JPH02199054A - 超電導体の製造方法 - Google Patents
超電導体の製造方法Info
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Landscapes
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、一定の温度で電気抵抗がゼロになるいわゆる
超電導体に係り、特に液体窒素温度以上で超電導特性を
示すビスマス及び鉛を含有する超電導体の製造方法に関
する。
超電導体に係り、特に液体窒素温度以上で超電導特性を
示すビスマス及び鉛を含有する超電導体の製造方法に関
する。
09発明のl!E要
本発明は、ビスマス(Bi)及び鉛(Pb)を含aする
超電導体、例えば、ビスマス(Bi)。
超電導体、例えば、ビスマス(Bi)。
鉛(Pb)、ストロンチウム(Sr)、カルシウム(C
a)、銅(Cu)を含む、B1−Pb−9r−Ca−C
u−0系の超電導体、の製造方法であり、焼成時にビス
マス及び鉛が飛散減少するのを防止するために、超電導
体原料とビスマス。
a)、銅(Cu)を含む、B1−Pb−9r−Ca−C
u−0系の超電導体、の製造方法であり、焼成時にビス
マス及び鉛が飛散減少するのを防止するために、超電導
体原料とビスマス。
鉛を含有する抑制体とを同じ容器に入れて焼成するもの
である。
である。
C0従来の技術
最近、液体窒素の温度77に以上の温度にて超電導現象
を生じるものとして、イツトリウム系銅酸化物が発見さ
れ、更には安価な材料でしかもTCがIIOK程度を示
すB i −S r−Ca−CuO系の超電導体が発見
されている。しかし、この程Bi(ビスマス)系は、T
Cが70にの相と、110にの相が混在する欠点があっ
た。しかして、これにPb(鉛)を少量添加することに
より高温相(IIOK)の単相化が実現できるB1−P
bS r−Ca−Cu−0系の超電導体が発見されるに
至っている。
を生じるものとして、イツトリウム系銅酸化物が発見さ
れ、更には安価な材料でしかもTCがIIOK程度を示
すB i −S r−Ca−CuO系の超電導体が発見
されている。しかし、この程Bi(ビスマス)系は、T
Cが70にの相と、110にの相が混在する欠点があっ
た。しかして、これにPb(鉛)を少量添加することに
より高温相(IIOK)の単相化が実現できるB1−P
bS r−Ca−Cu−0系の超電導体が発見されるに
至っている。
D1発明が解決しようとする課題
11t1述のような材料は、液体窒素の温度以上の温度
で超電導現象を生じることから、この超電導を利用した
具体的な適用範囲が拡大してきた。
で超電導現象を生じることから、この超電導を利用した
具体的な適用範囲が拡大してきた。
しかし、上述のようなり1−Pb−5r−CaCu−0
系の超電導体は、出発物質にビスマス(Di)及び鉛(
r’b)を含むために、原料を焼成炉で直接に焼成する
と、熱負荷によってDi及びPbが飛散し、出発混合時
の組成と最終生成物の組成との間で「ずれ」が生じる問
題がある。
系の超電導体は、出発物質にビスマス(Di)及び鉛(
r’b)を含むために、原料を焼成炉で直接に焼成する
と、熱負荷によってDi及びPbが飛散し、出発混合時
の組成と最終生成物の組成との間で「ずれ」が生じる問
題がある。
発明者からの実験によれば、温度830〜880℃で数
時間焼成した場合に、ビスマス及び鉛の含有量は混合時
の量に対して、7〜8%減少していることが判った。
時間焼成した場合に、ビスマス及び鉛の含有量は混合時
の量に対して、7〜8%減少していることが判った。
これを解決するには、ビスマス及び鉛の飛散減少を見込
んだ量のビスマス及び鉛を用いればよいが、そうすると
ビスマス及び鉛が過剰となって所定の超電導現象を生じ
ない場合が発生することが判った。
んだ量のビスマス及び鉛を用いればよいが、そうすると
ビスマス及び鉛が過剰となって所定の超電導現象を生じ
ない場合が発生することが判った。
従って、焼成時の熱負荷によって飛散しやすいビスマス
及び鉛を含有した超電導体の場合にあっては、超電導性
