JPH10231359A - ヒドロキシフェニルインダノール類から誘導される光ディスクグレードのコポリエステルカーボネート - Google Patents
ヒドロキシフェニルインダノール類から誘導される光ディスクグレードのコポリエステルカーボネートInfo
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- JPH10231359A JPH10231359A JP9331550A JP33155097A JPH10231359A JP H10231359 A JPH10231359 A JP H10231359A JP 9331550 A JP9331550 A JP 9331550A JP 33155097 A JP33155097 A JP 33155097A JP H10231359 A JPH10231359 A JP H10231359A
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G63/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain of the macromolecule
- C08G63/64—Polyesters containing both carboxylic ester groups and carbonate groups
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加工性に優れ、配向複屈折の小さいコポリエ
ステルカーボネートの提供。 【解決手段】 １，１，３−トリメチル−３−（４−ヒ
ドロキシフェニル）−５−ヒドロキシインダン又はその
６−ヒドロキシインダン異性体のようなヒドロキシフェ
ニルインダノール由来の構造単位と、レゾルシノール又
はアルキレン二酸又はオイゲノールシロキサン由来の構
造単位を必須成分として含み、任意成分としてビスフェ
ノール（好ましくはビスフェノールＡ）由来の構造単位
を含むコポリカーボネート。当該コポリカーボネートは
コンパクトディスクのような光情報記録媒体の製造に有
用である。
ステルカーボネートの提供。 【解決手段】 １，１，３−トリメチル−３−（４−ヒ
ドロキシフェニル）−５−ヒドロキシインダン又はその
６−ヒドロキシインダン異性体のようなヒドロキシフェ
ニルインダノール由来の構造単位と、レゾルシノール又
はアルキレン二酸又はオイゲノールシロキサン由来の構
造単位を必須成分として含み、任意成分としてビスフェ
ノール（好ましくはビスフェノールＡ）由来の構造単位
を含むコポリカーボネート。当該コポリカーボネートは
コンパクトディスクのような光情報記録媒体の製造に有
用である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はコポリエステルカー
ボネートに関するものであり、より詳細には、光ディス
クの製造に有用なコポリエステルカーボネートに関す
る。
ボネートに関するものであり、より詳細には、光ディス
クの製造に有用なコポリエステルカーボネートに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】コンパクトオーディオディスクやコンピ
ューター用ＣＤ−ＲＯＭディスクで例示される光ディス
クを始めとする光情報記録媒体は、情報を保存及び利用
可能にする手段として主要な地位を占めるようになって
いる。光ディスクに保存された情報は平面偏光レーザー
ビームと直交した偏光面をもつ同様の基準ビームとで読
み取られる。正確な読み取りには、これらのレーザービ
ームがディスクを通過する際の位相遅れの差を最小限に
することが必要とされる。
ューター用ＣＤ−ＲＯＭディスクで例示される光ディス
クを始めとする光情報記録媒体は、情報を保存及び利用
可能にする手段として主要な地位を占めるようになって
いる。光ディスクに保存された情報は平面偏光レーザー
ビームと直交した偏光面をもつ同様の基準ビームとで読
み取られる。正確な読み取りには、これらのレーザービ
ームがディスクを通過する際の位相遅れの差を最小限に
することが必要とされる。
【０００３】光ディスク、特に再生−記録型ディスク及
び情報記録量の大きいディスクのさらなる開発において
は、様々な物理的因子が重要となる。かかる因子の一つ
でディスクの記録容量に密接に関連するのがその複屈
折、すなわち互いに直交する２方向に偏光面をもつ光の
屈折率の差である。複屈折は幾つかの成分を含んでお
り、ディスク製造原料の分子構造や分子配向度などの因
子によって引き起こされる。ポリマーの「配向」複屈折
率もしくは理想的には延伸による全ポリマー分子の完全
な配向後に測定される固有複屈折率は分子構造のみの関
数である。
び情報記録量の大きいディスクのさらなる開発において
は、様々な物理的因子が重要となる。かかる因子の一つ
でディスクの記録容量に密接に関連するのがその複屈
折、すなわち互いに直交する２方向に偏光面をもつ光の
屈折率の差である。複屈折は幾つかの成分を含んでお
り、ディスク製造原料の分子構造や分子配向度などの因
子によって引き起こされる。ポリマーの「配向」複屈折
率もしくは理想的には延伸による全ポリマー分子の完全
な配向後に測定される固有複屈折率は分子構造のみの関
数である。
【０００４】ポリマー合成に用いられたモノマーの複屈
折値とポリマー分子中の各モノマーの体積比率を考慮す
