒸着しリ
フトオフすることによってＷＳｉエミッタ電極８を形成
する。なお、リフトオフの代わりに全面にＷＳｉ層をス
パッタリング等で形成し、その後レジストマスクを用い
てエッチングしてもよい。

【００４０】エミッタ電極８をマスクとし、エミッタコ
ンタクト層７、エミッタキャップ層６、エミッタ層５の
エッチングを行う。このエッチングにおいて、エミッタ
層の下部が約６０ｎｍ残るようにエッチングを制御す
る。また、エミッタコンタクト層７の下で、エミッタキ
ャップ層６がより小さい面積を有し、エミッタコンタク
ト層７が庇状に張り出すようにアンモニア系ウエットエ
ッチ等を用いてエッチングを制御することが好ましい。

【００４１】その後全面にサイドウォール絶縁膜９をＣ
ＶＤなどによって形成し、異方性エッチングを行うこと
により、平坦部分上のサイドウォール絶縁膜を除去す
る。この様にして、図に示すように側壁部分にのみ形成
されたサイドウォール絶縁膜９を形成する。薄く残され
たエミッタ層５のほぼ全領域は、サイドウォール絶縁膜
が除去されて露出する。

【００４２】次に、図２（Ｂ）に示すように、ＭＢＥ，
ＯＭＶＰＥ，ＧＳＭＢＥ，ＭＯＭＢＥ，ＣＢＥなどの選
択再成長が可能なエピタキシャル成長法を用い、露出し
たエミッタ層５表面上にＧａＡｓ再成長層１１を成長す
る。例えば、厚さ約２０ｎｍの再成長層１１を成長し、
そのほぼ中央、即ち成長開始から約１０ｎｍ成長した時
点で、Ｂｅによるδドーピングを行い、４×１０^-14 ｃ
ｍ^-2程度のＢｅをドープする。

【００４３】図２（Ｃ）に示すように、再成長層１１を
成長したのち、再成長層１１上にベース電極１０を形成
する。その後、例えばＨ₂ 雰囲気の下、８００℃におい
て約４時間のアニールを行う。このアニールにより、δ
ドープされたｐ型ドーパントが再成長層１１全体に拡散
し、更に直下のエミッタ層５及びベース層４まで到達す
る。エミッタ層５ａの領域においては、エミッタ層５形
成時にドープされたｎ型不純物濃度よりも拡散したｐ型
不純物濃度の方が高く、ｎ型からｐ型に反転する。

【００４４】このようにして再成長層１１、反転領域５
ａ、ベース層４の周辺部分により外部ベース領域が形成
される。外側に配置された薄いエミッタ層５ａがｐ型に
反転することにより、エミッタ−ベース間ｐｎ接合は、
ガードリング下方の部分で終端するようになる。

【００４５】この後、ベースメサを形成し、コレクタ電
極を形成したのち素子間分離などを行う。この様にし
て、図１に示すＨＢＴを形成する。本実施例において
は、δドープ面１２により高濃度の不純物をドープし、
その後のアニールによって拡散させてエミッタ層の一部
をｐ型に変えている。ｐｎ接合を露出させないようにし
ているので、ｐｎ接合端面に不純物が付着することによ
る劣化を防止することが出来る。また、ベース電極が真
性ベース領域に実質的に近づくため、既成抵抗を低減す
ることができる。従って、高電流利得で高周波特性に優
れたＨＢＴを得ることが出来る。

【００４６】なお、δドープは一層のみに限らない。δ
ドープを複数層挿入しても良い。ドーパントを添加する
と成長条件が変化し、エピタキシャル成長の制御が困難
になるような場合、特にδドープを用いることが好まし
い。ただし、δドープを行う代わりに、再成長層の成長
中均一に不純物をドープしても良い。

【００４７】より低抵抗の再成長層を成長するために
は、ＧａＡｓの代わりにＩｎＧａＡｓを用いることが好
ましい。ＩｎＧａＡｓを用いる場合、ベースのコンタク
ト抵抗及びシート抵抗を更に低減することが出来る。

【００４８】エミッタ層としてＡｌＧａＡｓを用いる場
合を説明したがＩｎＧａＰを用いても、同様の広いバン
ドギャップのエミッタ層を実現することが出来る。さら
に、ベース層としてＩｎＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓ
Ｐ、エミッタ層としてＩｎＰ又はＩｎＧａＡｓＰを用い
ることも出来る。さらに他の化合物半導体を用いたＨＢ
Ｔを構成することも可能であろう。

