JPH02105851A - 光学材料用樹脂組成物 - Google Patents
光学材料用樹脂組成物Info
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- JPH02105851A JPH02105851A JP63258387A JP25838788A JPH02105851A JP H02105851 A JPH02105851 A JP H02105851A JP 63258387 A JP63258387 A JP 63258387A JP 25838788 A JP25838788 A JP 25838788A JP H02105851 A JPH02105851 A JP H02105851A
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野J
本発明は光学材料用樹脂に関し、特にデジタルオーディ
オディスクや先メモリーディスク等の基板用樹脂に関す
るものである。
オディスクや先メモリーディスク等の基板用樹脂に関す
るものである。
[従来の技術]
記録層あるいは光反射層からなる情報記録層に情報を記
録および再生したり、情報記録層に形成された情報を再
生するデジタルオーディオディスクや光ディスク、光磁
気ディスクの基板として、ガラスや透明な合成樹脂の円
板が用いられる。
録および再生したり、情報記録層に形成された情報を再
生するデジタルオーディオディスクや光ディスク、光磁
気ディスクの基板として、ガラスや透明な合成樹脂の円
板が用いられる。
ガラス基板は透明性、耐熱性、寸法安定性に優れた素材
であるが、重く、破壊し易く、製造コストが高いという
問題点がある。
であるが、重く、破壊し易く、製造コストが高いという
問題点がある。
一方、合成樹脂基板は、ガラス基板と比較すると成型加
工が容易であり、取り扱い中に破損する危険性も少なく
、軽量であり、コスト的にもガラス基板より勝っている
。一般に、このような合成樹脂(光学材料用樹脂)の特
性としては透明であることのほか、成形性および寸法安
定性が良く耐熱性、耐湿性、機械的強度に優れていると
ともに、光学的に均質で複屈折の小さいことが要求され
ている。
工が容易であり、取り扱い中に破損する危険性も少なく
、軽量であり、コスト的にもガラス基板より勝っている
。一般に、このような合成樹脂(光学材料用樹脂)の特
性としては透明であることのほか、成形性および寸法安
定性が良く耐熱性、耐湿性、機械的強度に優れていると
ともに、光学的に均質で複屈折の小さいことが要求され
ている。
このような光学材料用樹脂として、従来からアクリル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、塩化ビニル樹脂
、ビスフェノールA系ポリカーボネート樹脂などが知ら
れている。しかしながら、アクリル樹脂は透明性が高く
光学的に均質で複屈折は小さいものの、吸湿性が大きい
ために寸法安定性が不良であり、多湿環境下において反
り、ねじれなどを生ずるという欠点を有しており、また
耐熱性にも問題を有している。
脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、塩化ビニル樹脂
、ビスフェノールA系ポリカーボネート樹脂などが知ら
れている。しかしながら、アクリル樹脂は透明性が高く
光学的に均質で複屈折は小さいものの、吸湿性が大きい
ために寸法安定性が不良であり、多湿環境下において反
り、ねじれなどを生ずるという欠点を有しており、また
耐熱性にも問題を有している。
エポキシ樹脂は、光学及び物理的性質は良好なのである
が、成形性に問題があり、大量生産には適していない。
が、成形性に問題があり、大量生産には適していない。
また、ポリスチレン樹脂は加工性に優れ、コストも安い
が干渉縞が出やすく複屈折が大きくなる欠点がある。
が干渉縞が出やすく複屈折が大きくなる欠点がある。
硬質タイプの塩化ビニル樹脂は吸湿性などに優れている
が、加工性、耐久性、耐熱性、成形性などの点で劣って
いる。一方、ビスフェノールA(2,2−ビス(4′−
ヒドロキシフェニル)プロパン)をホスゲンや炭酸ジフ
ェニル等と反応させて得られるポリカーボネート樹脂は
、耐熱性、耐湿性、耐衝撃性などにおいて優れているも
のの、複屈折が大きく、ディスクに記録された情報の読
取り感度が低下したりエラーが発生しやすいという欠点
がある。
が、加工性、耐久性、耐熱性、成形性などの点で劣って
いる。一方、ビスフェノールA(2,2−ビス(4′−