ることによって、各種ポリマーの理論的複屈折率を計算
することが可能である。そこで、モノマーの複屈折率を
釣り合わせることによって、理論的に０の配向複屈折値
を有するポリマーを作ることが可能である。これまで光
ディスクに使われてきた最も一般的なポリマーはポリカ
ーボネート及びコポリエステルカーボネートである。こ
れらは、その透明性及び好適な物理的性質のためにこの
目的に特に適している。ただし、現在生産されている中
心的存在の一つであるビスフェノールＡポリカーボネー
トは複屈折率が非常に高いことを特徴とする。
折値とポリマー分子中の各モノマーの体積比率を考慮す
ることによって、各種ポリマーの理論的複屈折率を計算
することが可能である。そこで、モノマーの複屈折率を
釣り合わせることによって、理論的に０の配向複屈折値
を有するポリマーを作ることが可能である。これまで光
ディスクに使われてきた最も一般的なポリマーはポリカ
ーボネート及びコポリエステルカーボネートである。こ
れらは、その透明性及び好適な物理的性質のためにこの
目的に特に適している。ただし、現在生産されている中
心的存在の一つであるビスフェノールＡポリカーボネー
トは複屈折率が非常に高いことを特徴とする。
【０００５】米国特許第４９５０７３１号には、配向複
屈折の非常に小さい一連のポリカーボネートが記載され
ている。該ポリカーボネートは、典型的には「ビスフェ
ノールＡ」としても知られる２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパンと６，６′−ヒドロキシ−３，
３，３′，３′−テトラメチル−１，１′−スピロ（ビ
ス）インダン（以後「ＳＢＩ」と略す）とから誘導され
る構造単位を含んでなるコポリカーボネートである。か
かるコポリカーボネートは光ディスクの製造に多くの面
で適している。ただし、加水分解安定性、加工性及び延
性などの面で改善の余地がある。
屈折の非常に小さい一連のポリカーボネートが記載され
ている。該ポリカーボネートは、典型的には「ビスフェ
ノールＡ」としても知られる２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパンと６，６′−ヒドロキシ−３，
３，３′，３′−テトラメチル−１，１′−スピロ（ビ
ス）インダン（以後「ＳＢＩ」と略す）とから誘導され
る構造単位を含んでなるコポリカーボネートである。か
かるコポリカーボネートは光ディスクの製造に多くの面
で適している。ただし、加水分解安定性、加工性及び延
性などの面で改善の余地がある。
【０００６】特に、多くのＳＢＩ−ビスフェノールＡコ
ポリカーボネートのガラス転移温度は２００℃を上回っ
ており、比較的高い溶融粘度を有する。このような性質
の材料を加工するのは一般に非常に難しい。溶融粘度を
下げるために、レゾルシノール、ドデカン二酸、オイゲ
ノールポリジメチルシロキサンのような「ソフトブロッ
ク」モノマーから誘導される構造単位を導入することも
可能であるが、ＳＢＩポリカーボネートの場合には該
「ソフトブロック」単位の比率が高くなりすぎてポリマ
ーの溶融安定性が悪影響を受ける。
ポリカーボネートのガラス転移温度は２００℃を上回っ
ており、比較的高い溶融粘度を有する。このような性質
の材料を加工するのは一般に非常に難しい。溶融粘度を
下げるために、レゾルシノール、ドデカン二酸、オイゲ
ノールポリジメチルシロキサンのような「ソフトブロッ
ク」モノマーから誘導される構造単位を導入することも
可能であるが、ＳＢＩポリカーボネートの場合には該
「ソフトブロック」単位の比率が高くなりすぎてポリマ
ーの溶融安定性が悪影響を受ける。
【０００７】さらに、界面重合法で製造されるポリカー
ボネートには、時として、不十分な溶解性及び塩化メチ
レンのような塩素化溶剤と接触したＳＢＩの膨潤挙動な
どの不都合があることが分かっている。上記の米国特許
には特別な界面重合法が記載されており、それでこれら
の不都合は幾分解決される。しかし、それには幾つかの
ステップが必要とされるので面倒である。
ボネートには、時として、不十分な溶解性及び塩化メチ
レンのような塩素化溶剤と接触したＳＢＩの膨潤挙動な
どの不都合があることが分かっている。上記の米国特許
には特別な界面重合法が記載されており、それでこれら
の不都合は幾分解決される。しかし、それには幾つかの
ステップが必要とされるので面倒である。
【０００８】
【発明の概要】本発明は、優れた物理的性質、低い配向
複屈折及び２００℃未満のガラス転移温度を特徴とする
一群のコポリエステルカーボネートを提供する。当該コ
ポリカーボネートは、界面重合法、溶融トランスエステ
ル化及び再分配法を始めとする慣用法で容易に製造し得
る。
複屈折及び２００℃未満のガラス転移温度を特徴とする
一群のコポリエステルカーボネートを提供する。当該コ
ポリカーボネートは、界面重合法、溶融トランスエステ
ル化及び再分配法を始めとする慣用法で容易に製造し得
る。
【０００９】したがって、本発明は、その一つの態様に
おいて、下記構造単位： (Ａ)下記の式(Ｉ)の構造単位約２０〜９０モル％、
おいて、下記構造単位： (Ａ)下記の式(Ｉ)の構造単位約２０〜９０モル％、
【００１０】
【化７】
【００１１】(Ｂ)下記の式(II)の構造単位約３〜７０モ
ル％
ル％
【００１２】
【化８】
【００１３】［式中、Ｒ1 はアルキレンオキシ、又はｍ
−フェニレンオキシ、又は下記の式(III)
−フェニレンオキシ、又は下記の式(III)
