JPH02134349A - 光学活性３−ヒドロキシブタン酸類の製造方法 - Google Patents

光学活性３−ヒドロキシブタン酸類の製造方法

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JPH02134349A
JPH02134349A JP63288032A JP28803288A JPH02134349A JP H02134349 A JPH02134349 A JP H02134349A JP 63288032 A JP63288032 A JP 63288032A JP 28803288 A JP28803288 A JP 28803288A JP H02134349 A JPH02134349 A JP H02134349A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はチェナマイシンに代表されるペネム系抗生物質
の合成中間体として有用な次の一般式Ｏ） Ｈ ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触媒〔式中　Ｒ
１はカルゲン酸の保護基、ｎｔハ水素原子、低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基又は低級アルキル基若しくは低
級アルコキシ基で置換されてもよいフェニル、ベンシル
オキシ基を示す〕 で表される光学活性３−ヒドロキシブタン酸類の製造方
法に関する。
〔従来の技術及びその課題〕
チェナマイシンに代表されるペネム系抗生物質は広範囲
の抗菌スペクトルを有することから、医薬品として注目
をあびている。
ペネム系抗生物質の製造方法としては、亀谷（Ｈｅｔｅ
ｒｏｃｙｅｌ＠ｓ、　１７　、４６３〜５０６（１９８
２））、渋谷〔「有機合成化学Ｊ　４１．６２（１９８
３））らＫよって種々の方法が報告されているが、その
中でも、次式（■） （式中　Ｒ３は水素原子又は水酸基の保護基を示す） で表される４−アセトキシアゼチジン−２−オン誘導体
を中間に経由する方法は、化合物（■）が各種求核剤と
反応可能なことから、種々のペネム系抗生物質を製造で
きる有利な方法である。
従来、この４−アセトキシアゼチジン−２−オン誘導体
（■）を製造する方法としては、Ｔｅｔｒａｈａｄｒｏ
ｎ　Ｌｅｔｔｅｒ　、　２３　、２２９３　（１９８２
）、（１９８３）、特開昭５９−１８１２５４号、同６
１−５０９６４号、同６３−４５２５１号に記載の方法
が知られている。
しかし、これらの方法は原料が高価である等の欠点があ
シ、より経済的な方法の開発が望まれていた。
〔課題を解決するための手段〕
斯かる実情において、本発明者は鋭意研究を行った結果
、前記（１）式で表わされる光学活性３−ヒドロキシブ
タン酸類を使用すれば４−アセドキシアゼチゾン−２−
オン誘導体（ｖＩ）を有利に製造できること、並びに光
学活性３−ヒドロキシブタン酸類の有利な製造法を見出
し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、次の一般式（１）、Ｃｏ、Ｒ１ （式中　Ｒ１及びＲ２は前記と同じものを示す）で表さ
れる３−オキソブタ／酸エステル類ヲルテニウムー光学
活性ホスフィン錯体を触媒として不斉水素添加して一般
式（１）で表わされる光学活性３−ヒドロキシブタン酸
類を製造する方法である。
本発明方法の原料化合物（１）　ｌ’ｔ　ｓ　　Ｂｅ　
ｒ　−、９２ｅ１９５９（１９５９）に記載の方法に従
って、アセト酢酸エステルから容易に製造することがで
きる。３−オキソブタン酸エステル類（１）トしては、
例えば、２−（Ｎ−アセチルアミノ）メチル−３−オキ
ソブタン酸メチル、２−（Ｎ−アセチルアミノ）メチル
−３−オキソブタン酸エチル％　２−（Ｎ−アセチルア
ミノ）メチル−３−オキソブタン酸イソプロピル、２−
（Ｎ−アセチルアミノ）メチル−３−オキソブタン酸ブ
チル、２−（Ｎ−アセチルアミノ）メチル−３−オキソ
ブタン９ｔ−ブチル％２−（Ｎ−アセチルアミノ）メチ
ル−３−オキノブタン酸フェニル％　　２−（Ｎ−アセ
チルアミノ）メチル−３−オキソブタン酸ペンツル、２
−（Ｎ−ベンゾイルアミノ）メチル−３−オキソブタン
酸メチル、２−（Ｎ−ベンゾイルアミノ）メチル−３−
オキツブタン酸プロピル、２−（Ｎ−ベンゾイルアミノ
）メチル−３−オキソブタン酸エチル、２−（Ｎ−ベン
ゾイルアミノ）メチル−３−神ソブタン酸／９ラメトキ
シフェニル、２−（Ｎ−ベンゾイルアミノ）メチル−３
−オキソブタン酸ノ９ラメトキシベンゾル％　　２−（
Ｎ−ベンゾイルアミノ）メチル−３−オキソブタン酸ノ
Ｑラメチルペンシル、２−（Ｎ−ホルミルアミノ）メチ
ル−３−オキソブタン酸メチル、２−（Ｎ−ホルミルア
ミノ）メチル−３−オキソブタン酸インゾロピル、２−
（Ｎ−カルボエトキシアｓ））メチル−３−オキソブタ
ン酸メチル％　　２−（Ｎ−カルボエトキシアミノ）メ
チル−３−オキソブタン酸エチル、２−（Ｎ−カルボペ
ンシルオキシアミノ）メチル−３−オキソブタン酸エチ
ル、２−（Ｎ−クロロアセチルアミノ）メチル−３−オ
キソブタン酸メチル、２−（Ｎ−シクロロアセチルアミ
ノ）メチル−３−オキソブタン酸エチル、２−（Ｎ−ト
リクロロアセチルアミノ）メチル−３−オキソブタン酸
メチル、２−（Ｎ−ピパロイルアミノ）メチル−３−オ
キソブタン酸エチル、２−（Ｎ−プロピオニルアミノ）
メチル−３−オキソブタン酸インプロピル等が挙げられ
る。
化合物（鳳）から化合物（１）を製造するには、化合物
（璽）をルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触媒と
して立体選択的に水素添加する。
