JPH02199055A - 超電導体の製造方法 - Google Patents
超電導体の製造方法Info
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Landscapes
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、一定の温度で電気抵抗がゼロになるいわゆる
超電導体に係り、特に液体窒素温度以上で超電導特性を
示すB1−Pb−5r−CaCu−0系の超電導体の製
造方法に関する。
超電導体に係り、特に液体窒素温度以上で超電導特性を
示すB1−Pb−5r−CaCu−0系の超電導体の製
造方法に関する。
B9発明の概要
本発明は、各々酸素と化合した、ビスマス(Bi)。
鉛(1)b)、ストロンチウム(Sr)、カルシウム(
Ca)、銅(Cu )の粉末を出発原料とし、これら粉
末の混合粉末を仮焼成し、更に仮焼成後の粉末の成形体
を仮焼成し、最後の本焼成を閉鎖容器にて行うことによ
り、ビスマスの飛散減少を防止した、B1−Pb−5r
−Ca−Cu−0系の超電導体の製造方法であり、焼結
体が液体窒素温度以上(絶対温度77℃)以上で超電導
を示す超電導体の製造方法にある。
Ca)、銅(Cu )の粉末を出発原料とし、これら粉
末の混合粉末を仮焼成し、更に仮焼成後の粉末の成形体
を仮焼成し、最後の本焼成を閉鎖容器にて行うことによ
り、ビスマスの飛散減少を防止した、B1−Pb−5r
−Ca−Cu−0系の超電導体の製造方法であり、焼結
体が液体窒素温度以上(絶対温度77℃)以上で超電導
を示す超電導体の製造方法にある。
C5従来の技術
最近、液体窒素の温度77に以上の温度にて超電導現象
を生じるものとして、イツトリウム系銅酸化物が発見さ
れ、更には安価な材料でしかもTcがIIOK程度を示
すl3i−9r−CaCu−0系の超電導体が発見され
ている。
を生じるものとして、イツトリウム系銅酸化物が発見さ
れ、更には安価な材料でしかもTcがIIOK程度を示
すl3i−9r−CaCu−0系の超電導体が発見され
ている。
しかし、この種Bi(ビスマス)系は、TCが70にの
相と、ll0Kの相が混在する欠点があった。しかして
、これにPb(鉛)を少量系・加することにより、高温
相(IIOK)の単相化が実現できるB1−Pb−5r
−Ca−Cu−0系の超電導体が発見されるに至ってい
る。
相と、ll0Kの相が混在する欠点があった。しかして
、これにPb(鉛)を少量系・加することにより、高温
相(IIOK)の単相化が実現できるB1−Pb−5r
−Ca−Cu−0系の超電導体が発見されるに至ってい
る。
D9発明が解決しようとする課題
前述のような材料は、液体窒素の温度以上の温度で超電
導現象を生じることから、この超電導を利用した具体的
な適用範囲が拡大してきた。
導現象を生じることから、この超電導を利用した具体的
な適用範囲が拡大してきた。
しかし、上述のようなり 1−Pb−8r−CaCu−
0系の超電導体は、出発物質にビスマス(Bi)及び鉛
(Pb)を含むために、混合成形体等を焼成炉で直接に
焼成すると、熱負荷によってR4及びPbが飛散し、出
発混合時の組成と最終生成物の組成との間で「ずれ」が
生じる問題がある。
0系の超電導体は、出発物質にビスマス(Bi)及び鉛
(Pb)を含むために、混合成形体等を焼成炉で直接に
焼成すると、熱負荷によってR4及びPbが飛散し、出
発混合時の組成と最終生成物の組成との間で「ずれ」が
生じる問題がある。
発明者らの実験によれば、温度830〜880℃で数時
間焼成した場合に、ビスマス及び鉛の含有量は混合時の
量に対して、7〜8%減少していることが判った。
間焼成した場合に、ビスマス及び鉛の含有量は混合時の
量に対して、7〜8%減少していることが判った。
これを解決するには、ビスマス及び鉛の飛散減少を見込
んだ量のビスマス及び鉛を用いればよいが、そうすると
ビスマス及び鉛過剰となって所定の超電導現象を生じな
い場合が発生することが判った。
んだ量のビスマス及び鉛を用いればよいが、そうすると
ビスマス及び鉛過剰となって所定の超電導現象を生じな
い場合が発生することが判った。
また、所定の粉末を混合して直ちに焼成すると焼結体に
割れが生じたりして品質が不安定な場合があった。