【００１４】
【化９】
【００１５】又は下記の式(IV)
【００１６】
【化１０】
【００１７】（ただし、Ｒ2 はＣ2-6 アルキレン又はＯ
であり、Ｒ3 はＣ1-4 第一もしくは第二アルキル又はフ
ルオロアルキル又はフェニルであり、Ｒ4 はＣ1-4 アル
キル又はアルコキシであり、ｍは０〜２であり、ｎは約
４〜２５の範囲内にあり、ｐは１〜１００の平均値を有
する）である］、及び任意成分として(Ｃ)下記の式(Ｖ)
の構造単位
であり、Ｒ3 はＣ1-4 第一もしくは第二アルキル又はフ
ルオロアルキル又はフェニルであり、Ｒ4 はＣ1-4 アル
キル又はアルコキシであり、ｍは０〜２であり、ｎは約
４〜２５の範囲内にあり、ｐは１〜１００の平均値を有
する）である］、及び任意成分として(Ｃ)下記の式(Ｖ)
の構造単位
【００１８】
【化１１】
【００１９】（式中、Ａ1 及びＡ2 は各々独立に非置換
又は置換ｍ−又はｐ−フェニレンであり、Ｙは単結合又
はＡ1 とＡ2 とを原子１個又は２個で隔てる連結基であ
る）を含んでなる複屈折率の低いコポリエステルカーボ
ネートである。本発明のもう一つの態様は、上記コポリ
エステルカーボネートを含んでなる光情報記録媒体であ
る。
又は置換ｍ−又はｐ−フェニレンであり、Ｙは単結合又
はＡ1 とＡ2 とを原子１個又は２個で隔てる連結基であ
る）を含んでなる複屈折率の低いコポリエステルカーボ
ネートである。本発明のもう一つの態様は、上記コポリ
エステルカーボネートを含んでなる光情報記録媒体であ
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明のコポリエステルカーボネ
ートの重要な長所はその固有複屈折値が小さいことであ
る。該コポリエステルカーボネートの固有複屈折値は概
して０．１５以下である。対照的に、ビスフェノールホ
モポリカーボネートの固有複屈折値は０．２５であり、
ＳＢＩ及びビスフェノールＡカーボネート単位とドデカ
ンジカルボキシレートエステル単位を含む典型的なコポ
リエステルカーボネートは０．１０のオーダーの複屈折
値を有する。
ートの重要な長所はその固有複屈折値が小さいことであ
る。該コポリエステルカーボネートの固有複屈折値は概
して０．１５以下である。対照的に、ビスフェノールホ
モポリカーボネートの固有複屈折値は０．２５であり、
ＳＢＩ及びビスフェノールＡカーボネート単位とドデカ
ンジカルボキシレートエステル単位を含む典型的なコポ
リエステルカーボネートは０．１０のオーダーの複屈折
値を有する。
【００２１】本発明のコポリエステルカーボネートは、
また、同様の固有複屈折値を有するＳＢＩコポリカーボ
ネートよりも概してガラス転移温度が低い。本発明のコ
ポリエステルカーボネートの典型的なガラス転移温度が
１３５℃〜１６１℃の範囲にあるのに対して、対応ＳＢ
Ｉコポリエステルカーボネートは１７０℃のオーダーも
しくはそれ以上のガラス転移温度を有することがある。
構造単位の比率が同じ場合、本発明のコポリエステルカ
ーボネートは概して対応ＳＢＩコポリエステルカーボネ
ートよりも実質的に低いガラス転移温度を有する。この
ようなガラス転移温度と上述のチキソトロピー挙動とが
相俟って、本発明のコポリエステルカーボネートは容易
に加工することができる。
また、同様の固有複屈折値を有するＳＢＩコポリカーボ
ネートよりも概してガラス転移温度が低い。本発明のコ
ポリエステルカーボネートの典型的なガラス転移温度が
１３５℃〜１６１℃の範囲にあるのに対して、対応ＳＢ
Ｉコポリエステルカーボネートは１７０℃のオーダーも
しくはそれ以上のガラス転移温度を有することがある。
構造単位の比率が同じ場合、本発明のコポリエステルカ
ーボネートは概して対応ＳＢＩコポリエステルカーボネ
ートよりも実質的に低いガラス転移温度を有する。この
ようなガラス転移温度と上述のチキソトロピー挙動とが
相俟って、本発明のコポリエステルカーボネートは容易
に加工することができる。
【００２２】本発明の概要から明らかな通り、本発明の
コポリエステルカーボネートの必須成分は式(Ｉ)で表さ
れる構造単位(Ａ)であり、この構造単位は１，１，３−
トリメチル−３−（４−ヒドロキシフェニル）−５−ヒ
ドロキシインダン又はその６−ヒドロキシインダン異性
体から誘導される。これら２種類の化合物は、その構造
が４−イソプロペニルフェノールの環状二量体(cyclic
dimer)として同定されることから、本明細書中ではそれ
ぞれ「ＣＤ−１」及び「ＣＤ−２」と呼ぶ。
コポリエステルカーボネートの必須成分は式(Ｉ)で表さ
れる構造単位(Ａ)であり、この構造単位は１，１，３−
トリメチル−３−（４−ヒドロキシフェニル）−５−ヒ
ドロキシインダン又はその６−ヒドロキシインダン異性
体から誘導される。これら２種類の化合物は、その構造
が４−イソプロペニルフェノールの環状二量体(cyclic
dimer)として同定されることから、本明細書中ではそれ
ぞれ「ＣＤ−１」及び「ＣＤ−２」と呼ぶ。
【００２３】ＣＤ−１は、米国特許第３２８８８６４号
に開示されている通り、三フッ化ホウ素エーテル錯体の
存在下での４−イソプロペニルフェノールの自己縮合に
よって製造し得る。ＣＤ−１は、また、フェノールとア
セトンからの２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン（すなわち「ビスフェノールＡ」）の合成の副
生物として回収することもできる。ＣＤ−２は、Ｔａｇ