ここにおいて、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体と
しては、次のものが挙げられる。
■　ＲｕｘＨｙＣ１ｚ（Ｒ−ＢＩＮＡＰ）２　（Ｑ）。
〔式中、　Ｒ−ＢＩＮＡＰ　Ｆｉ式 で表される三級ホスフィンを示し、Ｒは水素、メチル基
、ｔ−ブチル基を示し、ｃｌｊ、三級アミンを示し、ｙ
がＯのときＸｕ２．２は４゜ｐは１を示し、ｙが１のと
きＸは１、ｚ　＃′１１、ｐはＯｔ−示す） ■　（ＲｕＨｕ（Ｒ−ＢＩＮＡＰ）ｖ）Ｙｗ（式中、　
Ｒ−ＢＩＮＡＰは上記と同じ意義を有し、ＹはＣｌＯ４
、ＢＰ、、またはＰＦ、を示し、Ｕが０のときマは１、
ｗは２を示し、Ｕが１のときマは２、Ｗは１を示す。） ■　　Ｒｕ（Ｒ−ＢＩＮＡＰ）（ＯＣＲ’）２（式中、
　　Ｒ−ＢＩＮＡＰは上記と同じ意義を有し、ＢＳ９低
級アルキル基又はトリフロロメチル基を示す） ■　〔Ｒｕ　（Ｒ−Ｂ　Ｉ　ＮＡＰ　）ＭＣｊ　ｋ）　
ｔ　Ｘｎ１〔式中、　Ｒ−ＢＩＮＡＰは上記と同じもの
を、ＭはＺｎ、Ａｊ、Ｔｉ、またはＳｎを意味し、ｘＶ
ｉＮ（ＣｚＨｓ　）ｓ　ｓまたはＣＨ３Ｃｏ、を意味し
、ＸがＮ（Ｃ２Ｈ５）ｓの場合、！が２、ｍが１でアシ
、かつＭがＺｎのときはｋが４、Ａｊのときはｋが５、
↑１、またはＳｎのときにｉｋが６であり、ＸがＣＨ３
ｃｏ、の場合、ノが１、ｍが２であり、かつＭがＺｎの
ときはｋが２、Ａｎのときけｋが３、ＴｉまたはＳｎの
ときはｋが４である。〕■のルテニウム−光学活性ホス
フィン錯体は、　Ｔ、ＩｋａｒｌＦａら（Ｔ、　Ｉｋａ
ｒｌｙｍ、Ｊ、ＣＩ＋ａｒａ、Ｓｏｅ、　。
Ｃｈ＊ｍ、Ｃｏｒｈｒ＋＋ｕｎ、、　９２２−９２４　
、　（１９８５））及び特開昭６１−６３６９０号に開
示の方法によシ得ることができる。
また■及び■の錯体は、それぞれ特開昭６３−４１４８
７号、特開昭６２−２０５２６６号の方法によυ製造す
ることができる。
■のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体は、例えばＲ
ｕ２Ｃｊ４　（Ｒ−ＢＩＮＡＰ　）２（ＮＥ−ｔ３　）
　（以下、Ｅｔはエチル基を表す）めるいＦｉＲｕ（Ｒ
−ＢＩＮＡＰ）（ＯＣＯＣＨ３）ｔを原料として製造す
ることができる。すなわち、　　Ｒｕ２Ｃｊ４（Ｒ−Ｂ
ＩＮＡＰ）２（ＮＥｔ３）と、塩化亜鉛、塩化アルミニ
ウム、四塩化チタン、四塩化スズのうちより選ばれたル
イス酸の１種とを、塩化メチレンのごとき溶媒中で、１
０〜２５℃の温度で２〜２０時間反応せしめた後、溶媒
を留去し、乾固すれば目的のルテニウム−ホスフィン錯
体が得られる。また。
Ｒｕ　（Ｒ−Ｂ　ＩＮＡＰ　）（ＯＣＯＣＨ３）２と、
上記のルイス酸の１種を、塩化メチレンのごとき溶媒中
で、１０〜２５℃の温度で２〜２０時間反応せしめた後
、溶媒を留去し、乾固することによってモ目的のルテニ
ウム−ホスフィン錯体が得られる。
以上のルテニウム−光学活性ホスフィ／錯体の具体的な
例としては次のものが挙げられる。
Ｒｕ１Ｃｊ４　（ＢＩＮＡＰ）２（ＮＥｔｓ　）（ＢＩ
ＮＡＰは、２．２′−ビス（ジフェニルホスフィノ）−
１，１′−ビナフチルをいう〕Ｒｕ２Ｃ１４（Ｔ−Ｂ　
ＩＮｋＰ　）１　（ＮＥ　ｔ３　）（Ｔ−ＢＩＮＡＰは
、２．２′−ビス（シーＰ−）リルホスフイノ）−１，
１’−ビナフチルをいう〕 １（ｕ２Ｃ）４（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）ｚ（ＮＥｔ３
）（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰは、２．２′−ビス（シーｐ
−２−シャリ−ブチルフェニルホスフィノ）−１，１−
一ビナフチルをいう〕 ＲｕＨＣｊ（ＢＩＮＡＰ）２ ＲｕＨＣｊ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ　）２ １（ｕＨｃｊ（ｔ−Ｂｕ−ＢＩＮＡＰ）２（Ｒｕ（ＢＩ
ＮＡＰ））（Ｃｊ０４　）ｚ（Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）
）（Ｃｊ０４　）１（Ｒｕ（ｔ−ｎｕ−ＢＩＮＡＰ））
（Ｃｊ０４）１（Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ））（ＢＦａ）！ （Ｒｕ（Ｔ−Ｂ　ＩＮＡＰ　）　）　（ＢＦ４　）２（
Ｒｕ（ｔ−ｎｕ−ＢＩＮＡＰ））（ＢＦａ）ｚ（Ｒｕ（
Ｂ　ＩＮＡＰ　））　（ＰＦ６　）２（Ｒｕ（Ｔ−ＢＩ
ＮＡＰ））（Ｐｒｅ　ｈ（ＲｕＨ（ＢＩＮＡＰ）２）Ｃ
ノ０４ （ＲｕＨ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２）Ｃｊ０４（ＲｕＨ（Ｂ
ＩＮＡＰ）２）ＢＦ４ （ＲｕＨ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）２）ＢＦ４（ＲｕＨ（ＢＩ
ＮＡＰ）２）ＰＦ６ （ＲｕＨ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）、）ＰＦ。
Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）（ＯＣＯＣＨ３）２Ｒｕ（ＢＩＮＡ
Ｐ）（ＯＣＯＣＦ３）２Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（ＯＣ
ＯＣＨ３）１Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）（ＯＣＯ−ｔ−Ｂｕ）
１（ｔ−Ｂｕは、ターシャリ−ブチルをいう）Ｒｕ（Ｔ
−ＢＩＮＡＰ）（ＯＣＯＣＦ３）１Ｒｕ（ｔ−Ｂｕ−Ｂ