【００４９】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば種々
の変更、改良、組み合わせ等が可能な事は当業者に自明
であろう。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エミッタ層の一部を残してエミッタ構造を形成したの
ち、残ったエミッタ層上にベースと同一導電型のドーパ
ントを多量に含む再成長層を外部ベース形成用の付加層
として成長し、アニールしてベースまでドーパントを拡
散させるため、エミッタ−ベース間ｐｎ接合を露出させ
ることなくＨＢＴ素子を形成することが出来る。

【００５１】このようなプロセスを用いることにより、
素子の劣化を防止することが出来る。さらに、ベース抵
抗の低減を図れ、高性能なヘテロバイポーラトランジス
タ型化合物半導体装置を容易に製造することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例によるＨＢＴの構成を概略的に
示す断面図である。

【図２】図１に示すＨＢＴを製造するためのプロセスを
説明するための概略断面図である。

【図３】従来の技術によるＨＢＴの構成を概略的に示す
断面図である。

【符号の説明】

１ ＧａＡｓ基板 ２ ＧａＡｓサブコレクタ層 ３ ＧａＡｓコレクタ層 ４ ＧａＡｓベース層 ５ ＡｌＧａＡｓエミッタ層 ６ ＧａＡｓエミッタキャップ層 ７ ＩｎＧａＡｓエミッタコンタクト層 ８ エミッタ電極 ９ サイドウォール絶縁膜 １０ ベース電極 １２ δドープ面 １３ コレクタ電極 １４ 素子分離領域

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板上に、コレクタ層、ベース
   層、ベース層と異なる材料のエミッタ層を含む化合物半
   導体積層をエピタキシャルに成長する工程と、 前記エミッタ層の一部を、前記ベース層に近い側の一部
   厚さを残すように、除去する工程と、 前記エミッタ層の側壁上に保護膜を形成する工程と、 前記ベース層に近い側に残された一部厚さのエミッタ層
   上に、ベース層と同一導電型でより高不純物濃度の化合
   物半導体の外部ベース付加層を再成長する工程と、 前記ベース付加層の表面に金属あるいは絶縁物の層を形
   成する工程と、 前記外部ベース付加層中の不純物をその下の一部厚さの
   エミッタ層およびベース層中へ拡散させ、一部厚さのエ
   ミッタ層の導電型を反転させる工程とを含むヘテロバイ
   ポーラトランジスタ型化合物半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記外部ベース付加層の再成長が不純物
   を均一にドープしながら行われる請求項１記載のヘテロ
   バイポーラトランジスタ型化合物半導体装置の製造方
   法。
3. 【請求項３】 前記外部ベース付加層の再成長が４×１
   ０¹⁹ｃｍ^-3以上の濃度の不純物を均一にドープしながら
   行われる請求項２記載のヘテロバイポーラトランジスタ
   型化合物半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記外部ベース付加層の再成長が１層以
   上のδドープ層を含んで行われる請求項１記載のヘテロ
   バイポーラトランジスタ型化合物半導体装置の製造方
   法。
5. 【請求項５】 前記外部ベース層がＧａＡｓ，ＡｌＧａ
   Ａｓ，ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ，ＩｎＰのいずれ
   かの層またはこれらの積層で形成され、前記外部ベース
   付加層がＩｎＧａＡｓで形成される請求項１〜４のいず
   れかに記載のヘテロバイポーラトランジスタ型化合物半
   導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記コレクタ層、エミッタ層がｎ型であ
   り、前記ベース層がｐ型であり、前記外部ベース付加層
   の不純物がＢｅ，Ｍｇ，Ｚｎのいずれかである請求項１
   〜５いずれかに記載のヘテロバイポーラトランジスタ型
   化合物半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された第１導電型の化合物半導
   体コレクタ層と、 前記コレクタ層上に形成され、第１導電型と逆の第２導
   電型を有する化合物半導体ベース層と、 前記ベース層よりもバンドギャップの広い化合物半導体
   で、前記ベース層の一部表面上に形成され、第１導電型
   を有する化合物半導体エミッタ層と、 前記ベース層の残り全表面に形成され、比較的高濃度の
   第１導電型不純物と比較的低濃度の第２導電型不純物を
   含む化合物半導体外部ベース領域とを有するヘテロバイ
   ポーラトランジスタ型化合物半導体装置。
8. 【請求項８】 前記エミッタ層は、中央部に配置され、
   均一な厚さを有する中央部分と、中央部周辺でより薄い
   厚さを有するガードリング部分とを有し、前記ガードリ
   ング部分は前記外部ベース領域に連続している請求項７
   記載のヘテロバイポーラトランジスタ型化合物半導体装
   置。