JPS61148401A - 光学用成形品 - Google Patents
光学用成形品Info
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- JPS61148401A JPS61148401A JP59270789A JP27078984A JPS61148401A JP S61148401 A JPS61148401 A JP S61148401A JP 59270789 A JP59270789 A JP 59270789A JP 27078984 A JP27078984 A JP 27078984A JP S61148401 A JPS61148401 A JP S61148401A
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- JP
- Japan
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- optical
- mole
- structural unit
- molded article
- hydroxyphenyl
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光デイスク基板、プラスチックレンズ、ディス
プレー用透明電極基板等のオプトエレクトロニクス分野
シーおける光学部品として有用な成形品（二関する。
プレー用透明電極基板等のオプトエレクトロニクス分野
シーおける光学部品として有用な成形品（二関する。
近年、情報処理分野（二おいて光の性質を利用した、例
えハ光メモリー、プロジェクションテレビ、液晶、エレ
クトロルミネッセンス等を利用したディスプレー等の各
種のオプトエレクトロニクス製品が広く実用化され、こ
れらの製品（；光透過性の各種の光学用成形部品、例え
ば光デイスク基板、プラスチックレンズ、ディスプレー
用透明電極基板が使用され始めている。
えハ光メモリー、プロジェクションテレビ、液晶、エレ
クトロルミネッセンス等を利用したディスプレー等の各
種のオプトエレクトロニクス製品が広く実用化され、こ
れらの製品（；光透過性の各種の光学用成形部品、例え
ば光デイスク基板、プラスチックレンズ、ディスプレー
用透明電極基板が使用され始めている。
上記の諸部品（＝おいては、光学的均質性（例えば複屈
折等が少いこと）、熱や吸湿（二よる変形等が少いこと
が強く望まれている。特に光ディスク基板においては、
基板を通して反射率や透過率の差異を信号出力としてと
りだす為複屈折の良否は直接信号雑音比（＝影響を与え
る。この問題は、再生専用光ディスク、永久書込光ディ
スク、消去可能光ディスク、光カード等（＝共通してい
るが、偏光の回転（カー効果）（＝よって信号の読みだ
しを行う光磁気記録では特（−その影響は顕著である。
折等が少いこと）、熱や吸湿（二よる変形等が少いこと
が強く望まれている。特に光ディスク基板においては、
基板を通して反射率や透過率の差異を信号出力としてと
りだす為複屈折の良否は直接信号雑音比（＝影響を与え
る。この問題は、再生専用光ディスク、永久書込光ディ
スク、消去可能光ディスク、光カード等（＝共通してい
るが、偏光の回転（カー効果）（＝よって信号の読みだ
しを行う光磁気記録では特（−その影響は顕著である。
又、光ディスクは、レーザビームを１〜２ミクロンに絞
って信号の書込み、読みだしを行う為に、基板の熱や吸
湿（：よる変形は焦点制御の観点から極力さけねばなら
ず、元ディスクの記録層の形成（通常スパッタリング等
の無機薄膜の形成）や貯蔵条件（二おいて変形な壬じな
いだけの耐熱性や低吸湿性が必要である。
って信号の書込み、読みだしを行う為に、基板の熱や吸
湿（：よる変形は焦点制御の観点から極力さけねばなら
ず、元ディスクの記録層の形成（通常スパッタリング等
