JP2800457B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2800457B2 JP2800457B2 JP3119687A JP11968791A JP2800457B2 JP 2800457 B2 JP2800457 B2 JP 2800457B2 JP 3119687 A JP3119687 A JP 3119687A JP 11968791 A JP11968791 A JP 11968791A JP 2800457 B2 JP2800457 B2 JP 2800457B2
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- semiconductor layer
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- algaas
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はヘテロ接合電界効果トラ
ンジスタに関するものである。
ンジスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子親和力の異なる半導体あるいは電子
親和力と禁制帯との和が異なる半導体のヘテロ接合に蓄
積される２次元電子あるいは正孔を用いた電界効果トラ
ンジスタ（以下ＦＥＴと記す）はその蓄積される電子ま
たは正孔が特に低温において高移動度となることから、
近年ますます着目されている。
親和力と禁制帯との和が異なる半導体のヘテロ接合に蓄
積される２次元電子あるいは正孔を用いた電界効果トラ
ンジスタ（以下ＦＥＴと記す）はその蓄積される電子ま
たは正孔が特に低温において高移動度となることから、
近年ますます着目されている。
【０００３】ガリウム砒素（以下ＧａＡｓと記す）とＮ
型にドープされたＧａＡｓ層より電子親和力の小さい半
導体層、例えば、アルミニウムガリウム砒素（以下Ａｌ
ＧａＡｓと記す）層とのヘテロ接合界面のＧａＡｓ層側
に蓄積されている２次元電子チャネルをゲート電極の電
圧で制御して動作させる。
型にドープされたＧａＡｓ層より電子親和力の小さい半
導体層、例えば、アルミニウムガリウム砒素（以下Ａｌ
ＧａＡｓと記す）層とのヘテロ接合界面のＧａＡｓ層側
に蓄積されている２次元電子チャネルをゲート電極の電
圧で制御して動作させる。
【０００４】このＦＥＴにおいて、界面に蓄積される２
次元電子の面電荷密度はＧａＡｓとＡｌＧａＡｓとのエ
ネルギーバンドの不連続量およびＡｌＧａＡｓ層へのＮ
型不純物のドーピング濃度によって決定される。
次元電子の面電荷密度はＧａＡｓとＡｌＧａＡｓとのエ
ネルギーバンドの不連続量およびＡｌＧａＡｓ層へのＮ
型不純物のドーピング濃度によって決定される。
【０００５】従来のＡｌＧａＡｓのみにドーピングした
ＦＥＴについて、図２（ａ）を参照して説明する。
ＦＥＴについて、図２（ａ）を参照して説明する。
【０００６】半絶縁性ＧａＡｓ基板１に高純度ＧａＡｓ
チャネル層２、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層３、Ｎ型Ｇ
ａＡｓキャップ層８が形成されている。ソース電極５と
ドレイン電極７とをはさんでＮ型ＧａＡｓ層８を選択エ
ッチングしたところにゲート電極６が形成されている。
チャネル層２、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層３、Ｎ型Ｇ
ａＡｓキャップ層８が形成されている。ソース電極５と
ドレイン電極７とをはさんでＮ型ＧａＡｓ層８を選択エ
ッチングしたところにゲート電極６が形成されている。
【０００７】図２（ｂ）に深さ方向の熱平衡状態でのエ
ネルギーバンド図を示す。ここで、ΔＥC はＧａＡｓお
よびＡｌＧａＡｓ界面での電子親和力の差、Δ2 はＧａ
Ａｓ界面からフェルミレベルまでのエネルギー差であ
る。ＡｌＧａＡｓ層３中にイオン化したドナー９が生じ
て、中性領域１０が発生している。
ネルギーバンド図を示す。ここで、ΔＥC はＧａＡｓお
よびＡｌＧａＡｓ界面での電子親和力の差、Δ2 はＧａ