割れが生じたりして品質が不安定な場合があった。
従って、ビスマス及び鉛を含有した超電導体の場合にあ
っては、超電導性能の低下、不安定を招来しやすく、量
産化した場合には品質にバラツキを生じるおそれがある
。
っては、超電導性能の低下、不安定を招来しやすく、量
産化した場合には品質にバラツキを生じるおそれがある
。
これらの点に鑑み、本発明は、品質の安定したnl−P
b−5r−Ca−Cu−0系の超電導体の製造方法を提
供しようとするものである。
b−5r−Ca−Cu−0系の超電導体の製造方法を提
供しようとするものである。
E9課題を解決するための手段
本発明は、各々酸素と化合したビスマス、鉛。
ストロンチウム、カルシウム、銅の化合物粉末を混合し
た混合粉末を作り、これをビスマス化合物及び鉛化合物
の融点以下の温度で仮焼成し、この仮焼成物を粉砕して
加工粉末を作り、そして造粒して造粒粉を得る。
た混合粉末を作り、これをビスマス化合物及び鉛化合物
の融点以下の温度で仮焼成し、この仮焼成物を粉砕して
加工粉末を作り、そして造粒して造粒粉を得る。
この造粒粉を加圧して成形体を作り、そして含有するビ
スマス化合物及び鉛化合物の融点以下の温度で仮焼成し
、この仮焼成後の成形体を閉鎖容器に収納して、これら
容器と成形体とを酸化性雰囲気中で珪っ830〜880
℃の範囲の温度で本焼成して焼結体、すなわち超電導体
を得るものである。
スマス化合物及び鉛化合物の融点以下の温度で仮焼成し
、この仮焼成後の成形体を閉鎖容器に収納して、これら
容器と成形体とを酸化性雰囲気中で珪っ830〜880
℃の範囲の温度で本焼成して焼結体、すなわち超電導体
を得るものである。
なお、
■混合粉体の時点での焼成は、焼結体(超電導体)に悪
影響を及ぼす、反応1分解によって発生するガス(例え
ばCOtガス)を除去するものであり、例えば800〜
900℃の温度で焼成する。
影響を及ぼす、反応1分解によって発生するガス(例え
ばCOtガス)を除去するものであり、例えば800〜
900℃の温度で焼成する。
ただ、含有するビスマス及び鉛の飛散を極力防止するた
めには、含有するビスマス及び鉛化合物の融点以下の温
度にて焼成するのが好ましい。例えば、ビスマスをBi
*O,lの形で使用する場合は、これの融点(約820
℃)以下の800〜820℃で焼成する。
めには、含有するビスマス及び鉛化合物の融点以下の温
度にて焼成するのが好ましい。例えば、ビスマスをBi
*O,lの形で使用する場合は、これの融点(約820
℃)以下の800〜820℃で焼成する。
また、焼成はガス放出の点から周囲が開放された状態で
行う。
行う。
例えば、混合粉末を容器に入れに焼成する場合は、蓋は
しないか、又は隙間を置いて蓋をする。
しないか、又は隙間を置いて蓋をする。
■成形体の焼成は、含まれるバイダ等の有機物の反応1
分解によって発生するガスを除去するものであり、上記
の■の場合と同様な条件で焼成する。ただし、組成成分
に起因する発生ガスは除去しているので温度は低温(例
えば約600℃)であっても差し支えない。
分解によって発生するガスを除去するものであり、上記
の■の場合と同様な条件で焼成する。ただし、組成成分
に起因する発生ガスは除去しているので温度は低温(例
えば約600℃)であっても差し支えない。
■閉鎖容器は、略閉鎖容器でよく、例えば自然に置いた
蓋を有する容器で差し支えない。また、アルミナセラミ
ックスで形成する。
蓋を有する容器で差し支えない。また、アルミナセラミ
ックスで形成する。
■出発物質は、各々酸素と化合したBi、Pb。
Sr、Ca、Cuの粉末、例えば、酸化物、炭酸化物、
水酸化物、の様な化合物粉末を用いる。例えば、 ビスマス酸化物(Bi 10 s)、 鉛酸化物(pbo)、 銅酸化物(Cub)、 ストロンチウム炭酸化物(SrCOs)、ストロンチウ
ム酸化物(SrO)、 ストロンチウム水酸化物(S r (OH)z)、カル
シウム炭酸化物(CaCO,)、 カルシウム酸化物(Cab)、 カルシウム水酸化物(Ca(OH)*)、が該当する。
水酸化物、の様な化合物粉末を用いる。例えば、 ビスマス酸化物(Bi 10 s)、 鉛酸化物(pbo)、 銅酸化物(Cub)、 ストロンチウム炭酸化物(SrCOs)、ストロンチウ