ＩＮＡＰ）（ＯＣＯＣＨ３）２（Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）Ｚ
ｔｔＣｊ４）２（ＮＥｔ３）（Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）Ａｊ
Ｃｊ、）、（ＮＫｔ、　）（Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）ＳｎＣ
ｊｓ）＊（ＮＥｔｓ　）（Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）ＴｉＣｊ
６）２（ＮＥｔ３）（Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ　）ＺｎＣ
ｊ４）２（ＮＥｔ３　）（Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ　）Ａ
ｊＣｊ５　）１（ＮＥｔ３　）（Ｒｕ（Ｔ−ＪＩＩＮＡ
Ｐ）ＳｎＣｊ６）２（ＮＥｔ３　）（Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮ
ＡＰ）ＴｉＣｊ、）、（ＮＥｔ、　）（Ｒｕ（ＢＩＮＡ
Ｐ）Ｚｎ（Ｊ２）　（ＯＣＯＣＨ３）１（Ｒｕ（ＲＩＮ
ＡＰ）ＡｊＣｊ３）（ＯＣＯＣＨ３）１（Ｒｕ（ＢＩＮ
ＡＰ　）ＳｎＣｊ４　）　（ＯＣＯＣＨ３）２（Ｒｕ（
ＢＩＮＡＰ）ＴｉＣｊ４）（ＯＣＯＣＨ３）＊（Ｒｕ（
Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＺｔｌＣｊｍ）（ＯＣＯＣＨＩ　）＊
（Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＡｊＣｊ３　）（ＯＣＯＣＨ
３）１（Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＳｎＣｊ４）（ＯＣＯ
ＣＨ３）１（Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＴｉＣｊ４）（Ｏ
ＣＯＣＨ３）１本発明を実施するには、化合物（ＩＩ）
を、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の存在下、溶
媒として塩化メチレン、ジクロルエタン、トリクロロエ
タン等のハロダン化炭化水素を用い、水素圧１０　ｋｙ
　／　ｃｌＩ！”から１５０　ｋｆ／Ｃｍ”好ましく　
Ｆｉ４０　ｋｇ　／　Ｃ１１１”から１００　ｋ）　／
　ｃｍ”反応温度１５℃から１００℃、好ましくは３５
℃から７０℃、反応時間１０時間から４０時間、好まし
くは１５時間から３０時間水素添加することにより行な
われる、このとき使用されるルテニウム−光学活性ホス
フィン錯体の量は化合物（１）に対し、モル比で１１５
０〜１１５０００、好ましくは１１５ｏ〜１／２００で
ある。また溶媒ｉは化合物（１）に対して、重量比で２
〜２０倍量、好ましくは４〜７倍量である。
この反応において、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯
体の触媒成分のＢＩＮＡＰ類を選択することによシ、所
望の立体配置の化合物（１）を得ることができる。例え
ば、（Ｒ）−任）−ＢＩＮＡＰ類を用いれば（２８，３
Ｒ）体の化合物（夏）が、また（Ｓ）　−＠　−ＢＩＮ
ＡＰ類を用いれば（２Ｒ，３Ｓ）体の化合物（１）が得
られる。特に（２８，３Ｒ）体の化合物（１）は、チェ
ナマイシンの製造中間体である（１’Ｒ，３Ｓ、４Ｒ）
−４−アセトキシアゼチジン−２−オン誘導体を得るの
に有用である。
本発明で得られる化合物（りは、次の反応式で示される
方法によって４−アセトキシアゼチジン−２−オン誘導
体（■）に導くことができる。
（、）　　　　　　　　　　　　　　　（ｂ）（＋）（
１） （ＩＹ） （Ｖ） （ｖｌ） （■） 〔式中　Ｒ１％Ｒ２は前記と同じものを示し、Ｒ３は水
素原子又は水酸基の保護基を示す〕すなわち、化合物（
＋）を希酸等で加水分解し、化合物（組となし、次いで
必要によりアミン化合物で中和し化合物（ＩＴ）とし、
この化合物（ＩＶ）ｔラクタム化剤で環化し化合物（Ｖ
）とする。化合物（Ｖ′）は必要によシ水酸基を保護し
く化合物（■））、ルテニウム化合物を触媒とする過酢
酸によるアセトキシ化を行なうことによシ４−アセトキ
シアゼテゾンー２−オン誘導体（ＶＭ）を得る。
この方法を更に具体的に説明すれば、次のとおりである
。
（、）　　加水分解工程 化合物（＋）を、必要によりシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（溶離液としては、ヘキサン／インゾロビル
アルコール＝７／３’に用いることが好ましい）等で精
製し、１０％〜２５％塩酸水、５％〜３０％硫酸水等の
希酸を用い、反応温度３０℃〜１１０℃、好ましくは１
００℃前後、反応時間１時間〜１０時間、好ましくは４
時間〜５時間でエステル基、アシルアミノ基の加水分解
を行う。
このときの希酸の使用量は基質に対して等量から１０倍
量（容量）であり、好ましくは４倍量程度である。
加水分解後、反応物を冷却し、ジクロルメタン、酢酸エ
チル、トルエン等で洗浄した後、水層を濃縮すれば化合
物（１）の塩が得られる。
（ｂ）　　中和工程 化合物（１）を適当量（３倍〜２０倍量）の水、メタノ
ール、エタノール等の溶媒に溶かし、等量の苛性アルカ
リ、例えば苛性ソーダで中和した後、濃縮すると、化合
物（ＩＶ）の遊離アミノ酸と中和塩の混合物の白色固体
が得られる。
または、化合物（１）に、１０〜３０倍量（容量）、好
ましくは２０倍量のアセトニトリルと当量のトリエチル
アミン等の三級アミンを加え、室温で１０時間から３０
時間攪拌すると化合物（ｆｆ）の遊離アミノ酸が白色結