Ａｓ界面からフェルミレベルまでのエネルギー差であ
る。ＡｌＧａＡｓ層３中にイオン化したドナー９が生じ
て、中性領域１０が発生している。
【０００８】従来のＧａＡｓチャネル層上にＡｌＧａＩ
ｎＰ層を直接成長したＦＥＴについて、図３（ａ）を参
照して説明する。
ｎＰ層を直接成長したＦＥＴについて、図３（ａ）を参
照して説明する。
【０００９】半絶縁性ＧａＡｓ基板１に高純度ＧａＡｓ
チャネル層２、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ電子供給層４、Ｎ型
ＧａＡｓキャップ層８が形成されている。ソース電極５
とドレイン電極７とをはさんでＮ型ＧａＡｓ層８を選択
エッチングしたところにゲート電極６が形成されてい
る。
チャネル層２、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ電子供給層４、Ｎ型
ＧａＡｓキャップ層８が形成されている。ソース電極５
とドレイン電極７とをはさんでＮ型ＧａＡｓ層８を選択
エッチングしたところにゲート電極６が形成されてい
る。
【００１０】ＧａＡｓとＡｌＧａＩｎＰとの界面に界面
準位が形成され、電子の移動度の劣化がみられた。
準位が形成され、電子の移動度の劣化がみられた。
【００１１】図３（ｂ）に深さ方向の熱平衡状態でのエ
ネルギーバンド図を示す。ここで、ΔＥC はＧａＡｓお
よびＡｌＧａＡｓ界面での電子親和力の差、Δ3 はＧａ
Ａｓ界面からフェルミレベルまでのエネルギー差であ
る。ＡｌＧａＩｎＰ層４中にイオン化したドナー９が生
じて、中性領域１０が発生している。
ネルギーバンド図を示す。ここで、ΔＥC はＧａＡｓお
よびＡｌＧａＡｓ界面での電子親和力の差、Δ3 はＧａ
Ａｓ界面からフェルミレベルまでのエネルギー差であ
る。ＡｌＧａＩｎＰ層４中にイオン化したドナー９が生
じて、中性領域１０が発生している。
【００１２】エネルギーバンドの不連続量が大きい方が
電子の面電荷密度を大きくすることができる。したがっ
て、ＡｌＧａＡｓの場合、ＡｌＧａＡｓ層のアルミニウ
ム（以下Ａｌ）組成を大きくすれば、エネルギーバンド
の不連続量は増加する。
電子の面電荷密度を大きくすることができる。したがっ
て、ＡｌＧａＡｓの場合、ＡｌＧａＡｓ層のアルミニウ
ム（以下Ａｌ）組成を大きくすれば、エネルギーバンド
の不連続量は増加する。
【００１３】Ａｌ組成が０．４付近でＡｌＧａＡｓのエ
ネルギーバンドが直接遷移型から間接遷移型になり、バ
ンドギャップの増加量は小さくなって、ＧａＡｓとＡｌ
ＧａＡｓとのヘテロ接合でのエネルギーバンドの不連続
量がＡｌの増加量に比べて大きくならない。したがっ
て、一般にＡｌ組成は０．２５から０．３とされてい
る。
ネルギーバンドが直接遷移型から間接遷移型になり、バ
ンドギャップの増加量は小さくなって、ＧａＡｓとＡｌ
ＧａＡｓとのヘテロ接合でのエネルギーバンドの不連続
量がＡｌの増加量に比べて大きくならない。したがっ
て、一般にＡｌ組成は０．２５から０．３とされてい
る。
【００１４】またドーピング濃度を上げて面電荷密度を
増加させることができる。しかしドーピングレベルを上
げるつれて、フェルミレベルがＡｌＧａＡｓの価電子帯
端に達し、ＡｌＧａＡｓ層中に電子がたまりはじめ、い
わゆる中性領域が形成される。そのためこれ以上２次元
電子の面電荷密度を上げることはできない。ＧａＡｓお
よびＡｌＧａＡｓからなる結晶の場合、面電荷密度の最
大値は約１．２×１０12ｃｍ-3である。
増加させることができる。しかしドーピングレベルを上
げるつれて、フェルミレベルがＡｌＧａＡｓの価電子帯
端に達し、ＡｌＧａＡｓ層中に電子がたまりはじめ、い
わゆる中性領域が形成される。そのためこれ以上２次元
電子の面電荷密度を上げることはできない。ＧａＡｓお
よびＡｌＧａＡｓからなる結晶の場合、面電荷密度の最
大値は約１．２×１０12ｃｍ-3である。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】格子定数がＧａＡｓと
同じで、しかも電子親和力の大きい３−５族化合物半導
体材料として、アルミニウムガリウムインジウム燐（以
下ＡｌＧａＩｎＰと記す）があげられる。これはＡｌＧ