ｌｅ他，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ，２８，６
４５−６５２（１９９２）に開示されている通り、塩化
水素ガス存在下でのフェノールと酢酸と４−メチル−３
−ペンテン−２−オンとの反応によって製造することが
できる。
に開示されている通り、三フッ化ホウ素エーテル錯体の
存在下での４−イソプロペニルフェノールの自己縮合に
よって製造し得る。ＣＤ−１は、また、フェノールとア
セトンからの２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン（すなわち「ビスフェノールＡ」）の合成の副
生物として回収することもできる。ＣＤ−２は、Ｔａｇ
ｌｅ他，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ，２８，６
４５−６５２（１９９２）に開示されている通り、塩化
水素ガス存在下でのフェノールと酢酸と４−メチル−３
−ペンテン−２−オンとの反応によって製造することが
できる。
【００２４】同じく必須であるのが構造単位(Ｂ)であ
る。構造単位(Ｂ)は、レゾルシノールカーボネート単位
又はアルキレンカーボネート構造単位（後者の例として
は、１，４−ブタンジオール、１，４−ヘキサンジオー
ル、ネオペンチルグリコール、グリセリルモノステアレ
ートのようなＣ4-25ジオール類から誘導される単位が例
示される）；式(III) の基を含むエステル単位（ただ
し、ｎは約４〜２０、好ましくは約６〜１８の範囲内に
ある）；並びに式(IV)の基を含むカーボネート単位（た
だし、ｐは１〜１００の平均値を有するもので、普通は
５〜４０の平均値を有し、ｍは０〜２であって、好まし
くは１であり、Ｒ2 はＣ2-6 アルキレン又はＯであっ
て、好ましくはトリメチレンであり、Ｒ3 はＣ1-4 第一
もしくは第二アルキル又はフルオロアルキル又はフェニ
ルであって、好ましくはメチルである）からなる群から
選択し得る。好ましい構造単位(Ｂ)は、レゾルシノール
カーボネート単位、オイゲノールポリシロキサンカーボ
ネート（すなわち、Ｒ1 が式(IV)で表されるものであっ
て、Ｒ2 がトリメチレン、Ｒ3 がメチル、Ｒ4 がメトキ
シ、ｍが１であって、該メトキシ基がアルキレンシロキ
シ鎖に対してメタ位にあるもの）、並びにドデカンジオ
エート（すなわち、Ｒ1 が式(III) で表されるものであ
って、ｎが１０のもの）である。
る。構造単位(Ｂ)は、レゾルシノールカーボネート単位
又はアルキレンカーボネート構造単位（後者の例として
は、１，４−ブタンジオール、１，４−ヘキサンジオー
ル、ネオペンチルグリコール、グリセリルモノステアレ
ートのようなＣ4-25ジオール類から誘導される単位が例
示される）；式(III) の基を含むエステル単位（ただ
し、ｎは約４〜２０、好ましくは約６〜１８の範囲内に
ある）；並びに式(IV)の基を含むカーボネート単位（た
だし、ｐは１〜１００の平均値を有するもので、普通は
５〜４０の平均値を有し、ｍは０〜２であって、好まし
くは１であり、Ｒ2 はＣ2-6 アルキレン又はＯであっ
て、好ましくはトリメチレンであり、Ｒ3 はＣ1-4 第一
もしくは第二アルキル又はフルオロアルキル又はフェニ
ルであって、好ましくはメチルである）からなる群から
選択し得る。好ましい構造単位(Ｂ)は、レゾルシノール
カーボネート単位、オイゲノールポリシロキサンカーボ
ネート（すなわち、Ｒ1 が式(IV)で表されるものであっ
て、Ｒ2 がトリメチレン、Ｒ3 がメチル、Ｒ4 がメトキ
シ、ｍが１であって、該メトキシ基がアルキレンシロキ
シ鎖に対してメタ位にあるもの）、並びにドデカンジオ
エート（すなわち、Ｒ1 が式(III) で表されるものであ
って、ｎが１０のもの）である。
【００２５】これらの構造単位に加えて、式(Ｖ)のビス
フェノールカーボネート単位(Ｃ)が存在していてもよ
い。符号Ａ1 及びＡ2 はｍ−又はｐ−フェニレンであ
り、これらは置換されていてもよいが普通は非置換型の
ものである。符号Ｙは単結合或いはＡ1 とＡ2 とを原子
１個又は２個（好ましくは原子１個）で隔てる二価基で
あって、通常はメチレン、イソプロピリデン又はエチレ
ンのような炭化水素基であるが、炭素と水素以外の原子
を含む基であってもよい。その具体例は、２，２−ジク
ロロエチリデンのような置換された基並びにオキシ、チ
オ、スルホキシ及びスルホンのようなヘテロ原子含有基
である。式(Ｖ)のカーボネート単位として好ましいの
は、Ａ1 とＡ2 が共にｐ−フェニレンでＹがイソプロピ
リデンであるビスフェノールＡカーボネート単位であ
る。
フェノールカーボネート単位(Ｃ)が存在していてもよ
い。符号Ａ1 及びＡ2 はｍ−又はｐ−フェニレンであ
り、これらは置換されていてもよいが普通は非置換型の
ものである。符号Ｙは単結合或いはＡ1 とＡ2 とを原子
１個又は２個（好ましくは原子１個）で隔てる二価基で
あって、通常はメチレン、イソプロピリデン又はエチレ
ンのような炭化水素基であるが、炭素と水素以外の原子
を含む基であってもよい。その具体例は、２，２−ジク
ロロエチリデンのような置換された基並びにオキシ、チ
オ、スルホキシ及びスルホンのようなヘテロ原子含有基
である。式(Ｖ)のカーボネート単位として好ましいの
は、Ａ1 とＡ2 が共にｐ−フェニレンでＹがイソプロピ
リデンであるビスフェノールＡカーボネート単位であ
る。
