JPH0214498A - 半導体試験装置 - Google Patents

半導体試験装置

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Publication number
JPH0214498A
JPH0214498A JP63165631A JP16563188A JPH0214498A JP H0214498 A JPH0214498 A JP H0214498A JP 63165631 A JP63165631 A JP 63165631A JP 16563188 A JP16563188 A JP 16563188A JP H0214498 A JPH0214498 A JP H0214498A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
write
end signal
mut
circuit
write end
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63165631A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahiro Osada
長田 隆弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63165631A priority Critical patent/JPH0214498A/ja
Publication of JPH0214498A publication Critical patent/JPH0214498A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、EEFROM のテスト装置に関するもの
である。
〔従来の技術〕
第3図は従来のメモリテスト装置を示すブロック図であ
る。
図において(1)はメモリパターン発生器(以下MPG
 と記す)でありマイクロプログラムを格納するための
マイクロインストラクションメモリ(2)、アドレス発
生回路(3)、データ発生回路(4)、タイマ(5)、
制御回路α4から成る。また(6)は被測定デバイス(
以下凪汀と記す’) 、(7)は、MUT (6)のア
ドレスピン、(8)はMUT (61のデータビンα力
は書込み終了信号出力ピン(9)はドライバ/コンパレ
ータ回路QOハ前からの出力データと期待値データを比
較し良否判定を行なう比較判定回路である。
次に動作について説明する。
第3図のMPG (1)内において、アドレス発生回路
(3)はマイクロイレストラクシ1ンメモリ(21に格
納されたマイクロプログラムの実行によりMUT (6
)へ与えるアドレス信号を発生する回路であり、ここで
初期アドレスの設定及びアドレスインクリメントを行う
。また制御回路α4により最終アドレスであるか否かの
判定を行い分岐が可能である。タイマ(5)は、マイク
ロプログラムにより、設定値のセット及び、タイマの起
動、停止を行う。また制御回路α4によりタイマアップ
であるか否かの判定を行い分岐が可能である。
データ発生回路(4)は、マイクロプログラムによりド
ライバ/コンパレータ回路(9)を介して、MUT (
6)へ与える入力データ及び比較判定回路αOへ与える
期待値データを発生する。
比較判定回路αOはh[JT (e)から出力されるデ
ータと期待値データを比咬し、不良の場合、不良表示を
行ないテストを中止させる。
以下、第4図の書込みテストのフローチャートを説明す
る。
まず、ステップ(T1)で初期アドレス設定を行なう。
次にステップ(T2)でタイマ(5)に設定値をセット
する。次にステップ(T3)でタイマ(5)をスタート
させる。次にステップ(T4)でMIJT (6)に書
込みを行なう。次にステップ(T5)でタイマ(5)が
アップするまでステップ(T5)をループする。タイマ
(5)がアップするとステップ(T6)でMUT(6)
に読出しを行なう。良品の場合は次のステップ(T7)
でアドレスが最終アドレスでなければステップ(TIO
)で次のアドレスをセットしステップ(T2)〜(T6
)のサイクルを繰返す。ステップ(T6)で不良の場合
はステップ(T8)で不良表示を行ないテストを終了す
る。
ステップ(T7)でアドレスが最終アドレスになった場
合、ステップ(T9)で良品表示してテストを終了する
EEPROM は、製造ばらつきと書込みテスト条件に
よって、個々に書込みに要する時間は一定ではなく、書
込み中と書込み終了を、書込み終了信号出力ピンα9か
ら外部へ知らせることができるi能を持っている。しか
し、従来のメモリテスト装置は、上記書込み終了信号出
力ピン卸からの信号を処理する機・能を持っていない。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のメモリテスト装置は以上のように構成さnている
ので、■汀から出力される書込み終了信号を検出できず
、短い時間で書込みが終了したアドレスに対しても一定
の書込み待ち時間が必要で、書込み時間が長く、テスト
時間が増大するなどの問題があり、その対策が課題であ
った。
この発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、EEPROM の書込み時間を短くできるメモ
リテスト装置を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係るメモリテスト装Mは八(TJTから出7