ａＡｓよりも電子親和力が大きいので、ドーピングレベ
ルを上げても、ＡｌＧａＡｓと比較して、中性領域が形
成され難く、面電荷密度をより大きくすることができ
る。
同じで、しかも電子親和力の大きい３−５族化合物半導
体材料として、アルミニウムガリウムインジウム燐（以
下ＡｌＧａＩｎＰと記す）があげられる。これはＡｌＧ
ａＡｓよりも電子親和力が大きいので、ドーピングレベ
ルを上げても、ＡｌＧａＡｓと比較して、中性領域が形
成され難く、面電荷密度をより大きくすることができ
る。
【００１６】しかし、ＡｌＧａＡｓよりもエピタキシャ
ル層成長が難しい。通常ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系では
分子線エピタキシャル法（以下ＭＢＥと記す）や有機金
属気相成長法（以下ＭＯＣＶＤと記す）が用いられる。
一方、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ系では専ら有機金属気
相成長法が用いられる。
ル層成長が難しい。通常ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系では
分子線エピタキシャル法（以下ＭＢＥと記す）や有機金
属気相成長法（以下ＭＯＣＶＤと記す）が用いられる。
一方、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ系では専ら有機金属気
相成長法が用いられる。
【００１７】３族原料のＧａ、Ａｌ、Ｉｎは蒸気圧が低
いので、結晶成長時に制御し易いが、５族原料のＡｓや
Ｐは蒸気圧が高いので、ＭＢＥおよびＭＯＣＶＤのいず
れにおいても制御が難しい。
いので、結晶成長時に制御し易いが、５族原料のＡｓや
Ｐは蒸気圧が高いので、ＭＢＥおよびＭＯＣＶＤのいず
れにおいても制御が難しい。
【００１８】ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系では５族原料を
切り替える必要はないが、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ系
ではＧａＡｓ層からＡｌＧａＩｎＰ層へ連続成長する場
合、５族原料を切り替えなければならない。この切り替
えが不十分の場合中間層が生じやすい。
切り替える必要はないが、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ系
ではＧａＡｓ層からＡｌＧａＩｎＰ層へ連続成長する場
合、５族原料を切り替えなければならない。この切り替
えが不十分の場合中間層が生じやすい。
【００１９】さらに、ＡｌＧａＡｓはＧａＡｓとほぼ格
子定数が同じであるが、ＡｌＧａＩｎＰはＩｎとＧａ
（あるいはＡｌ）の組成比により格子常数が大きく変わ
る。したがってＧａＡｓとＡｌＧａＩｎＰとの界面で格
子不整合による転位層や結晶欠陥、界面準位などが生じ
やすい。
子定数が同じであるが、ＡｌＧａＩｎＰはＩｎとＧａ
（あるいはＡｌ）の組成比により格子常数が大きく変わ
る。したがってＧａＡｓとＡｌＧａＩｎＰとの界面で格
子不整合による転位層や結晶欠陥、界面準位などが生じ
やすい。
【００２０】本発明の目的は２次元電子の供給層で中性
領域が生じ難く、しかも電子の蓄積する導電層と供給層
との界面が清浄なエピタキシャル層からなるヘテロ接合
電界効果トランジスタを提供することにある。
領域が生じ難く、しかも電子の蓄積する導電層と供給層
との界面が清浄なエピタキシャル層からなるヘテロ接合
電界効果トランジスタを提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
第１の半導体層上に、該第１の半導体層よりも電子親和
力の小さい第２の半導体層が設けられ、さらに該第２の
半導体層上に該第２の半導体層よりも電子親和力の小さ
い第３の半導体層が設けられ、該第３の半導体層上にシ
ョットキ電極が設けられ、前記第１の半導体層と前記第
２の半導体層との境界の前記第２の半導体層側に電子チ
ャネルが形成されている半導体装置において、前記第１
の半導体層はガリウム砒素およびインジウムガリウム砒