ヒドロキシフェニル)プロパン)をホスゲンや炭酸ジフ
ェニル等と反応させて得られるポリカーボネート樹脂は
、耐熱性、耐湿性、耐衝撃性などにおいて優れているも
のの、複屈折が大きく、ディスクに記録された情報の読
取り感度が低下したりエラーが発生しやすいという欠点
がある。
またポリカーボネート樹脂に、この樹脂と相殺する複屈
折をもつ樹脂をブレンドして全体の複屈折を低減させる
方法も提唱されており、例えばポリカーボネート/ポリ
スチレン誘導体のブレンドが提案されている。これは、
通常ポリカーボネートとポリスチレンのブレンドは非相
溶系であるが、ポリスチレンのベンゼン環に対して水酸
基を導入することなどによってポリカーボネートとの相
溶が可能となるものなどがあり、この例としてポリスチ
レンにヘキサフルオロアセトンを反応させた誘導体がポ
リカーボネートと相溶することが知られている(jou
rnal or Polymer 5clence:P
olymerl、eLtcrs Edltlon、 V
o暑、18.201−209(1980) ) 、 し
かし、ビスフェノールAなどからなるポリカーボネート
に上記のようなポリスチレン誘導体をブレンドして複屈
折を実用レベルまで低減させるためには約50重量%配
合しなければならず、その結果ブレンド組成物のガラス
転移点はビスフェノールA系ポリカーボネートに比べて
著しく低下し、耐熱性に劣ると共に対衝撃性などの機械
的強度も低下し、実用に耐えないといった問題点が指摘
される。
折をもつ樹脂をブレンドして全体の複屈折を低減させる
方法も提唱されており、例えばポリカーボネート/ポリ
スチレン誘導体のブレンドが提案されている。これは、
通常ポリカーボネートとポリスチレンのブレンドは非相
溶系であるが、ポリスチレンのベンゼン環に対して水酸
基を導入することなどによってポリカーボネートとの相
溶が可能となるものなどがあり、この例としてポリスチ
レンにヘキサフルオロアセトンを反応させた誘導体がポ
リカーボネートと相溶することが知られている(jou
rnal or Polymer 5clence:P
olymerl、eLtcrs Edltlon、 V
o暑、18.201−209(1980) ) 、 し
かし、ビスフェノールAなどからなるポリカーボネート
に上記のようなポリスチレン誘導体をブレンドして複屈
折を実用レベルまで低減させるためには約50重量%配
合しなければならず、その結果ブレンド組成物のガラス
転移点はビスフェノールA系ポリカーボネートに比べて
著しく低下し、耐熱性に劣ると共に対衝撃性などの機械
的強度も低下し、実用に耐えないといった問題点が指摘
される。
以上のように現在に至るまで、良好な透明性を持ちなが
ら、耐熱性、耐久性、機械的強度を有し、かつ光学的に
均質で複屈折の小さな光学材料用樹脂は見い出されてい
ない。
ら、耐熱性、耐久性、機械的強度を有し、かつ光学的に
均質で複屈折の小さな光学材料用樹脂は見い出されてい
ない。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、上に述べた従来のデジタルオーディオディス
クや光メモリ−ディスク用樹脂として必要とされる耐熱
性、耐湿性、機械的強度に優れているとともに、光学的
に均質で複屈折の小さな光学材料用樹脂を提伏するもの
である。
クや光メモリ−ディスク用樹脂として必要とされる耐熱
性、耐湿性、機械的強度に優れているとともに、光学的
に均質で複屈折の小さな光学材料用樹脂を提伏するもの
である。
【課題を解決するための手段]
本発明者等は耐熱性、耐湿性、機械的強度に優れている
とともに、光学的に均質で複屈折の小さな光学材料用樹
脂を得るべく、鋭意検討を行った。
とともに、光学的に均質で複屈折の小さな光学材料用樹
脂を得るべく、鋭意検討を行った。
その結果、特定な構造を有するポリカーボネートと、あ
る種のポリスチレン誘導体とをブレンドしたものが耐熱
性、耐湿性、機械的強度に優れているとともに、光学的
に均質で複屈折の小さな特徴を有することを見い出だし
本発明に到達した。
る種のポリスチレン誘導体とをブレンドしたものが耐熱
性、耐湿性、機械的強度に優れているとともに、光学的
に均質で複屈折の小さな特徴を有することを見い出だし
本発明に到達した。
すなわち本発明は、構造式(1)、
(式中Rは炭素数1〜3の置換あるいは非置換のアルキ
リデン基、−o−、−co−−5−−SO−、又は−8
02−を表わし、R8−R4は水素、ハロゲンあるいは
炭素数1〜3の飽和または不飽和アルキル基を表わす)
で表されるポリカーボネートと、構造式(11)、 (式中nの値は0.01ないし0.2であり、m+nm
