JPH0210598B2 - - Google Patents
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- JPH0210598B2 JPH0210598B2 JP59098606A JP9860684A JPH0210598B2 JP H0210598 B2 JPH0210598 B2 JP H0210598B2 JP 59098606 A JP59098606 A JP 59098606A JP 9860684 A JP9860684 A JP 9860684A JP H0210598 B2 JPH0210598 B2 JP H0210598B2
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 24
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は混成電子回路に関する。
電子部品の集積化に伴つて、コイル、コンデン
サ、抵抗等が積層技術によつて作成されるように
なつている。しかし、集積化を進めると、特に配
線や電極、コイル導体などの間で容積結合が生じ
て集積化の妨げとなつている。
サ、抵抗等が積層技術によつて作成されるように
なつている。しかし、集積化を進めると、特に配
線や電極、コイル導体などの間で容積結合が生じ
て集積化の妨げとなつている。
本発明の目的は、集積度が高く且つ塔載または
内蔵される素子間の容量結合が小さい混成電子部
品を提供することにある。本発明の他の目的は、
容量素子は誘電体基板に、インダクタンス素子は
誘電体に、それぞれ集中的に作り込まれて集積度
を高めた混成電子回路を提供することにある。
内蔵される素子間の容量結合が小さい混成電子部
品を提供することにある。本発明の他の目的は、
容量素子は誘電体基板に、インダクタンス素子は
誘電体に、それぞれ集中的に作り込まれて集積度
を高めた混成電子回路を提供することにある。
本発明の混成電子回路は、複数のインダクタを
内蔵する絶縁性磁性体基板と、複数のコンデンサ
を内蔵する誘電体基板と、前記磁性体基板及び誘
電体基板の表面に被覆されたガラス等の絶縁層
と、前記絶縁層の表面に設けられた抵抗体及び半
導体部品等とから成る。
内蔵する絶縁性磁性体基板と、複数のコンデンサ
を内蔵する誘電体基板と、前記磁性体基板及び誘
電体基板の表面に被覆されたガラス等の絶縁層
と、前記絶縁層の表面に設けられた抵抗体及び半
導体部品等とから成る。
かかる構成によると、ガラス等の絶縁層により
回路部分間の結合が避けられて集積度を上げるこ
とができる。また、インダクタ部分は磁性体基板
に、コンデンサ部分は誘電体基板に、そして抵抗
は絶縁層の表面に形成されるため、集積の際の工
程が著しく単純化される。
回路部分間の結合が避けられて集積度を上げるこ
とができる。また、インダクタ部分は磁性体基板
に、コンデンサ部分は誘電体基板に、そして抵抗
は絶縁層の表面に形成されるため、集積の際の工
程が著しく単純化される。
本発明の実施例によると、磁性体基板と誘電体
基板とは平面状に並置した形を有し、それらの表
面に共通のガラス層等を有しても良いし、或いは
磁性体基板及び誘導体基板の各々にガラス層等を
形成し、順次積層合体し、最上面に抵抗体を形成
しても良い。前者の方が表面利用率が高いが、後
者では平面投影面積が小さく、機械的強度が高い
利点が得られる。
基板とは平面状に並置した形を有し、それらの表
面に共通のガラス層等を有しても良いし、或いは
磁性体基板及び誘導体基板の各々にガラス層等を
形成し、順次積層合体し、最上面に抵抗体を形成
しても良い。前者の方が表面利用率が高いが、後
者では平面投影面積が小さく、機械的強度が高い
利点が得られる。
以下本発明の実施例を図面に関連して詳しく説
明する。
明する。
実施例 １
第１図は平板形の混成電子回路の斜視図を示
す。本例では混成電子回路は平面型で３つの領域
に区分されており、インダクタ内蔵磁性体基板Ａ
を含む部分、コンデンサ内蔵高誘電率誘電体基板
Ｂを含む部分、コンデンサ内蔵低誘電率誘電体基
板Ｃを含む部分及びアンテナ部基板Ｄより成つて
いる。これらの基板は適当な結合用粉末を介在し
た状態で共焼成したり、或いは共通の支持基板の
上で共焼成するなどの任意の方法で製造しうる。
す。本例では混成電子回路は平面型で３つの領域
