JPH02197592A - 平板状の所定の構造体をリプロダクシヨンするための方法 - Google Patents

平板状の所定の構造体をリプロダクシヨンするための方法

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JPH02197592A
JPH02197592A JP1321573A JP32157389A JPH02197592A JP H02197592 A JPH02197592 A JP H02197592A JP 1321573 A JP1321573 A JP 1321573A JP 32157389 A JP32157389 A JP 32157389A JP H02197592 A JPH02197592 A JP H02197592A
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JP
Japan
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film
honeycomb
bonded
conductive
molded body
Prior art date
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Pending
Application number
JP1321573A
Other languages
English (en)
Inventor
Asim Maner
アジム・マーナー
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Forschungszentrum Karlsruhe GmbH
Original Assignee
Kernforschungszentrum Karlsruhe GmbH
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Publication date
Application filed by Kernforschungszentrum Karlsruhe GmbH filed Critical Kernforschungszentrum Karlsruhe GmbH
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Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00Electroforming
    • C25D1/10Moulds; Masks; Masterforms

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Manufacture Of Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、請求項1の上位概念に記載の、平板状の所定
の構造体、特にミクロ構造体をリプロダクシヨンするた
めの方法に関する。
従来の技術 DJ3: −PS第3537483号明細書には、金属
から成る平板状のミクロ構造体を多数製作するための方
法が公開されている。該方法にあっては、電気的絶縁性
の成形体を備えたミクロ構造体の工具を用いて反復成形
することによシ、ミクロ構造体のネガ型を製作し、該ネ
ガ型に電気めっきで金属を充填し、その後ネガ型を除去
している。
このような方式で製作されたミクロ構造体のネガ型に金
属を充填することができるようにするために、Dg−P
S第3537483号には次のような別の方法が提案さ
れている。
電気絶縁性の成形体を導電性の成形体から成る別の膜と
結合せしめる。その際電気絶縁性の成形体の厚さをミク
ロ構造体の高さに一致せしめ、導電性の成形体が、成形
中に工具のミクロ構造体の端面に接するようにする。
第16図の説明から判るように、ミクロ構造体を110
℃で結合膜内に押し込み、ミクロ構造体乃至は工具を冷
却した後に、工具を除去している。
上述の方法は、特に大量生産に対して不経済である。そ
の理由は、ミクロ構造体を押し込むための温度サイクル
が、技術的にも時間的にも付加的な費用を必要とするか
らである。又、成形体の膜の厚さを工具のミクロ構造体
の高さに正確に一致せしめなければならない。更に押し
込みは、比較的大きな力で、電気絶縁膜が流動状態又は
半流動状態にある間にこれを行なう必要がある。さもな
いと工具のミクロ構造体が損傷する危険性が高まるから
である。ポリマの硬化後の離型には、同じように大きな
力を使用しなければならない。そのためポリマには通常
離型剤が添加される。離型の際、ポリマは硬化した状態
にあるため、工具には極度に精確な運動が要求される。
それは工具とネガ型との損傷なしの離型を実現すると共
に、離型力を減少せしめる必要があるからである。
発明が解決しようとする課題 本発明の課題は上述の欠点を除去することにある。つま
り成形体内への工具の押込み工程と工具の引戻し工程と
を簡素化して力の消費を著しく減少せしめ、かつ加熱ス
テップと冷却ステップとを省略することができるように
することにある。
又電気絶縁性の成形体の膜の厚さを成形さるべき構造体
の高さに一致せしめるという条件を、省略することがで
きるようにすることも狙っている。
課題を解決するための手段 本発明では上述の課題を、請求項1に記載の特徴によっ
て解決することができた。
請求項2以下には本発明の有利な構成が述べられている
発明の効果 所定の構造体、を、超音波で支持し乍らその端面が導電
性の成形体内に突入するまで、電気絶縁性の成形体から
成る膜内に押し込み、続いて所定の構造体を、超音波で
支持し乍ら結合膜から引き出すことができるようにする
と、ネガ型の製作が著しく簡素化されることが判った。
結合膜は有利には、金属板上に導電膜を装着せしめ、該
導電膜を電気絶縁性の耐熱樹脂で被覆することによって
、これを製作することができる。導電性の膜は、例へば
グラファイトのような導電性の粒子で充たされた耐熱樹
脂、又はそれ自体が導電性の耐熱樹脂、又は低融点今風
又は低融点合金から成っている。耐熱樹脂としては、ポ
リメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチ
ロール、PVC5ABS 、ポリアセタール又はポリア
ミドのような材料を使用することができる。
本発明の方法は、従来の技術に対して次のような著しい
利点を有している。
耐熱樹脂は、これを凝固した状態で使用することができ
る。加熱及び冷却ステップが不必要である。所定の構造
体の押し込みと引出しとに必要な力は、著しく減少する
。これによって所定の構造体の損傷の危険性が減少し、
該構造体をより多数のりプロダクション操作に使用する
ことができるようになる。又所定の構造体を電気絶縁膜
と導電膜との間の境界面に正確に挿入するだめの、精密
作業の費用を無くすことができる。むしろその端面が導
電膜内に突入するまで、該構造体を結合膜内に挿入して
も宣い。
離型剤の使用は、多くの場合省略することができる。
従って本発明の方法は、著しく少ない人手で、速かに実
施することができる、つまりコスト的に有利に実行する
ことができる。
実施例 本発明の実施例を図面に示し、次にこれを詳しく説明す
る。
ハニカム4はニッケルから成り、例へばLIGA法(R
oentgentiefenlithographie
 −Mikrogalvanoformung )で製
作され、何回もリプロダクシヨンすることができる。ハ
ニカムは蜂の巣状の構造を有しており、その際巣の高さ
400μm、肉厚10μm1幅100μmである。
ハニカムは外形寸法が10crrL×10crILに形
成されている。
先づハニカムを、ニッケルから成る安定した金員板3と
結合せしめる。この結合は、ノ・ニカムの電気成形の際
構造体が過生長し、安定したニッケル層がこれを被覆す
ることによって実現することができる。
この安定した金属板を、ノ・ニカムと反対側の自由な側
部上で平らに機械加工する。
この安定した金属板は、その平らに加工された側部が、
耐熱樹脂の溶接の際に通常使用される超音波溶接機の音
波極1上に接着又はろう付けされる。金属板と音波極と
のろう付結合部又は接着結合部2が、第1a図に図示さ
れている。
結合膜は、別のステップでこれを製作する。
つまシ導電性のグラファイト粒子で充たされているポリ
メチルメタクリレート(PMMA )から成る耐熱樹脂
の導電膜6を、注型によってアルミニウム膜T上に装着
せしめる。この導電性の膜を、架橋されていないPMI
θ、から成る電気絶縁性の膜5で被覆する。この両方の
膜5及び6が結合膜を形成する。
アルミニウム膜7を備えた結合体を超音波溶接機のエン
ボス8上に載置する。エンボス8は真空吸入孔9を有し
ている。
超音波で支持し乍らハニカム4を結合膜5及び6内に挿
入し、続いて同じように超音波で支持し乍らこれを再び
引き抜く。
第2図は結合膜内のハニカムの圧痕10を示している。
ハニカムは、電気絶縁性の膜5を貫通して導電性の膜6
内に押し入っている。
続いてハニカムの圧痕10に電気めっきでニッケルを充
填する。その際圧痕10の付いた結合体をカソードとし
て接続する。続いて結合膜を除去する。この操作は、溶
解媒質として例へばジクロールメタンを使用して実施す
ることができる。その際導電膜6内にストックされたグ
ラファイト粒子は洗い流される。
結合膜は、溶解によってもこれを除去することができる
その際アルミニウム膜Tが剥離する。
結果として、リプロダクシヨンされたニッケルから成る
ハニカムを得ることができる。
グラファイト粒子が、ハニカムの下方端部に尚付着して
いるか、又は部分的にニッケル内に埋め込まれているよ
うな場合には、その方法を修正することができる。
このような場合、同じように結合体をカン−1として接
続する。ハニカムの圧痕内で、最初銅を除去し、その後
でニッケルを初めて除去する。
このようにリプロダクシヨンで得られたハニカムを、銅
を選択的に溶解するための媒質、例へばCuCL2溶液
で処理する。その除銅は、埋め込まれた若干のグラファ
イト粒子と共に除去される。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例を示すもので、第1a図は所定の
構造体が超音波溶接機と結合した外観図、第1b図は結
合膜の断面図、第1c図は超音波溶接機のエンボスの断
面図、第2図は所定の構造体の詰合膜内の圧痕の図であ
る。 1・・・音波極、2・・・接着結合部、3・・・金属板
、4・・・ハニカム、5・・・電気絶縁膜、6・・・導
電膜、7・・・アルミニウム膜、8・・・エンボス、9
・・・真空吸引孔、10・・・圧痕 FIG、2

