JPH02114542A - 半導体装置におけるモールド部の成形装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、放熱用のヒートシンク又はアイランドを備え
たトランジスタ等の半導体装置において、その半導体チ
ップ付きヒートシンク又はアイランドに、これらを被覆
するように合成樹脂製モールド部を成形する装置に関す
るものである。

〔従来の技術〕

従来の半導体装置におけるヒートシンクは、その裏面を
、半導体チップに対する合成樹脂製のモールド部より露
出するのが一般的であったが、ヒートシンクの裏面をモ
ールド部から露出すると、この半導体装置を基板等に取
付ける場合において、前記ヒートシンクに対する絶縁処
理が必要であることから、最近では、このヒートシンク
の裏面を、半導体チップに対するモールド部の成形に際
して、同時に被覆することが行なわれている。

しかし、このように、ヒートシンクの裏面を、モールド
部の成形に際して同時に被覆する場合、この裏面に対す
る被覆膜の厚さは、ヒートシンクからの放熱性を確保す
るために、例えば、０．　３〜０．５１麿と云うように
極く薄い被ｒｉ膜にする必要があり、このためには、前
記モールド部を上下一対の成形金型によって成形するに
際して、前記ヒートシンクにおける裏面と、前記成形金
型におけるモールド部成形用キャビティーの内面との間
の隙間寸法を、前記のように、例えば、０．３〜０．５
ｆｉと云うように極く狭い隙間寸法にしなければならな
いから、この狭い隙間への溶融合成樹脂の流入が著しく
悪くなって、ヒートシンクの裏面の一部に、合成樹脂に
よって被覆されないと云う不規則な形状のピンホールが
発生するのである。

そこで、先行技術としての実開昭６１−１５７４４号公
報は、前記ヒートシンクの先端を、上下一対の成形金型
におけるモールド部成形用のキャビティーの内面から離
れるように上向きに曲げ加工することにより、ヒートシ
ンクの裏面とキャビティーの内面との間における隙間へ
の溶融合成樹脂の流入性を向上し、以て、前記不規則な
形状のピンホールが発生することを防止することを提案
している。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところがこのように、半導体装置におけるヒートシンク
の先端を上向きに曲げ加工することは、この曲げ加工を
するための工程が別個に必要であることに加えて、この
上向きに曲げた部分が、ヒートシンクに対する半導体チ
ップのグイボンディング及び該半導体チップとリード部
との間に対するワイヤボンディングに際して邪魔になり
、これらグイボンディング及びワイヤボンディングの作
業性を低下することになるから、半導体装置の製造コス
トが可成りアップするのであった。

本発明は、このようにヒートシンク又はアイランドに対
する曲げ加工を必要とすることなく、その裏面に不規則
な形状のピンホールが発生しないようにしたモールド部
の成形装置を提供することを目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

この目的を達成するため本発明は、上下一対の成形金型
に、半導体装置における半導体チップ付きヒートシンク
又はアイランドにこれを被覆する合成樹脂製モールド部
を成形するだめのキャビティーを凹み形成して成る成形
装置において、前記成形金型におけるキャビティー内に
、前記半導体チップ付きヒートシンク又はアイランドの
裏面における先り；）１に接当して、当該先端を前記キ
ャビティーの内面から離れる方向に押すようにした受け
片を設ける構成にした。

〔発明の作用・効果〕

このように構成すると、モールド部を形成する以前の半
導体装置におけるリードフレームを、前記上下一対の成
形金型によって挟み付けたとき、半導体チップ付きヒー
トシンク又はアイランドの裏面における先端が、成形金
型におけるキャビティー内に設けた受け片に接当するこ
とによって、キャビティーの内面から離れる方向に押さ
れる。

これにより、ヒートシンク又はアイランドの裏面とキャ
ビティーの内面との間における隙間寸法のうち、当該ヒ
ートシンク又はアイランドにおいて半導体チップを備え
た基部付近における隙間寸法を、当初における設定値と
略等しい値に維持したままの状態で、半導体チップを備
えた基部から離れた先端部における隙間寸法を、前記受
け片によって広げることができるから、ヒートシンク又
はアイランドの裏面における被膜のうち当該ヒートシン
ク又はアイランドの基部付近における被膜の厚さを厚く
することなく、ヒートシンク又はアイランドの裏面とキ
ャビティーの内面との間における狭い隙間への熔融合成
樹脂の流入性を向上できることになる。

従って本発明によると、ヒートシンク又はアイランドの
裏面における被膜のうち当該ヒートシンク又はアイラン
ドの基部付近における被覆膜の厚さを厚くすることなく
、換言すると、ヒートシンク又はアイランドにおける放
熱性を損なうことな（、ヒートシンク又はアイランドの
裏面に不規則な形状のピンホールが発生することを確実
に防止できるのである。

しかも、前記先行技術のように、ヒートシンク又はアイ
ランドの先端に対する曲げ加工を必要とせず、しかも、
ヒートシンク又はアイランドの先端を曲げ加工すること
のために、半導体チップのグイボンディング及びワイヤ
ボンディングの作業性がｔｉなわれることもないから、
製品半導体装置の製造に要するコストを大幅に低減でき
る効果を有する。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面について説明すると、図に
おいて符号１は、下成形金型を、符号２は、下成形金型
を各々示し、これら再成形金型１゜２には、モールド部
成形用のキャビティー３，４が各々形成されている。