に区分されており、インダクタ内蔵磁性体基板Ａ
を含む部分、コンデンサ内蔵高誘電率誘電体基板
Ｂを含む部分、コンデンサ内蔵低誘電率誘電体基
板Ｃを含む部分及びアンテナ部基板Ｄより成つて
いる。これらの基板は適当な結合用粉末を介在し
た状態で共焼成したり、或いは共通の支持基板の
上で共焼成するなどの任意の方法で製造しうる。
基板Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの製造は従来知られている
方法により製造することができる。以下にはそれ
らのうち１例について説明する。
方法により製造することができる。以下にはそれ
らのうち１例について説明する。
第２図はインダクタ内蔵基板Ａの製造時におけ
る積層構造を示し、電気抵抗の大きい軟磁性フエ
ライト粉末のペーストの印刷により製作された磁
性薄板１，２，３，４と、Ag，Ag−Pd、等の導
電粉末のペーストより製作されコイルの約半ター
ン分を形成するように磁性薄板１，２，３，４の
面に印刷された導体片５，６，７，８との交互積
層で積層体が形成され、その際に、点線で示す各
層の境界位置で導体片同志が重畳して電気的な接
続を行うようになつている。従つて、磁性薄板積
層体中で始端Ｓより終端Ｆまでの導体コイルが形
成される。この積層体を焼成し、その後Ｓ，Ｆの
ところに外部回路接続用の外部端子を焼付けるこ
とでインダクタ基板を完成する。なお、第２図は
便宜上単一のインダクタを内蔵する例を示した
が、一般には同様な積層技術を用いて複数のイン
ダクタを同時に内蔵する磁性体基板Ａを得るもの
である。
る積層構造を示し、電気抵抗の大きい軟磁性フエ
ライト粉末のペーストの印刷により製作された磁
性薄板１，２，３，４と、Ag，Ag−Pd、等の導
電粉末のペーストより製作されコイルの約半ター
ン分を形成するように磁性薄板１，２，３，４の
面に印刷された導体片５，６，７，８との交互積
層で積層体が形成され、その際に、点線で示す各
層の境界位置で導体片同志が重畳して電気的な接
続を行うようになつている。従つて、磁性薄板積
層体中で始端Ｓより終端Ｆまでの導体コイルが形
成される。この積層体を焼成し、その後Ｓ，Ｆの
ところに外部回路接続用の外部端子を焼付けるこ
とでインダクタ基板を完成する。なお、第２図は
便宜上単一のインダクタを内蔵する例を示した
が、一般には同様な積層技術を用いて複数のイン
ダクタを同時に内蔵する磁性体基板Ａを得るもの
である。
第３図はコンデンサ内蔵高誘電率誘電体基板２
の製造例を示す。図中１０，１１，１２，１３は
高誘電率誘電体粉末のペーストから印刷して形成
される誘電体薄板を示し、第２図に関連して述べ
たものと同様な導体ペーストを誘電体薄板１０，
１１，１２，１３の各表面に印刷することにより
電極薄層１４，１５，１６，１７，１８，１９，
２０，２１としたもので、電極の端部は積層体の
外周縁に引出される。上記の積層は下から上に順
に行い、その後焼結し外部端子を引出端へ焼付け
てコンデンサ内蔵誘電体基板Ｂとする。この基板
２も一般には任意容量及び個数のコンデンサを内
蔵するように製造される。
の製造例を示す。図中１０，１１，１２，１３は
高誘電率誘電体粉末のペーストから印刷して形成
される誘電体薄板を示し、第２図に関連して述べ
たものと同様な導体ペーストを誘電体薄板１０，
１１，１２，１３の各表面に印刷することにより
電極薄層１４，１５，１６，１７，１８，１９，
２０，２１としたもので、電極の端部は積層体の
外周縁に引出される。上記の積層は下から上に順
に行い、その後焼結し外部端子を引出端へ焼付け
てコンデンサ内蔵誘電体基板Ｂとする。この基板
２も一般には任意容量及び個数のコンデンサを内
蔵するように製造される。
コンデンサ内蔵低誘電率誘電体基板Ｃの製造は
第３図に関連して述べたと同様な方法によつて行
う。また、ただし、低誘電体粉末のペーストから
印刷して形成した誘電体基板を用いる。又アンテ
ナ部Ｄはコイルを内蔵するものなので基板Ａに準
じて製造する。
第３図に関連して述べたと同様な方法によつて行
う。また、ただし、低誘電体粉末のペーストから
印刷して形成した誘電体基板を用いる。又アンテ
ナ部Ｄはコイルを内蔵するものなので基板Ａに準
じて製造する。
第１図を再び参照する。基板Ａ，Ｂ，Ｃは一体
に結合されており、それらの表面にはさらにガラ
