JPH02132613A

JPH02132613A - 磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JPH02132613A
Application number: JP28645088A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Inoue; 温井上
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1988-11-11
Filing date: 1988-11-11
Publication date: 1990-05-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、８ミリＶＴＲ、デジタルオーディオテーブレ
コーダ等の磁気記録再生装置に装備される磁気ヘッドに
関するものである．（従来の技術）近年の映像機器の高品位化に伴って、磁気ギャップ部近
傍の磁気回路を強磁性金属薄膜によって形成した磁気ヘ
ッドの開発が進んでおり、斯種磁気ヘッドの例を第５図
及び第６図に示す．第５図に示す磁気ヘッド（特開昭６
３−４４０５（ＣＩＩＢ５／１２７））は、一対のフエ
ライト製コア半体（１　）（１　）の突合せ部に、磁気
ギャップ部（２）を挟んで一対のセンダスト製の強磁性
金属層（８）（８）を形成し、該金属層の両側にはガラ
ス製のトラック幅規制部（４）（４’）を配備している
．該磁気ヘッドに於いては、コア半体（１）及び強磁性
金属層（８）によって磁気回路が形成される。

又、第６図の磁気ヘッド（特開昭６２−２９８９０８（
Ｇ１１Ｂ５／１２７］）は、センダスト等の強磁性金属
薄膜（９１）とＳｉＯ２薄膜（９２）を交互に積層し、
該積層体によって磁気回路を形成しており、該積層体の
両側には、一対の非磁性基板（９）（９）が配備される
。

（解決しようとする課題）第５図及び第６図の磁気ヘッドに用いられているセンダ
スト等の強磁性金属は、フエライト等の強磁性酸化物に
比べて電気抵抗が極めて小さく、従って、磁気ヘッドの
磁気回路を形成した場合に、表皮効果に伴う浸透深さδ
（磁場の振幅が表面の値の１／ｅ倍になる深さ距離）が
、トラック幅（例えば３０μ隋）に比べて遥かに小さく
なる。

第５図の磁気ヘッドに於いては、強磁性金属層〈８）の
幅ＴＷがトラック幅に一致するから、磁性金属層（８）
の両端から浸透深さδまでの狭い領域が有効な磁路とな
るに過ぎず、この結果、特に高周波領域での渦電流損失
が大きくなって、再生効率が極めて悪い問題があった。

一方、第６図の磁気ヘッドに於いては、強磁性金属薄Ｉ
ＩＩ（９１）の厚さＴを２δ以下に形成することによっ
て、強磁性金属薄ｒＩＡ（９１）の全体が磁気的に有効
な磁路となるので、高い再生効率が得られる。

しかし、該磁気ヘッドの製造に於いては、強磁性金属薄
膜（９１）及びＳ　ｉ　Ｏ　２薄膜（９２）を繰り返し
積層する多段の工程が必要となるので、量産性に欠ける
問題があった。

本発明の目的は、再生効率が高く、然も簡易な工程で製
造出来る磁気ヘッド及びその製造方法を提供することで
ある。

（課題を解決する為の手段）本発明に係る磁気ヘッドは、一対の磁性コア半体（１）
（１）の突合せ部に、磁気ギャップ部（２）を挟んで一
対の磁性金属層（３）（３）を配備しており、両磁性金
属層の内、少なくとも一方の磁性金属層（３）は、強磁
性膜（３１）と非磁性膜（３２）とを磁気ギャップ部形
成面に沿う方向に交互に積層して構成されている。

又、上記磁気ヘッドの製造方法は、磁性基板（１２）の
表面に沿って、スパッタリング、真空蒸着等の薄膜形成
技術を用いて強磁性金属からなる多数の凸条（３６）を
形成する第１工程と、該凸条（３６〉の少なくとも両側
面に非磁性薄膜ク３７）を形成する第２工程と、凸条（
３６〉間の凹部に薄膜形成技術を用いて強磁性金属（３
８）を充填する第３工程と、基板（１２）の膜形成面を
前記凸条（３６）が露出する深さまで鏡面研磨して、ギ
ャップ形成面を形成する第４工程と、前記工程を経て得
られたブロック半体（７１）を含む一対のブロック半体
（７１）（７２）をギヤップスペーサを介して互いに接
合固定しヘッドブロック（７）を作製する第５工程と、
該ヘッドブロック（７）を複数のヘッドチップに切断す
る第６工程とを具えている。

（作用及び効果）本発明に係る磁気ヘッドに於いては、磁性金属層（３）
が強磁性膜（３１）と非磁性Ｍ　（３２）の積層体から
形成されているから、例えば強磁性膜（３１）の１・ラ
ック幅方向の厚さを２δ（δ：浸透深さ）以下に形成す
れば、表皮効果に伴う渦電流損失を効果的に抑制出来る
．従って、第５図に示す従来の磁気ヘッドに比べて高い
再生効率を得ることが可能である。

