JPH02105850A - 光学材料用樹脂組成物 - Google Patents
光学材料用樹脂組成物Info
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- JPH02105850A JPH02105850A JP63258386A JP25838688A JPH02105850A JP H02105850 A JPH02105850 A JP H02105850A JP 63258386 A JP63258386 A JP 63258386A JP 25838688 A JP25838688 A JP 25838688A JP H02105850 A JPH02105850 A JP H02105850A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】
本発明は光学材料用樹脂に関し、特にデジタルオーディ
オディスクや光メモリ−ディスク等の基板用樹脂に関す
るものである。 [従来の技術] 記録層あるいは光反射、層からなる情報記録層に情報を
記録および再生したり、情報記録層に形成された情報を
再生するデジタルオーディオディスクや光ディスク、光
磁気ディスクの基板として、ガラスや透明な合成樹脂の
円板が用いられる。 ガラス基板は透明性、耐熱性、寸法安定性に優れた素材
であるが、重く、破壊し易く、製造コストが高いという
問題点がある。 一方、合成樹脂基板は、ガラス基板と比較すると成型加
工が容易であり、取り扱い中に破損する危険性も少なく
、軽量であり、コスト的にもガラス基板より勝っている
。一般に、このような合成樹脂(光学材料−用樹脂)の
特性としては透明であることのほか、成形性および寸法
安定性が良く耐熱性、耐湿性、機械的強度に優れている
とともに、光学的に均質で複屈折の小さいことが要求さ
れている。 このような光学材料用樹脂として、従来からアクリル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、塩化ビニル樹脂
、ビスフェノールA系ポリカーボネート樹脂などが知ら
れている。しかしながら、アクリル樹脂は透明性が高く
光学的に均質で複屈折は小さいものの、吸湿性が大きい
ために寸法安定性が不良であり、多湿環境下において反
り、ねじれなどを生ずるという欠点を有しており、また
耐熱性にも問題を有している。 エポキシ樹脂は、光学及び物理的性質は良好なのである
が、成形性に問題があり、大量生産には適していない。 また、ポリスチレン樹脂は加工性に優れ、コストも安い
が干渉縞が出やすく複屈折が大きくなる欠点がある。 硬質タイプの塩化ビニル樹脂は吸湿性などに優れている
が、加工性、耐久性、耐熱性、成形性などの点で劣って
いる。一方、ビスフェノールA(2,2−ビス(4′−
ヒドロキシフェニル)プロパン)をホスゲンや炭酸ジフ
ェニル等と反応させて得られるポリカーボネート樹脂は
、耐熱性、耐湿性、耐衝撃性などにおいて優れているも
のの、複屈折が大きく、ディスクに記録された情報の読
取り感度が低下したりエラーが発生しやすいという欠点
がある。 またポリカーボネート樹脂に、この樹脂と相殺する複屈
折をもつ樹脂をブレンドして全体の複屈折を低減させる
方法も提唱されており、例えばポリカーボネート/ポリ
スチレン誘導体のブレンドが提案されている。これは、
通常ポリカーボネートとポリスチレンのブレンドは非相
溶系であるが、ポリスチレンのベンゼン環に対して水酸
基を導入することなどによってポリカーボネートとの相
溶が可能となるものなどがあり、この例としてポリスチ
レンにヘキサフルオロアセトンを反応させた誘導体がポ
リカーボネートと相溶することが知られている(Jou
rnaf or Polymer 5cience:P
olymerLetiers Edltlon、 Vo
l、18.201−209(1980) ) 、 しか
し、ビスフェノールAなどからなるポリカーボネートに
上記のようなポリスチレン誘導体をブレンドして複屈折
を実用レベルまで低減させるためには約50重量%配合
