JP2002541317A

JP2002541317A - 光情報記憶媒体

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Publication number: JP2002541317A
Application number: JP2000611275A
Authority: JP
Inventors: デービス，ゲーリー・チャールズ; ローゼンキスト，ナイルズ・リチャード; サイベール，ポール・ディーン; ジーノジワラ，アリ; ハバード，スティーブン・エフ; キング，ジョセフ・アンソニー，ジュニア; レイモンド，ポール・クリータス，ザ・サード; ヴァン・ホウト，ルード; 健一石和
Original assignee: General Electric Co
Current assignee: General Electric Co
Priority date: 1999-04-13
Filing date: 1999-04-13
Publication date: 2002-12-03
Also published as: EP1177551A1; WO2000062287A1

Abstract

(57)【要約】本発明では、ＶＢＲの低い基板を含む光情報記憶媒体が提供される。好ましい実施形態では、コポリエステルカーボネートを含め、物理的性質と光学特性に優れた一群のコポリカーボネートからなる基板を有する光ディスクが提供される。これらのコポリカーボネートは特定の組成範囲内の割合の構造単位を有しており、この範囲で規定される材料は、その大部分が、低いＶＢＲを始めとする所望の光学特性を有する光ディスクへと成形できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術的背景】

本発明は、光情報記憶媒体に関し、さらに具体的には、垂直複屈折が低く、反
射層を支持する基板（基材、例えば透明熱可塑性プラスチック）によるピット／
溝複製能に優れた光ディスクに関する。

【０００２】コンピューターで用いられるＣＤ−ＲＯＭディスクやコンパクトオーディオデ
ィスクを例とする光ディスク等の光情報記憶媒体は大量のディジタルデータの記
憶手段として普及している。光ディスクに記憶されたデータは平面偏光レーザー
ビームと偏光感受性検出法によって読み取られる。特に、コンパクトディスクや
ＤＶＤでは、レーザービームは通常、回転ディスク中のポリカーボネートで支持
された反射性金属表面によって反射される。金属表面は２進データに対応したピ
ット（窪み）を有しており、ピットは同心状の溝に配置されている。光ディスク
は、反射レーザー光を解析してその光がピットに当たったか否かを決定すること
によって「読み取られる」。レーザーがポリカーボネートを通過する際に生じ得
る偏光依存性効果は反射レーザー光をひずませ、正確な読み取りを妨げるので、
かかる効果は最小限に抑える必要がある。

【０００３】ポリカーボネートは光ディスクに最も一般的に使われているポリマーである。
ポリカーボネートは、透明で好適な物理的性質を有しているのでこの目的に特に
適している。

【０００４】光ディスク、特に再生−記録型ディスク及び情報記録容量の大きいディスクの
開発を進めるには、様々な物理的因子が益々重要となる。ディスクの記録容量と
密接に関連した因子の一つは、複屈折、すなわち直交する２方向に偏光した光の
屈折率の差である。複屈折はレーザービームの異なる偏光成分間の位相リターデ
ーション（すなわち偏光依存性効果）を招き、ディスクの読み取り性を低下させ
る。

【０００５】複屈折は、ディスク製造原料の化学的性状、ディスク内での分子配向、及び製
造されたプラスチック光ディスク内の熱応力を始めとする幾つかの原因をもつ。
そこで、ディスクで観察される複屈折は、固有の複屈折を左右する分子構造と、
熱応力及びポリマー鎖の配向を生じる可能性のある加工条件とで決まる。具体的
には、観測される複屈折は典型的には固有の複屈折に加えて光ディスクなどの製
品の成形時に導入された複屈折の関数である。光ディスクで観察される複屈折は
典型的には「垂直」複屈折といわれる測定値を用いて定量化されるが、これにつ
いては後で詳しく説明する。

【０００６】ビスフェノール−Ａ（すなわち、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン）から作られたポリカーボネートは高い固有の複屈折を有することが知ら
れている。また、スピロ（ビス）インダン、特に６，６′−ジヒドロキシ−３，
３，３′，３′−テトラメチル−１，１′−スピロ（ビス）インダン（以下「Ｓ
ＢＩ」という。）から誘導された単位を含むホモポリカーボネートはＳＢＩ単位
の比較的剛性の分子構造とそのホモカーボネート中でのコンホメーションのため
負の固有複屈折を有することも知られている。