スの層Ｅが全面に形成される。ガラス層Ｅは、ガ
ラス粉末のペーストを結合した基板Ａ，Ｂ，Ｃの
全面に塗布または印刷し、高温で融着させること
によつて製造しうる。このガラス層の存在は極め
て重要で、基板Ａ，Ｂ，Ｃの表面に塔載される各
種部品との間に電磁的干渉を回避して特性を良好
に保つ役割を果たす。
に結合されており、それらの表面にはさらにガラ
スの層Ｅが全面に形成される。ガラス層Ｅは、ガ
ラス粉末のペーストを結合した基板Ａ，Ｂ，Ｃの
全面に塗布または印刷し、高温で融着させること
によつて製造しうる。このガラス層の存在は極め
て重要で、基板Ａ，Ｂ，Ｃの表面に塔載される各
種部品との間に電磁的干渉を回避して特性を良好
に保つ役割を果たす。
なお、必要に応じて基板Ａ，Ｂ及び（又は）Ｃ
の上に塔載すべきIC、半導体等を埋設すること
ができるように凹所を設け、その上に上記のガラ
ス層Ｄを形成することができる。なお、前記凹所
は内蔵された素子の間に設けることにより各素子
間の干渉を防止することが出来る。
の上に塔載すべきIC、半導体等を埋設すること
ができるように凹所を設け、その上に上記のガラ
ス層Ｄを形成することができる。なお、前記凹所
は内蔵された素子の間に設けることにより各素子
間の干渉を防止することが出来る。
第１図に示すように、インダクタ内蔵基板Ａの
部分はトランス部２０、中間周波トランス部２
１、AM発振コイル部２２、FM発振コイル部２
３、フイルタ部２４などに区分して構成され、そ
れらの表面のガラス層Ｅの上に抵抗器、コンデン
サ等が塔載され、所定のプリント配線（図示せ
ず）により結線され、また外周部に形成された内
部インダクタの引出端Ｔとも必要に応じて相互に
結線される。
部分はトランス部２０、中間周波トランス部２
１、AM発振コイル部２２、FM発振コイル部２
３、フイルタ部２４などに区分して構成され、そ
れらの表面のガラス層Ｅの上に抵抗器、コンデン
サ等が塔載され、所定のプリント配線（図示せ
ず）により結線され、また外周部に形成された内
部インダクタの引出端Ｔとも必要に応じて相互に
結線される。
コンデンサ内蔵基板Ｂはコンデンサを中心とし
た回路網を構成し、ガラス層Ｅの表面にIC、抵
抗Ｒ、コンデンサ等、所定の部品を塔載し、所定
のプリント配線を施したものである。コンデンサ
内蔵基板Ｃは同様に各種部品を塔載する。各基板
Ｂ，Ｃ，Ｄ内部の回路とガラス層Ｅの各種部品と
の接続は基板周辺に形成された外部端子Ｔを介し
て行われることは基板Ａに関して述べたものと同
様である。
た回路網を構成し、ガラス層Ｅの表面にIC、抵
抗Ｒ、コンデンサ等、所定の部品を塔載し、所定
のプリント配線を施したものである。コンデンサ
内蔵基板Ｃは同様に各種部品を塔載する。各基板
Ｂ，Ｃ，Ｄ内部の回路とガラス層Ｅの各種部品と
の接続は基板周辺に形成された外部端子Ｔを介し
て行われることは基板Ａに関して述べたものと同
様である。
作用効果
以上の構成によると、回路のインダクタ及びコ
ンデンサは各基板内に集中化されているから、回
路の製造が単純化される。また、全基板の表面に
はガラス層Ｅが設けられるため、塔載される部品
との間に電気的または磁気的な結合が大幅に減
じ、回路の品質が良くなる。本発明によると、電
子装置の小型化を極限まで行うことができる。
ンデンサは各基板内に集中化されているから、回
路の製造が単純化される。また、全基板の表面に
はガラス層Ｅが設けられるため、塔載される部品
との間に電気的または磁気的な結合が大幅に減
じ、回路の品質が良くなる。本発明によると、電
子装置の小型化を極限まで行うことができる。
実施例 ２
第４図は本発明の他の実施例を示す。本例は各
基板がガラス層を介在して重畳合体された形の高
集積混成電子回路を提供する。本例は表面の利用
効率が第１図の例よりも低いが、コンパクト性で
はすぐれている。
基板がガラス層を介在して重畳合体された形の高
集積混成電子回路を提供する。本例は表面の利用
効率が第１図の例よりも低いが、コンパクト性で
はすぐれている。
第４図において、A′はインダクタ内蔵磁性体
基板であつて第１実施例の基板Ａと同様な構成を
有し、B′はコンデンサ内蔵高誘電率誘電体基板
であつて第１実施例の基板Ｂと同様な構成を有
し、C′はコンデンサ内蔵低誘電率誘電体基板であ
つて第１実施例の基板Ｃと同様の構成を有し、さ
らにD′はアンテナコイル内蔵磁性体であつて第
