JP2005327449A - 並列ビットテスト装置及び方法。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 メモリ装置はメモリセルアレイ、テストデータ貯蔵部、及び判断部を含む。判断部はメモリセルアレイ内のデータがテストデータやテストデータの反転データと同じであるかの可否を判断する。並列ビットテスト方法は、テストデータ貯蔵部にテストデータを貯蔵する段階、メモリセルアレイにテストデータやその反転されたデータをライトする段階、メモリセルアレイから読取りしたリードデータが前記テストデータやその反転されたデータと同じであるかを判断する段階を含む。従って、多様なテストデータに対して効率的にメモリ装置の不良を検出することができる。
【選択図】 図1
Description
図1は本発明の半導体メモリ装置の並列ビットテスト方法を説明するための一実施例構成のブロック図である。図1に示すように、本発明の一実施例による半導体メモリ装置の並列ビットテストのための構成はテスト101及び半導体メモリ装置100を含む。半導体メモリ装置100は、アドレス発生回路110、メモリセルアレイ120、テストモード設定レジスト130、テストパターンデータ貯蔵部140、データ入力バッファ150、データマルチプレクサ160、データ入力ドライバー170、データ出力回路180−1、180−2、180−3、180−4、及びデータ出力バッファ190で構成されている。また、データ出力回路180−1、180−2、180−3、180−4それぞれはセンサー増幅機181−1、181−2、181−3、181−4及び判断部182で構成されている。
テスター101は半導体メモリ装置100をテストするための装置である。半導体メモリ装置100はテスターから印加される信号によってテストを遂行し、テスト実施の際必要なアドレス信号及びデータ信号の入力を受ける。アドレス発生回路110は外部から入るアドレス信号に応答して半導体メモリ装置内部のメモリセルアレイ120にアクセスすることができるようにする。メモリセルアレイ120はアドレス発生回路に応答してローカルデータラインLDL1、....、LDLnから伝送されるデータをライトしたり、ライトされたデータをローカルデータラインLDL1、....、LDLnに伝送したりする。テストモード設定レジスト130はアドレスピンなどを通じてテスターから半導体メモリ装置のテスト動作の遂行の命令を受け、テスター101からテストパターンデータの入力を受けこれを貯蔵し、テスト動作に必要な制御信号を発生する。テストパターンデータ貯蔵部140はテストモード設定レジスト130によって半導体装置のテスト遂行命令が発生されたことが認識された場合、テストモード設定レジスト130からテストパターンデータの入力を受けこれを貯蔵する。場合によっては、テストパターンデータ貯蔵部140はアドレスピンやデータピンなどを通じてテストからテストパターンデータの入力を受ける方式に具現することも可能でありこのような場合にはテストモード設定レジスト130がテストパターンデータを貯蔵する必要がない。データマルチプレクサ160はテストパターンデータ貯蔵部140から出力されるデータをマルチプレクシングして4ビットデータの4個グループを出力する。データ入力ドライバー170はデータマルチプレクサ160から出力される16ビットのデータの入力を受けグローバルデータラインGDLに出力する。データ入力バッファ150及びデータ出力バッファ190はデータ入出力ピンと半導体メモリ装置との間の信号をバッファリングして入出力する。データ出力回路180−1、180−2、180−3、180−4それぞれはグローバルデータラインGDLから出力される4ビットデータの入力を受けこれをテストパターンデータと比較して比較結果データを発生させる。センサー増幅器181−1、181−2、181−3、181−4はグローバルデータラインから出力されるデータをそれぞれ増幅して出力する。判断部182はセンサー増幅機181−1、181−2、181−3、181−4から出力されるデータa、b、c、dとテストパターンデータ貯蔵部140に貯蔵されているテストパターンデータA、B、C、Dを比較してメモリセルから読み込んだリードデータがテストパターンデータまたはテストパターンデータの反転値と同じであるかの可否を判断する。データ出力回路180−1、180−2、180−3、180−4それぞれの比較回路の出力結果はそれぞれのデータ出力バッファを経て結局4ビットテスト出力結果を生成するようになる。
図3は図1に示された半導体メモリ装置内のテストパターンデータ貯蔵部の望ましい実施例の回路図である。