素のうちの一つであり、前記第２の半導体層はアルミニ
ウムガリウム砒素であり、前記第３の半導体層はガリウ
ム砒素と格子定数が一致するアルミニウムガリウムイン
ジウム燐であることを特徴とするものである。
第１の半導体層上に、該第１の半導体層よりも電子親和
力の小さい第２の半導体層が設けられ、さらに該第２の
半導体層上に該第２の半導体層よりも電子親和力の小さ
い第３の半導体層が設けられ、該第３の半導体層上にシ
ョットキ電極が設けられ、前記第１の半導体層と前記第
２の半導体層との境界の前記第２の半導体層側に電子チ
ャネルが形成されている半導体装置において、前記第１
の半導体層はガリウム砒素およびインジウムガリウム砒
素のうちの一つであり、前記第２の半導体層はアルミニ
ウムガリウム砒素であり、前記第３の半導体層はガリウ
ム砒素と格子定数が一致するアルミニウムガリウムイン
ジウム燐であることを特徴とするものである。
【００２２】さらに前記第１の半導体層はガリウム砒素
およびインジウムガリウム砒素のうち１つであり、前記
第２の半導体層はアルミニウムガリウム砒素であり、前
記第３の半導体層はアルミニウムガリウムインジウム燐
であるものである。
およびインジウムガリウム砒素のうち１つであり、前記
第２の半導体層はアルミニウムガリウム砒素であり、前
記第３の半導体層はアルミニウムガリウムインジウム燐
であるものである。
【００２３】
【作用】ＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓからなる第１の半
導体層上に、これより電子親和力の小さいＡｌＧａＡｓ
からなる第２の半導体層を設ける。ＧａＡｓとＡｌＧａ
Ａｓとの格子定数差は小さいので界面準位や中間層は形
成されない。
導体層上に、これより電子親和力の小さいＡｌＧａＡｓ
からなる第２の半導体層を設ける。ＧａＡｓとＡｌＧａ
Ａｓとの格子定数差は小さいので界面準位や中間層は形
成されない。
【００２４】つぎにＡｌＧａＡｓよりも電子親和力の小
さい第３の半導体であるＡｌＧａＩｎＰを設ける。Ｓｉ
からなるＮ型のドーパントを、第２の半導体層を構成す
るＡｌＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＡｓに選択的にドーピ
ングすることにより第１の半導体層と第２の半導体層と
の界面の第１の半導体層側に電子チャネルが形成され
る。
さい第３の半導体であるＡｌＧａＩｎＰを設ける。Ｓｉ
からなるＮ型のドーパントを、第２の半導体層を構成す
るＡｌＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＡｓに選択的にドーピ
ングすることにより第１の半導体層と第２の半導体層と
の界面の第１の半導体層側に電子チャネルが形成され
る。
【００２５】もし第３の半導体層がＡｌＧａＡｓであれ
ば、ドーピング量が増すにつれてフェルミレベルが価電
子帯端に近づき、ついに電子がＡｌＧａＡｓ中に蓄積さ
れて中性領域が形成される。しかし第３の半導体層とし
て電子親和力のより小さいＡｌＧａＩｎＰを用いたの
で、中性領域は生成し難い。しかもＧａＡｓとＡｌＧａ
Ａｓとの界面が清浄に形成されるので、界面準位に２次
元電子が捕獲されたり、走行中に散乱されたりすること
はない。
ば、ドーピング量が増すにつれてフェルミレベルが価電
子帯端に近づき、ついに電子がＡｌＧａＡｓ中に蓄積さ
れて中性領域が形成される。しかし第３の半導体層とし
て電子親和力のより小さいＡｌＧａＩｎＰを用いたの
で、中性領域は生成し難い。しかもＧａＡｓとＡｌＧａ
Ａｓとの界面が清浄に形成されるので、界面準位に２次
元電子が捕獲されたり、走行中に散乱されたりすること
はない。
【００２６】
【実施例】本発明の一実施例について、図１（ａ）の断
面図およびそのエネルギーバンド図である図１（ｂ）を
参照して説明する。
面図およびそのエネルギーバンド図である図１（ｂ）を
参照して説明する。
【００２７】図１（ａ）に示すように、半絶縁性ＧａＡ
ａ基板１上に第１の半導体層である高純度ＧａＡｓ層
２、第２の半導体層であるＳｉを３×１０18ｃｍ-3ドー
ピングしたＮ型ＡｌＧａＡｓ層３、第３の半導体層であ