能の低下、不安定を招来しやすく、量産化した場合には
品質にバラツキを生じるおそれがある。
及び鉛を含有した超電導体の場合にあっては、超電導性
能の低下、不安定を招来しやすく、量産化した場合には
品質にバラツキを生じるおそれがある。
これらの点に鑑み、本発明は、品質の安定したBi及び
鉛を含有した超電導体、例えば、B1Pb−9r−Ca
−Cu−0系の超電導体の製造方法を提供しようとする
ものである。
鉛を含有した超電導体、例えば、B1Pb−9r−Ca
−Cu−0系の超電導体の製造方法を提供しようとする
ものである。
E3課題を解決するための手段
本発明は、ビスマス(Bi)及び鉛(Pb)を含有する
超電導体の原料(例えば、各々酸素と化合したビスマス
、鉛、ストロンチウム、カルシウム、及び銅の粉末を混
合した混合物)と、ビスマス、鉛を含有する抑制体とを
同じ焼成用の容器に収納し、これを焼成炉にて焼成する
ことにより焼結体、すなわち超電導体を得るものである
。
超電導体の原料(例えば、各々酸素と化合したビスマス
、鉛、ストロンチウム、カルシウム、及び銅の粉末を混
合した混合物)と、ビスマス、鉛を含有する抑制体とを
同じ焼成用の容器に収納し、これを焼成炉にて焼成する
ことにより焼結体、すなわち超電導体を得るものである
。
なお、
■容器本体、蓋は、ビスマス及び鉛と著しく反応しない
材料(例えばアルミナセラミックス)で形成する。
材料(例えばアルミナセラミックス)で形成する。
■ビスマス、鉛を含有する抑制体は、Bi。
pbを含む化合物であり、
(イ)酸素と化合したビスマス、及び鉛1例えばB j
yos、PbO,PbtO3゜Pb30.。
yos、PbO,PbtO3゜Pb30.。
(ロ)焼成温度で分解、酸化反応してビスマス酸化物、
鉛酸化物となるもの。
鉛酸化物となるもの。
(ハ)焼成する超電導体と同じ組成の粉体、または加圧
した成形体。
した成形体。
なお、加圧した成形体の場合には、超電導体用の成形体
よりも低い圧力で加圧したもの。
よりも低い圧力で加圧したもの。
(ニ)超電導体用の原料におけるビスマス、鉛成分より
その量を2倍程度多くしたもの。
その量を2倍程度多くしたもの。
(ホ)ビスマス、鉛を含有する化合物で、超電導体を形
成する成分のストロンチウム。
成する成分のストロンチウム。
カルシウム、及び銅の内の1種類以上の成分を含むもの
、例えば、Bi、CuO4゜Cu aP b Os。
、例えば、Bi、CuO4゜Cu aP b Os。
(へ)ビスマス含有物、鉛含有物をスラリー状にして、
これを有機物からなる多孔質物質に吸収させて乾燥した
もの。
これを有機物からなる多孔質物質に吸収させて乾燥した
もの。
(ト)(へ)項のものを加熱(例えば600℃)して有
機物を分解し、ビスマス物質、鉛物質の多孔質体に形成
したもの。
機物を分解し、ビスマス物質、鉛物質の多孔質体に形成
したもの。
(ヂ)ビスマス、鉛を含む物質を無機質のセラミックス
多孔質体に含浸乾燥したもの。
多孔質体に含浸乾燥したもの。
が該当する。
■抑制体の形態は、
(イ)粉体の形態で設ける。
(ロ)加圧成彩したブロックで設ける。
この場合は、超電導体用の成形体よりも低い圧力で加圧
する。
する。
(ハ)ビスマス、鉛を各々多孔質体に含浸したもの、両
者を共に多孔質体に含浸したもの、または多孔質のビス
マス含有体、多孔質の鉛含育体、多孔質のビスマス及び
鉛含有体に加工したものを設ける。
者を共に多孔質体に含浸したもの、または多孔質のビス
マス含有体、多孔質の鉛含育体、多孔質のビスマス及び
鉛含有体に加工したものを設ける。
が該当し、設置箇所数は複数とするのが望ましい。
■焼成の温度は、830〜880℃とするのが好ましい
。
。
また原料を仮焼成する場合には、後工程の焼成温度以下
の、例えば830℃以下で仮焼成する。
の、例えば830℃以下で仮焼成する。
■超電導体の原料は、各々酸素と化合したBi。
Pb、Sr、Ca、Cuの粉末、
例えば、酸化物、炭酸化物、水酸化物、の様な化合物粉
末を用いる。
末を用いる。
例えば、ビスマス酸化物(BiyOs)、鉛酸化物(P
b O)、 銅酸化物(Cub)、 ストロンチウム炭酸化物(SrCO3)、ストロンチウ