【０００７】固有複屈折の低い一群のコポリカーボネートが例えば米国特許第４９５０７３
１号に開示されている。かかるコポリカーボネートはビスフェノールＡとＳＢＩ
から誘導された構造単位を含んでいる。

【０００８】しかし、ＳＢＩポリカーボネートは加工性や延性などの点で劣ることも知られ
ている。その結果として、ＳＢＩポリカーボネートは、ホモポリカーボネート及
びビスフェノールＡ単位も含んだコポリカーボネートいずれも、成形時に多大な
応力が誘起される。これは光ディスクの射出成形で特にいえることであり、応力
は一段と大きくなる。かかる条件下では、含ＳＢＩポリカーボネートの低い固有
複屈折にもかかわらず、こうした応力によりディスクで観察される複屈折はかな
りのものとなり得る。

【０００９】上述の通り、光ディスクで観察される複屈折は通例「垂直」複屈折（以下「Ｖ
ＢＲ」という。）の測定によって定量化され、ＶＢＲはディスク平面に垂直に偏
光した光の屈折率とディスク平面内に偏光した光の屈折率との差として定義され
る。高いＶＢＲは、ＳＢＩポリカーボネートから成形したディスクで頻繁にみら
れる問題である。ＳＢＩポリカーボネートは容認しがたいことに２００℃を超え
る高いガラス転移温度及び甚だ高い溶融粘度を有することもある。光学記憶媒体
の適切な読み取りを確保するため、ＶＢＲはある閾値よりも低く抑える必要があ
る。

【００１０】特開平４−３４５６１６号には、ＳＢＩのようなスピロ（ビス）インダンから
誘導されるカーボネート単位と、ビスフェノールＡのようなビスフェノールから
誘導されるカーボネート単位と、セバシン酸やドデカン二酸（以下「ＤＤＤＡ」
という。）のようなジカルボン酸から誘導されるエステル単位とを含有するポリ
エステルカーボネートが開示されている。しかし、この特許公報には、かかるコ
ポリマーのどんな種類のものを用いれば、許容し得るピット／溝複製能と低いＶ
ＢＲを有する光ディスクを作成できるかについて記載されていない。

【００１１】これらのコポリエステルカーボネートから成形したディスクのＶＢＲは、デー
タの正確な読み取りができないほどＶＢＲの高いものを含めて、広い範囲で種々
異なることが判明した。さらに、かかるコポリエステルカーボネートの溶融粘度
及びガラス転移温度は高すぎて、光ディスク製造時に完全な金型充填ができない
ことが多々ある。また、かかるコポリエステルカーボネートでは金属表面のピッ
トを適切に充填できないことがある。これらの問題はいずれも読み取り可能な光
ディスクの製造の妨げとなる。

【００１２】光ディスクグレードのポリカーボネートは、従来の界面法及び溶融重合法のみ
ならず、例えば米国特許第５４１４０５７号に記載されているような再分配法、
及び固相重合で製造することができる。

【００１３】従来技術の材料の上述の欠点に鑑み、ＶＢＲが低くピット／溝複製能に優れた
光ディスクの新規製造方法を開発することが重要である。

【００１４】

【発明の概要】

本明細書で使用する基板という用語は、情報を読み取るためレーザービームが
伝送される透明な物質をいう。反射層という用語は、基板内に支持されレーザー
ビームを反射する反射性表面（典型的には金属薄層）をいう。光情報記憶媒体と
いう用語は、基板と反射性表面の組合せをいう。

【００１５】本発明では、ＶＢＲの低い基板を含む光情報記憶媒体が提供される。好ましい
実施形態では、コポリエステルカーボネートを含め、物理的性質と光学特性に優
れた一群のコポリカーボネートからなる基板を有する光ディスクが提供される。
これらのコポリカーボネートは特定の組成範囲内の割合の構造単位を有しており
、この範囲で規定される材料は、その大部分が、低いＶＢＲを始めとする所望の
光学特性を有する光ディスクへと成形できる。