しなければならず、その結果ブレンド組成物のガラス転
移点はビスフェノールA系ポリカーボネートに比べて著
しく低下し、耐熱性に劣ると共に対衝撃性などの機械的
強度も低下し、実用に耐えないといった問題点が指摘さ
れる。 以上のように現在に至るまで、良好な透明性を持ちなが
ら、耐熱性、耐久性、機械的強度を有し、かつ光学的に
均質で複屈折の小さな光学材料用樹脂・は見い出されて
いない。 [発明が解決しようとする課題] 本発明は、上に述べた従来のデジタルオーディオディス
クや光メモリ−ディスク用樹脂として必要とされる耐熱
性、耐湿性、機械的強度に優れているとともに、光学的
に均質で複屈折の小さな光学材料用樹脂を提供するもの
である。 [課題を解決するための手段] 本発明者等は耐熱性、耐湿性、機械的強度に優れている
とともに、光学的に均質で複屈折の小さな光学材料用樹
脂を得るべく、鋭意検討を行った。 その結果、特定な構造を有するポリカーボネートと、あ
る種のポリスチレン誘導体とをブレンドしたものが耐熱
性、耐湿性、機械的強度に優れているとともに、光学的
に均質で複屈折の小さな特徴を有することを見い出だし
本発明に到達した。 すなわち本発明は、構造式(1)、 (式中p及びqはそれぞれ0.01ないし0.99の任
意の数であり、かつp+q−1である)で表される芳香
族ポリカーボネート共重合体と、構造式(11)、 (式中口の値は0,01ないし0.2であり、rn +
n = 1である)で表されるポリスチレン誘導体と
の均一なブレンド混合物からなる光学材料用樹脂組成物
を提(」(するものである。構造式(11)中のpSq
sn及びmはそれぞれの構造単位のモル分率を示す。 本発明における芳香族ポリカーボネート共重合体は、1
−フェニル−1,1−ビス(4゛−ヒドロキシフェニル
)エタンおよびネオペンチルグリコールとホスゲンとの
直接反応、あるいはエステル交換反応などの公知の方法
によってによって製造することができる。 また本発明におけるポリスチレン誘導体は、ポリスチレ
ンにヘキサフルオロアセトンをJournalor P
olymer 5cience:Polymer Le
tters Edltlon。 Vol、18.201−209(1980)に記載され
ている方法によって反応させることによって得られる。 上記のような2つの成分をブレンドして光学材料用樹脂
を構成するのであるが、このブレンドに用いる芳香族ポ
リカーボネート共重合体の分子量は、数平均分子量で約
to、oooないし約150,000程度、好ましくは
10.000ないし too、oooである。数平均分
子量がこの範囲未満のものはそれを目的とする基板に成
形したと、きの強度に問題があり、実質的に不適当であ
る。また、数平均分子量がこの範囲を越えるものは、そ
れを成形する際の流動性が低下し、生産効率が低下する
とともにその光学的物性値も低下してしまう。 また上記ポリスチレン誘導体の分子量は数平均分子量に
して約10.000ないし約500.000 、好まし
くはto、oooないし300,000である。数平均
分子量がこの範囲未満のものは、ブレンドしてもその光
学的効果に乏しく適当でなく、また機械的強度にも問題
がある。また数平均分子量がこの範囲を越えるものは上
記芳香族ポリカーボネート共重合体との相溶性が著しく
低下してしまうために適当でない。 本発明の光学材料用樹脂組成物は上記のそれぞれの分子
量を持った2成分をブレンドして構成されるが、そのブ
レンド率は芳香族ポリカーボネートとポリスチレン誘導
体の重量比で、95:5〜30 : 70、好ましくは
90:10〜50 : 50の範囲が適当である。ポリ
スチレン誘導体のブレンド率がこの範囲未満では上記芳
香族ポリカーボネート共重合体の複屈折を実用レベルに
まで低減させる光学効果を必ずしも十分に発揮できず、
またこの範囲を越えたブレンド率では耐熱性、衝撃強度
などの低下により必ずしも十分な効果を発揮できない。 上記2成分のブレンド方法としては、押出し機、ニーダ
−などによる溶融混線方法、あるいは上記2成分をたと
えば塩化メチレンなどの共通の良溶媒に溶解させた状態