ム酸化物(SrO)、 ストロンチウム水酸化物(S r (OH) y)、カ
ルシウム炭酸化物(Ca C03)、カルシウム酸化物
(Cab)、 カルシウム水酸化物(Ca (OH)t)、が該当する
。
b O)、 銅酸化物(Cub)、 ストロンチウム炭酸化物(SrCO3)、ストロンチウ
ム酸化物(SrO)、 ストロンチウム水酸化物(S r (OH) y)、カ
ルシウム炭酸化物(Ca C03)、カルシウム酸化物
(Cab)、 カルシウム水酸化物(Ca (OH)t)、が該当する
。
■超電導体のBi、Pb、Sr、Ca、Cuの成分原子
比の関係は出発時(混合時)換算で、同じアルカリ土類
であるSr、Caの関係が、S r : Ca= I
: 0.3〜3゜他のBi、Pb、Cuの関係が、 (Bi+Pb):Cu=I : 1.8〜4゜11i
:Pb=1 : 0.1〜0.4゜そしてこれら両者の
関係が、 (Sr+Ca):(Bi+Pb+Cu)=l :
1 〜2゜の範囲であれば、液体窒素で超電導現象(抵
抗ゼロ又は極微小値)が生じる焼結体を得ることができ
る。
比の関係は出発時(混合時)換算で、同じアルカリ土類
であるSr、Caの関係が、S r : Ca= I
: 0.3〜3゜他のBi、Pb、Cuの関係が、 (Bi+Pb):Cu=I : 1.8〜4゜11i
:Pb=1 : 0.1〜0.4゜そしてこれら両者の
関係が、 (Sr+Ca):(Bi+Pb+Cu)=l :
1 〜2゜の範囲であれば、液体窒素で超電導現象(抵
抗ゼロ又は極微小値)が生じる焼結体を得ることができ
る。
F0作用
超電導体用の原料と抑制体とを同じ容器内に収納して焼
成するので、容器内をビスマス及び鉛に富む雰囲気とす
ることができ、この結果原料からのビスマス及び鉛の飛
散は抑制できる。
成するので、容器内をビスマス及び鉛に富む雰囲気とす
ることができ、この結果原料からのビスマス及び鉛の飛
散は抑制できる。
G、実施例
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
先ず、超電導体の原料である成形体lについて説明する
。
。
出発原料として粒径10μm以下のビスマス酸化物(B
t to 3)の粉末、鉛酸化物(PbO)の粉末、
ストロンチウム炭酸化物(SrCO3)の粉末、カルシ
ウム炭酸化物(Ca COa )の粉末、銅酸化物(C
ub)の粉末を各々8.7mo1%。
t to 3)の粉末、鉛酸化物(PbO)の粉末、
ストロンチウム炭酸化物(SrCO3)の粉末、カルシ
ウム炭酸化物(Ca COa )の粉末、銅酸化物(C
ub)の粉末を各々8.7mo1%。
4.3mo1%、21.7mo1%、21.7m。
1%、43.5mo1%となるように秤量する。
次に、これらの粉末をボールミルで、アルコール(又は
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約100℃の温度で乾燥す
る。
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約100℃の温度で乾燥す
る。
そして、バインダーとしてポリビニルアルコールを、原
料粉末に対して1重量%となるようにポリビニルアルコ
ール溶液の形で添加する。
料粉末に対して1重量%となるようにポリビニルアルコ
ール溶液の形で添加する。
そしてアルコールを更に加え充分に混練した後、乾燥し
、ふるいにて150メツシユ以下の顆粒状の造粒粉を得
る。
、ふるいにて150メツシユ以下の顆粒状の造粒粉を得
る。
次に、この造粒粉を金型に充填した後、l〜2Ton/
cm″程度の圧力で圧縮成形して、外径40mm、厚み
6mmの成形体lを作る。
cm″程度の圧力で圧縮成形して、外径40mm、厚み
6mmの成形体lを作る。
次に、ビスマスを含有する抑制体2は、前記成形体lと
同じ組成成分の造粒粉を用いて、前記成形体lの加圧力
より低い圧力の約300kg/c m ’で加圧成形し
形成する。
同じ組成成分の造粒粉を用いて、前記成形体lの加圧力
より低い圧力の約300kg/c m ’で加圧成形し
形成する。