【００１６】したがって、一つの態様では、本発明は、垂直複屈折３．０×１０^-4未満の基
板に関するが、この媒体は、ガラス転移温度が１５０℃未満、好ましくは１４０
℃未満で、後で定義するＭＶＩ値が４０ｃｃ／１０分以上、好ましくは５０ｃｃ
／１０分以上のコポリカーボネートからなる。このコポリカーボネートは、好ま
しくは、（Ａ）式（Ｉ）の構造単位（以下「（Ａ）単位」という。）４０モル％未満

【００１７】

【化１３】

【００１８】（式中、Ｒ²はＣ_1-3アルキル又はフェニルであり、Ｒ³はＣ_1-3アルキルであり、
ｐは１又は２である。）、（Ｂ）式（II）の構造単位（以下「（Ｂ）単位」という。）５０〜８５モル％

【００１９】

【化１４】

【００２０】（式中、Ｒ¹はｍ−フェニレンオキシ、アルキレンヒドロキシ酸又は次式の基で
ある。

【００２１】

【化１５】

【００２２】（ただし、ｎは約４〜２５の範囲である。））、及び（Ｃ）式（IV）の構造単位（以下「（Ｃ）単位」という。）からなる残部

【００２３】

【化１６】

【００２４】（式中、Ａ¹とＡ²は各々独立に非置換又は置換ｍ−又はｐ−フェニレンであり、
ＹはＡ¹とＡ²を原子１個又は２個で隔てる結合基であり、ｎは０又は１である。
）からなる。

【００２５】

【好ましい実施の形態】

本明細書に記載する光ディスクは好ましくは３．０×１０^-4未満のＶＢＲを有
する。光ディスクを製造すべく成形されるコポリカーボネートは１５０℃未満、
好ましくは１４８℃未満のガラス転移温度、及び４０ｃｃ／１０分以上のＭＶＩ
を有する。さらに好ましくは、コポリカーボネートは５０ｃｃ／１０分以上のＭ
ＶＩを有する。

【００２６】本明細書中で説明するコポリカーボネートは上記の（Ａ）単位を含む。この単
位は、ＳＢＩ、その５，５′−ジヒドロキシ異性体又はその同族体から誘導され
る。本発明の好ましい実施形態では、コポリマーは、４０モル％未満、さらに好
ましくは３０モル％未満の式（Ｉ）で表される（Ａ）単位を含む。式（Ｉ）にお
けるＲ²基はＣ_1-3アルキル又はフェニルである。そこで、式Ｉの単位は、ビスフ
ェノールＡ以外のビスフェノール類、例えば２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−フェニルエタン
、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン又は２，２−
ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンから形成される同
族体から誘導され得る。ＳＢＩ及びその５−メチル同族体から誘導される単位が
好ましく、ＳＢＩが最も好ましい。

【００２７】コポリカーボネートはさらに（Ｂ）単位を含む。これらは、レゾルシノールカ
ーボネート単位、アルキレンヒドロキシ酸、及び式IIIの基を含むエステル単位
からなる群から選択し得る。式IIIにおけるｎは約４〜２５、好ましくは約６〜
１８である。

【００２８】コポリカーボネートはさらに（Ｃ）単位を含むが、これは式IVのビスフェノー
ルカーボネート単位である。式IVにおけるＡ¹及びＡ²はｍ−又はｐ−フェニレン
基であり、置換されていてもよいが、好ましくは置換されていない。式IVにおけ
るＹ基はＡ¹とＡ²を隔てる原子を１又は２個、好ましくは１個有している。Ｙは
普通はメチレン、イソプロピリデン又はエチレンのような炭化水素基であるが、
炭素と水素以外の原子を含む基（例えば、２，２−ジクロロエチリデンのような
置換基、及びオキシ、チオ、スルホキシ、スルホンなどのヘテロ原子を含む基）
であってもよい。Ｙ基は存在していても（ｎ＝１）、存在していなくてもよい（
ｎ＝０、このとき構造単位はビフェニルから誘導される。）。式IVの好ましいカ
ーボネート単位は、Ａ¹及びＡ²がｐ−フェニレンで、Ｙがイソプロピリデンであ
るビスフェノールＡカーボネート単位である。