の無機薄膜の形成）や貯蔵条件（二おいて変形な壬じな
いだけの耐熱性や低吸湿性が必要である。
プラスチックスは、光透過性でかつ成形が容易なことか
ら、又軽量でかつ（１［ＩＪＩ等の外力（二上って破壊
され（＝くいことからは光学用成形品（二好適と考えら
れているが、境状孟二おいては前記の要求をすべて満足
できる程度（二兼ね備えたものは開発されていなかった
。例えば、複屈折現象の少いメタクリル樹脂は耐熱性や
吸湿による変形（二問題があり、ポリカーボネート寺の
耐熱性（二優れ、引による変形の小さい樹脂では、複屈
折現象が大きく、偏光（二対する光学的均質性（二難点
がある。上記の背景から、上記の三つの問題点を解決し
た光学用成形材料の開発が希求されていた。
ら、又軽量でかつ（１［ＩＪＩ等の外力（二上って破壊
され（＝くいことからは光学用成形品（二好適と考えら
れているが、境状孟二おいては前記の要求をすべて満足
できる程度（二兼ね備えたものは開発されていなかった
。例えば、複屈折現象の少いメタクリル樹脂は耐熱性や
吸湿による変形（二問題があり、ポリカーボネート寺の
耐熱性（二優れ、引による変形の小さい樹脂では、複屈
折現象が大きく、偏光（二対する光学的均質性（二難点
がある。上記の背景から、上記の三つの問題点を解決し
た光学用成形材料の開発が希求されていた。
本発明は上記した３つの問題点を解決した、すなわち複
屈折が少く、耐熱性にすぐれ、更Ｃ二吸湿性が小さい材
料を用いたオプトエレクトロニクス製品（＝好適な光学
用成形品を提供することを目的とする。この目的は、以
下Ｃ＝示す本発明ニーよって達成できる。
屈折が少く、耐熱性にすぐれ、更Ｃ二吸湿性が小さい材
料を用いたオプトエレクトロニクス製品（＝好適な光学
用成形品を提供することを目的とする。この目的は、以
下Ｃ＝示す本発明ニーよって達成できる。
不発明は、下記一般式囚で表わされる構造単位を少なく
とも有し、下記一般式（Ｂ）で表わされる構造単位 （上記２つの式中、Ｘは炭素数１〜８の２価の炭化水素
基、０、Ｃ０１Ｓ、ＳＯ又はＳＯ，、Ｒ１〜Ｒ番は互い
（−同一でも異なってもよく、水素又は炭素数１〜５の
炭化水素基を表わす。）を有してもよい（共）■合体で
あって、両構造単位囚及び（Ｂ）の全モル数（二対して
構造単位（Ａ）の占めるモル数が５％以上である（共）
電合体を成形してなる光学用成形品である。
とも有し、下記一般式（Ｂ）で表わされる構造単位 （上記２つの式中、Ｘは炭素数１〜８の２価の炭化水素
基、０、Ｃ０１Ｓ、ＳＯ又はＳＯ，、Ｒ１〜Ｒ番は互い
（−同一でも異なってもよく、水素又は炭素数１〜５の
炭化水素基を表わす。）を有してもよい（共）■合体で
あって、両構造単位囚及び（Ｂ）の全モル数（二対して
構造単位（Ａ）の占めるモル数が５％以上である（共）
電合体を成形してなる光学用成形品である。
本発明の光学用成形品（二ついては、
を有する特定のポリカーボネート樹脂から成形されるこ
と１：最大のポイントがある。
と１：最大のポイントがある。
構造単位囚を有するものを製造する（二は、一般式類の
単量体を用いて達成できる。
単量体を用いて達成できる。
上記単量体は、檀々の方法で得られるが、例えばイソプ
ロペニルフェノール類またはその二斌体より、酸触媒の
存在下に加熱して得る方法〔例えば特開昭５４−７６．
５６４号、特公昭５５−１１，６５１号、米国特許４，
３３４，１０６号、米国特許３，２８８，８６４号〕、
ビスフェノール類を直接酸触媒の存在下（二加熱する方
法〔米国特許２，９７９，５３４号〕、α−アルキルス
チレン類の三量化Ｃ二よって得られるインダン化合物を
スルホン化、アルカリ溶融して得る方法〔米国特許２，
８１９，２４９号、米国特許２，７５４，２８５号〕な
どが知られている。
ロペニルフェノール類またはその二斌体より、酸触媒の
存在下に加熱して得る方法〔例えば特開昭５４−７６．
５６４号、特公昭５５−１１，６５１号、米国特許４，