次に、この成形体lを焼成する場合について説明する。
焼成に使用する容器は、第1図のように」一部が開口し
たアルミナセラミックスからなる容器本体3と、同材料
からなるこの容器の開口部を閉鎖する蓋4とからなる。
たアルミナセラミックスからなる容器本体3と、同材料
からなるこの容器の開口部を閉鎖する蓋4とからなる。
まず、成形体1を容器本体3内にセットする際には、ま
ずアルミナ板から成るスペーサ5を容器底部に置き、そ
の上に前記成形体lと同じ組成の粉末を敷粉6として薄
く置く。そして、この敷粉6の一1=に前記成形体1を
載せる。
ずアルミナ板から成るスペーサ5を容器底部に置き、そ
の上に前記成形体lと同じ組成の粉末を敷粉6として薄
く置く。そして、この敷粉6の一1=に前記成形体1を
載せる。
一方、抑制体2の容器内への設置は、複数個の抑制体2
を用意し、まず前記成形体lの周囲で且つ容器底部に複
数個アルミナ板から成るスペーサ7を置き、その上にH
記成形体1と同じ組成の粉末を敷粉8として薄く置く。
を用意し、まず前記成形体lの周囲で且つ容器底部に複
数個アルミナ板から成るスペーサ7を置き、その上にH
記成形体1と同じ組成の粉末を敷粉8として薄く置く。
そして、この敷粉8のにに各々抑制体2を載せる。
次に、容器本体3の開口部を塞ぐために、蓋4を載せ、
この状態の容器を焼成炉内に設置し、酸化性雰囲気で、
巨つ830〜880℃の温度で数時間加熱して成形体1
を焼成して焼結体(セラミックス)を得る。
この状態の容器を焼成炉内に設置し、酸化性雰囲気で、
巨つ830〜880℃の温度で数時間加熱して成形体1
を焼成して焼結体(セラミックス)を得る。
焼成時にあっては、ビスマス及び鉛を含有する抑制体2
の存在、及び容器本体3が蓋4で略閉鎖されていること
から、容器内はビスマス及び鉛に富む雰囲気となる。
の存在、及び容器本体3が蓋4で略閉鎖されていること
から、容器内はビスマス及び鉛に富む雰囲気となる。
上記の製造方法により得られた焼結体を、幅4m m
、厚さ4mm、長さ40mmの形状に切り出して第2図
に示すように電極を設けて4端子法により、焼結体の抵
抗を測定した。
、厚さ4mm、長さ40mmの形状に切り出して第2図
に示すように電極を設けて4端子法により、焼結体の抵
抗を測定した。
即ち第2図は、抵抗値を測定するための説明図で、焼結
体Sの長方向の両端側に電流を流すための端子a、a′
を設け、その内側に抵抗値を測定するための電圧端子す
、h’を設け、これを液体窒素の低温槽に入れ、端子a
、a′に1アンペアの安定化電流を流して端子す、b”
間の電圧を電圧計(V)で測定して端子す、b′間の電
圧降下によって抵抗値を測定する。なお、Aは電流計を
示す。
体Sの長方向の両端側に電流を流すための端子a、a′
を設け、その内側に抵抗値を測定するための電圧端子す
、h’を設け、これを液体窒素の低温槽に入れ、端子a
、a′に1アンペアの安定化電流を流して端子す、b”
間の電圧を電圧計(V)で測定して端子す、b′間の電
圧降下によって抵抗値を測定する。なお、Aは電流計を
示す。
その結果、絶対温度約110にで超電導現象が始まり約
105Kに至って電気抵抗がゼロになることが確認され
た。
105Kに至って電気抵抗がゼロになることが確認され
た。
また、焼成後のビスマス及び鉛の量を測定した結果、混
合時のMに対して2〜3%の減少に留どまりでいた。
合時のMに対して2〜3%の減少に留どまりでいた。
■1発明の効果
以−Lのように本発明による製造方法によれば、略閉鎖
した容器本体内に、超電導体の原料と、ビスマス及び鉛
を含有する抑制体とを一緒に入れて焼成しているので、
容器内の超電導体の原料はビスマス及び鉛に富む雰囲気
にて焼成されることになり、原料からのビスマス及び鉛
の飛散は効果的に抑制でき、ビスマス及び鉛の減少は初
期混合時の2〜3%の減少に留どめることかできる。
した容器本体内に、超電導体の原料と、ビスマス及び鉛
を含有する抑制体とを一緒に入れて焼成しているので、
容器内の超電導体の原料はビスマス及び鉛に富む雰囲気
にて焼成されることになり、原料からのビスマス及び鉛
の飛散は効果的に抑制でき、ビスマス及び鉛の減少は初