符号Ａは、リードＡｌ付きヒートシンクＡ２における基
部に半導体チップＡ３をグイボンディングすると共に、
該半導体チップＡ３と他の二本のリードＡ４．Ａ５との
間を金属細線Ａ６．Ａ７にワイヤポンディングして成る
リードフレームを示す。

このリードフレームＡを、前記上下両成形金型１．２の
間に、リードフレームＡを、当該リードフレームＡにお
ける半導体チップＡ３付きヒートシンクＡ２及び両リー
ドＡ４．Ａ５が、再成形金型１，２におけるキャビティ
ー３，４内に突出すると共に、前記ヒートシンクＡ２の
裏面Ａ２’が下成形金型２のキャビティー４における内
面４ａに近接するようにして挟み付けし、次いで、前記
上下両成形金型１．２におけるキャビティー３゜４内に
、ゲート５から溶融合成樹脂を注入することにより、前
記リードフレームＡに対して、当該リードフレームＡに
おける半導体チップＡ３付きヒートシンクＡ２及び両リ
ードＡ４．Ａ５の全体を覆うようにモールド部Ｂを成形
するのである。

この場合において、前記下成形金型２におけるキャビテ
ィー４内には、前記ヒートシンクＡ２の裏面Ａ２’にお
ける先端が接当するようにした受け片６を左右一対造形
し、キャビティー４の内面４ａからこの受け片６までの
高さ寸法（Ｈｌ）を、前記ヒートシンクＡ２の裏面Ａ２
’とキャビティー４の内面４ａとの間における隙間寸法
（ＨＯ）よりも適宜寸法だけ高い寸法に構成する。

すると、上下両成形金型１．２によってリードフレーム
Ａを挟み付けると、リードフレームへのヒートシンクＡ
２における裏面Ａ２’の先端が、第４図に示すように、
下成形金型２におけるキャビティー４内に造形した両受
け片６に接当して、当該先端が、キャビティー４の内面
４ａからこの受け片６までの高さ寸法（Ｈｌ）からヒー
トシンクＡ２の裏面Ａ２’とキャビティー４の内面４ａ
との間における隙間寸法（ＨＯ）を差し引いた寸法（ｌ
（ｌ−ＨＯ）だけ、キャビティー４の内面４ａから離れ
る方向に押し下げられる。

これにより、ヒートシンクＡ２の裏面Ａ２’とキャビテ
ィー４の内面４ａとの間における隙間寸法のうち、当該
ヒートシンクＡ２において半導体チップＡ３を備えた基
部付近における隙間寸法（１（０）を、当初における設
定値と略等しい値に維持したままの状態で、半導体チッ
プＡ３を備えた基部から離れた先端部における隙間寸法
を、前記両受け片６によって（ＨＯ）から（Ｈｌ）に広
げることができるから、ヒートシンクＡ２の裏面におけ
る被膜のうち当該ヒートシンクＡ２の基部付近における
被膜の厚さを厚くすることなく、ヒートシンクＡ２の裏
面Ａ２’とキャビティー４の内面４ａとの間における狭
い隙間に、ゲート５からの注入される溶融合成樹脂を容
易に導入することができ、狭い隙間への溶融合成樹脂の
流入性を向上できる。

この場合、ヒートシンクＡ２の先端を、受け片６によっ
てキャビティー４の内面４ａから離れる方向に押す寸法
、つまり、（Ｈｌ−ＨＯ）は、実験によると、０．５ｕ
以下にするのが好ましく、０．５ｍｍ以下にすることに
より、ヒートシンクＡ２による放熱性を阻害することは
なかった。

なお、モールド部Ｂには、前記キャビティー４内に造形
した両受け片６のために、内部にヒートシンクＡ２が露
出する凹所Ｂ１が形成されることになるが、この凹所Ｂ
１は、一定の形状であると共に、小さくすることができ
るので、外観形状を損なうことがな（、また、通常の絶
縁に対しては問題になることはないが、特に、絶縁性を
必要とする場合には、この凹所Ｂ１に合成樹脂液を充填
することによって、当該凹所Ｂ１を塞ぐようにすればよ
いのである。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示し、第１図は縦断正面図、第
２図は第１図のｎ−ｎ視底面図、第３図は第１図のｍ−
ｍ祝事面図、第４図は上下両成形金型によってリードフ
レームを挟み付けた場合の断面図、第５図は製品半導体
装置の縦断正面図、第６図は第５図の底面図である。 ｌ・・・・下成形金型、２・・・・下成形金型、３．４
・・・・キャビティー、４ａ・・・・キャビティーの内
面、５・・・・ゲート、６・・・・受け片、Ａ・・・・
リードフレーム、Ａ２・・・・ヒートシンク、Ａ２′・
・・・ヒートシンクの裏面、Ａ１．Ａ４．Ａ５・・・・
リード、Ａ３・・・・半導体チップ、Ａ６．Ａ７・・・
・全屈細線、Ｂ・・・・モールド部。 特許出願人　　　口　−ム株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）、上下一対の成形金型に、半導体装置における半
   導体チップ付きヒートシンク又はアイランドにこれを被
   覆する合成樹脂製モールド部を成形するためのキャビテ
   ィーを凹み形成して成る成形装置において、前記成形金
   型におけるキャビティー内に、前記半導体チップ付きヒ
   ートシンク又はアイランドの裏面における先端に接当し
   て、当該先端を前記キャビティーの内面から離れる方向
   に押すようにした受け片を設けたことを特徴とする半導
   体装置におけるモールド部の成形装置。