３３４，１０６号、米国特許３，２８８，８６４号〕、
ビスフェノール類を直接酸触媒の存在下（二加熱する方
法〔米国特許２，９７９，５３４号〕、α−アルキルス
チレン類の三量化Ｃ二よって得られるインダン化合物を
スルホン化、アルカリ溶融して得る方法〔米国特許２，
８１９，２４９号、米国特許２，７５４，２８５号〕な
どが知られている。
具体的な単量体の例としては、１．１．３−ト９メチル
３− （Ａ’−ヒドロキシフェニル）５−インダノール
、１，１．３，４．６−ベンタメテル３−（３゜５′−
ジメチル４′−ヒドロキシフェニル）５−インダノール
、１，１，３．４−テトラメチル３−（３’−メチル４
′−ヒドロキシフェニル）５−インダノール等をあげる
ことができ、これらの１種又は２棟以上が用いられる。
３− （Ａ’−ヒドロキシフェニル）５−インダノール
、１，１．３，４．６−ベンタメテル３−（３゜５′−
ジメチル４′−ヒドロキシフェニル）５−インダノール
、１，１，３．４−テトラメチル３−（３’−メチル４
′−ヒドロキシフェニル）５−インダノール等をあげる
ことができ、これらの１種又は２棟以上が用いられる。
前記のポリカーボネート樹脂は、その構成成分Ｒ１１Ｒ
＆ で表わされる構造単位（Ｂ）を有してもよい。前記のポ
リカーボネート樹脂を構成する得造単位囚及び（Ｂ）の
全モル数に対して、構造単位（Ｂ）の占めるモル＆ｉ（
以下、ｍで表わす。）は、０から９５未満の範囲ならば
よい。ｍが９５以上では、複屈折の低減が十分でないの
で不適当であり、特にｍが８５以下であることが望まし
い。
＆ で表わされる構造単位（Ｂ）を有してもよい。前記のポ
リカーボネート樹脂を構成する得造単位囚及び（Ｂ）の
全モル数に対して、構造単位（Ｂ）の占めるモル＆ｉ（
以下、ｍで表わす。）は、０から９５未満の範囲ならば
よい。ｍが９５以上では、複屈折の低減が十分でないの
で不適当であり、特にｍが８５以下であることが望まし
い。
上記構造単位（Ｂ）を与える原料としては、例えば、２
．２−ビス（Ａ′−ヒドロキシフェニル）プロパ／、ビ
ス（Ａ−ヒドロキシフェニル）メタン、２．２−ビス（
３′−メチル４′−ヒドロキンフェニル）プロパン、１
，１−ビス（Ａ′−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、ビス（Ａ′−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタ
ン、２．２−ビス（３’、５’−ジメチル４′−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、ビス（３゜５−ジメチル４−
ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（Ａ−ヒドロキンフ
ェニル）エーテル、ビス（Ａ−ヒドロキシフェニル）ス
ルフィド、ビス（Ａ−ヒドロキシフェニル）スルホキシ
ド、ビス（Ａ−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（
３，５−ジメチル４−ヒドロキシフェニル）スルホン、
ビス（Ａ−ヒドロキシフェニル）ケトンなどのビスフェ
ノール類があり、これらの１種又は２種以上が使用され
る。
．２−ビス（Ａ′−ヒドロキシフェニル）プロパ／、ビ
ス（Ａ−ヒドロキシフェニル）メタン、２．２−ビス（
３′−メチル４′−ヒドロキンフェニル）プロパン、１
，１−ビス（Ａ′−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、ビス（Ａ′−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタ
ン、２．２−ビス（３’、５’−ジメチル４′−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、ビス（３゜５−ジメチル４−
ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（Ａ−ヒドロキンフ
ェニル）エーテル、ビス（Ａ−ヒドロキシフェニル）ス
ルフィド、ビス（Ａ−ヒドロキシフェニル）スルホキシ
ド、ビス（Ａ−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（
３，５−ジメチル４−ヒドロキシフェニル）スルホン、
ビス（Ａ−ヒドロキシフェニル）ケトンなどのビスフェ
ノール類があり、これらの１種又は２種以上が使用され
る。
本発明ｄ二相いられるポリカーボネート樹脂は、上記構
造単位囚及び（Ｂ）がランダム（；連結しているランダ
ム共重合体が好ましい。
造単位囚及び（Ｂ）がランダム（；連結しているランダ
ム共重合体が好ましい。
本発明に用いられるポリカーボネート樹脂は、例えば前
記したビスフェノール類の混合物をピリジンの存在下（
：ホスゲンと反応させる方法、ビスフェノール類の混合
物のアルカリ水溶液と有機溶媒よりなる二相界面系でホ
スゲンまたはビスフェノール類のりσロホーメートを反
応させる方法、ジフェニルカーボネートとビスフェノー
ル類の混合物またはビスフェノール類の混合物の酢酸エ
ステルとの溶融重合法などの良く知られた方法により製
造することができる。（例えば Ｈ，５ａｈｎｅｌｌ”
Ｃｈｎｍｌｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
ｎｆ Ｐｎｌｙｅａｒｂｏｎａｔ＠ｓ、
”Ｉｎｔ＠ｒｓａｉ＊ｎｅｅ Ｐｕｂｌｉｓｈ＠ｒｓ
、 ＮｓｗＹｏｒｋ −Ｌｏｎｄｏｎ −５ｙｄｎｅｙ
１９６４ 参照） 本発明の成形品（二用いられるポリカーボネート樹脂は
フェノール／テトラクロルエタン（重量比６／４）の混
合溶媒中で下記の通り測定される対数粘度ηｌａｋ、が
０．１〜２．０の範囲（：あるものが好ましい。ηｌａ
ｈ、が０．１未綱では樹脂の機械的強度が十分でなく、
実用性のある光学用成形物を得ることができない。一方
、ηｌａｈ、が２．０より大きな頭載では、加工時の流
動性が不良となり、例えば射出成形等（；おける精密な
成形品を得ることは困難であり、又成形品の複屈折も大
きく好ましくない。
記したビスフェノール類の混合物をピリジンの存在下（
：ホスゲンと反応させる方法、ビスフェノール類の混合
物のアルカリ水溶液と有機溶媒よりなる二相界面系でホ
スゲンまたはビスフェノール類のりσロホーメートを反
応させる方法、ジフェニルカーボネートとビスフェノー
ル類の混合物またはビスフェノール類の混合物の酢酸エ
ステルとの溶融重合法などの良く知られた方法により製
造することができる。（例えば Ｈ，５ａｈｎｅｌｌ”
Ｃｈｎｍｌｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
ｎｆ Ｐｎｌｙｅａｒｂｏｎａｔ＠ｓ、
”Ｉｎｔ＠ｒｓａｉ＊ｎｅｅ Ｐｕｂｌｉｓｈ＠ｒｓ
、 ＮｓｗＹｏｒｋ −Ｌｏｎｄｏｎ −５ｙｄｎｅｙ
１９６４ 参照） 本発明の成形品（二用いられるポリカーボネート樹脂は
フェノール／テトラクロルエタン（重量比６／４）の混
合溶媒中で下記の通り測定される対数粘度ηｌａｋ、が
０．１〜２．０の範囲（：あるものが好ましい。ηｌａ
ｈ、が０．１未綱では樹脂の機械的強度が十分でなく、
実用性のある光学用成形物を得ることができない。一方
、ηｌａｈ、が２．０より大きな頭載では、加工時の流
動性が不良となり、例えば射出成形等（；おける精密な
成形品を得ることは困難であり、又成形品の複屈折も大
きく好ましくない。
上記の対数粘度ηｌｎＬは、フェノール／テトラクロル
エタン（重量比６／４）混合溶媒中３５℃、ポリマー濃
度０．５１ｉ／ｄｌの溶液とし、次式にて算出されるも
のである。
エタン（重量比６／４）混合溶媒中３５℃、ポリマー濃