【００２９】発明の概要の項で定義した（Ａ）単位と（Ｃ）単位を含む他の幾つかのコポリ
カーボネートも好適な加工特性及び光学特性を有していると考えられる。例えば
、Ｒ¹がアルキレン基、特にテトラメチレン、ヘキサメチレン、ネオペンチレン
のようなＣ_4-25アルキレン基、又はグリセリルモノステアレートから誘導された
アルキレン基であるようなＢ単位を含むコポリカーボネートが好適である。また
、次式のモノマー単位もコポリカーボネートに好適に組み込むことができる。

【００３０】

【化１７】

【００３１】ただし、Ｒ²はＣ_2-6アルキレン又はＯであり、Ｒ³はＣ_1-4第一又は第二アルキル
もしくはフルオロアルキル又はフェニルであり、Ｒ⁴はＣ_1-4アルキル又はアルコ
キシであり、ｍは０〜２であり、ｐは１〜１００の平均値を有する。これらの基
の中では、Ｒ²がトリメチレンで、各Ｒ³がメチルで、Ｒ⁴がメトキシでシロキシ
鎖に対してメタに位置し、ｍが１であるオイゲノールポリジメチルシロキサン基
が特に好ましい。

【００３２】基板として有用なコポリカーボネートは低いＶＢＲを有する光ディスクに成形
可能でなければならない。同等な分子量のビスフェノールＡホモポリカーボネー
トから成形した光ディスクは通常高いＶＢＲを有している。

【００３３】複屈折は、通例、直線偏光レーザーと可変移相子を用いて測定される。光ディ
スクで生じた偏光のリターデーションは、直線偏光子とロックイン増幅器からな
る検出系を用いて分析される。ディスクに垂直な入射光でのリターデーションと
（垂直以外の）既知の角度でレーザーを入射したときのリターデーションとを用
いてＶＢＲを求める。

【００３４】本明細書に記載のコポリカーボネートは、１５０℃以下のガラス転移温度、及
び後述の条件下でのＡＳＴＭ法で測定して４０ｃｃ／１０分以上、好ましくは５
０ｃｃ／１０分以上のメルトボリュームインデックスを始めとする優れた物理的
性質を有する。これらの物理的性質はポリマーの加工を容易にする。特に、上記
コポリカーボネートは加工時に充分な流動性をもち、光ディスク金型中のピット
及び溝を有効に充填し、成形ディスクにはピット、溝及びランドが正確に複製さ
れ、データの適正な読み取りが可能になる。

【００３５】メルトフロー及びメルトボリュームパラメーターは溶融粘度の逆数に関連する
。これらの値は、その測定法によって大きく変わり得る。本明細書で使用する「
ＭＶＩ」という用語は、ＡＳＴＭＤ１２３８法に記載の装置で以下の条件下で
測定したメルトボリュームインデックスをいう。試料重量７ｇ、温度３００℃、重り（荷重）１．２ｋｇＡＳＴＭＤ１２３８法は援用によって本明細書に取り込まれる。

【００３６】また、本明細書に記載のコポリカーボネートは、正確な読み取りの可能な光デ
ィスクの製造に適した上記規定のガラス転移温度、メルトボリュームインデック
ス及びＶＢＲ特性を有することが必要とされる。発明の概要の項に記載の組成範
囲内のポリマーには、所要の物理的性質をもたないものもある。例えば、共に規
定範囲内ではあるが、高い割合のＳＢＩ単位と低い割合のＢ単位とを組み合わせ
ると、本発明の範囲外となる高いガラス転移温度を有するポリマーが得られるこ
とがある。しかし、かかる場合でも、本明細書に開示した規定範囲内の他のパラ
メーターを調節することにより適切なコポリマーが得ることができる。

【００３７】別の例として、コポリカーボネートの加工パラメーター及びその成形ディスク
のＶＢＲはそのポリマーの分子量にある程度依存する。すなわち、同じ割合の構
造単位を有しているが分子量の異なるコポリカーボネートは、物理的性質の点で
適切であることもあるし、不適切なこともある。当業者であれば、簡単な実験で
最適な分子量を決定し、当技術分野で周知の方法によって至適分子量を有するコ
ポリカーボネートを製造することができるであろう。かかる当技術分野で周知の
方法としては、例えば、重合反応時に界面ポリカーボネート反応混合物に配合す
るフェノール等の末端封鎖剤の割合を変更することが挙げられる。