ム酸化物(SrO)、 ストロンチウム水酸化物(S r (OH)z)、カル
シウム炭酸化物(CaCO,)、 カルシウム酸化物(Cab)、 カルシウム水酸化物(Ca(OH)*)、が該当する。
■焼結体のBi、Pb、Sr、Ca、Cuの成分原子比
の関係を出発時(混合時)換算で、同じアルカリ土類で
あるSl、Caの関係が、S r : Ca= l :
0.3〜3゜他のBi、Pb、Cuの関係が、 (Bi+Pb):Cu=1 : 1.8〜4゜11i
:Pb=I:0.1〜0.4、 そしてこれら両者の関係が、 (Sr+Ca):(Bi+Pb+Cu)〜1 : 1〜
2゜の範囲であれば、液体窒素で超電導現象(抵抗ゼロ
又は極微小値)が生じる焼結体を得ることができる。
の関係を出発時(混合時)換算で、同じアルカリ土類で
あるSl、Caの関係が、S r : Ca= l :
0.3〜3゜他のBi、Pb、Cuの関係が、 (Bi+Pb):Cu=1 : 1.8〜4゜11i
:Pb=I:0.1〜0.4、 そしてこれら両者の関係が、 (Sr+Ca):(Bi+Pb+Cu)〜1 : 1〜
2゜の範囲であれば、液体窒素で超電導現象(抵抗ゼロ
又は極微小値)が生じる焼結体を得ることができる。
20作用
ビスマス及び鉛を含む原料を、初期の混合・粉末の時点
と、成形体の時点の2回仮焼成しているので、反応9分
解により発生するガスは、この時点で殆ど除去され、本
焼成の際のガスの発生は僅かである。 従って、本焼成
は、成形体を閉鎖容器内に収納して行うことができるの
で、ビスマス及び鉛の飛散は抑制できる。
と、成形体の時点の2回仮焼成しているので、反応9分
解により発生するガスは、この時点で殆ど除去され、本
焼成の際のガスの発生は僅かである。 従って、本焼成
は、成形体を閉鎖容器内に収納して行うことができるの
で、ビスマス及び鉛の飛散は抑制できる。
G、実施例
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
先ず、混合粉末の生成について説明する。
出発原料として粒径lOμl以下のビスマス酸化物(B
i *Oa)の粉末、鉛酸化物(PbO)の粉末、ス
トロンチウム炭酸化物(SrCO3)の粉末、カルシウ
ム炭酸化物(Ca COs)の粉末、銅酸化物(Cub
)の粉末を各々8.7mo1%。
i *Oa)の粉末、鉛酸化物(PbO)の粉末、ス
トロンチウム炭酸化物(SrCO3)の粉末、カルシウ
ム炭酸化物(Ca COs)の粉末、銅酸化物(Cub
)の粉末を各々8.7mo1%。
4.3mo1%、21.7mo1%、21.7mo1%
、43.5mo1%となるように秤量する。
、43.5mo1%となるように秤量する。
次に、これらの粉末をボールミルで、アルコール(又は
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約100℃の温度で乾燥し
て混合粉末を得るら次に、この混合粉末lを、第1図に
示す上部が開口したアルミナセラミックスからなる容器
2に入れ、約800℃で2時間の条件で焼成(仮焼成)
する。この際に、例えば混合成分のS r COs +
CaCO5に含まれるC Otガス等が発生放出する。
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約100℃の温度で乾燥し
て混合粉末を得るら次に、この混合粉末lを、第1図に
示す上部が開口したアルミナセラミックスからなる容器
2に入れ、約800℃で2時間の条件で焼成(仮焼成)
する。この際に、例えば混合成分のS r COs +
CaCO5に含まれるC Otガス等が発生放出する。
次に、得られた焼成粉を充分に粉砕し微細化した加工粉
末を得る。
末を得る。
次に、この加工粉末をボールミルで、アルコール(又は
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約lOO℃の温度で乾燥す
る。
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約lOO℃の温度で乾燥す
る。
そして、バインダーとしてポリビニルアルコールを、原
料粉末に対して1重量%となるようにポリビニルアルコ
ール溶液の形で添加する。
料粉末に対して1重量%となるようにポリビニルアルコ