【００２６】構造単位(Ａ)、(Ｂ)及び(Ｃ)の上記比率に
は、本発明のコポリエステルカーボネートの相当数の具
体的についての合成及び測定によって、０もしくは０に
近い配向複屈折値を有すると結論された多数の共重合体
が包含される。本発明の代表的ポリマーは、ＣＤ−１単
位７２モル％と、Ｒ1 が式(III) でｎが１０である(Ｂ)
単位１０モル％と、Ａ1 及びＡ2 が共にｐ−フェニレン
でＹがイソプロピリデンである式(Ｖ)の(Ｃ)単位１８モ
ル％からなる。好ましくは、本発明のコポリエステルカ
ーボネートは式(Ｉ)の単位約７０〜８５モル％、及び式
(II)の単位約５〜２５モル％を含んでなる。式(Ｖ)の単
位が存在する場合には、その量は通例約１５〜２５モル
％である。
は、本発明のコポリエステルカーボネートの相当数の具
体的についての合成及び測定によって、０もしくは０に
近い配向複屈折値を有すると結論された多数の共重合体
が包含される。本発明の代表的ポリマーは、ＣＤ−１単
位７２モル％と、Ｒ1 が式(III) でｎが１０である(Ｂ)
単位１０モル％と、Ａ1 及びＡ2 が共にｐ−フェニレン
でＹがイソプロピリデンである式(Ｖ)の(Ｃ)単位１８モ
ル％からなる。好ましくは、本発明のコポリエステルカ
ーボネートは式(Ｉ)の単位約７０〜８５モル％、及び式
(II)の単位約５〜２５モル％を含んでなる。式(Ｖ)の単
位が存在する場合には、その量は通例約１５〜２５モル
％である。
【００２７】本発明のコポリエステルカーボネートは、
例えば米国特許第４９４８８７１号、同第５２０４３７
７号、同第５２６６６５９号及び同第５２８８８３８号
に記載されているような、界面重合法、トランスエステ
ル化法又は再分配法、或いは固相重合法などの慣用のポ
リカーボネート合成法で製造し得る（上記米国特許の開
示内容は文献の援用によって本明細書に取り込まれ
る）。これらの方法は既に発行された特許及び刊行物に
記載されている事項であり、本明細書中で詳しく述べる
必要のない事項である。Ｒ1 が式(III) である式(II)で
表されるもののようなエステル単位は、界面重合法にお
いて対応ジカルボン酸クロライドを使用すること或いは
溶融重合又は固相重合法において当該酸のジアルキル又
はジアリール（大抵はジフェニル）エステルを使用する
ことによってポリカーボネートに導入し得る。
例えば米国特許第４９４８８７１号、同第５２０４３７
７号、同第５２６６６５９号及び同第５２８８８３８号
に記載されているような、界面重合法、トランスエステ
ル化法又は再分配法、或いは固相重合法などの慣用のポ
リカーボネート合成法で製造し得る（上記米国特許の開
示内容は文献の援用によって本明細書に取り込まれ
る）。これらの方法は既に発行された特許及び刊行物に
記載されている事項であり、本明細書中で詳しく述べる
必要のない事項である。Ｒ1 が式(III) である式(II)で
表されるもののようなエステル単位は、界面重合法にお
いて対応ジカルボン酸クロライドを使用すること或いは
溶融重合又は固相重合法において当該酸のジアルキル又
はジアリール（大抵はジフェニル）エステルを使用する
ことによってポリカーボネートに導入し得る。
【００２８】核磁気共鳴スペクトルの結果に基づくと、
本発明のコポリエステルカーボネートはトランスエステ
ル化法で製造したものでは(Ａ)、(Ｂ)及び(Ｃ)単位の分
布が界面重合法で製造したものよりもランダムであると
考えられる。界面重合法で製造したものは、(Ａ)、(Ｂ)
及び／又は(Ｃ)単位のかなりの長さのブロックで幾分特
徴付けられる分子構造を有する。
本発明のコポリエステルカーボネートはトランスエステ
ル化法で製造したものでは(Ａ)、(Ｂ)及び(Ｃ)単位の分
布が界面重合法で製造したものよりもランダムであると
考えられる。界面重合法で製造したものは、(Ａ)、(Ｂ)
及び／又は(Ｃ)単位のかなりの長さのブロックで幾分特
徴付けられる分子構造を有する。
【００２９】本発明のコポリエステルカーボネートの製
造を以下の実施例で例示する。百分率はすべて重量％で
ある。分子量は重量平均分子量であってゲルパーミエー
ションクロマトグラフィーで測定した。
造を以下の実施例で例示する。百分率はすべて重量％で
ある。分子量は重量平均分子量であってゲルパーミエー
ションクロマトグラフィーで測定した。
【００３０】
【実施例】実施例１ ５００ｍｌモルトン(Morton)フラスコに、１３．４ｇ
（５０ミリモル）のＣＤ−１、２．９ｇ（１２．５ミリ
モル）の１，１２−ドデカン二酸、２５０ｍｇ（１．１
ミリモル）のｐ−クミルフェノール、１２０ｍｌの塩化
メチレン、５０ｍｌの水、０．５ｍｌの７５％（重量）
塩化メチルトリ−ｎ−ブチルアンモニウム水溶液及び１
２５μｌのトリエチルアミンを投入した。この混合物中
にホスゲンを０．２５ｇ／ｍｉｎで導入した。５．３ｇ
のホスゲンが導入し終わるまで、２５％水酸化ナトリウ
ム水溶液の添加によってｐＨを８．０に保ち、しかる後
に、ｐＨを１０．５に上げてさらに２．２ｇのホスゲン
を追加した。有機溶液を分離し、１Ｍ塩化水素水溶液で
洗浄し、３回水洗した。次いで、沸騰水に加えて所望の
コポリエステルカーボネートを沈殿させ、濾過して乾燥
した。これは分子量７１０００で、１３９℃のガラス転
移温度を有していた。
（５０ミリモル）のＣＤ−１、２．９ｇ（１２．５ミリ
モル）の１，１２−ドデカン二酸、２５０ｍｇ（１．１
ミリモル）のｐ−クミルフェノール、１２０ｍｌの塩化