【００３８】コポリカーボネートは２５０℃で１０〜１００秒^-1の剪断速度でチキソトロピ
ー性でなければならない。換言すれば、この範囲内及び普通はそれ以上の剪断速
度において剪断速度を高めるとその粘度は低下すると期待される。これにより、
ＶＢＲを３．０×１０^-4以下に抑えて光ディスクを成形することができようにな
る。

【００３９】本発明のコポリカーボネートは、界面法、エステル交換法及び再分配法のよう
な従来のポリカーボネート合成法、又は例えば米国特許第４９４８８７１号、同
第５２０４３７７号、同第５２６６６５９号及び同第５２８８８３８号（これら
の開示内容は援用によって本明細書に取り込まれる。）に記載の固相重合法で製
造し得る。これらの方法はすべて数多くの特許及び刊行物の主題とされており、
本明細書中での詳細な説明を要しない。式IIでＲ¹が式IIIであるようなエステル
単位は、界面法で対応ジカルボン酸又は酸塩化物を使用したり、或いは溶融法又
は固相法でかかる酸のジアルキルエステル又はジアリールエステル（大抵はジフ
ェニルエステル）を使用することによってポリカーボネートに導入できる。

【００４０】本発明の光情報記憶媒体には、光ディスク、例えば、オーディオディスク、レ
ーザーディスク（登録商標）、ＣＤ−ＲＯＭディスク、ＤＶＤディスク、追記型及び記録型ＣＤ及びＤＶＤフォーマット、光磁気ディスク、その他レーザーで情報を読み取るディジタル記憶媒体が包含される。かかる媒体は本発明のコポリカーボネートから当技術分野で周知の手段によって製造できる。

【００４１】

【実施例】

以下の実施例で本発明の光ディスクの製造を例示する。特記しない限り、パー
セントはすべて重量％である。特記しない限り、分子量は重量平均分子量であり
、ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定し
た。

【００４２】実施例１−光ディスクの製造１００リットルの攪拌槽型反応器に、２７２０ｇ（８．８２０モル）のＳＢＩ
、８４１８ｇ（３６．８７３モル）のビスフェノールＡ、７６１．７ｇ（３．３
０８モル）のドデカン二酸、４８３．７ｇ（２．２７８モル）のｐ−クミルフェ
ノール、５９Ｌの塩化メチレン、３５Ｌの水、３３４ｇの７５％塩化トリ−ｎ−
ブチルアンモニウム水溶液、及び０．９ｇの１−メチルピペリジンを入れた。混
合物を攪拌しながらホスゲン３４００ｇ（３４．３６モル）を４１分間通し、５
０％水酸化ナトリウム水溶液の添加によりｐＨを８．０〜９．０に維持した。こ
の後、追加のホスゲン２１８０ｇ（２２モル）を加えた。

【００４３】有機溶液をまず２０Ｌの塩化メチレンで希釈した後分離し、二回洗浄した。生
成物を蒸気沈殿させた。沈殿した生成物を乾燥した。この生成物は、Ａ単位、Ｂ
単位、Ｃ単位それぞれ１８モル％、６．７５モル％、７５．２５モル％からなる
所望のポリエステルカーボネートであった。重量平均分子量は１７８３０ｇ／モ
ル、ガラス転移温度は１４０．１℃であった。２７１℃で押出し、３３０℃及び
３２０℃（表中に表示）でそれぞれ射出成形して２種類の光ディスクを製造した
。

【００４４】上記方法でドデカン二酸を適量のレゾルシノールで置き換えることによって類
似のコポリマーを製造することもできよう。

【００４５】実施例２−光ディスクの製造下記表１に示す様々なコポリマーから各種光ディスクを製造した。実施例１に
記載した製造は試料１３に相当する。

【００４６】表１でＶＢＲ３０及びＶＢＲ４０として示したデータは、光ディスクの中心か
らそれぞれ３０ｍｍ及び４０ｍｍの位置で測定したＶＢＲ測定値に対応する。３
３０℃及び３２０℃の射出温度で異なるディスクを作成してＶＢＲを測定した。

【００４７】

【表１】

【００４８】実施例３−ピット／溝複製能実施例２で製造した光ディスクの幾つかの試料を試験して、ディスクからデー
タを正確に読み取れる適切なピット／溝複製能が得られるか否かを決定した。ピ
ット／溝複製能を測定するために以下の手順を用いた。