ール溶液の形で添加する。
更にアルコールを加え充分に混練した後、乾燥し、ふる
いにて150メツシユ以下の顆粒状の造粒粉を得る。
いにて150メツシユ以下の顆粒状の造粒粉を得る。
次に、この造粒粉を金型に充填した後、l〜2T o
n / cm”程度の圧力で圧縮成形して、外径40R
11,厚み約6i+mの成形体3を作る。
n / cm”程度の圧力で圧縮成形して、外径40R
11,厚み約6i+mの成形体3を作る。
次に、この成形体3を容器2にセットする際には、第2
図のように、まずアルミナ板から成るスペーサ4を容器
底部に置き、その上にこの成形体3と同じ組成の粉末を
敷粉5として薄く置く。そして、この敷粉5の上に成形
体3を載せる。
図のように、まずアルミナ板から成るスペーサ4を容器
底部に置き、その上にこの成形体3と同じ組成の粉末を
敷粉5として薄く置く。そして、この敷粉5の上に成形
体3を載せる。
この状態において、約600℃で2時間の条件で成形体
3を焼成(仮焼成)する。この際に、成形体3に残存し
ている有機物のバインダが分解ガスとなって放出される
。
3を焼成(仮焼成)する。この際に、成形体3に残存し
ている有機物のバインダが分解ガスとなって放出される
。
次に、仮焼成した成形体6を、第3図に示すように容器
2内に(前述の第2図の場合と同様にして)収納し、容
器2の開口部を塞ぐために、蓋7を載せ、この状態の閉
鎖容器を焼成炉内に設置して、酸化性雰囲気で、且つ8
30〜880℃の温度で数時間加熱して焼結体(セラミ
ックス)を得る。
2内に(前述の第2図の場合と同様にして)収納し、容
器2の開口部を塞ぐために、蓋7を載せ、この状態の閉
鎖容器を焼成炉内に設置して、酸化性雰囲気で、且つ8
30〜880℃の温度で数時間加熱して焼結体(セラミ
ックス)を得る。
上記の製造方法により得られた焼結体を、幅4xm、厚
さ4xm、長さ40zmの形状に切り出して第4図に示
すように電極を設けて4端子法により、焼結体の抵抗を
測定した。
さ4xm、長さ40zmの形状に切り出して第4図に示
すように電極を設けて4端子法により、焼結体の抵抗を
測定した。
即ち第4図は、抵抗値を測定するための説明図で、焼結
体Sの長方向の両端側に電流を流すための端子a、a′
を設け、その内側に抵抗値を測定するための電圧端子す
、b’を設け、これを液体窒素の低温槽に入れ、端子&
、a′に1アンペアの安定化電流を流して端子す、b’
間の電圧を電圧計(V)で測定して端子す、b’間の電
圧降下によって抵抗値を測定する。なお、Aは電流計を
示す。
体Sの長方向の両端側に電流を流すための端子a、a′
を設け、その内側に抵抗値を測定するための電圧端子す
、b’を設け、これを液体窒素の低温槽に入れ、端子&
、a′に1アンペアの安定化電流を流して端子す、b’
間の電圧を電圧計(V)で測定して端子す、b’間の電
圧降下によって抵抗値を測定する。なお、Aは電流計を
示す。
その結果、絶対温度的110にで超電導現象が始まり約
105Kに至って電気抵抗がゼロになることが確認され
た。
105Kに至って電気抵抗がゼロになることが確認され
た。
また、焼成後のビスマス及び鉛の量を測定した結果、混
合時の量に対して2〜3%の減少に留どまっていた。
合時の量に対して2〜3%の減少に留どまっていた。
H,発明の効果
以上のように本発明による超電導体は、液体窒素温度(
77K)において超電導状態となる。
77K)において超電導状態となる。
しかも、従来のビスマス系のものは、T′cが7OKと
!10にの2相構造であったが、本発明のものにあって
は、約110にの単相とすることができ、より高温度で
超電導現象を生じることから安定した超電導状態を維持
できるものである。
!10にの2相構造であったが、本発明のものにあって
は、約110にの単相とすることができ、より高温度で
超電導現象を生じることから安定した超電導状態を維持
できるものである。
その」二、原料の混合粉末を予め焼成(仮焼成)してガ
スを放出させており、更に成形体を焼成して残存する有
機物を除去した後に、これを本焼成しているので、 ■焼結体に残存する不純物は極めて少なくなる。
スを放出させており、更に成形体を焼成して残存する有
機物を除去した後に、これを本焼成しているので、 ■焼結体に残存する不純物は極めて少なくなる。