1Jれる書込み終了イキ号を検出するコンパレータ回路
を備えるとともに検出した信号をマイクロプログラムで
高速に処理できるようにしたものである。
〔作用〕
この発明では、MUTからの書込み終了信号を検出し、
マイクロプログラムで処理できる機能を設けたので、書
込み時間が短縮され、テスト時間が減少する。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例について説明する。
第1図はメモリテスト装置のブロック図、第2図はメモ
リ書込みテストのフローチャートである。
第1図において、(1)〜αりは従来例の第3図に示し
たものと同等であるので説明を省略する。
■は、書込み終了信号を検出するコンパレータ回熱αj
は制御回路である。また、第2図において(Sl−(5
12)はステップである。
以下、動作について説明する。
第1図のMPG (1)内において、制御回路(至)は
従来の機能に加えMUT (6Iの書込み終了信号出力
ピンα力からの出力により分岐できる機能を持つ。
次に第2図のフローチャートを説明する。
第2図のステップ(Sl)〜(512)では第4図のス
テップrT1)〜(TIO)と同じステップに加えて。
ステップ(S5)、(S6)が追加されたものとなって
いる。すなわちステップ(S5)は書込み終了信号が出
力されていればステップ(S7)でタイマ(5)を停止
させ、ステップ(S8)の読み出しを行なう。
ステップ(S5)で書込み終了信号が出力されていなけ
ればステップ(S6)でタイマ(5)がアップする才で
ステップ(S5)をループする。
このように書込みテストは従来と同じように実行される
が、書込み終了信号の出力により読出しに分岐している
ので書込み時間が短くなる。
この発明は第1図に示す一実施例について説明したが他
の同様な回路で実現しても同様の効果がある。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、MUTから出力され
る書込み終了信号を検出し、マイクロプログラムで高速
に処理できるように構成したので、アドレス毎の書込み
時開を最短にでき、また、書込み終了信号の動作テスト
ができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係る半導体試験装置の一実施例によ
るメモリテスト装置のブロック図、第2図はこの発明の
一実施例の書込みテストのフローチャート、第3図は従
来のメモリテスト装置を示すブロック図、第4図は従来
の書込みテストのフローチャートを示す。 図において(1)はメモリパターン発生器、(21はマ
イクロインストラクションメモリ、(3)はアドレス発
生回路、(4)はデータ発生回路、(5)はタイマ、(
6)は被測定デバイス、(7)はアドレスピン、(8)
はデータピン、(9)はドライバ/コンパレータ回路、
αOは比較判定回路、αDは、書込み終了信号出力ピン
、υはコンパレータ回路、(至)は制御回路、(Sl)
〜(S12)はステップである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  メモリデバイスのファンクションテストにおけるアド
    レスとデータを発生するためのマイクロプログラムで動
    作するメモリパターン発生回路と被測定メモリデバイス
    からの信号を二値検出する回路と、検出した信号をマイ
    クロプログラムで処理できる回路を備えた半導体試験装
    置。
JP63165631A 1988-06-30 1988-06-30 半導体試験装置 Pending JPH0214498A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63165631A JPH0214498A (ja) 1988-06-30 1988-06-30 半導体試験装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63165631A JPH0214498A (ja) 1988-06-30 1988-06-30 半導体試験装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0214498A true JPH0214498A (ja) 1990-01-18

Family

ID=15816034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63165631A Pending JPH0214498A (ja) 1988-06-30 1988-06-30 半導体試験装置

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JP (1) JPH0214498A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06129029A (ja) * 1992-09-18 1994-05-10 West Japan Railway Co 共鳴型吸音・遮音パネル

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH06129029A (ja) * 1992-09-18 1994-05-10 West Japan Railway Co 共鳴型吸音・遮音パネル

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