晶として析出してくる。
化合物（ｆｆ）を得る方法は上記の方法に限られず公知
の種々の中和方法を用いることができる。
上記の如くして得られた粗結晶は常法により精製すれば
化合物（ｆｆ）が得られる。
（、）　　ラクタム化工程 前述（、）の方法で得られた化合物（ＩＩ）のアミノ酸
塩又は（ｂ）の方法で得られた化合物（ＩＶ）の遊離ア
ミノ酸に、等モルのトリフェニルホスフィン及び等モル
のジピリジルジスルフィドを加え、さらにトリエチルア
ミン及びアセトニトリルを加える。
トリエチルアミンの量は、化合物（ｍ）を用いる場合は
、これの２倍モル、化合物ＣＰＩ）を用いるときは、こ
れと等モルが好ましい。また、アセトニ）　ＩＪルの量
は化合物（１１）又は（ＩＶ）に対して１０倍〜２００
倍量（容量）、特に８０〜１５０倍量が好ましい。
以上の混合物を反応温度２５℃〜８５℃、好ましくは８
０℃前後、反応時間１〜３０時間、好ましくは１５時間
程度で攪拌し反応せしめる。
反応終了後、反応液中の溶媒を減圧下 （１５〜３０　ｍｍＨ９）にて留去し、得られた油状物
を常法によシ精製すれば、化合物（Ｖ）のラクタム体が
得られる。
ラクタム化は上記方法に限定されず、例えばＳｕｎｇｇ
ａｋ　Ｋｌｎｎらの方法（Ｓｕｎｇｇａｋ　Ｋｉｎ　ｅ
ｔ。
ａｌ、、　５ｙｎｔｈ＠ｔｉｃ　Ｃｏｍｍｕｎｌｅａｔ
ｌｏｎｓ　、　ｊ　８　、２４７　。
（１９８８）により化合物（Ｖ）を得ることもできる。
（ｄ）　　水酸基の保護工程 必要により化合物（Ｖ）の水酸基を保護することができ
る。この方法は通常使用される保護剤を用い、常法に従
って行なえばよい。
保護基としては、例えばｔ−プチルゾメチルシリル、ト
リイソゾロピルシリル、アセチル、クロロアセチル、シ
クロロアセチル、トリクロロアセチル、ペンゾルオキシ
カルボニル、０−ニトロベンゾルオ＊シカルｇ＝ル、ｐ
−ニトロベンシルオキシカルボニル、１−ブチル、ベン
シル、２．４−ジメトキシベンジル、トリクロロエトキ
シカルボニル、１−ブトキシカルボニル基等の通常ラク
タム化合物の水酸基の保護基として用いられるものが好
ましい。
（・）アセトキシ化工程 化合物（Ｖ）又は化合物（ｖＩ）　ｓ好ましくは化合物
（Ｖｌ）ＶＣｓ　この基質に対して１７５〜１７５００
モルのルテニウム化合物を触媒として加え、塩化メチレ
ン、酢酸、アセトニトリル等を溶媒として、温度−３０
℃〜３０℃、好ましくは一り℃〜θ℃にて、基質に対し
て等モルから２倍モルの過酢酸の酢酸溶液又は過酢酸の
アセトン溶液を滴下する。
ここで云うルテニウム化合物とは、ルテニウムのハロゲ
ン化物またはそれの錯体化合物、ルテニウムの塩、担体
付ルテニウム等を挙げることができる。具体的にはＲｕ
Ｃｊ３　、ＲｕＢｒ３、Ｒｕ１３　、ＲｕＣｊ２（ＰＰ
ｌ＋３　）３　、ＨＲｕＣｊ（ＰＰｌｔ）３　、Ｈ２Ｒ
ｕ（ＰＰｈ３　）４、（Ｒｕ（ＮＨ３）５Ｃノ）Ｃ／、
、Ｒｕ（ＮＨＩ）６Ｃｊ３、Ｒｕ（Ｎｏ）（ＮＯｓ）ｓ
、Ｒｕ　（０ＣＣＨ３）３　、　Ｒｕ−アセチルアセト
ナート、Ｒｕ１Ｃｊ４　（ＢＩＮＡＰ）２ＮＩＥｔｈＲ
ｕｚＣ１４（１、４ｄ　ｌｐｈｏｍ）２　。
Ｒｕ（ＮＯ）Ｃ７０”ＨｌＯｌ（Ｒｕ（ＮＨ３）５Ｂｒ
）Ｂｒ２　。
ＨＲｕＣｊ（ＢＩＮＡＰ）ｈＲｕ（ＮＨ３）６１３、Ｒ
ｕ−炭素、Ｒｕ−アルミナ、　　Ｒｕ−シリカゲル、Ｒ
ｕ−７リカアルミナ、Ｒｕ−ジルコニア、Ｒｕ−ケイソ
ウ土、Ｒｕ−グラフアイ）、Ｒｕ−酸化鉄が挙げられ、
担体性ルテニクムの担持量は担体に対して１％重量〜２
０％重量、好ましくは５％重量である。
滴下後、更に０．５〜５時間、好ましくは１〜２時間攪
拌を行い、反応を完了せしめる。
反応終了後、溶媒を留去し、常法により精製を行なえば
化合物（■）の４−アセトキシアゼチン／−２−オン誘
導体が得られる。
また、本アセトキシ化反応において、酢酸ソーダを基質
に対して等モル〜２倍モル共存させることによシ、収率
を上げることができる。
このようＫして得られた化合物（■）は、ペネム系抗生
物質の製造中間体として使用できる（特開昭５８−１０
３３５８）。
〔発明の効果〕
本発明方法圧よれば、ペネム系抗生物質の製造中間体と
して有用な化合物（■）を合成するのに有用な化合物（
１）を、経済的に製造することができる。
〔実施例〕
以下、実施例及び参考例を挙げて説明するが本発明はこ
れに限定されない。
なお、参考例において　３１ｐ核磁気共鳴スペクトル（
以下、　３１ＰＮＭＲと略す）は、プルツカ−社製ＡＭ
４００型装置（’＋　６　’Ｓ　Ｍｌ（Ｓ　）を用いて
測定し、化学シフトは８５％リン酸を外部標準として測
定した。
参考例１ Ｒｕ２Ｃ１４（（→−ＢＩＮＡＰ　　ｈ（ＮＥｔｓ　　
）　　（ゾ　〔２２′−ヒ、ｘ、　（９フエニルホスフ
イノ）−１，１’−ビナフチル〕テトラクロローゾルテ
ニウムトリエチルアミン）の合成： （ＲｕＣｊ２（ＣＯＤ））ｎｌ　？　（３，５６ミリモ
ル）％（→−ＢＩＮ人Ｐ　２．６６　ｆ　（４゜２７ミ
リモル）及びトリエチルアミン１．５ｆを１００−のト
ルエン中に窒素雰囲気下に加える。１０時間力ロ熱還流
させた後、溶媒を減圧下留去した。結晶を塩化メチレン
を加えて溶解した後、セライト上でろ過し、ろ液を濃縮
乾固したところ３．７９の濃褐色の固体（ＲＪＣＪ４　
（（＋）−ＢＩＮＡＰ）、（ＮＥｔ３））を得た。
元素分析値：　Ｃｇ４Ｈ７ｇＣｊ４ＮＰ４Ｒｕ２として
Ｒｕ　　　　　　ＣＨＰ 理論値（至）　１１．９６　６６．８５　４．７１　７
．３３実測値（至）　１１６８　６７．６２　４．９７
　６．９４ＩＨＮＭＲ（ＣＤＣｊ、　）δｐｐｍ：啼　
、３０−１　．５０（ｔ、６Ｈ，ＮＣＨ２ＣＨ３）３．
０５−３．３０（ｑ、４Ｈ，ＮＣＨ，ＣＨ，）６．４０
−８．６０（ｍ、３２Ｈ，Ａｒ−）Ｉ）参考例２ （Ｒｕ（（−）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ））（Ｃｊ０４　ｈ　