で混合する溶液ブレンド方法などがあるが、これは特に
限定されるものではなく、通常用いられるポリマーブレ
ンド方法ならどの様な方法を用いてもよい。以上のよう
にしてブレンドされた光学材料用樹脂組成物は、ポリカ
ーボネートの成分を1−フェニル−1,1−ビス(4゛
−ヒドロキシフェニル)エタンおよびネオペンチルグリ
コールから構成した芳香族ポリカーボネート共重合体と
したために、2,2−ビス(4′−ヒドロキシフェニル
)プロパン(ビスフェノールA)を用いた場合に比べて
耐熱性に優れている。しかも1−フェニル−1,1−ビ
ス(4″−ヒドロキシフェニル)エタンおよびネオペレ
ーチルグリコールとホスゲンとの直接反応、あるいはエ
ステル交換反応などによって得られた芳容族ポリカーボ
ネート共重合体はビスフェノールAを用いたポリカーボ
ネートよりも固有複屈折値が小さいため、ポリスチレン
誘導体のブレンド率が少なくなり、しかもポリスチレン
誘導体との相溶性もより高くなっているために均一にブ
レンドすることが極めて容易となっている。 本発明の樹脂材料を成形して基板を得るに際しての成形
方法としては射出成形、圧縮成形等が挙げられるが、こ
れらの成形法のうち、生産性の点から射出成形が最も好
ましい。 射出成形においては、前記ブレンド体をそのまま成形し
ても良いが、必要に応じ、該ブレンド体に各種の成分、
例えば青色や透明性の劣化を防止するための亜リン酸エ
ステル類、メルトインデックス値を増大させるための可
塑剤などを配合して成形しても良い。 [実施例] 以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。 なお、実施例において得られる諸物性は下記の試験法に
よりl?1定した。 (1)光透過率 :分光光度計にて500nmの光透過
率を測定 (2)yii屈折 :日本工学(株)製偏光顕微鏡に
セナルモンコンペンセータ をつけて光デイスク基板の直 径80mmの部分を測定 (3)熱変形温度: ASTM−D−648に従い熱変
形試験装置にてdj+定 (ポリカーボネートの調製・成分(I))1000rd
のフラスコに1−フェニル−1,1ビス(4′−ヒドロ
キシフェニル)エタン116K (0,4mo 1)お
よびネオペンチルグリコール41.7g (0,4rn
o l) 、および分子量調節剤としてp−ターシャリ
−ブチルフェノール2.0gを塩化メチレン500dお
よびピリジン200dに溶解させた溶液を加えた後、攪
拌しながらホスゲンガスを10100O!/分の供給割
合で15分吹き込み室温で1時間反応させた。反応終了
後、反応生成物を塩化メチレン1500aeで希釈した
後、IN塩酸と水で洗浄し、5000dのメタノール中
に投入して重合体を回収した。 得られた重合体についてGPC測定を行ったところ、数
平均分子量はポリスチレン換算値で6゜0XIO’であ
った。 IR,IH−および13C−NMRスペクトルからこの
重合体は、下記の構造を持つものと認められた。 (ポリスチレン誘導体の調製・成分(■))1000d
のフラスコにアルゴンガスを導入し系中をアルゴン雰囲
気とした後、ポリスチレン(デンカスチロール CP−
1)62.4gおよび反応触媒として塩化アルミニウム
24gを二硫化炭素800−に溶解させた後、フラスコ
を氷水中に浸しフラスコ内を3℃〜5℃に冷却する。 さらに該フラスコ上部にガストラップ用のデユワ−冷却
器を取り付け、反応装置を構成した。 該フラスコ内を攪拌しつつヘキサフルオロアセトン(3
水和物)16mj!を100”C硫酸28o−中に、連
続的に30分間にわたり滴下して、発生したヘキサフル
オロアセトンガスを導入する。導入終了後も該フラスコ
の攪拌を3時間行なった。 反応終了後、該フラスコの内容物を約3000dの水中
に投入し、目的物を回収した。得られた反応物の IH
−および目C−NMRスペクトルの測定により、このポ
リスチレン誘導体は下記の構造と認められ、その反応率
は5%でありた。 (実施例1) 成分(1)と成分(II)を75:25(重量比)の割
合で全m 100 gとなるように配合し、押出し機を