又、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法に於いては、磁
性金属層（３）となる薄膜形成工程が、前記第１乃至第
３工程から構成され、第１及び第３工程では夫々、一度
のスパッタリング或は真空蒸着によって多数の磁性金属
条を同時に形成出来る。

従って、第６図に示す従来の磁気ヘッドに比べて量産性
が優れている．（実施例》実施例は本発明を説明するためのものであって、特許請
求の範囲に記載の発明を限定し、或は範囲を減縮する様
に解すべきではない。

第１図及び第２図は本発明に係る磁気ヘッドの一例を示
している．該磁気ヘッドは、フエライト製の一対の磁性コア半体（
１）（１）の突合せ部に、Ｓｉｆｔの磁気ギャップ部（
２）を挟んで、一対の磁性金属層（３）（３）を配備し
、両磁性金属層（３）（３）は夫々、センダスト製の強
磁性Ｉｌｌ（３１）とＳ　！　０　２製の非磁性膜〈３
２）とを磁気ギャップ部形成面に沿う方向に交互に積層
して構成されている。各強磁性Ｉｌｌ（３１）のトラッ
ク幅方向の厚さは、センダストの浸透深さδ（略７μｍ
）の２倍よりも小さい値（２〜１４μ輪）に形成されて
いる．両磁性金属層（３）（３）は、強磁性膜（３１）
どうし、非磁性膜（３２）どうしが対向する位相で突き
合わされている。

磁気ギャップ部（２）のデプスエンドはコイル窓（５》
によって規定される。

又、磁気ギャップ部（２）及び磁性金属層（３）（３）
の両側には、ガラス製のトラック幅規制部（４）（４）
が設けられている．上記磁気ヘッドに於いては、磁性金属７！（３）の各強
磁性ｗＡ（３１）の幅が２δよりも薄く形成されている
ので、各強磁性膜（３１）が幅全体に亘って有効な磁路
を形成し、これによって高い再生効率が得？れる．第１図の磁気ヘッドの製造方法を第３図（ａ）乃至（ｆ
）及び第４図（ａ）乃至（ｅ）に沿って説明する。

先ず第３図（ａ）に示す様に、フエライト基板（１２）
の表面に、厚さが略５０人のＳｉＯｚ層（６）を形成す
る．該Ｓｉ０２層（６）は、後記工程にて形成される強
磁性金属薄膜とフエライト基板とが化学反応を起こして
、強磁性金属薄膜とフエライト基板の境界面に擬似ギャ
ップとなる非磁性層が形成されるのを阻止する為のもの
である。Ｓｉ０２層（６）は十分に薄いため、擬似ギャ
ップとなることはない。

尚、前記化学反応による非磁性層の厚さが、擬似ギャッ
プを形成する大きさに至らない場合は、前記ＳｉＯｚ層
（６）は省略可能である。

更に第３図（ｂ）の如く前記ＳｉＯ■層（６）の表面に
、スパッタリング、真空蒸着等の薄膜形成技術を用いて
、厚さ略３μ糟のセンダストからなる強磁性金属薄膜＜
３４）を形成する。

次に第３図（ｅ）の様に、前記強磁性金属薄膜（３４）
に対してイオンエッチングを施して、深さがフエ？イト
基板（１２）に至る複数の溝（３５）を略４〜３０μ餉
のビッチＰで凹設し、これによって基板表面に幅Ｗが略
２〜１４μ蹟の複数の凸条（３６）を形成する，尚、該
凸条（３６）は、同図（ａ）に示すフエライト基板（１
２）の表面に、強磁性金属（センダスト）のマスクスパ
ッタリングを施すことよっても形成可能である。

第３図（ｄ）の如く、前記フエライト基板（１２》の凸
条形成面に、ＳｉＯ■のスパッタリングを施して、少な
くとも凸条（３６》の両側面には所定厚さ　（略５０〜
１００人）の非磁性薄膜（３７）を形成する。該非磁性
薄！（３７）は、最終的に第２図に示すコア半体（１）
と磁性金属層（３）との間に介在することとなるが、前
記ｓ　；ｏ　２Ｎ　（６　）と同様、十分に薄いため、
擬似ギャップとなることない。