（（２，２’−ビス（シーｐ−）リルホスフイノ）−１
，１’−ビナフチル〕ルテニウム過塩素酸塩）の合成： Ｒｕ　２　Ｃ１０（（−）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ）、（ＮＥ
ｔ３　）０．５　４　９（０，３０ミリモル）を、２５
０ｍ１ｊのシュレンク管に入れ、充分窒素置換を行って
から、塩化メチレン６（１ｗｊを加え、続いて過塩素酸
ソーダ０．７３　Ｆ　（６，０ミリモル）を６０−の水
に溶解したものと、トリエチルペンシルアンモニウムブ
ロマイド１６Ｒｇ（０，０６Ｓ　１７モル）を３ｄの水
に溶かしたものを加えた後、室温にて１２時間攪拌して
反応させた。反応終了後、静置し、分液操作を行い水層
を取り除き、塩化メチレンを減圧下にて留去し、減圧下
で乾燥を行い、濃褐色の固体（Ｒｕ（（−）−Ｔ−ＢＩ
ＮＡＰ））（ＣｌＯ２）鵞０．５９　ｆを得た。収率９
９．６％元素分析値：　Ｃ４８Ｈ４０Ｃ’１０８　ＰＩ
ＲｕとしてＲｕ　　　　　　Ｐ　　　　　　　ＣＨ理論
値−：　　１０．３２　６．３３　５８．９０　４．１
２実測値■：　　１ｏ、ｏａ　　５．９７　５Ｂ、６１
　４．５３３１ｐ　　ＮＭＲ（ＣＤＣＩ、）δｐｐｍ：
１２．９２０（ｄ、Ｊ＝４１．ＩＨｚ）６４．４０２（
ｄ、Ｊ＝４１．１Ｈｚ）参考例３ Ｒｕ（（）−ＨｆＮＡＰ）（ＯＣＯＣＨＩ　）２　（（
２、２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−
ビナフチル〕ルテニウムーゾアセテート）の合成：Ｒｕ
２Ｃ１４（（−）−ＢＩＮＡＰ）２　（ＮＥｔ３）錯体
１．４３Ｆ　（０，８５ミリモル）と酢酸ソーダ３．０
６　Ｆ（３７ミリモル）　’ｆｒ：ｓ　２５　ｏＩＬｌ
のシュレンク管に入れ、充分窒素置換を行ってから、１
−ブタノール１００１１１を加え、１２時間加熱還流し
て反応させた。反応終了後、２０　ｍｍＨｔの減圧下で
、ｔ−ブタノールを留去して乾固した後、エチルエーテ
ル１０ｄで２回抽出した。エチルエーテルを留去して乾
固し、得られた固体を更にエタノール１０Ｒ１で２回抽
出した。抽出液を濃縮して乾固し、粗製のＲｕ（（−）
−ＢＩＮＡＰ）（ＯＣＯＣＨ３）ｚ　１．５　Ｏｆを得
た。
このものを更に酢酸エチルエステルから再結晶を行い、
黄褐色の固体ｏ、ｙ　９　ｆを得た。収率５２％。
融点：１８０〜１８１℃（分解） 元素分析値：　Ｃ４ａＨ３８０４ＰＩＲｕとしてＲｕ　
　　　　　Ｐ　　　　　　ＣＨ 理論値（ト）：　１２−０１　７．３６　６Ｂ、４８　
４．５５実測値ＦＪ：　１１．ｓｓ　　７．２８　６８
．３５　４．６１３凰Ｐ　　ＮＭＲ（ＣＤＣｊｓ　　）
　　δ　ｐｐｒｎ：６５．００（ｇ） ＩＨＮＭＲ（ＣＤＣＩ３　）δＰＩ）Ｑｌ：１．７５（
ｓ、６Ｈ，０ＣＣＨｓ　　）６．５〜７．８（ｒ＋＋、
３２Ｈ，ナフチル環とフェニルゾロトン） 参考例４ （Ｒｕ（（−）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＳｎＣ７，）、　（
ＮＥｔ３）　（ビス〔ルテニウム（２、２’−ビス（シ
ーｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル〕へ
キサクロロチン〕トリエチルアミン）の合成：Ｒｕ２Ｃ
１４（（）−’ｒ−ｇｒＮＡｐ）、　（ＮＥｔ３　）　
０．５２　ｆ（０，３ミリモル）を８０ｄのシュレンク
管に入れ、充分窒素置換を行ってから、塩化メチレン２
０ｍ１と、　　５ｎＣ１４０，１６ｆ　（０，６ミリモ
ル）を加え、室温にて１５時間かき混ぜた。
反応終了後、減圧下で塩化メチレンを留去して、乾固し
たところ、濃褐色の （Ｒｕ（（）−Ｔ−ＢＩＮＡＰ）ＳｎＣｊ＠）１（ＮＥ
ｔ３）　０．６８９を得た。収率１００％。
元素分析値：　Ｃ１６２Ｈｇ５Ｃｊ１２ＮＰ４ＳｎＣ１
６２ＨＣＩ　　　　　　Ｃ１ 実測値（至）：　５．９１　５３．４８　４．３６　１
７．５６理論値Ｆｄ：　５．３３　５２．７２　４．１
２　１８．３１３１ｐ　ＮＭＲ（ＣＤＣｊ、　）δｐｐ
ｍ：１４．１４（ｄ、Ｊ＝４１．７Ｈｚ） ６２．５７（ｄ、Ｊ＝４１．７Ｈｚ） 実施例１ あらかじめ窒素置換を行った（ＯＯＲｌのステンレスオ
ートクレーブに、２−（Ｎ−ベンゾイルアミノ）−メチ
ル−３−オキソブタン酸メチル２．５ｆ（１０ｒｎｍｏ
ｌ　）と参考例１に準じて合成したルテニウム−光学活
性ホスフィン錯体ＲｕｚＣｊａ（（＋）−ｎｘＮＡｐ）
、（ＮＥｔ３）　８４．５　ｍｇ（０，０５ｍｍｏｌ　
）を塩化メチレン１７．５ｓｕに溶かしたものを加え、
５０℃、水素圧１００ｋｔ　／　ｃＩＩＬ”で２０時間
攪拌持続して反応させた。
水添反応物の溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（溶離液はｎ−へキサンと酢酸エチル
の混合溶媒を使用）によシ触媒を除き、２．２５　Ｐの
（２Ｓ、３Ｒ）−２−（Ｎ−ベンゾイルアミノ）−メチ
ル−３−ヒドロキシブタン酸メチルを得た。収率９０％
光学純度９８％ｅ・（（＋）−メトキシ−トリフロロメ
チル−フェニル酢酸のエステルに誘導した後、下記条件
にて高速液体クロマトグラフィーを使用して決定した。
カラム：　Ｄｅｖｅｌｏｓｉｌ　１０Ｏ−３（４，６ｒ
ｎｍ　Ｘ　２５０　ｍｒｎ）（野村化学■製）、測定波
長ＵＶ：２５４ｎｍ。
展開溶媒：へキサン／ジエチルエーテル；９０／１０、
流速：　１　ｒａｔ　／　ｍｉｎ　）ＩＨＮＭＲ（ＣＤ
Ｃｊ３）δｐＰｒｎ：１．２６（ｄ、Ｊ＝６．２５Ｈｚ