用いて押出しベレットを作成した。このペレットをシリ
ンダー温度300℃、金型温度100℃の条件下で厚さ
1.2mm、直径120mmの円盤に射出成形した。得
られた射出成形板の光透過率、複屈折および熱変形温度
の結果を表1に示す。 (比較例1) 成分(1)の重合体のみを用いて、押出し機によりペレ
ットを作成し、実施例1と同様にして射出成形した。得
られた射出成形板の光透過率、複屈折および熱変形温度
の結果を表1に示す。 (比較例2) 成分(1)の重合体と成分(II)を作成する際に用い
た、ヘキサフルオロアセトンを反応させCいないポリス
チレンを75:25(重量比)の割合で全m 100
gとなるように配合し、押出し機を用いて押出しベレッ
トを作成し、実施例1と同様にして射出成形したところ
、得られた射出成形板・は不透明であり、目的とした光
学基板用材料には不適当であることがわがった。 表1 [発明の効果] このようにして得られた本発明の芳香族ポリカーボネー
ト共重合体とへキサフルオロアセ!・ンを反応させたポ
リスチレン誘導体とのブレンド組成物は、耐熱性、耐湿
性、機械的強度に優れているとともに、光学的に均質で
複屈折が小さく、光学材14用樹脂として、例えばデジ
タルオーディオディスクや先メモリーディスク用基板材
料として極めて優れたものである。
オディスクや光メモリ−ディスク等の基板用樹脂に関す
るものである。 [従来の技術] 記録層あるいは光反射、層からなる情報記録層に情報を
記録および再生したり、情報記録層に形成された情報を
再生するデジタルオーディオディスクや光ディスク、光
磁気ディスクの基板として、ガラスや透明な合成樹脂の
円板が用いられる。 ガラス基板は透明性、耐熱性、寸法安定性に優れた素材
であるが、重く、破壊し易く、製造コストが高いという
問題点がある。 一方、合成樹脂基板は、ガラス基板と比較すると成型加
工が容易であり、取り扱い中に破損する危険性も少なく
、軽量であり、コスト的にもガラス基板より勝っている
。一般に、このような合成樹脂(光学材料−用樹脂)の
特性としては透明であることのほか、成形性および寸法
安定性が良く耐熱性、耐湿性、機械的強度に優れている
とともに、光学的に均質で複屈折の小さいことが要求さ
れている。 このような光学材料用樹脂として、従来からアクリル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、塩化ビニル樹脂
、ビスフェノールA系ポリカーボネート樹脂などが知ら
れている。しかしながら、アクリル樹脂は透明性が高く
光学的に均質で複屈折は小さいものの、吸湿性が大きい
ために寸法安定性が不良であり、多湿環境下において反
り、ねじれなどを生ずるという欠点を有しており、また
耐熱性にも問題を有している。 エポキシ樹脂は、光学及び物理的性質は良好なのである
が、成形性に問題があり、大量生産には適していない。 また、ポリスチレン樹脂は加工性に優れ、コストも安い
が干渉縞が出やすく複屈折が大きくなる欠点がある。 硬質タイプの塩化ビニル樹脂は吸湿性などに優れている
が、加工性、耐久性、耐熱性、成形性などの点で劣って
いる。一方、ビスフェノールA(2,2−ビス(4′−
ヒドロキシフェニル)プロパン)をホスゲンや炭酸ジフ
ェニル等と反応させて得られるポリカーボネート樹脂は
、耐熱性、耐湿性、耐衝撃性などにおいて優れているも
のの、複屈折が大きく、ディスクに記録された情報の読
取り感度が低下したりエラーが発生しやすいという欠点
がある。 またポリカーボネート樹脂に、この樹脂と相殺する複屈
折をもつ樹脂をブレンドして全体の複屈折を低減させる
方法も提唱されており、例えばポリカーボネート/ポリ
スチレン誘導体のブレンドが提案されている。これは、
通常ポリカーボネートとポリスチレンのブレンドは非相
溶系であるが、ポリスチレンのベンゼン環に対して水酸
基を導入することなどによってポリカーボネートとの相
溶が可能となるものなどがあり、この例としてポリスチ
レンにヘキサフルオロアセトンを反応させた誘導体がポ
リカーボネートと相溶することが知られている(Jou