期混合時の2〜3%の減少に留どめることかできる。
よって組成が安定化し、結果として品質の安定した超電
導体を得ることができる。
導体を得ることができる。
また、ビスマス(Bi)、鉛(Pb)、ストロンチウム
(Sr)、カルシウム(Ca)、銅(Cu)を含む、B
1−Pb−5r−Ca−CuO系の超電導体、にあっ
ては、液体窒素温度(77K)において超電導状態とな
る。
(Sr)、カルシウム(Ca)、銅(Cu)を含む、B
1−Pb−5r−Ca−CuO系の超電導体、にあっ
ては、液体窒素温度(77K)において超電導状態とな
る。
しかも、従来のビスマス系のものは、Tcが70にと1
10にの2相構造であったが、本発明のものにあっては
、約110にのrn相とすることができ、より高温度で
超電導現象を生じることから安定した超電導状態を維持
できるものである。
10にの2相構造であったが、本発明のものにあっては
、約110にのrn相とすることができ、より高温度で
超電導現象を生じることから安定した超電導状態を維持
できるものである。
従って安価な原材料にて超電導体を形成でき、その上液
体窒素温度の冷却でよいことから、−層実用化に近付き
、特に電力、運輸等に関連した電気抵抗、及び精密計器
素子、その他エネルギー変換などの分野に利用可能とな
る等極めて優れた効果を発揮する。
体窒素温度の冷却でよいことから、−層実用化に近付き
、特に電力、運輸等に関連した電気抵抗、及び精密計器
素子、その他エネルギー変換などの分野に利用可能とな
る等極めて優れた効果を発揮する。
第1図は本発明における方法の説明断面図、第2図は本
発明の焼結体の抵抗値測定の方法を説明するための説明
図である。 !・・−成形体、2・・・抑制体、3・・・容器本体、
4・・・説、a、a′・・・電流供給用端子、b、b’
・・・電圧測定端子、S・・・焼結体。 外2名
発明の焼結体の抵抗値測定の方法を説明するための説明
図である。 !・・−成形体、2・・・抑制体、3・・・容器本体、
4・・・説、a、a′・・・電流供給用端子、b、b’
・・・電圧測定端子、S・・・焼結体。 外2名
Claims (2)
- (1)開口部を有する容器本体内に、酸素と化合したビ
スマス及び鉛を含有する超電導体原料と、ビスマス,鉛
を含有する抑制体とを収容し、容器本体の開口部を蓋で
覆い、これを焼成炉にて焼成することにより超電導体を
得ることを特徴とする超電導体の製造方法。 - (2)各々酸素と化合したビスマス,鉛,ストロンチウ
ム,カルシウム、及び銅の粉末を混合した超電導体原料
と、ビスマス,鉛を含有する抑制体とを収納し、容器本
体の開口部を蓋で覆い、これを焼成炉にて焼成すること
により超電導体を得ることを特徴とする超電導体の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1016612A JPH02199054A (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1016612A JPH02199054A (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 超電導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02199054A true JPH02199054A (ja) | 1990-08-07 |
Family
ID=11921148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1016612A Pending JPH02199054A (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02199054A (ja) |
-
1989
- 1989-01-26 JP JP1016612A patent/JPH02199054A/ja active Pending
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