JPH02152246A - フラックスレス接合方法 - Google Patents
フラックスレス接合方法Info
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- JPH02152246A JPH02152246A JP63306353A JP30635388A JPH02152246A JP H02152246 A JPH02152246 A JP H02152246A JP 63306353 A JP63306353 A JP 63306353A JP 30635388 A JP30635388 A JP 30635388A JP H02152246 A JPH02152246 A JP H02152246A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
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-
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は大型電算機などに使用される半導体部品等のは
んだ付けに関し。
んだ付けに関し。
部品搭載時にフラックスを全く用いずに接合する方法を
提供することを目的とし。
提供することを目的とし。
半導体部品等の接合方法において、接合する2個の端子
の双方にはんだを供給し、相対する位置で突き合わせ、
弗化炭素系不活性液体の飽和蒸気中で加熱することによ
り接合するよう構成する。
の双方にはんだを供給し、相対する位置で突き合わせ、
弗化炭素系不活性液体の飽和蒸気中で加熱することによ
り接合するよう構成する。
(産業上の利用分野〕
本発明は大型電算機などに使用される半導体部品のはん
だ付けに関するものである。
だ付けに関するものである。
はんだ付けは通常フラックスを用いて加熱することで行
うが、フランクス残渣の洗浄が非常に難しいため、フラ
ンクス残渣によるはんだ接合部或いは部品そのものに悪
影響を及ぼず恐れがある。
うが、フランクス残渣の洗浄が非常に難しいため、フラ
ンクス残渣によるはんだ接合部或いは部品そのものに悪
影響を及ぼず恐れがある。
そのためフラックスを用いないで接合する方法が要求さ
れている。
れている。
〔従来の技術]
従来のはんだ付は方法の例を第3図に工程順模式断面図
で示す。
で示す。
図において、 11は部品、12は基板、 13ははん
だ付は用メタライズ、14ははんだ、15はフラックス
である。
だ付は用メタライズ、14ははんだ、15はフラックス
である。
先ず、第3図(a)に示すように2部品11及び基板1
2の上のはんだ付は用メタライズ13上にペースト印刷
、めっき等の方法で各種のはんだ14を供給する。
2の上のはんだ付は用メタライズ13上にペースト印刷
、めっき等の方法で各種のはんだ14を供給する。
続いて、第3図(b)に示すように、はんだ14の表面
にフラックス15を塗布する。
にフラックス15を塗布する。
次に、第3図(c)に示すように1部品11と基板12
の双方のはんだ14を突き合わせて予備加熱し。
の双方のはんだ14を突き合わせて予備加熱し。
フラックス中の低沸点の溶剤を蒸発させる。
最後に、第3図(d)に示すように、はんだ14を加熱
して、融合接合する。
して、融合接合する。
フラックスは部品や基板へのはんだ付けで表面の酸化を
防くために広(用いられているが、はんだ付は後、残っ
たフラックス中の成分によるはんだ接合部や部品そのも
のへの腐食性や絶縁破壊性等の障害を引起し易い。
防くために広(用いられているが、はんだ付は後、残っ
たフラックス中の成分によるはんだ接合部や部品そのも
のへの腐食性や絶縁破壊性等の障害を引起し易い。
この残存したフラックス成分によるはんだ接合部や部品
そのものへの悪影響によって、断線や短絡、漏洩、特性
劣化など種々の部品の動作不良等を引き起こす問題を生
じていた。
そのものへの悪影響によって、断線や短絡、漏洩、特性
劣化など種々の部品の動作不良等を引き起こす問題を生
じていた。
本発明は、このフラックスの悪影響を除くために1部品
搭載時のはんだ付は接合で、フラックスを全く用いずに
接合する方法を提供することを目的とする。
搭載時のはんだ付は接合で、フラックスを全く用いずに
接合する方法を提供することを目的とする。
第1図は本発明の原理説明図である。
図において、1は部品、2は基板、3ははんだ付は用メ
タライズ、4ははんだ、5は不活性液体の飽和蒸気であ
る。
タライズ、4ははんだ、5は不活性液体の飽和蒸気であ
る。
第1図(a)に示すように9部品1と基板2のはんだ付
けする端子部分に、はんだ付は用メタライズを行う。次
に、このメタライズ3の部分にはんだ4を蒸着で形成す
る。
けする端子部分に、はんだ付は用メタライズを行う。次
に、このメタライズ3の部分にはんだ4を蒸着で形成す
る。
続いて、第1図(b)に示すように、この部品1と基板
2を蒸着はんだの供給しである側を向かい合わせて、突
き合わせる。
2を蒸着はんだの供給しである側を向かい合わせて、突
き合わせる。
次に第1図(C)に示すように、そのままの状態で、予
備加熱せずに弗化炭素系不活性液体の飽和蒸気中に加熱
放置して接合する。
備加熱せずに弗化炭素系不活性液体の飽和蒸気中に加熱
放置して接合する。
〔作用]
本発明では、第1図のようにフラックスを用いず、はん
だを不活性液体の飽和蒸気中で突き合わせて加熱するよ
うにし、はんだの酸化を防止している。
だを不活性液体の飽和蒸気中で突き合わせて加熱するよ
うにし、はんだの酸化を防止している。
従って、半導体部品等の接合において、フラックスの残
渣による接合部の断線や絶縁破壊等の悪影響がなくなる
。
渣による接合部の断線や絶縁破壊等の悪影響がなくなる
。
〔実施例]
第2図は本発明の一実施例の工程順模式断面図て1
巷あり、はんだ付は作業のプロセスを示している。
図において6はシリコンチップ、7はアルミナ基板、8
は金(Au) 、 9はインジウム(In)、 10は
不活性液体であるフロロカーボンの飽和蒸気である。
は金(Au) 、 9はインジウム(In)、 10は
不活性液体であるフロロカーボンの飽和蒸気である。
はんだ接合において、融点が450°C以下の材料は軟
蝋(はんだ)、融点が450°C以上の材料は硬蝋(ろ
う)と呼ばれており1本実施例では融点が156°Cで
あるInをはんだ材料として使用した。
蝋(はんだ)、融点が450°C以上の材料は硬蝋(ろ
う)と呼ばれており1本実施例では融点が156°Cで
あるInをはんだ材料として使用した。
先ず、第2図(a)に示すように、シリコンチップ6及
びアルミナ基板7の端子領域上に、 Auをt、ooo
人の厚さにメタライズし、その上にInを100μの厚
さに蒸着する。
びアルミナ基板7の端子領域上に、 Auをt、ooo
人の厚さにメタライズし、その上にInを100μの厚
さに蒸着する。
次に、第2図(b)に示すように、シリコンチップ6と