前記薄膜形成面に対して更に強磁性金属（センダスト）
のスパッタリングを施して、第３図（ｅ）の如く各凸条
（３６）間の凹部に強磁性金属（３８）を充填する。

前記強磁性金属（３８）の充填面に鏡面研磨を施して、
第３図（ｆ）の如く強磁性金属（３８）　（３９）及び
非磁性薄膜（３７）が縞状に露出した金属磁性層（３０
）を形成する。該金属磁性層（３０）の表面がギャップ
形成面となる。

前記金属磁性層（３０）の表面にトラック幅規制講（４
１）を一定ピッチで凹設して、第４図（ａ）に示す様に
所定のトラック幅に応じた幅ＴＷの凸部（１３）を複数
条形成する。

第４図（ｂ）に示す様に、前記工程を経て作製された一
対のブロック半体（７１）（７２）の内、一方のブロッ
ク半体（７２）の突会せ面にコイル講（５１）及び触着
溝（５２）を凹設した後、両ブロック半体（７１）（７
２）をＳ　ｉ　Ｏ　２のギャップスベーサ（厚さ略０．
２μ拍）を介して互いに加圧すると共に、コイル溝（５
１）及び融着渭（５２）に夫々ガラス棒（４２）を設置
した状態で、これらを加熱炉内でガラス棒（４２）の溶
融温度まで加熱する。

この結果、両ブロック半体（７１）（７２）がガラス接
合されると共に、トラック幅規制講（４１）にガラスが
充填される。

尚、一対のブロック半体（７１）（７２）にトラック幅
規制１ｓ（４１）を凹設する際、凸部（１３》に形成さ
れる金属磁性７１１（３０）のパターンが各ブロック半
体で同一となる様に、トラック幅規制渭（４１）の加工
位置を規定することにより、両ブロック半体を接合する
際、強磁性金属（３８）　（３９）どうし、非磁性薄膜
（３７）どうしが突き会う位相で接き固定することが出
来る。

これによって得られたヘッドブロック（７）の作動ギャ
ップ部側の端面に対して曲面研串を施し、第４図（ｃ）
の如くテープ対接面（１０）を形成する。

該テープ対接面（１０）には、金属磁性層（３０）及び
ガラス充填部（４３）が露出することになる．更に、該
ヘッドブロック（７）を図中の鎖線に沿って金属磁性層
（３０）毎にスライスすることにより、第１図及び第２
図に示す磁気ヘッドが得られる。

上記製造方法に於いては、第４図に示す工程が従来の磁
気ヘッドの製造方法と共通しており、然も、新たに導入
すべき第３図の工程に於いては、３回のスパッタリング
により金属磁性層（３０）が形成されるから、従来の製
造工程を僅かに変更するだけで、従来よりも高い生産性
が得られる。

図面及び上記実施例の説明は、本発明を説明するための
ものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定し、
或は範囲を減縮する様に解すべきではない．又、本発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求
の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である
ことは勿論である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る磁気ヘッドの斜面図、第２図は該
磁気ヘッドの拡大平面図、第３図（ａ）〜（ｆ）は本発
明に係る磁気ヘッドの製造工程の前半を示す断面図、第
４図（ａ）〜（ｃ）は同上製造工程の後半を示す斜面図
、第５図及び第６図は従来の磁気ヘッドの平面図である
．（１）・・・コア半体　　　（２）・・・磁気ギャップ
部（３）・・・磁性金属Ｍ　　　（３１）・・・強磁性
膜（３２）・・・非磁性膜　　　（４》・・・トラック
幅規制部７ｌ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）一対の磁性コア半体（１）（１）の突合せ部に、
磁気ギャップ部（２）を挟んで一対の磁性金属層（３）
（３）を配備した磁気ヘッドに於いて、両磁性金属層の
内、少なくとも一方の磁性金属層（３）は、強磁性膜（
３１）と非磁性膜（３２）とを磁気ギャップ部形成面に
沿う方向に交互に積層して構成されていることを特徴と
する磁気ヘッド。
（２）磁性基板（１２）の表面に沿って、スパッタリン
グ、真空蒸着等の薄膜形成技術を用いて強磁性金属から
なる多数の凸条（３６）を形成する第１工程と、該凸条
（３６）の少なくとも両側面に非磁性薄膜（３７）を形
成する第２工程と、凸条（３６）間の凹部に薄膜形成技
術を用いて強磁性金属（３８）を充填する第３工程と、
基板（１２）の膜形成面を前記凸条（３６）が露出する
深さまで鏡面研磨して、ギャップ形成面を形成する第４
工程と、前記工程を経て得られたブロック半体（７１）
を含む一対のブロック半体（７１）（７２）をギャップ
スペーサを介して互いに接合固定しヘッドブロック（７
）を作製する第５工程と、該ヘッドブロック（７）を複
数のヘッドチップに切断する第６工程とを具えた磁気ヘ
ッドの製造方法。