lである)で表されるポリスチレン誘導体との均一なブ
レンド混合物からなる光学材料用樹脂組成物を提供する
ものである。構造式(1り中のn及びmはそれぞれの構
造単位のモル分率を示す。
リデン基、−o−、−co−−5−−SO−、又は−8
02−を表わし、R8−R4は水素、ハロゲンあるいは
炭素数1〜3の飽和または不飽和アルキル基を表わす)
で表されるポリカーボネートと、構造式(11)、 (式中nの値は0.01ないし0.2であり、m+nm
lである)で表されるポリスチレン誘導体との均一なブ
レンド混合物からなる光学材料用樹脂組成物を提供する
ものである。構造式(1り中のn及びmはそれぞれの構
造単位のモル分率を示す。
本発明におけるポリカーボネートは、芳香族二価フェノ
ール系化合物とホスゲンとの直接反応、または炭酸ジエ
ステルとを反応させて製造することができる。芳香族二
価フェノール系化合物としてはビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)スルフォン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)
スルフィド、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルフオ
キシド、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)ケトン、2.2−ビス(
4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4
−ヒドロキシフェニル)メタン、2.2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)エタン、2゜2−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、2.2−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)ブタン、2.2−ビス(4−ヒドロキシ−
3,5−ジメチルフェニル)プロパン、2.2−ビス(
4−ヒドロキシ−3,5−ジエチルフェニル)プロパン
、2.2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジプロピル
)プロパン、などが例示される。
ール系化合物とホスゲンとの直接反応、または炭酸ジエ
ステルとを反応させて製造することができる。芳香族二
価フェノール系化合物としてはビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)スルフォン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)
スルフィド、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルフオ
キシド、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)ケトン、2.2−ビス(
4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4
−ヒドロキシフェニル)メタン、2.2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)エタン、2゜2−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、2.2−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)ブタン、2.2−ビス(4−ヒドロキシ−
3,5−ジメチルフェニル)プロパン、2.2−ビス(
4−ヒドロキシ−3,5−ジエチルフェニル)プロパン
、2.2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジプロピル
)プロパン、などが例示される。
また本発明におけるポリスチレン誘導体は、ポリスチレ
ンにヘキサフルオロアセトンをJournalorPo
lymer 5cience:Polymer Let
ters Edltloo。
ンにヘキサフルオロアセトンをJournalorPo
lymer 5cience:Polymer Let
ters Edltloo。
Vol、18.201−209(1980)に記載され
ている方法によって反応させることによって得られる。
ている方法によって反応させることによって得られる。