■仮焼成を行った原料を使用するので本焼成時の反応が
ゆるやかになる。
ゆるやかになる。
■成形体の本焼成を閉鎖容器内で行えるので、含有する
ビスマス及び鉛の飛散を防止でき、ビスマス及び鉛の減
少は初期混合時の2〜3%の減少に留どまる。
ビスマス及び鉛の飛散を防止でき、ビスマス及び鉛の減
少は初期混合時の2〜3%の減少に留どまる。
といった効果があり、この結果、組成が安定化し、品質
の安定した超電導体を得ることができる。
の安定した超電導体を得ることができる。
しかも安価な原材料にて超電導体を形成でき、その上液
体窒素温度での冷却でよいことから、層実用化に近付き
、特に電力、運輸等に関連した電気抵抗、及び精密計器
素子、その他エネルギー変換などの分野に利用可能とな
る等極めて優れた効果を発揮する。
体窒素温度での冷却でよいことから、層実用化に近付き
、特に電力、運輸等に関連した電気抵抗、及び精密計器
素子、その他エネルギー変換などの分野に利用可能とな
る等極めて優れた効果を発揮する。
第1図は本発明における混合粉末の仮焼成の説明図、第
2図は本発明における成形体の仮焼成の説明図、第3図
は本発明における本焼成の説明図、第4図は本発明の焼
結体の抵抗値測定の方法を説明するための説明図である
。 1・・・混合粉末、2・・・容器、3・・・成形体、6
・・・仮焼成した成形体、7・・・蓋、a、a′・・・
電流供給用端子、b、b’・・・電圧測定端子、S・・
・焼結体。 外2名 第1図 夏合勅末の俳υ尤広の説明口 第2図 6−−−イy、ヌ穴=J紡にし1ヒgブtシイ爪 −−
−X 志形個嘱引頂〉児Aの説明口 第3図 X荒入の説明口 第4図
2図は本発明における成形体の仮焼成の説明図、第3図
は本発明における本焼成の説明図、第4図は本発明の焼
結体の抵抗値測定の方法を説明するための説明図である
。 1・・・混合粉末、2・・・容器、3・・・成形体、6
・・・仮焼成した成形体、7・・・蓋、a、a′・・・
電流供給用端子、b、b’・・・電圧測定端子、S・・
・焼結体。 外2名 第1図 夏合勅末の俳υ尤広の説明口 第2図 6−−−イy、ヌ穴=J紡にし1ヒgブtシイ爪 −−
−X 志形個嘱引頂〉児Aの説明口 第3図 X荒入の説明口 第4図
Claims (1)
- (1)各々酸素と化合したビスマス,鉛,ストロンチウ
ム,カルシウム、及び銅の化合物粉末を混合した混合粉
末を得る工程と、 該混合粉末を(ビスマス化合物及び鉛化合物の融点以下
の温度で)仮焼成してガス放出させる工程と、 該仮焼成物を粉砕して加工粉末を得ると共に造粒して造
粒粉を得ると共に該造粒粉を加圧して成形体を得る工程
と、 該成形体を後工程の本焼成温度以下の温度で仮焼成する
工程と、 該仮焼成後の成形体を閉鎖容器に収納すると共に、これ
ら容器と成形体とを830〜880℃の範囲の温度で本
焼成して焼結体を得る工程と、からなることを特徴とし
た超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1016613A JPH02199055A (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1016613A JPH02199055A (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 超電導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02199055A true JPH02199055A (ja) | 1990-08-07 |
Family
ID=11921176
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1016613A Pending JPH02199055A (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02199055A (ja) |
-
1989
- 1989-01-26 JP JP1016613A patent/JPH02199055A/ja active Pending
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