rnaf or Polymer 5cience:P
olymerLetiers Edltlon、 Vo
l、18.201−209(1980) ) 、 しか
し、ビスフェノールAなどからなるポリカーボネートに
上記のようなポリスチレン誘導体をブレンドして複屈折
を実用レベルまで低減させるためには約50重量%配合
しなければならず、その結果ブレンド組成物のガラス転
移点はビスフェノールA系ポリカーボネートに比べて著
しく低下し、耐熱性に劣ると共に対衝撃性などの機械的
強度も低下し、実用に耐えないといった問題点が指摘さ
れる。 以上のように現在に至るまで、良好な透明性を持ちなが
ら、耐熱性、耐久性、機械的強度を有し、かつ光学的に
均質で複屈折の小さな光学材料用樹脂・は見い出されて
いない。 [発明が解決しようとする課題] 本発明は、上に述べた従来のデジタルオーディオディス
クや光メモリ−ディスク用樹脂として必要とされる耐熱
性、耐湿性、機械的強度に優れているとともに、光学的
に均質で複屈折の小さな光学材料用樹脂を提供するもの
である。 [課題を解決するための手段] 本発明者等は耐熱性、耐湿性、機械的強度に優れている
とともに、光学的に均質で複屈折の小さな光学材料用樹
脂を得るべく、鋭意検討を行った。 その結果、特定な構造を有するポリカーボネートと、あ
る種のポリスチレン誘導体とをブレンドしたものが耐熱
性、耐湿性、機械的強度に優れているとともに、光学的
に均質で複屈折の小さな特徴を有することを見い出だし
本発明に到達した。 すなわち本発明は、構造式(1)、 (式中p及びqはそれぞれ0.01ないし0.99の任
意の数であり、かつp+q−1である)で表される芳香
族ポリカーボネート共重合体と、構造式(11)、 (式中口の値は0,01ないし0.2であり、rn +
n = 1である)で表されるポリスチレン誘導体と
の均一なブレンド混合物からなる光学材料用樹脂組成物
を提(」(するものである。構造式(11)中のpSq
sn及びmはそれぞれの構造単位のモル分率を示す。 本発明における芳香族ポリカーボネート共重合体は、1
−フェニル−1,1−ビス(4゛−ヒドロキシフェニル
)エタンおよびネオペンチルグリコールとホスゲンとの
直接反応、あるいはエステル交換反応などの公知の方法
によってによって製造することができる。 また本発明におけるポリスチレン誘導体は、ポリスチレ
ンにヘキサフルオロアセトンをJournalor P
olymer 5cience:Polymer Le
tters Edltlon。 Vol、18.201−209(1980)に記載され
ている方法によって反応させることによって得られる。 上記のような2つの成分をブレンドして光学材料用樹脂
を構成するのであるが、このブレンドに用いる芳香族ポ
リカーボネート共重合体の分子量は、数平均分子量で約
to、oooないし約150,000程度、好ましくは
10.000ないし too、oooである。数平均分
子量がこの範囲未満のものはそれを目的とする基板に成
形したと、きの強度に問題があり、実質的に不適当であ
る。また、数平均分子量がこの範囲を越えるものは、そ
れを成形する際の流動性が低下し、生産効率が低下する
とともにその光学的物性値も低下してしまう。 また上記ポリスチレン誘導体の分子量は数平均分子量に
して約10.000ないし約500.000 、好まし
くはto、oooないし300,000である。数平均
分子量がこの範囲未満のものは、ブレンドしてもその光
学的効果に乏しく適当でなく、また機械的強度にも問題
がある。また数平均分子量がこの範囲を越えるものは上
記芳香族ポリカーボネート共重合体との相溶性が著しく
低下してしまうために適当でない。 本発明の光学材料用樹脂組成物は上記のそれぞれの分子
量を持った2成分をブレンドして構成されるが、そのブ
レンド率は芳香族ポリカーボネートとポリスチレン誘導
体の重量比で、95:5〜30 : 70、好ましくは
90:10〜50 : 50の範囲が適当である。ポリ
スチレン誘導体のブレンド率がこの範囲未満では上記芳
香族ポリカーボネート共重合体の複屈折を実用レベルに