上記のような2つの成分をブレンドして光学材料用樹脂
を構成するのであるが、このブレンドに用いるポリカー
ボネートの分子量は、数平均分子量で約to、oooな
いし約150,000程度、好ましくは10.000な
いし too、oooである。数平均分子量がこの範囲
未満の(のはそれを目的とする基板に成形したときの強
度に問題があり、実質的に不適当である。また、数平均
分子量がこの範囲を越えるものは、それを成形する際の
流動性が低下し、生産効率が低下するとともにその光学
的物性値も低下してしまう。
を構成するのであるが、このブレンドに用いるポリカー
ボネートの分子量は、数平均分子量で約to、oooな
いし約150,000程度、好ましくは10.000な
いし too、oooである。数平均分子量がこの範囲
未満の(のはそれを目的とする基板に成形したときの強
度に問題があり、実質的に不適当である。また、数平均
分子量がこの範囲を越えるものは、それを成形する際の
流動性が低下し、生産効率が低下するとともにその光学
的物性値も低下してしまう。
また上記ポリスチレン誘導体の分子量は数平均分子量に
して約10.000ないし約soo、ooo 、好まし
くはto、oooないしaoo、oooである。数平均
分子量がこの範囲未満のものは、ブレンドしてもその光
学的効果に乏しく適当でなく、また機械的強度にも問題
がある。また数平均分子量がこの範囲を越えるものは上
記ポリカーボネートとの相溶性が著しく低下してしまう
ために適当でない。
して約10.000ないし約soo、ooo 、好まし
くはto、oooないしaoo、oooである。数平均
分子量がこの範囲未満のものは、ブレンドしてもその光
学的効果に乏しく適当でなく、また機械的強度にも問題
がある。また数平均分子量がこの範囲を越えるものは上
記ポリカーボネートとの相溶性が著しく低下してしまう
ために適当でない。
本発明の光学材料用樹脂組成物は上記のそれぞれの分子
量を持った2成分をブレンドして構成されるが、そのブ
レンド率はポリカーボネートとポリスチレン誘導体の重
量比で、95:5〜30ニア0、好ましくは90:10
〜50:50の範囲が適当である。ポリスチレン誘導体
のブレンド率がこの範囲未満では上記芳香族ポリカーボ
ネートの複屈折を実用レベルにまで低減させる光学効果
を必ずしも十分に発揮できず、またこの範囲を越えたブ
レンド率では耐熱性、衝撃強度などの低下により必ずし
も十分な効果を発揮できない。
量を持った2成分をブレンドして構成されるが、そのブ
レンド率はポリカーボネートとポリスチレン誘導体の重
量比で、95:5〜30ニア0、好ましくは90:10
〜50:50の範囲が適当である。ポリスチレン誘導体
のブレンド率がこの範囲未満では上記芳香族ポリカーボ
ネートの複屈折を実用レベルにまで低減させる光学効果
を必ずしも十分に発揮できず、またこの範囲を越えたブ
レンド率では耐熱性、衝撃強度などの低下により必ずし
も十分な効果を発揮できない。
上記2成分のブレンド方法としては、押出し機、ニーダ
−などによる溶融混練方法、あるいは上記2成分をたと
えば塩化メチレンなどの共通の良溶媒に溶解させた状態
で混合する溶液ブレンド方法などがあるが、これは特に
限定されるものではなく、通常用いられるポリマーブレ
ンド方法ならどの様な方法を用いてもよい。以上のよう
にしてブレンドされた光学材料用樹脂組成物は、ポリカ
ーボネートの成分を2.2−ビス(4′−ヒドロキシフ
ェニル)プロパン(ビスフェノールA)よりも耐熱性の
高い七ツマ−から構成したことにより耐熱性に優れたも
のとなっている。
−などによる溶融混練方法、あるいは上記2成分をたと
えば塩化メチレンなどの共通の良溶媒に溶解させた状態
で混合する溶液ブレンド方法などがあるが、これは特に
限定されるものではなく、通常用いられるポリマーブレ
ンド方法ならどの様な方法を用いてもよい。以上のよう
にしてブレンドされた光学材料用樹脂組成物は、ポリカ
ーボネートの成分を2.2−ビス(4′−ヒドロキシフ
ェニル)プロパン(ビスフェノールA)よりも耐熱性の
高い七ツマ−から構成したことにより耐熱性に優れたも
のとなっている。
本発明の樹脂材料を成形して基板を得るに際しての成形
方法としては射出成形、圧縮成形等が挙げられるが、こ
れらの成形法のうち、生産性の点からr+=を出成形が
最も好ましい。
方法としては射出成形、圧縮成形等が挙げられるが、こ
れらの成形法のうち、生産性の点からr+=を出成形が
最も好ましい。
射出成形においては、前記ブレンド体をそのまま成形し
ても良いが、必要に応じ、該ブレンド体に各種の成分、