１実施例のアンテナ部Ｄと同様な構成を有する。
各基板A′，B′，C′及びアンテナ部D′の間にはガ
ラス層E′が介在融着されていて基板間の分離を行
い、スペーシングの導入によつて基板間の電気
的・磁気的な結合を減じている。アンテナ部の表
面にもガラス層が融着され、その上に各種半導体
IC、抵抗Ｒなどが塔載され、同じ表面のプリン
ト配線（図示せず）及び外部端子T′により所定
の配線が行われている。
基板であつて第１実施例の基板Ａと同様な構成を
有し、B′はコンデンサ内蔵高誘電率誘電体基板
であつて第１実施例の基板Ｂと同様な構成を有
し、C′はコンデンサ内蔵低誘電率誘電体基板であ
つて第１実施例の基板Ｃと同様の構成を有し、さ
らにD′はアンテナコイル内蔵磁性体であつて第
１実施例のアンテナ部Ｄと同様な構成を有する。
各基板A′，B′，C′及びアンテナ部D′の間にはガ
ラス層E′が介在融着されていて基板間の分離を行
い、スペーシングの導入によつて基板間の電気
的・磁気的な結合を減じている。アンテナ部の表
面にもガラス層が融着され、その上に各種半導体
IC、抵抗Ｒなどが塔載され、同じ表面のプリン
ト配線（図示せず）及び外部端子T′により所定
の配線が行われている。
作用効果
上記の構成によると、基板A′，B′，C′及びア
ンテナ部D′が重畳合体されており、第１実施例
と同様に高集積性及び高作業性を提供している。
さらに、ガラス層E′の介在により、回路素子間の
電磁結合が回避されるというすぐれた効果が達成
される。
ンテナ部D′が重畳合体されており、第１実施例
と同様に高集積性及び高作業性を提供している。
さらに、ガラス層E′の介在により、回路素子間の
電磁結合が回避されるというすぐれた効果が達成
される。
第１図は本発明の第１実施例による混成電子回
路を示す斜視図、第２図は同回路のインダクタ内
蔵磁性基板の製造を示す斜視図、第３図は同回路
のコンデンサ内蔵誘電体基板を示す斜視図、及び
第４図は本発明の第２実施例を示す斜視図であ
る。 図中主な部分は次の通りである。Ａ，A′：イ
ンダクタ内蔵磁性体基板、Ｂ，B′：コンデンサ
内蔵高誘電率誘電体基板、Ｃ，C′：コンデンサ内
蔵低誘電率誘電体基板、Ｄ，D′：アンテナ部、
Ｅ，E′：ガラス層、１，２，３，４：磁性体薄
板、５，６，７，８：導体片、１０，１１，１
２，１３：誘電体薄板、１４，１５，１６，１
７，１８，１９，２０，２１：電極。
路を示す斜視図、第２図は同回路のインダクタ内
蔵磁性基板の製造を示す斜視図、第３図は同回路
のコンデンサ内蔵誘電体基板を示す斜視図、及び
第４図は本発明の第２実施例を示す斜視図であ
る。 図中主な部分は次の通りである。Ａ，A′：イ
ンダクタ内蔵磁性体基板、Ｂ，B′：コンデンサ
内蔵高誘電率誘電体基板、Ｃ，C′：コンデンサ内
蔵低誘電率誘電体基板、Ｄ，D′：アンテナ部、
Ｅ，E′：ガラス層、１，２，３，４：磁性体薄
板、５，６，７，８：導体片、１０，１１，１
２，１３：誘電体薄板、１４，１５，１６，１
７，１８，１９，２０，２１：電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数のインダクタを内蔵し且つ該インダクタ
用外部端子を周辺に有する電気絶縁性磁性基板
と、前記基板に併置一体結合され複数のコンデン
サを内蔵し且つコンデンサ用外部端子を周辺に有
する誘電体基板と、前記両基板の表面に被覆され
たガラス等の電気絶縁層と、前記絶縁層の表面に
設けられた抵抗体、半導体部品等の回路部品と、
該表面に形成されて前記インダクタ用外部端子、
前記コンデンサ用外部端子、及び前記回路部品間
の所定の結線を行なうプリント配線とからなる混
成電子回路。 ２ 表面にガラス等の電気絶縁層を被覆し且つ内
部に複数のインダクタを内蔵し、更に該インダク
タ用外部端子を周辺に有する電気絶縁性磁性基板
と、表面にガラス等の電気絶縁層を被覆し且つ内
部に複数のコンデンサを内蔵し、更にコンデンサ
用外部端子を周辺に有する誘電体基板との積層体
と、表面に露出した方の前記絶縁層の表面に設け
られた抵抗体、半導体部品等の回路部品と、前記
絶縁層の表面に形成されて前記インダクタ用外部
端子、前記コンデンサ用外部端子、及び前記回路
部品間の所定の結線を行なうプリント配線とから