、３Ｈ）２．６２（ｎ＋、１Ｈ） ３．５７−３．６２（ｍ、ＩＨ） ３．７３（ｓ、３Ｈ） ４．６０−４．０３（ｍ、１Ｈ） ４．０７−４．１４（ｒｈ、１Ｈ） ７．０２（ｂｒ、ｓ、１Ｈ） ７．４１−７．８０（ｒｎ、５Ｈ） 実施例２ あらかじめ窒素置換を行った１００ｄのステンレスオー
トクレーブに２−（Ｎ−アセチルアミノ）メチル−３−
オキシブタン酸エチル２．０ＩＰ（１０ｎｕｎｏｌ　）
とＲｕ２Ｃｊ４　（（＋）−ＢＩＮＡＰ　）２ＮＥｔ３
８４．５１１！ＩＩ（０，０５ｍｎ＋ｏｌ　）　ｙｋ塩
化メチレン１８１１Ｌｌにとかした溶液を加え、３５℃
、水素圧７０　ｋｇ　／　ａｎ２で１７時間反応させた
。反応液をとシ出し、減圧下（２０ｍｍＨｒ　）に濃縮
し、シリカゲルクロマトグラフィー（溶離液はへキサン
とイソクロノ９ノール０フ／３混合液を使用）で精製し
、１．９５　ｒの（２ｓ。
３Ｒ）−２−（Ｎ−アセチルアミノ）メチル−３−ヒド
ロキシブタン酸エチルを得た。収率９６．５％、光学純
度９８％・ｅ（カラムとしてＡ−００２−３３−３１２
ＯＡ　　（■山村化学研究新製）を用い、展開溶媒とし
てヘキサン／テトラヒドロフラン／メタノール＝８００
／２００／１を用いた以外は実施例１と同様に高速液体
クロマトグラフィーを使用し、決定した。） ＩＨＮＭＲ（ＣＤＣＩ３）δｐｐｒｎ：１．２５（ｄ、
Ｊ＝６．３Ｈｚ、３Ｈ）、１．２９（ｔ、Ｊ＝７．１Ｈ
ｚ。
３Ｈ）、２．０１（ｓ、３Ｈ）、２．４５−２．４９（
ｒｎ、１Ｈ）。
３．３２−３．３８（ｍ、１Ｈ）、３．８７−３．９５
（ｍ、３Ｈ）。
４．１３−４．２１（ｍ、２Ｈ）、６．１３（ｂｅ、１
Ｈ）実施例３ あらかじめ窒素置換を行った１００ｄのステンレスオー
トクレーブに２−（Ｎ−カルボエトキシアミノ）メチル
−３−オキソブタン酸エチル２．３１Ｐ（１０ｎ＋ｎ＋
ｏｌ　）とＲｕ２Ｃ１４（（＋）　−ＢＩＮＡＰ　）ｓ
　ＮＥｔ３８４．５　＃（０，０５ｍｍｏｌ　）を塩化
メチレン１８ｍ１にとかした溶液を加え、４５℃、水素
圧７ｓｋｙ／ｃ１！２で２０時間反応させた。反応液を
とり出し、減圧下（２０ｎｎｎ＋Ｈｆ　）に濃縮し、シ
リカゲルクロマトグラフィー（溶離液はへキサンとイソ
ゾロ・９ノールの８／２混合液を使用し九）で精製し、
１．６３ｆの（２Ｓ、３Ｒ）−２−（Ｎ−カルボエトキ
シアミノ）メチル−３−ヒドロキシブタン酸エチルを得
た。収率７０％、光学純度９０％ｅ・（展開溶媒として
ヘキサン／テトラヒドロフラン／メタノール＝１０００
：１００：１を用いた以外は実施例２と同様に測定した
。） ＩＨＮＭＲ（ＣＤＣｊ、　）δｐｐｍ：１．２１−１．
３０（ｍ、９Ｈ）、２．５０−２．５３（ｒｎ、ＩＨ）
。
３．４１−３．５０（ｍ、ＩＨ）、３．６０−３．７２
（ｍ、ＩＨ）。
４．０５（ｂｒ、ｓ、１Ｈ）、４．０８−４．２５（ｎ
＋、４Ｈ）。
５．３７（ｂｒ、ｓ、１Ｈ） 実施例４ あらかじめ窒素置換を行った１００１Ｌｌのステンレス
オートクレーブに２−（Ｎ−クロロアセチルアミノ）メ
チル−３−オキソブタン酸メチル２．２１　？　（１０
ｍｒａｏｌ　）とＲｕ２Ｃ１４（（＋）−ＴＯＩ−ＢＩ
ＮＡＰ）、　ＮＥｔ、　１８０１１ｇ（０，１ｎｌｌ’
ｆｌｏｌ　）を塩化メチレン２０ｓ＋ｊＶＣとかした溶
液を加え、５０℃、水素圧１００ｋ）／傭２で２０時間
反応させた。反応液をとり出し、減圧下（２０ｍｎ＋Ｈ
ｆ　）で濃縮した後、シリカゲルクロマトグラフィー（
溶離液はへキサンとイソクロノ９ノールの８／２の混合
液を使用）で精製し、１．７８　ｆの（２８，３Ｒ）−
２（Ｎ−クロロアセチルアミノ）メチル−３−ヒドロキ
シブタン酸メチルを得た。収率８０％、光学純度９５％
・ｅ（実施例２と同様の条件で測定） ＩＨＮＭＲ（ＣＤＣＩ、　）δｐｐｒｎ：１．２４（ｄ
、Ｊ＝６．３Ｈｚ、３Ｈ）、１．２８（ｔ。
Ｊニア、ＩＨｚ、３Ｈ）、２．４７−２．５２（ｎ＋、
１Ｈ）。
３．３５−３．４０（ｒｎ、１Ｈ）、３．９０−３．９
８（ｎ＋、３Ｈ）。
４．０５（ｓ、２Ｈ）、４．１５−４．２４（ｍ、２Ｈ
）。
６．７５（ｂｅ、１Ｈ） 実施例５ あらかじめ窒素置換を行った１００ｗＬｌのステンレス
オートクレーブに２−（Ｎ−アセチルアミノ）メチル−
３−オキソブタン酸エチル２．０１９　（１０ｍ＋ｖ＋
ｏｆ　）と（Ｉ Ｒｕ（ＯＣＣＨ３）２　（（＋）−ＢＩＮＡＰ）　１６
８１１ｇ（０，１ｒＩＩｎ＋ｏｌ　）を塩化メチレン１
５ｍにとかした溶液を加え、７０℃、水素圧１３０ｋｙ
／ｃｍ２で３０時間反応させ、つづいて濃縮して残渣を
、シリカゲルクロマトグラフィー（溶離液はヘキサンと
インテｑ）９ノールの７／３の混合液）で精製して、１
．７Ｆの（２３，３Ｒ）−２（Ｎ−アセチルアミノ）メ
チル−３−ヒドロキシブタン酸エチルを得た。収率８５
％、光学純度９３％のｅ（実施例２と同様の条件で測定
）実施例６ あらかじめ窒素置換を行つ７ｔ（ＯＯｄのステンレスオ
ートクレーブに、２（Ｎ−ベンゾイルアミノ）メチル−
３−オキンプタン酸メチル２．５９　（１０ｍｍｏｌ　
）と（Ｒｕ（（＋）−ＢＩＮＡＰ））（Ｃｊ０４　）２
１８４　Ｒｇ（０，１ｍｍｏｌ　）をジクロルエタン１
８ＭＬＩＫとかしたものを加え、７０℃。
水素圧１００ｋ）／α２で３０時間反応させた。
反応液をとり出し減圧下（２０ｍｍＨｆ　）で濃縮した
後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離
液はヘキサンとイソゾロノ♀ノールの７７３の混合液を
使用）で精製して、２．１９　ｔの（２８，３Ｒ）−２
（Ｎ−ベンゾイルアミノ）メチル−３−ヒドロキシブタ
ン酸メチルを得た。収率８６，５％、光学純度９０％ｅ
ｅ。
実施例７ 触媒を（Ｒｕ（（＋　）−ＢＩＮＡＰ）ＳｎＣｊｌ　ｈ
　（ＮＥ　ｔ３　）とし２４５１Ｆｉ（０，２ｒｒ＋ｒ
ｈｏｌ　）を用いた以外はすべて実施例１と同様に実施
し、収率８５％で（２Ｒ，３８）−２−（Ｎ−ベンゾイ
ルアミノ）メチル−３−ヒドロキシブタン酸メチルを得