まで低減させる光学効果を必ずしも十分に発揮できず、
またこの範囲を越えたブレンド率では耐熱性、衝撃強度
などの低下により必ずしも十分な効果を発揮できない。 上記2成分のブレンド方法としては、押出し機、ニーダ
−などによる溶融混線方法、あるいは上記2成分をたと
えば塩化メチレンなどの共通の良溶媒に溶解させた状態
で混合する溶液ブレンド方法などがあるが、これは特に
限定されるものではなく、通常用いられるポリマーブレ
ンド方法ならどの様な方法を用いてもよい。以上のよう
にしてブレンドされた光学材料用樹脂組成物は、ポリカ
ーボネートの成分を1−フェニル−1,1−ビス(4゛
−ヒドロキシフェニル)エタンおよびネオペンチルグリ
コールから構成した芳香族ポリカーボネート共重合体と
したために、2,2−ビス(4′−ヒドロキシフェニル
)プロパン(ビスフェノールA)を用いた場合に比べて
耐熱性に優れている。しかも1−フェニル−1,1−ビ
ス(4″−ヒドロキシフェニル)エタンおよびネオペレ
ーチルグリコールとホスゲンとの直接反応、あるいはエ
ステル交換反応などによって得られた芳容族ポリカーボ
ネート共重合体はビスフェノールAを用いたポリカーボ
ネートよりも固有複屈折値が小さいため、ポリスチレン
誘導体のブレンド率が少なくなり、しかもポリスチレン
誘導体との相溶性もより高くなっているために均一にブ
レンドすることが極めて容易となっている。 本発明の樹脂材料を成形して基板を得るに際しての成形
方法としては射出成形、圧縮成形等が挙げられるが、こ
れらの成形法のうち、生産性の点から射出成形が最も好
ましい。 射出成形においては、前記ブレンド体をそのまま成形し
ても良いが、必要に応じ、該ブレンド体に各種の成分、
例えば青色や透明性の劣化を防止するための亜リン酸エ
ステル類、メルトインデックス値を増大させるための可
塑剤などを配合して成形しても良い。 [実施例] 以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。 なお、実施例において得られる諸物性は下記の試験法に
よりl?1定した。 (1)光透過率 :分光光度計にて500nmの光透過
率を測定 (2)yii屈折 :日本工学(株)製偏光顕微鏡に
セナルモンコンペンセータ をつけて光デイスク基板の直 径80mmの部分を測定 (3)熱変形温度: ASTM−D−648に従い熱変
形試験装置にてdj+定 (ポリカーボネートの調製・成分(I))1000rd
のフラスコに1−フェニル−1,1ビス(4′−ヒドロ
キシフェニル)エタン116K (0,4mo 1)お
よびネオペンチルグリコール41.7g (0,4rn
o l) 、および分子量調節剤としてp−ターシャリ
−ブチルフェノール2.0gを塩化メチレン500dお
よびピリジン200dに溶解させた溶液を加えた後、攪
拌しながらホスゲンガスを10100O!/分の供給割
合で15分吹き込み室温で1時間反応させた。反応終了
後、反応生成物を塩化メチレン1500aeで希釈した
後、IN塩酸と水で洗浄し、5000dのメタノール中
に投入して重合体を回収した。 得られた重合体についてGPC測定を行ったところ、数
平均分子量はポリスチレン換算値で6゜0XIO’であ
った。 IR,IH−および13C−NMRスペクトルからこの
重合体は、下記の構造を持つものと認められた。 (ポリスチレン誘導体の調製・成分(■))1000d
のフラスコにアルゴンガスを導入し系中をアルゴン雰囲
気とした後、ポリスチレン(デンカスチロール CP−
1)62.4gおよび反応触媒として塩化アルミニウム
24gを二硫化炭素800−に溶解させた後、フラスコ
を氷水中に浸しフラスコ内を3℃〜5℃に冷却する。 さらに該フラスコ上部にガストラップ用のデユワ−冷却
器を取り付け、反応装置を構成した。 該フラスコ内を攪拌しつつヘキサフルオロアセトン(3
水和物)16mj!を100”C硫酸28o−中に、連
続的に30分間にわたり滴下して、発生したヘキサフル
オロアセトンガスを導入する。導入終了後も該フラスコ
の攪拌を3時間行なった。 反応終了後、該フラスコの内容物を約3000dの水中