例えば着色や透明性の劣化を防止するための亜リン酸エ
ステル類、メルトインデックス値を増大させるための可
塑剤などを配合して成形しても良い。
ても良いが、必要に応じ、該ブレンド体に各種の成分、
例えば着色や透明性の劣化を防止するための亜リン酸エ
ステル類、メルトインデックス値を増大させるための可
塑剤などを配合して成形しても良い。
C実施例]
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
なお、実施例において得られる諸物性は下記の試験法に
よりIIFI定した。
よりIIFI定した。
(1)先i!過率 :分光光度計にて500nmの光週
遇率を測定 C2)1M屈折 :日本工学(株)製偏光顕′ff1
.Vlにセナルモンコンペンセータ をつけて光デイスク基板の直 径80mmの部分を4P1定 (3)熱変形温度: ASTM−D−648に従い熱変
形試験装置にて測定 (ポリカーボネートの調製) (成分1〜1) 1000dのフラスコにジヒドロキシジフェニルスルフ
ォキサイド(ビスフェノールスルフォン)110.4g
(0,4mo 1)および分子j:L調節剤としてp
−ターシャリ−ブチルフェノール2.0gを塩化メチレ
ン500−およびピリジン200dに溶解させた溶液を
加えた後、攪拌しながらホスゲンガスを11000a/
分の供給割合で15分間吹き込み、室温で1時間反応さ
せた。反応終了後、反応生成物を塩化メチレン1500
dで希釈した後、IN塩酸と水で洗浄し、5000−の
メタノール中に投入して重合体を回収した。
遇率を測定 C2)1M屈折 :日本工学(株)製偏光顕′ff1
.Vlにセナルモンコンペンセータ をつけて光デイスク基板の直 径80mmの部分を4P1定 (3)熱変形温度: ASTM−D−648に従い熱変
形試験装置にて測定 (ポリカーボネートの調製) (成分1〜1) 1000dのフラスコにジヒドロキシジフェニルスルフ
ォキサイド(ビスフェノールスルフォン)110.4g
(0,4mo 1)および分子j:L調節剤としてp
−ターシャリ−ブチルフェノール2.0gを塩化メチレ
ン500−およびピリジン200dに溶解させた溶液を
加えた後、攪拌しながらホスゲンガスを11000a/
分の供給割合で15分間吹き込み、室温で1時間反応さ
せた。反応終了後、反応生成物を塩化メチレン1500
dで希釈した後、IN塩酸と水で洗浄し、5000−の
メタノール中に投入して重合体を回収した。
得られたm合体についてG P C7111定を行なっ
たところ、数平均分子量はポリスチレン換算値で5、L
IX10’であった。 ’H−NMRおよび13C−N
MRスペクトルから、この重合体は下記の繰り返し構造
を有するものと認められた。
たところ、数平均分子量はポリスチレン換算値で5、L
IX10’であった。 ’H−NMRおよび13C−N
MRスペクトルから、この重合体は下記の繰り返し構造
を有するものと認められた。
(成分I−l−
2)1000のフラスコに2.2゛−ビス((3゜5−
ジメチル)4.4−−ヒドロキシフェニル)プロパン1
24.Og (0,4mo りおよび分子量調節剤とし
てp−ターシャリ−ブチルフェノール2.0gを塩化メ
チレン500−およびピリジン200−に溶解させた溶
液を加えた後、攪拌しながらホスゲンガスを1000d
/分の供給割合で15分間吹き込み、室温で1時間反応
させた。反応終了後、反応生成物を塩化メチレン150
0rdで希釈した後、IN塩酸と水で洗浄し、5000
mNのメタノール中に投入して重合体を回収した。
ジメチル)4.4−−ヒドロキシフェニル)プロパン1
24.Og (0,4mo りおよび分子量調節剤とし
てp−ターシャリ−ブチルフェノール2.0gを塩化メ
チレン500−およびピリジン200−に溶解させた溶
液を加えた後、攪拌しながらホスゲンガスを1000d
/分の供給割合で15分間吹き込み、室温で1時間反応
させた。反応終了後、反応生成物を塩化メチレン150
0rdで希釈した後、IN塩酸と水で洗浄し、5000
mNのメタノール中に投入して重合体を回収した。
得られた重合体についてG P C1F7定を行なった
ところ、数平均分子量はポリスチレン換算値で5.2X
104であった。’H−NMRおよび”C−NMRスペ
クトルから、この重合体は下記の繰り返し構造を有する
ものと認められた。
ところ、数平均分子量はポリスチレン換算値で5.2X
104であった。’H−NMRおよび”C−NMRスペ
クトルから、この重合体は下記の繰り返し構造を有する
ものと認められた。
反応終了後、該フラスコの内容物を約3000JII!