なる混成電子回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59098606A JPS60244097A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 混成電子回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59098606A JPS60244097A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 混成電子回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60244097A JPS60244097A (ja) | 1985-12-03 |
| JPH0210598B2 true JPH0210598B2 (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=14224256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59098606A Granted JPS60244097A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 混成電子回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60244097A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0620025B2 (ja) * | 1986-05-28 | 1994-03-16 | ティーディーケイ株式会社 | 積層ｌｃフイルタ部品 |
| JP2519888Y2 (ja) * | 1987-08-31 | 1996-12-11 | 日本電気株式会社 | リ−ドレス電子部品 |
| JP2571389B2 (ja) * | 1987-09-03 | 1997-01-16 | ティーディーケイ株式会社 | 積層型混成集積回路部品 |
| JP2627625B2 (ja) * | 1987-10-15 | 1997-07-09 | ティーディーケイ株式会社 | 積層集積回路 |
| JPH01165216A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-29 | Tdk Corp | 積層バッファードディレイライン |
| JPH0738363B2 (ja) * | 1989-02-27 | 1995-04-26 | 株式会社村田製作所 | Ｌｃ複合部品 |
| JPH03166809A (ja) * | 1989-11-27 | 1991-07-18 | Mitsubishi Materials Corp | π型ＥＭＩフィルターネットワーク |
| JPH04105311A (ja) * | 1990-08-24 | 1992-04-07 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コンデンサ |
| JP2007290883A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Murata Mfg Co Ltd | フェライト磁器組成物およびそれを用いた積層コイル部品 |
| JP5230565B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2013-07-10 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
| JP2013205427A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Tdk Corp | 液晶レンズデバイスおよび、その制御方法 |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP59098606A patent/JPS60244097A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60244097A (ja) | 1985-12-03 |
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