る同じくＳｉを３×１０18ｃｍ-3ドーピングしたＮ型Ａ
ｌＧａＩｎＰ層４が形成されている。
ａ基板１上に第１の半導体層である高純度ＧａＡｓ層
２、第２の半導体層であるＳｉを３×１０18ｃｍ-3ドー
ピングしたＮ型ＡｌＧａＡｓ層３、第３の半導体層であ
る同じくＳｉを３×１０18ｃｍ-3ドーピングしたＮ型Ａ
ｌＧａＩｎＰ層４が形成されている。
【００２８】さらにソース電極５、ゲート電極６、ドレ
イン電極７が形成されている。
イン電極７が形成されている。
【００２９】Ｎ型ＡｌＧａＡｓ層３はキャリヤ供給層、
Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層４は障壁層となっている。各層は
ＭＯＣＶＤにより成長され、それぞれの厚さは高純度Ｇ
ａＡｓ層２が８００ｎｍ、ＡｌＧａＡｓ層３が１０ｎ
ｍ、ＡｌＧａＩｎＰ層４が２０ｎｍである。
Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層４は障壁層となっている。各層は
ＭＯＣＶＤにより成長され、それぞれの厚さは高純度Ｇ
ａＡｓ層２が８００ｎｍ、ＡｌＧａＡｓ層３が１０ｎ
ｍ、ＡｌＧａＩｎＰ層４が２０ｎｍである。
【００３０】ソース電極およびドレイン電極を低抵抗化
するためキャップ層となるＮ型ＧａＡｓ層８を成長さ
せ、ゲート予定領域を選択エッチングして、アルミニウ
ムからなるゲート電極６が形成されている。さらに金お
よびゲルマニウム、ニッケルによるオーミック電極５，
７が形成されている。
するためキャップ層となるＮ型ＧａＡｓ層８を成長さ
せ、ゲート予定領域を選択エッチングして、アルミニウ
ムからなるゲート電極６が形成されている。さらに金お
よびゲルマニウム、ニッケルによるオーミック電極５，
７が形成されている。
【００３１】図１（ｂ）にこの断面構造において、中性
領域がわずかにできたノーマリオン型トランジスタの、
ゲート下における深さ方向の熱平衡状態でのエネルギー
バンド図を示す。ここで、ΔＥC はＧａＡｓおよびＡｌ
ＧａＡｓ界面での電子親和力の差、Δ1 はＧａＡｓ界面
からフェルミレベルまでのエネルギー差である。ＡｌＧ
ａＡｓ層およびＡｌＧａＩｎＰ層中にイオン化したドナ
ー９が生じている。
領域がわずかにできたノーマリオン型トランジスタの、
ゲート下における深さ方向の熱平衡状態でのエネルギー
バンド図を示す。ここで、ΔＥC はＧａＡｓおよびＡｌ
ＧａＡｓ界面での電子親和力の差、Δ1 はＧａＡｓ界面
からフェルミレベルまでのエネルギー差である。ＡｌＧ
ａＡｓ層およびＡｌＧａＩｎＰ層中にイオン化したドナ
ー９が生じている。
【００３２】図２（ｂ）に示すＡｌＧａＡｓのみにドー
ピングした従来例のΔ2 よりも本実施例のΔ1 は大き
い。ＡｌＧａＩｎＰは電子親和力が小さいので中性領域
ができにくく、本実施例の面電荷密度は従来例よりも大
きくなっている。
ピングした従来例のΔ2 よりも本実施例のΔ1 は大き
い。ＡｌＧａＩｎＰは電子親和力が小さいので中性領域
ができにくく、本実施例の面電荷密度は従来例よりも大
きくなっている。
【００３３】図３（ｂ）に示すＧａＡｓチャネル層上に
ＡｌＧａＩｎＰ層を直接成長した従来例のΔ3 はΔ1 と
ほぼ等しいが、従来例のＧａＡｓ２とＡｌＧａＩｎＰ４
との界面にみられた界面準位は本実施例では認められな
かった。
ＡｌＧａＩｎＰ層を直接成長した従来例のΔ3 はΔ1 と
ほぼ等しいが、従来例のＧａＡｓ２とＡｌＧａＩｎＰ４
との界面にみられた界面準位は本実施例では認められな
かった。
【００３４】本発明のような構造の２次元電子トランジ
スタではゲート下の電子濃度とともにソース電極とゲー
ト電極まで、ゲート電極からドレイン電極までの電子濃
度が増し、ソース抵抗およびドレイン抵抗が低くなる。
高周波特性では遮断周波数が向上し、雑音特性の改善が
みられた。
スタではゲート下の電子濃度とともにソース電極とゲー
ト電極まで、ゲート電極からドレイン電極までの電子濃
度が増し、ソース抵抗およびドレイン抵抗が低くなる。
高周波特性では遮断周波数が向上し、雑音特性の改善が
みられた。
【００３５】
【発明の効果】電子親和力の小さい材料からなる電子供