アルミナ基板7の上のIn9を互いに向い合せるように
突き合わせる。
アルミナ基板7の上のIn9を互いに向い合せるように
突き合わせる。
更に、第2図(C)に示すように、予備加熱なしでフロ
ロカーボンの飽和蒸気中に全体を入れる。
ロカーボンの飽和蒸気中に全体を入れる。
215°Cに蒸気で加熱して、5分間放置するとIn同
志が結合して接合が確認された。
志が結合して接合が確認された。
以上説明したように1本発明によれば、はんだ付けの際
にフラックスを用いないためフラックス成分による断線
、短絡、特性劣化等の悪影響がない利点があり、又、不
活性の弗化炭素系液体の飽和蒸気中で接合するため、接
合部の酸化が少なくて済む。更に予備加熱が不要のため 減少する等の効果がある。
にフラックスを用いないためフラックス成分による断線
、短絡、特性劣化等の悪影響がない利点があり、又、不
活性の弗化炭素系液体の飽和蒸気中で接合するため、接
合部の酸化が少なくて済む。更に予備加熱が不要のため 減少する等の効果がある。
作業工程が
第1図は本発明の原理説明図。
第2図は本発明の一実施例の構成図。
第3図は従来例の説明図
である。
図において。
■は部品
2は基板。
3ははんだ付は用メタライズ
4ははんだ。
5は不活性液体の飽和蒸気。
8は金。
9はインジウム。
10はフロロカーボンの飽和蒸気
である。
本省4日月の一臭施イタ′jの工手呈用良孝莫式こ断面
間第 2 四n 15、”7ラツクス 従来イタ・1の二程頃様表断面固 第 3 図
間第 2 四n 15、”7ラツクス 従来イタ・1の二程頃様表断面固 第 3 図
Claims (1)
- 半導体部品等の接合方法において,接合する2個の端
子の双方にはんだを供給し,相対する位置で突き合わせ
,不活性液体である弗化炭素の飽和蒸気中で加熱するこ
とにより接合することを特徴とするフラックスレス接合
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63306353A JP2625997B2 (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | フラックスレス接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63306353A JP2625997B2 (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | フラックスレス接合方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02152246A true JPH02152246A (ja) | 1990-06-12 |
JP2625997B2 JP2625997B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=17956057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63306353A Expired - Lifetime JP2625997B2 (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | フラックスレス接合方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2625997B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH043950A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置のはんだ付け方法および装置 |
US5499754A (en) * | 1993-11-19 | 1996-03-19 | Mcnc | Fluxless soldering sample pretreating system |
WO1997032457A1 (en) * | 1996-02-28 | 1997-09-04 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing electronic circuit device |
US5973406A (en) * | 1996-08-26 | 1999-10-26 | Hitachi, Ltd. | Electronic device bonding method and electronic circuit apparatus |
JP2001250847A (ja) * | 2000-01-06 | 2001-09-14 | Trw Inc | 高温超伝導体回路および他の脆い材料への高周波接続を形成させる方法 |
JP2017069425A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 吉塚精機株式会社 | はんだ付け方法 |
-
1988
- 1988-12-02 JP JP63306353A patent/JP2625997B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH043950A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置のはんだ付け方法および装置 |
US5499754A (en) * | 1993-11-19 | 1996-03-19 | Mcnc | Fluxless soldering sample pretreating system |
WO1997032457A1 (en) * | 1996-02-28 | 1997-09-04 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing electronic circuit device |
US5973406A (en) * | 1996-08-26 | 1999-10-26 | Hitachi, Ltd. | Electronic device bonding method and electronic circuit apparatus |
JP2001250847A (ja) * | 2000-01-06 | 2001-09-14 | Trw Inc | 高温超伝導体回路および他の脆い材料への高周波接続を形成させる方法 |
JP2017069425A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 吉塚精機株式会社 | はんだ付け方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2625997B2 (ja) | 1997-07-02 |
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