【００４９】原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて光ディスクの表面を走査した。ピットの深
さは大きく変化しなかったが、ピットと溝の幅は組成とＴｇと共に変化した。ラ
ンド領域と溝領域からなるディスクの表面を図１に示す。ランド頂部１０とラン
ド底部３０の平らな領域の幅は同じスタンパーを用いて成形したポリカーボネー
トディスクと同等であった。同様に溝の頂部２０と溝の底部４０も同等であった
。許容範囲内のピット／溝複製能には、ランドと溝の頂部と底部の値がすべて、
同一スタンパーで成形した対照ポリカーボネートディスクに対する値の３０％以
内、好ましくは２５％以内でなければならない。許容範囲内のピット／溝複製能
は光ディスクの的確な読み取りが可能となる。２５％の評価基準に基づいて、試
料２、３、４、５、１０、１２はピット／溝複製能が不適切であった。

【００５０】

【表２】

【００５１】幾つかの好ましい実施形態に関して本発明を詳細に説明したが、他の実施形態
も可能である。例えば、本明細書に記載の低複屈折のコポリカーボネートは、ポ
リカーボネートのあらゆるタイプの典型的用途、特に低い複屈折及び／又は低い
微粒子含量が多少なりとも有利である場合に有利に使用できるであろう。特に、
本明細書に記載のコポリカーボネートは光学媒体用フィルム、近視野光学記録用
途、眼鏡レンズ用途、レーザー用途、カメラ及び撮像用レンズ、液晶基板、バイ
ザー、航空機キャノピー、グレイジング、ディスプレイスクリーン、絵付成形部
品、導波路（例えば、シングルモードとマルチモードのオプチカルファイバー用
のコア及び／又はクラッド、スラブ導波路又はチャネル導波路、及び光パイプ）
、並びにモジュレーター（例えば電気光学又は音響光学）のような活性光子装置
に使用できる。さらに、本明細書に記載のコポリカーボネートは射出成形、繊維
紡糸、押出、溶液鋳造、その他ポリカーボネートと適合するいかなる製造法によ
る物品の製造にも使用できる。ポリカーボネートと相溶性であることが知られて
いる各種の添加剤（例えばポリテトラフルオロエチレン）を本発明のポリカーボ
ネートに配合することもできる。また、公知の離型剤及び熱安定剤は一般に光デ
ィスク樹脂に含まれる。したがって、特許請求の範囲の技術的思想及び範囲は本
明細書に記載の好ましい実施形態の説明に限定されることはない。