の水中に投入し、目的物を回収した。得られた反応物の
IH−およびI3C−NMRスペクトルの測定により
、このポリスチレン誘導体は下記の構造と認められ、そ
の反応率は5%であった。
の水中に投入し、目的物を回収した。得られた反応物の
IH−およびI3C−NMRスペクトルの測定により
、このポリスチレン誘導体は下記の構造と認められ、そ
の反応率は5%であった。
(ポリスチレン誘導体の調製・成分(■))1000m
j!のフラスコにアルゴンガスを導入し系中をアルゴン
雰囲気とした後、ポリスチレン(デンカスチロール G
P−1)62.4gおよび反応触媒として塩化アルミニ
ウム24gを二硫化炭素800−に溶解させた後、フラ
スコを氷水中に浸しフラスコ内を3℃〜5℃に冷却した
。
j!のフラスコにアルゴンガスを導入し系中をアルゴン
雰囲気とした後、ポリスチレン(デンカスチロール G
P−1)62.4gおよび反応触媒として塩化アルミニ
ウム24gを二硫化炭素800−に溶解させた後、フラ
スコを氷水中に浸しフラスコ内を3℃〜5℃に冷却した
。
さらに該フラスコ上部にガストラ・ノブ用のデユワ−冷
却器を取り付け、反応装置を11−1成した。
却器を取り付け、反応装置を11−1成した。
該フラスコ内を攪拌しつつヘキサフルオロアセトン(3
水和物)16mjを100℃硫酸280d中に、連続的
に30分間にわたり滴下して、発生したヘキサフルオロ
アセトンガスを導入する。導入終了後も該フラスコの攪
拌を3時間行なった。
水和物)16mjを100℃硫酸280d中に、連続的
に30分間にわたり滴下して、発生したヘキサフルオロ
アセトンガスを導入する。導入終了後も該フラスコの攪
拌を3時間行なった。
(実施例1)
成分(1−1) 色成分(II) ヲ75 : 25
(i量比)の割合で全m100gとなるように配合し、
IQ ?J押出し機を用いて押出しベレットを作成した
。
(i量比)の割合で全m100gとなるように配合し、
IQ ?J押出し機を用いて押出しベレットを作成した
。
このペレットをシリンダー温度300℃、金型温度10
0℃の条件下で厚さ1.2mm、直径120mmの円盤
に射出成形した。得られた射出成形板の光透過率、複屈
折および熱変形温度の結果を表1に示す。
0℃の条件下で厚さ1.2mm、直径120mmの円盤
に射出成形した。得られた射出成形板の光透過率、複屈
折および熱変形温度の結果を表1に示す。
(実施例2)
成分(1−2)と成分(II)を75:25(重量比)
の割合で全El 100 gとなるよ゛うに配合し、混
練押出し機を用いて押出しペレットを作成した。
の割合で全El 100 gとなるよ゛うに配合し、混
練押出し機を用いて押出しペレットを作成した。
このペレットを実施例1と同様の条件で射出成形した。
得られた射出成形板の光透過率、複屈折および熱変形温
度の結果を表1に示す。
度の結果を表1に示す。
(比較例1)
成分(1−1)の重合体のみを用いて、押出し機により
ベレットを作成し、実施911と同様にして射出成形し
た。得られた射出成形板の光透過率、複屈折および熱変
形温度の結果を表1に示す。
ベレットを作成し、実施911と同様にして射出成形し
た。得られた射出成形板の光透過率、複屈折および熱変
形温度の結果を表1に示す。
(比較例2)
成分(1−2)の重合体のみを用いて、押出し機により
ペレットを作成し、実施例1と同様にして射出成形した
。得られた射出成形板の光透過率、複屈折および熱変形
温度の結果を表1に示す。
ペレットを作成し、実施例1と同様にして射出成形した
。得られた射出成形板の光透過率、複屈折および熱変形
温度の結果を表1に示す。
(比較例3)
成分(夏−1>の重合体と成分(II)を作成する際に
用いた、ヘキサフルオロアセトンを反応させていないポ
リスチレンを75:25(211比)の割合で全f21
00 gとなるように配合し、押出し機を用いて押出し
ベレットを作成し、実施例1と同様にして射出成形した
ところ、得られた射出成形板は不透明であり、目的とし
た光学基板用材料には不適当であることがわかった。
用いた、ヘキサフルオロアセトンを反応させていないポ