給層を用いることにより、２次元電子の濃度を高めるこ
とが可能となる。しかも２次元電子の流れる領域を清浄
な結晶状態にすることにより電子の走行を妨げることが
なく、しかも平易なエピタキシャル成長法で、優れた特
性のＦＥＴを安定して製造することが可能になった。
給層を用いることにより、２次元電子の濃度を高めるこ
とが可能となる。しかも２次元電子の流れる領域を清浄
な結晶状態にすることにより電子の走行を妨げることが
なく、しかも平易なエピタキシャル成長法で、優れた特
性のＦＥＴを安定して製造することが可能になった。
【図１】（ａ）は本発明による半導体装置の構造を示す
断面図である。（ｂ）は本発明による半導体装置のエネ
ルギーバンド図である。
断面図である。（ｂ）は本発明による半導体装置のエネ
ルギーバンド図である。
【図２】（ａ）は従来の半導体装置の構造を示す断面図
である。（ｂ）は従来の半導体装置のエネルギーバンド
図である。
である。（ｂ）は従来の半導体装置のエネルギーバンド
図である。
【図３】（ａ）は従来の半導体装置の構造を示す断面図
である。（ｂ）は従来の半導体装置のエネルギーバンド
図である。
である。（ｂ）は従来の半導体装置のエネルギーバンド
図である。
１ 半絶縁型ガリウム砒素基板 ２ 高純度ガリウム砒素層 ３ Ｎ型アルミニウムガリウム砒素層 ４ Ｎ型アルミニウムガリウムインジウム燐層 ５ ソース電極 ６ ゲート電極 ７ ドレイン電極 ８ Ｎ型ガリウム砒素層 ９ イオン化したドナー １０ 中性化領域
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の半導体層上に、該第１の半導体層
よりも電子親和力の小さい第２の半導体層が設けられ、
さらに該第２の半導体層上に該第２の半導体層よりも電
子親和力の小さい第３の半導体層が設けられ、該第３の
半導体層上にショットキ電極が形成され、前記第１の半
導体層と前記第２の半導体層との境界の前記第２の半導
体層側に電子チャネルが形成されている半導体装置にお
いて、前記第１の半導体層はガリウム砒素およびインジ
ウムガリウム砒素のうちの一つであり、前記第２の半導
体層はアルミニウムガリウム砒素であり、前記第３の半
導体層はガリウム砒素と格子定数が一致するアルミニウ
ムガリウムインジウム燐であることを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3119687A JP2800457B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3119687A JP2800457B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04346444A JPH04346444A (ja) | 1992-12-02 |
| JP2800457B2 true JP2800457B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=14767569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3119687A Expired - Fee Related JP2800457B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2800457B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01225368A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP3119687A patent/JP2800457B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04346444A (ja) | 1992-12-02 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980609 |
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