メチレン、５０ｍｌの水、０．５ｍｌの７５％（重量）
塩化メチルトリ−ｎ−ブチルアンモニウム水溶液及び１
２５μｌのトリエチルアミンを投入した。この混合物中
にホスゲンを０．２５ｇ／ｍｉｎで導入した。５．３ｇ
のホスゲンが導入し終わるまで、２５％水酸化ナトリウ
ム水溶液の添加によってｐＨを８．０に保ち、しかる後
に、ｐＨを１０．５に上げてさらに２．２ｇのホスゲン
を追加した。有機溶液を分離し、１Ｍ塩化水素水溶液で
洗浄し、３回水洗した。次いで、沸騰水に加えて所望の
コポリエステルカーボネートを沈殿させ、濾過して乾燥
した。これは分子量７１０００で、１３９℃のガラス転
移温度を有していた。
【００３１】上記コポリエステルカーボネートのフィル
ムをクロロホルムからキャストし、その複屈折を測定し
たところ、ビスフェノールＡホモポリカーボネートのも
のよりも格段に小さいことが判明した。実施例２ ３０リットル撹拌槽式反応器に、９６８ｇ（３．６１２
モル）のＣＤ−１、２０６ｇ（９０３ミリモル）のビス
フェノールＡ、１１５．５ｇ（５０２ミリモル）の１，
１２−ドデカン二酸、１０．７ｇ（５０ミリモル）のｐ
−クミルフェノール、３５．５ｍｌの７５％塩化メチル
トリ−ｎ−ブチルアンモニウム水溶液、１０．５リット
ルの塩化メチレン及び４．５リットルの水を投入した。
この混合物中にホスゲン５９６ｇ（６．０２モル）を撹
拌しながら導入した。その際、化学量論量の７０％のホ
スゲンが導入し終わるまで、２５％水酸化ナトリウム水
溶液の添加によってｐＨを７．５〜８．０に保ち、しか
る後にｐＨを１０．５とした。次いでトリエチルアミン
７．６ｇを加え、さらに２２６ｇの追加ホスゲンを導入
して反応を完結させた。有機溶液を分離し、１Ｍ塩化水
素水溶液で１回洗浄し、３回水洗した後、メタノール中
に注入して所望のコポリエステルカーボネートを沈殿さ
せた。生成物は分子量１４３０００で１６１℃のガラス
転移温度を有していた。
ムをクロロホルムからキャストし、その複屈折を測定し
たところ、ビスフェノールＡホモポリカーボネートのも
のよりも格段に小さいことが判明した。実施例２ ３０リットル撹拌槽式反応器に、９６８ｇ（３．６１２
モル）のＣＤ−１、２０６ｇ（９０３ミリモル）のビス
フェノールＡ、１１５．５ｇ（５０２ミリモル）の１，
１２−ドデカン二酸、１０．７ｇ（５０ミリモル）のｐ
−クミルフェノール、３５．５ｍｌの７５％塩化メチル
トリ−ｎ−ブチルアンモニウム水溶液、１０．５リット
ルの塩化メチレン及び４．５リットルの水を投入した。
この混合物中にホスゲン５９６ｇ（６．０２モル）を撹
拌しながら導入した。その際、化学量論量の７０％のホ
スゲンが導入し終わるまで、２５％水酸化ナトリウム水
溶液の添加によってｐＨを７．５〜８．０に保ち、しか
る後にｐＨを１０．５とした。次いでトリエチルアミン
７．６ｇを加え、さらに２２６ｇの追加ホスゲンを導入
して反応を完結させた。有機溶液を分離し、１Ｍ塩化水
素水溶液で１回洗浄し、３回水洗した後、メタノール中
に注入して所望のコポリエステルカーボネートを沈殿さ
せた。生成物は分子量１４３０００で１６１℃のガラス
転移温度を有していた。
【００３２】このコポリエステルカーボネートの射出成
形品は０．１１の固有複屈折値を有していた。これに対
してビスフェノールＡホモポリカーボネートでは０．２
５であった。実施例３ 予め酸洗浄、水洗及び７０℃で一晩乾燥して不動態化し
ておいたガラス製の１リットル溶融重合反応器に、８
３．０ｇ（３８７．６ミリモル）の炭酸ジフェニル、４
５ｇ（１５９．５ミリモル）のＣＤ−１、５０．１ｇ
（２１９．３ミリモル）のビスフェノールＡ及び７．０
ｇ（１９．９ミリモル）の１，１２−ドデカン二酸ジフ
ェニルを投入した。中実ニッケル螺旋形撹拌機を粉体中
に懸架し、容器を脱気して窒素で３回パージした。
形品は０．１１の固有複屈折値を有していた。これに対
してビスフェノールＡホモポリカーボネートでは０．２
５であった。実施例３ 予め酸洗浄、水洗及び７０℃で一晩乾燥して不動態化し
ておいたガラス製の１リットル溶融重合反応器に、８
３．０ｇ（３８７．６ミリモル）の炭酸ジフェニル、４
５ｇ（１５９．５ミリモル）のＣＤ−１、５０．１ｇ
（２１９．３ミリモル）のビスフェノールＡ及び７．０
ｇ（１９．９ミリモル）の１，１２−ドデカン二酸ジフ
ェニルを投入した。中実ニッケル螺旋形撹拌機を粉体中
に懸架し、容器を脱気して窒素で３回パージした。
【００３３】容器を１８０℃に加熱したが、そこで反応
混合物が溶融した。完全に溶融したところで、５〜１０
分間熱平衡状態におき、撹拌しながら０．２２１Ｍ水酸
化テトラメチルアンモニウム水溶液６００μｌ及び０．
００１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液５００μｌを加えた。
撹拌を続けながら混合物を１８０℃で５分間加熱した。
次いで温度を２１０℃に上げて圧力を１８０ｔｏｒｒに
下げたが、その結果反応器からフェノールが留出し始め
た。約２５分後、圧力をさらに１００ｔｏｒｒに下げて
その圧力で加熱を４５分間続け、フェノールの蒸留を続
けた。２４０℃／１５ｔｏｒｒ（４５分間）及び２７０
℃／２ｔｏｒｒ（１０分間）のオリゴマー化条件に維持
した。
混合物が溶融した。完全に溶融したところで、５〜１０
分間熱平衡状態におき、撹拌しながら０．２２１Ｍ水酸
化テトラメチルアンモニウム水溶液６００μｌ及び０．