図3に示すように、ラッチ回路300は制御信号に応答して入力信号をラッチさせる。前記ラッチ回路300はトランジスタ(340及び350)、及びインバーター(310、320及び330)を含む。
前記制御信号は、またトランジスタ350のゲートに提供される。
前記制御信号を受信すると、前記ラッチ回路300は前記トランジスタ(340及び350)を用いて前記入力信号をラッチさせる。
ラッチングさせた前記入力信号が前記インバーター(320及び330)に提供された後、前記テストパターンデータは貯蔵される。
前記MRS1信号はインバーター510及びANDゲート520に提供され、前記ANDゲート520は前記MRS1信号及び前記インバーター510の結果に対してAND演算を実施する。
前記ANDゲート520の演算結果は制御信号になり、前記制御信号のパルス幅は前記インバーター510の時間遅延に相応する。
図7に示すように、リードデータabcdが‘0010’の場合にはテストパターンデータABCDとすべてのビットのデータが同じであるのでノードX1、X2、X3、X4が全部論理‘0’になり、ノードX5、X6、X7、X8は全部論理‘1’になる。従って、ノードY1は論理‘1’になり、ノードY2は論理‘0’になる。結局、判断部の出力端子であるノードZは論理‘1’になって半導体メモリ装置が正常であることを示す。
101 テスター
120 メモリセルアレイ
140 テストパターンデータ貯蔵部
182 判断部
Claims (16)
- データを貯蔵するメモリセルアレイと、
テストデータを貯蔵するレジストと、
前記テストデータを反転し、前記データ、前記テストデータ及び前記反転されたテストデータに応答して前記メモリセルアレイ内の少なくとも一つのメモリセルの不良可否を判断する判断部と、
を含むことを特徴とする装置。 - 前記判断部は、
前記データと前記テストデータを比較する第1比較部と、
前記データと前記テストデータを反転させたデータを比較する第2比較部と、を含むことを特徴とする請求項1記載の装置。 - 前記第2比較部は、前記テストデータを反転させることを特徴とする請求項2記載の装置。
- 前記判断部は、前記比較に応答して不良可否を判断することを特徴とする請求項2記載の装置。
- 前記メモリセルアレイは、テストのコマンドに応答して前記データを貯蔵することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記データは、前記データテストに相応することを特徴とする請求項5記載の装置。
- 前記データは、前記反転されたテストデータに相応することを特徴とする請求項5記載の装置。
- 前記レジストは、テストからテストデータを貯蔵することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記メモリセルアレイは、テストのコマンドに応答して前記判断部に前記データを提供することを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記判断部は、テストに不良可否を示すために適用されることができることを特徴とする請求項1記載の装置。
- テストデータをレジストに貯蔵する段階と、
データをメモリセルアレイに貯蔵する段階と、
前記レジストの前記テストデータを反転させる段階と、
前記データ、前記テストデータ及び前記反転されたテストデータに応答して前記メモリセルアレイ内の少なくとも一つのメモリセルの不良可否を判断する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記データ、前記テストデータ及び前記反転されたテストデータに応答して前記メモリセルアレイ内の少なくとも一つのメモリセルの不良可否を判断する段階は前記データを前記テストデータと比較する段階と、
前記比較段階に応答して不良可否を判断する段階と、を含むことを特徴とする請求項11記載の方法。 - 前記データ、前記テストデータ及び前記反転されたテストデータに応答して前記メモリセルアレイ内の少なくとも一つのメモリセルの不良可否を判断する段階は、前記データを前記反転されたテストデータと比較する段階と、前記比較段階に応答して不良可否を判断する段階と、を含むことを特徴とする請求項11記載の方法。
- 前記データをメモリセルアレイに貯蔵する段階は、テストコマンドに応答して実施されることを特徴とする請求項11記載の方法。
- 前記メモリセルアレイからデータを読取る段階をさらに含み、前記メモリセルアレイからデータを読取る段階はテストのコマンドに応答して実施されることを特徴とする請求項11記載の方法。
- テストに不良可否を示す段階をさらに含むことを特徴とする請求項11記載の方法。
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