た。光学純度９３％ｅｅ０ 実施例８ あらかじめ窒素置換を行った１００ｄのオートクレーブ
に２−（Ｎ−ベンゾイルアミノ）メチル−３−オキソブ
タ／酸メチル２．５ｆ（１０ｍｍｏｌ　）とＲｕ２Ｃｊ
４　（（）−ＢＩＮＡＰ）１（ＮＥｔ３　）８４．５１
１！１ｉ１　（０，０５ｎ＋ｎ＋ｏｌ　）の塩化メチレ
ン溶液を加え、４５℃、水素圧７０　ｋｙ　／　ｃｍ”
で２４時間攪拌反応した。反応液をとり出し、溶媒を留
去（２０ｍｍＨｆ／　３０℃）した後。
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液はヘキサ
ン／インクロノ９ノール＝７／３）で精製し、　２．２
７　ｆの（２Ｒ，３Ｓ）−２−（Ｎ−ベンゾイルアミノ
）メチル−３−ヒドロキシブタン酸メチルを得た。収率
９１％、光学純度９７％６＠。
診考例５ （２Ｓ、３Ｒ）−２−（Ｎ−ベンゾイルアミノ）メチル
−３−ヒドロキシブタン酸メチル１０．６５９（４２，
４３ｍｍｏｌ　）に１０％ＨＣｊ水溶液７０ｄを室温に
て加えて溶かし、その後４．５時間加熱還流し、室温ま
で放置し、析出する安息香酸をろ過し、ろ液をトルエン
１００ばて２回洗浄分液し、水層を減圧下濃縮すること
により、（２８，３Ｒ）−２−アミノメチル３−ヒドロ
キシブタン酸・塩酸塩６．６７９を得た。収率９３％。
ＩＨＮＭＲ（ＣＤ３０Ｄ　）δｐｐｍ　：１．３２（３
Ｈ，ｄ、Ｊ＝６．５４）、２．８５（ＩＨ，ｍ）３．３
７（２Ｈ，ｍ）、４．３３（１Ｈ，ｄｑ、Ｊ　＝６．５
４　。
４．９９　’） 参考例６ （２８，３Ｒ）−２−アミノメチル−３−ヒドロキシブ
タン酸・塩酸！　６．１４９　（３６，２２ｍｎ＋ｏｌ
　）にアセトニトリル１５０ｄを加え、水冷下、トリエ
チルアミン５．０５ｓｕ（３６，２２ｎ＋ｍｏ１　）を
加えて、２日間室温にて激しく攪拌した。析出した。Ｑ
ウダー状の結晶をろ過して残渣を集め、これにアセトニ
トリル１００ｄを加えて洗浄後ろ過して結晶の（２８，
３Ｒ）２−アミノメチル−３−ヒドロキシブタン酸４．
０７９を得九。収率８４％２ ＬＨＮＭＲ（ＣＤＳＯＤ）δｐｐｒｎ：１．２７（３Ｈ
，ｄ、Ｊ＝６．３９）、２．４９（ＩＨ，ｄｔ。
Ｊ＝６．２１．６．３６）、３．２６（２Ｈ，ｄ、Ｊ＝
６．３６）　。
４、ｆｏ（１ｎ、ｄｑ、Ｊ＝ｓ、２１，６．３９）参考
例７ （２Ｓ、３Ｒ）−２−アミノメチル−３−ヒドロキシブ
タン酸２．２８　？　（１７，１４ｍｎ＋ｏｌ　）に無
水アセトニトリル３４２ｄを加え懸濁させ、トリフェニ
ルホスフィ７５．４９　ｆ　（２０，９３１１１ｎ１０
１　）及びジピリジルジスルフィド４．５４ｆ（２０，
６１ｍｍｏｌ）を加えて、５５°〜６０℃にて２０時間
反応させ、減圧下濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにより塩化メチレン−酢酸エチル−メタノール
（８：８：１）ｔ１″用いて分離精製し、（１’Ｒ，３
８）−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オン１．
６４　ｔを得た。収率８３％。
ＩＨＮＭＲ（ＣＤ１ｊ、　）δｐｐｍ：１．２８（３Ｈ
，ｄ、Ｊ＝６．３）、２．１０（１Ｈ，−０Ｈ）。
３、：Ｈ（ｉＨ，ｄｄｄ、Ｊ＝５．４，５．２．２．７
　）、３．３６（２Ｈ，ｄｄｄ、Ｊ＝５．２，５．２，
２．７）、Ｃ２１（ＩＨ，ｄｑ、Ｊ＝６．３，５．４）
、５．８２（１Ｈ，−ＮＨ）参考例８ （１’Ｒ、３Ｓ　）　−３−ヒドロキシエチルアゼチジ
ン−２−オン３．８８Ｆ（３３，７４ｒｎｍｏｌ　）に
無水ＤＭＦ　１５　ｙｘｌを加れて溶かし、イミダゾー
ル２．４１ｔ　（３５，４３ｍｒｎｏｌ　）、ｔ−ブチ
ルジメチルシリルクロライド５．３４　ｆ　（３５，４
３ｍｍｏｌ）を加えて、室温にて２０時間反応させ、こ
れを１００ｍｊの冷水に注ぎ、析出した結晶をろ取する
ことにより、（１’Ｒ，３Ｓ）−３−（１’−ｔ−プチ
ルゾメチルシリルオキシエチルーアゼチゾンー２−オン
６．５ｆｉ得た。収率８４％。
（ａ　）　”ｏ　　６９．８　”　（ｅ　＝１．０２　
ＣＨＣｊ　３　）光学純度９４％・ｅ 口＋、ｐ、６６　　°　−６８℃ ＩＨＮＭＲ（ＣＤＣｊ、　）δｐｐｒｎ：０．０９（６
Ｈ，ｓ）、０．８８（９Ｈ，ｓ）、１．２１（３Ｈ，ｄ
、Ｊ　６．２１　）、３．２１（１Ｈ，ｒｂ）、３．３
０（１Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝５．０８，５．２６）、３．３７
（１Ｈ，ｍ）。
４．２０（１Ｈ，ｄｑ、Ｊ＝５．２６，６．２１）、５
．６３（１Ｈ，−ＮＨ） 参考例９ （１’Ｒ、３Ｓ　）　−３−（１’−ｔ−プチルゾメチ
ルシリルオキシ）エチルアゼチジン−２−オン０．５０
　ｆ　（２，１８ｍｍｏｌ　）に窒素気流下で無水アセ
トニトリル２０ｍを加えて溶かし、次いで酢酸ナトリウ
ム０．１８　ｔ　（２，１８ｍｍｏｌ　）を加えた。こ
の溶液に三塩化ルテニウム４５ｍ９　（０，２２ｍｍｃ
＋１　）の無水アセトニトリル２０ｄ溶液を加え、−５
℃に冷却した。更に、注意深く、４０％過酢酸溶液３１
Ｌｌを滴下した。
その後溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにより分離精製することにより（１’Ｒ，３ｇ
、４Ｒ）−４−アセトキシ−３−（１’−ｔ−プチルゾ
メチルオキシ）エチルアゼチジン−２−オン０．５ｆを
得た。
収率８０％。
（ｒ）甘＋４７．８°（ｃ＝ｏ−９８ＣＨＣｊｓ　）。
光学純度９９．２％・・ ＩＨＮＭＲ（ＣＤＣｊ３）δＰＰｍ： ０．０８（３Ｈ，ｓ）、０．０９（３Ｈ，ｓ）、０．８
８（９Ｈ，ｓ）。
１．２７（３Ｈ，ｄ、Ｊ＝６．３５）、２．１１（３Ｈ
，思）。