【図面の簡単な説明】

【図１】溝部とランド部とを有する光ディスク試料の断面の表面形状走査図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者サイベール，ポール・ディーンアメリカ合衆国、47712、インディアナ州、エバンスビル、ハイウェイ・66・アールアール・３、11620番 (72)発明者ジーノジワラ，アリアメリカ合衆国、44320、オハイオ州、アクロン、キブラー、2579番 (72)発明者ハバード，スティーブン・エフアメリカ合衆国、47620、インディアナ州、マウント・バーノン、サウス・デビッド・ドライブ、3401番 (72)発明者キング，ジョセフ・アンソニー，ジュニアアメリカ合衆国、23113、バージニア州、ミッドロージアン、ケントフォード・ロード、2531番 (72)発明者レイモンド，ポール・クリータス，ザ・サード東京都港区南麻布４丁目９番５号 (72)発明者ヴァン・ホウト，ルードオランダ、エヌエル−4661・ブイエックス・ハルステレン、グリップケショフ−ジー（番地なし) (72)発明者石和健一栃木県小山市稲葉郷43−４Ｆターム(参考） 4J029 AA08 AB07 AC02 AD07 AD10 AE05 BB04A BB10A BB12A BB13A BC09 BD10 BF13 BF14A BG07Y BG08Y BH02 BH04 DB07 DB11 DB13 EA01 HC01 JA091 JF031 KE02 KE11 KE12 5D029 KA08 KC07 KC11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】垂直複屈折３．０×１０^-4未満の基板を有する光情報記憶媒
体であって、前記基板が１５０℃未満のガラス転移温度と４０ｃｃ／１０分以上
のＭＶＩを有するコポリカーボネートを含んでおり、前記コポリカーボネートが
、（Ａ）式（Ｉ）の構造単位４０モル％未満【化１】（式中、Ｒ²はＣ_1-3アルキル又はフェニルであり、Ｒ³はＣ_1-3アルキルであり、
ｐは１又は２である。）、（Ｂ）式（II）の構造単位５０〜８５モル％【化２】（式中、Ｒ¹はｍ−フェニレンオキシ、アルキレンヒドロキシ酸又は次式の基で
ある。【化３】（ただし、ｎは約４〜２５の範囲である。））、及び（Ｃ）式（IV）の構造単位からなる残部【化４】（式中、Ａ¹及びＡ²は各々独立に非置換又は置換ｍ−又はｐ−フェニレンであり
、ＹはＡ¹とＡ²を原子１個又は２個で隔てる結合基であり、ｎは０又は１である
。）からなる、前記光情報記憶媒体。
【請求項２】前記記憶媒体が光ディスクである、請求項１記載の光情報記
憶媒体。
【請求項３】前記コポリカーボネートが許容範囲内のピット／溝複製能を
有する、請求項２記載の光ディスク。
【請求項４】Ｒ²がメチルであり、ｐが０である、請求項３記載の光ディ
スク。
【請求項５】Ａ¹及びＡ²が各々ｐ−フェニレンであり、Ｙがイソプロピリ
デンである、請求項４記載の光ディスク。
【請求項６】コポリカーボネートが２５０℃において１０〜１００秒^-1の
剪断速度でチキソトロピー性である、請求項４記載の光ディスク。
【請求項７】Ｒ¹がｍ−フェニレンオキシである、請求項５記載の光ディ
スク。
【請求項８】Ｒ¹が式IIIを有する、請求項５記載の光ディスク。
【請求項９】ｎが６〜１８である、請求項８記載の光ディスク。
【請求項１０】ｎが８〜１０である、請求項９記載の光ディスク。
【請求項１１】式（Ｉ）の単位が次式を有する、請求項５記載の光ディス
ク。【化５】
【請求項１２】前記コポリカーボネートが、界面重合、エステル交換、再
分配及び固相重合からなる群から選択される合成技術を用いて製造されたもので
ある、請求項３記載の光ディスク。
【請求項１３】（Ａ）式（Ｉ）の構造単位４０モル％未満【化６】（式中、Ｒ²はＣ_1-3アルキル又はフェニルであり、Ｒ³はＣ_1-3アルキルであり、
ｐは１又は２である。）、（Ｂ）式（II）の構造単位５０〜８５モル％【化７】（式中、Ｒ¹はｍ−フェニレンオキシ、アルキレンヒドロキシ酸又は次式の基で
ある。【化８】（ただし、ｎは約４〜２５の範囲である。））、及び（Ｃ）式（IV）の構造単位からなる残部【化９】（式中、Ａ¹及びＡ²は各々独立に非置換又は置換ｍ−又はｐ−フェニレンであり
、ＹはＡ¹とＡ²を原子１個又は２個で隔てる結合基であり、ｎは０又は１である
。）からなるコポリカーボネートを成形することを含んでなる、光情報記憶媒体の製
造方法。
【請求項１４】光学記憶媒体が光ディスクである、請求項１３記載の方法
。
【請求項１５】光ディスクが許容範囲内のピット／溝複製能を有する、請
求項１４記載の方法。
【請求項１６】（Ａ）式（Ｉ）の構造単位４０モル％未満【化１０】（式中、Ｒ²はＣ_1-3アルキル又はフェニルであり、Ｒ³はＣ_1-3アルキルであり、
ｐは１又は２である。）、（Ｂ）式（II）の構造単位５０〜８５モル％【化１１】（式中、Ｒ¹はｍ−フェニレンオキシである。）、及び（Ｃ）式（IV）の構造単位からなる残部【化１２】（式中、Ａ¹及びＡ²は各々独立に非置換又は置換ｍ−又はｐ−フェニレンであり
、ＹはＡ¹とＡ²を原子１個又は２個で隔てる結合基であり、ｎは０又は１である
。）からなるコポリカーボネート。
【請求項１７】請求項１６記載のコポリカーボネートを含んでなる光情報
記憶媒体。