リスチレンを75:25(211比)の割合で全f21
00 gとなるように配合し、押出し機を用いて押出し
ベレットを作成し、実施例1と同様にして射出成形した
ところ、得られた射出成形板は不透明であり、目的とし
た光学基板用材料には不適当であることがわかった。
(比較例4)
成分(1−2)の重合体と成分(II)を作成する際に
用いた、ヘキサフルオロアセトンを反応させていないポ
リスチレンを75:25(fflfffi比)の割合で
全ffi 100 gとなるように配合し、押出し機を
用いて押出しベレットを作成し、実施例1と同様にして
射出成形したところ、得られた射出成形板は不透明であ
り、目的とした光学基板用材料には不適当であることが
わかった。
用いた、ヘキサフルオロアセトンを反応させていないポ
リスチレンを75:25(fflfffi比)の割合で
全ffi 100 gとなるように配合し、押出し機を
用いて押出しベレットを作成し、実施例1と同様にして
射出成形したところ、得られた射出成形板は不透明であ
り、目的とした光学基板用材料には不適当であることが
わかった。
表1
リスチレン誘専体とのブレンド組成物は、耐熱性、耐湿
性、機械的強度に優れているとともに、光学的に均質で
複屈折が小さく、光学材料用樹脂として、例えばデジタ
ルオーディオディスクや光メモリ−ディスク用基板材料
として極めて優れたものである。
性、機械的強度に優れているとともに、光学的に均質で
複屈折が小さく、光学材料用樹脂として、例えばデジタ
ルオーディオディスクや光メモリ−ディスク用基板材料
として極めて優れたものである。
Claims (2)
- (1)構造式(I)、 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中Rは炭素数1〜3の置換あるいは非置換のアルキ
リデン基、−O−、−CO−、 −S−、−SO−、又は−SO_2−を表わし、R_1
〜R_4は水素、ハロゲンあるいは炭素数1〜3の飽和
または不飽和アルキル基を表わす)で表されるポリカー
ボネートと、構造式(II)、 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中nの値は0.01ないし0.2であり、m+n=
1である)で表されるポリスチレン誘導体との均一なブ
レンド混合物からなる光学材料用樹脂組成物。 - (2)構造式(I)のポリカーボネート共重合体と構造
式(II)のポリスチレン誘導体とのブレンド率が90:
10〜50:50(重量比)の範囲である請求項第1項
記載の光学材料用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63258387A JPH02105851A (ja) | 1988-10-15 | 1988-10-15 | 光学材料用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63258387A JPH02105851A (ja) | 1988-10-15 | 1988-10-15 | 光学材料用樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02105851A true JPH02105851A (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=17319535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63258387A Pending JPH02105851A (ja) | 1988-10-15 | 1988-10-15 | 光学材料用樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02105851A (ja) |
-
1988
- 1988-10-15 JP JP63258387A patent/JPH02105851A/ja active Pending
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