３．１９（１Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝３．５０，１．２７　）、
４．２３（ＩＨ，ｄｑ、Ｊ＝３．５０，６．３５）、５
．８４（１Ｈ，ｄ。
Ｊ＝１．２７）、６．４０（１Ｈ，−ＮＨ）参考例１０
〜２０ 触媒、反応条件を変えたほかは、参考例９に準じて操作
を行った。その結果を第１表に示す。
第１表 手続補正書（自発） １、事件の表示 昭和６３年特許願第２８８０３２号 ２、発明の名称 光学活性３−ヒドロキシブタン酸類の製造方法３、補正
をする者 事件との関係　　出願人 名称　高砂香料工業株式会社 ４、代理人 住　所　　東京都中央区日本橋人形町１丁目３番６号（
〒１０３）表中、０内は基質／触媒重量比 ＰＪＰ　：　）リフェニルホスフィン Ｒｕ（’ａｅａｃ）３　：ルテニウムアセチルアセトナ
ート以上 自　　　発 贋罠 ６、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」および「発明の詳細な説明
」の欄 ７、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙の如く訂正する。
（２）明細書中、第３頁第１行 「低級アルキル基、」とあるを 「ハロゲン原子で置換されてもよい低級アルキル基」と
訂正する。
（３）同第１８頁最下行 ｒ　（１’　Ｒ，３Ｓ、４Ｒ）−４−アセト」とあるを ｒ　（１’　Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−４−アセト」と訂正す
る。
（４）同第３８頁第７行 「−３−オキシブタン酸エチ」とあるを「−３−オキソ
ブタン酸エチ」と訂正する。
（５）同第４５頁第７行 ｒ　（２Ｒ，３Ｓ）−２−Ｊとあるを ｒ　（２Ｓ、３Ｒ）−２−Ｊと訂正する。
（６）同第４９頁第５行〜第７行 ｒ　（１’　Ｒ，３Ｓ）−３−ヒドロキシエチルアゼチ
ジン−２−オン」とあるを ｒ　（１’　　Ｒ，３Ｓ）−３−（１’　−ヒドロキシ
）−エチルアゼチジン−２−オン」と訂正する。
（７）同第５２頁第１行〜第２行 ｒ　（１’　Ｒ，３Ｓ、４Ｒ）−４−アセトキシ−３−
（１’　−ｔ−ブチルジメチルオキシ）」とあるを ｒ　（１’　Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−
（１’　−ｔ−ブチルジメチルシリルツ゛キシ）」と訂
正する。
特許請求の範囲 １、次の一般式（ｎ） 手続補正書く自発） ＣＤ、Ｒ 〔式中、Ｒ’はカルボン酸の保護基、Ｒ２は水素原子、
ハロゲン原子で置換されてもよい低級アルキル基、低級
アルコキシ基又は低級アルキル基若しくは低級アルコキ
シ基で置換されてもよいフェニル、ベンジルオキシ基を
示す〕 で表される３−オキソブタン酸エステル類をルテニウム
−光学活性ホスフィン錯体を触媒として不斉水素添加を
行うことを特徴とする一般式１、事件の表示 昭和６３年特許願第２８８０３２号 ２、発明の名称 光学活性３−ヒドロキシブタン酸類の製造方法３、補正
をする者 事件との関係　　出願人 名称　高砂香料工業株式会社 ４、代理人 住　所　　東京都中央区日本橋人形町１丁目３番６号（
〒１０３）ＣＯ２Ｒ’ 〔式中、Ｒ’及びＲ２は前記と同じものを示す〕で表さ
れる光学活性３−ヒドロキシブタン酸類の製造方法。
６、　補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」の欄 ７、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙の如く訂正する。
特許請求の範囲 １、　次の一般式（ｎ） ＣＯ□Ｐ 〔式中、Ｒ１はカルボン酸の保護基、Ｒ２は水素原子、
ハロゲン原子で置換されてもよい低級アルキル基、低級
アルコキシ基又は低級アルキル基若しくは低級アルコキ
シ基で置換されてもよいフェニル、ベンジルオキシ基ヲ
示す〕 で表される３−オキソブタン酸エステル類をルテニウム
−光学活性ホスフィン錯体を触媒として不斉水素添加を
行うことを特徴とする一般式〔式中、Ｒ１及びＲ２は前
記と同じものを示す〕で表される光学活性３−ヒドロキ
シブタン酸類の製造方法。
手続補正書（自発） 平成　元年１１月　８日 ２、発明の名称 光学活性３−ヒドロキシブタン酸類の製造方法３、補正
をする者 事件との関係　　出願人 名　称　高砂香料工業株式会社 ４、代理人 住　所　東京都中央区日本橋人形町１丁目３番６号（〒
１０３）６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ７、補正の内容 （１）明細書中、第６頁下から第５行 ｒ１９５９　（１９５９）Ｊとあるを ｒ１５９９　（１９５９）Ｊと訂正する。
−へ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、次の一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中、Ｒ＾１はカルボン酸の保護基、Ｒ＾２は水素原
    子、低級アルキル基、低級アルコキシ基又は低級アルキ
    ル基若しくは低級アルコキシ基で置換されてもよいフェ
    ニル、ペンゾルオキシ基を示す〕 で表される３−オキソブタン酸エステル類をルテニウム
    −光学活性ホスフィン錯体を触媒として不斉水素添加を
    行うことを特徴とする一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、Ｒ＾１及びＲ＾２は前記と同じものを示す〕で
    表される光学活性３−ヒドロキシブタン酸類の製造方法
    。
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