に投入し、目的物を回収した。得られた反応物の IH
−および目C−NMRスペクトルの測定により、このポ
リスチレン誘導体は下記の構造と認められ、その反応率
は5%でありた。 (実施例1) 成分(1)と成分(II)を75:25(重量比)の割
合で全m 100 gとなるように配合し、押出し機を
用いて押出しベレットを作成した。このペレットをシリ
ンダー温度300℃、金型温度100℃の条件下で厚さ
1.2mm、直径120mmの円盤に射出成形した。得
られた射出成形板の光透過率、複屈折および熱変形温度
の結果を表1に示す。 (比較例1) 成分(1)の重合体のみを用いて、押出し機によりペレ
ットを作成し、実施例1と同様にして射出成形した。得
られた射出成形板の光透過率、複屈折および熱変形温度
の結果を表1に示す。 (比較例2) 成分(1)の重合体と成分(II)を作成する際に用い
た、ヘキサフルオロアセトンを反応させCいないポリス
チレンを75:25(重量比)の割合で全m 100
gとなるように配合し、押出し機を用いて押出しベレッ
トを作成し、実施例1と同様にして射出成形したところ
、得られた射出成形板・は不透明であり、目的とした光
学基板用材料には不適当であることがわがった。 表1 [発明の効果] このようにして得られた本発明の芳香族ポリカーボネー
ト共重合体とへキサフルオロアセ!・ンを反応させたポ
リスチレン誘導体とのブレンド組成物は、耐熱性、耐湿
性、機械的強度に優れているとともに、光学的に均質で
複屈折が小さく、光学材14用樹脂として、例えばデジ
タルオーディオディスクや先メモリーディスク用基板材
料として極めて優れたものである。
Claims (2)
- (1)構造式(I)、 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中p及びqはそれぞれ0.01ないし 0.99の任意の数であり、かつp+q=1である)で
表される芳香族ポリカーボネート共重合体と、構造式(
II)、 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中nの値は0.01ないし0.2であり、m+n=
1である)で表されるポリスチレン誘導体との均一なブ
レンド混合物からなる光学材料用樹脂組成物。 - (2)構造式(I)の芳香族ポリカーボネート共重合体
と構造式(II)のポリスチレン誘導体とのブレンド率が
90:10〜50:50(重量比)の範囲である請求項
第1項記載の光学材料用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63258386A JPH02105850A (ja) | 1988-10-15 | 1988-10-15 | 光学材料用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63258386A JPH02105850A (ja) | 1988-10-15 | 1988-10-15 | 光学材料用樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02105850A true JPH02105850A (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=17319521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63258386A Pending JPH02105850A (ja) | 1988-10-15 | 1988-10-15 | 光学材料用樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02105850A (ja) |
-
1988
- 1988-10-15 JP JP63258386A patent/JPH02105850A/ja active Pending
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