００１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液５００μｌを加えた。
撹拌を続けながら混合物を１８０℃で５分間加熱した。
次いで温度を２１０℃に上げて圧力を１８０ｔｏｒｒに
下げたが、その結果反応器からフェノールが留出し始め
た。約２５分後、圧力をさらに１００ｔｏｒｒに下げて
その圧力で加熱を４５分間続け、フェノールの蒸留を続
けた。２４０℃／１５ｔｏｒｒ（４５分間）及び２７０
℃／２ｔｏｒｒ（１０分間）のオリゴマー化条件に維持
した。
【００３４】生成物は５４００の分子量を有する所望の
コポリエステルカーボネートオリゴマーであった。この
オリゴマーは、３００℃／０．９ｔｏｒｒで約７５分間
の分子量増成条件に付すことにより、固有複屈折値の小
さい高分子量ポリカーボネートへと変換することができ
た。
コポリエステルカーボネートオリゴマーであった。この
オリゴマーは、３００℃／０．９ｔｏｒｒで約７５分間
の分子量増成条件に付すことにより、固有複屈折値の小
さい高分子量ポリカーボネートへと変換することができ
た。
Claims (10)
- 【請求項１】 下記構造単位： (Ａ)下記の式(Ｉ)の構造単位約２０〜９０モル％、 【化１】 (Ｂ)下記の式(II)の構造単位約３〜７０モル％ 【化２】 ［式中、Ｒ1 はアルキレンオキシ、又はｍ−フェニレン
オキシ、又は下記の式(III) 【化３】 又は下記の式(IV) 【化４】 （ただし、Ｒ2 はＣ2-6 アルキレン又はＯであり、Ｒ3
はＣ1-4 第一もしくは第二アルキル又はフルオロアルキ
ル又はフェニルであり、Ｒ4 はＣ1-4 アルキル又はアル
コキシであり、ｍは０〜２であり、ｎは約４〜２５の範
囲内にあり、ｐは１〜１００の平均値を有する）であ
る］、及び任意成分として(Ｃ)下記の式(Ｖ)の構造単位 【化５】 （式中、Ａ1 及びＡ2 は各々独立に非置換又は置換ｍ−
又はｐ−フェニレンであり、Ｙは単結合又はＡ1 とＡ2
とを原子１個又は２個で隔てる連結基である）を含んで
なる複屈折率の低いコポリエステルカーボネート。 - 【請求項２】 前記構造単位(Ａ)が次式を有する、請求
項１記載のコポリエステルカーボネート。 【化６】 - 【請求項３】 前記構造単位(Ａ)約７０〜８５モル％、
及びＲ1 が式(III)でしかもｎが約６〜１８の範囲内に
ある前記構造単位(Ｂ)約５〜２５モル％を含んでなる、
請求項２記載のコポリエステルカーボネート。 - 【請求項４】 ｎが１０である、請求項３記載のコポリ
エステルカーボネート。 - 【請求項５】 構造単位(Ａ)約８０モル％と構造単位
(Ｂ)約２０モル％を含んでなる、請求項４記載のコポリ
エステルカーボネート。 - 【請求項６】 式(Ｖ)の構造単位(Ｃ)をさらに含んでな
る、請求項３記載のコポリエステルカーボネート。 - 【請求項７】 ｎが１０であり、Ａ1 及びＡ2 が各々ｐ
−フェニレンであり、Ｙがイソプロピリデンである、請
求項６記載のコポリエステルカーボネート。 - 【請求項８】 ７２モル％の構造単位(Ａ)、１０モル％
の構造単位(Ｂ)及び１８モル％の構造単位(Ｃ)を含んで
なる、請求項７記載のコポリエステルカーボネート。 - 【請求項９】 界面重合、トランスエステル化、再分配
又は固相重合で製造された、請求項２記載のコポリエス
テルカーボネート。 - 【請求項１０】 請求項１記載のコポリエステルカーボ
ネートを含んでなる光情報記録媒体。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US3248096P | 1996-12-09 | 1996-12-09 | |
| US60/032480 | 1996-12-09 | ||
| US08/927136 | 1996-12-09 | ||
| US08/927,136 US5859833A (en) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | Optical disk grade copolyestercarbonates derived from hydroxyphenylindanols |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10231359A true JPH10231359A (ja) | 1998-09-02 |
Family
ID=26708478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9331550A Pending JPH10231359A (ja) | 1996-12-09 | 1997-12-02 | ヒドロキシフェニルインダノール類から誘導される光ディスクグレードのコポリエステルカーボネート |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0846711B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10231359A (ja) |
| CN (1) | CN1210115A (ja) |
| DE (1) | DE69728241T2 (ja) |