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、平板状の所定の構造体をリプロダクシヨンするため
    の方法であつて、 (イ)結合体を製作し、同時に電気絶縁性の成形体から
    成る膜を導電性の成形体から成る 膜で被覆し、 (ロ)所定の構造体を、所定の構造体の構造端面が導電
    性の成形体から成る膜と接触する まで、電気絶縁性の成形体から成る膜内に 押し込み、 (ハ)このようにして形成された構造のネガ型に、電気
    めつきで金属を充填し、その後 (ニ)結合体を除去する 形式のものにおいて、 (イ)所定の構造体を超音波で支持し乍ら、その構造体
    の端面が導電性の成形体内に突入 するまで、電気絶縁性の成形体から成る膜 内に押し込み、その後 (ロ)所定の構造体を超音波で支持し乍ら結合体から引
    き抜く ことを特徴とする、平板状の所定の構造体をリプロダク
    シヨンするための方法。 2、金属板上に導電膜を装着し、該導電膜を電気絶縁性
    の成形体の膜で被覆することによつて、結合体を製作す
    ることを特徴とする請求項1記載の方法。 3、導電性の膜として、導電性の粒子を含有する耐熱樹
    脂、又はそれ自体が導電性の耐熱樹脂、又は低融点金属
    、又は低融点合金、を使用することを特徴とする、請求
    項2記載の方法。 4、電気絶縁性の耐熱樹脂としてポリメチルメタクリレ
    ート、ポリカーボネート、ポリスチロール、PVC、A
    BS、ポリアセタール又はポリアミドを使用することを
    特徴とする、請求項1又は2記載の方法。
JP1321573A 1988-12-17 1989-12-13 平板状の所定の構造体をリプロダクシヨンするための方法 Pending JPH02197592A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3842611.0 1988-12-17
DE3842611A DE3842611C1 (ja) 1988-12-17 1988-12-17

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JPH02197592A true JPH02197592A (ja) 1990-08-06

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ID=6369460

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1321573A Pending JPH02197592A (ja) 1988-12-17 1989-12-13 平板状の所定の構造体をリプロダクシヨンするための方法

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US (1) US4981558A (ja)
EP (1) EP0374429B1 (ja)
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AT (1) ATE78524T1 (ja)
DE (1) DE3842611C1 (ja)

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US4981558A (en) 1991-01-01
EP0374429A1 (de) 1990-06-27
DE3842611C1 (ja) 1990-02-22
EP0374429B1 (de) 1992-07-22
ATE78524T1 (de) 1992-08-15

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