| SG (1) | SG68642A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002539310A (ja) * | 1999-03-18 | 2002-11-19 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 光学製品での使用に適したポリカーボネート |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69914352T2 (de) * | 1998-10-29 | 2004-12-09 | General Electric Co. | Witterungsbeständige blockcopolyestercarbonate und diese enthaltende polymerlegierungen |
| US6221556B1 (en) | 1999-03-05 | 2001-04-24 | General Electric Company | Article for optical data storage device |
| JP2002541317A (ja) * | 1999-04-13 | 2002-12-03 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 光情報記憶媒体 |
| US6143858A (en) * | 1999-07-30 | 2000-11-07 | General Electric Company | Polyestercarbonate comprising residues of branched diacids |
| EP1268604A1 (de) * | 2000-03-23 | 2003-01-02 | Bayer Aktiengesellschaft | Polyestercarbonate und datenträger daraus |
| US6593425B2 (en) | 2000-05-31 | 2003-07-15 | General Electric Company | Data storage media containing transparent polycarbonate blends |
| US6689862B2 (en) * | 2002-07-03 | 2004-02-10 | General Electric Company | Polyestercarbonates and methods of manufacture |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61113615A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-31 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 芳香族ポリエステル共重合体 |
| JPH0652585B2 (ja) * | 1984-12-24 | 1994-07-06 | 三井東圧化学株式会社 | 光学用成形品 |
| US4950731A (en) * | 1987-04-20 | 1990-08-21 | General Electric Company | Method for preparing spirobiindane polycarbonates |
| JP3636226B2 (ja) * | 1995-06-14 | 2005-04-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 電子写真感光体 |
-
1997
- 1997-12-02 JP JP9331550A patent/JPH10231359A/ja active Pending
- 1997-12-03 SG SG1997004283A patent/SG68642A1/en unknown
- 1997-12-08 EP EP19970309850 patent/EP0846711B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-08 DE DE1997628241 patent/DE69728241T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-09 CN CN 97114154 patent/CN1210115A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002539310A (ja) * | 1999-03-18 | 2002-11-19 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 光学製品での使用に適したポリカーボネート |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0846711A2 (en) | 1998-06-10 |
| EP0846711A3 (en) | 2000-08-30 |
| DE69728241D1 (de) | 2004-04-29 |
| CN1210115A (zh) | 1999-03-10 |
| EP0846711B1 (en) | 2004-03-24 |
| DE69728241T2 (de) | 2005-04-14 |
| SG68642A1 (en) | 1999-11-16 |
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