度０．５１ｉ／ｄｌの溶液とし、次式にて算出されるも
のである。
η直ａｈ ”上・ｌｏｇ ｅ−
Ｃｔす
〔上式中、ｔはポリマー溶液の流れ時間、１．は溶媒の
みの流れ時間、Ｃはポリマー溶液濃度（，９膨）である
。〕 上記した樹脂を用いた本発明の光学用成形品は、射出成
形、プレス成形、押出成形等の公知のいずれの成形法（
；よっても得られる。特（＝東内講やアドレス、信号を
有する光デイスク基板や異形形状を有するプラスチック
レンズ等の用途（二おいては射出成形が好ましく、得ら
れた樹脂の溶融粘度特性（例えばメルトインデックス等
）１：応じ射出成形条件は選択されるが、通常２００〜
４００℃の樹脂温度にて成形される。
みの流れ時間、Ｃはポリマー溶液濃度（，９膨）である
。〕 上記した樹脂を用いた本発明の光学用成形品は、射出成
形、プレス成形、押出成形等の公知のいずれの成形法（
；よっても得られる。特（＝東内講やアドレス、信号を
有する光デイスク基板や異形形状を有するプラスチック
レンズ等の用途（二おいては射出成形が好ましく、得ら
れた樹脂の溶融粘度特性（例えばメルトインデックス等
）１：応じ射出成形条件は選択されるが、通常２００〜
４００℃の樹脂温度にて成形される。
又、シート状の光学用成形品は、押出成形（＝よっても
連続的生産が可能であり、ディスプレー用透明電極基板
、光カード、元ディスクカバーシート等（二実用するこ
とが出来る。
連続的生産が可能であり、ディスプレー用透明電極基板
、光カード、元ディスクカバーシート等（二実用するこ
とが出来る。
又プレス成形は、異形品、シートの両方Ｃ二対応可能で
あるが、生産性の点では前記二つの成形法（二較べると
劣る。
あるが、生産性の点では前記二つの成形法（二較べると
劣る。
本発明の光学用成形品は、極めて複屈折が小さく、市熱
性に優れ、かつ吸湿（：よるソリが小さいので各種のオ
プトエレクトロニクス製品等、特（＝、光デイスク基板
やディスプレー用透明電極基板に極めて好適である。
性に優れ、かつ吸湿（：よるソリが小さいので各種のオ
プトエレクトロニクス製品等、特（＝、光デイスク基板
やディスプレー用透明電極基板に極めて好適である。
以下、実施例を示し、本発明をより具体的（＝説明する
。
。
製造例１
ガス導入管及び攪拌装置の付属した反応器（二、２．２
−ビス（Ａ′−ヒドロキシフェニル）フロパン１１．４
１ ！ｔ 部 、 １，１．３ − ト
リ メ ラ２ ル ３ − （Ａ’ −ヒドロ
キシフェニル）５−インダノール１３．４２重ｉｓおよ
びｐ−ｔ−ブチルフェノール０．７５重量部を１５０電
量部の純水ととも（：加えて攪拌）び濁させ、Ｎ、気流
を通じ系より酸素を完全に除去した。ついで４５％水酸
化ナトリクム溶液１８，２厘量部を加え、十分（二攪拌
しフェノール類の粉末を完全１＝溶解させ、室温（２５
℃）まで冷却した。さら（＝、ジクロルメタン２０重量
部を加え、攪拌を続けながら室温（二て１１．９重撒部
のガス状ホスゲンを２時間かけて一定速度で吹込んだ。
−ビス（Ａ′−ヒドロキシフェニル）フロパン１１．４
１ ！ｔ 部 、 １，１．３ − ト
リ メ ラ２ ル ３ − （Ａ’ −ヒドロ
キシフェニル）５−インダノール１３．４２重ｉｓおよ
びｐ−ｔ−ブチルフェノール０．７５重量部を１５０電
量部の純水ととも（：加えて攪拌）び濁させ、Ｎ、気流
を通じ系より酸素を完全に除去した。ついで４５％水酸
化ナトリクム溶液１８，２厘量部を加え、十分（二攪拌
しフェノール類の粉末を完全１＝溶解させ、室温（２５
℃）まで冷却した。さら（＝、ジクロルメタン２０重量
部を加え、攪拌を続けながら室温（二て１１．９重撒部
のガス状ホスゲンを２時間かけて一定速度で吹込んだ。
ホスゲン吹込開始後１５分と３０分（：４５％水酸化ナ
トリクム水溶液を４．０重置部づつ追加した。ホスゲン
の吹込み終了後トリエチルアミン０．１＝量部を加えて
、１５分攪拌すること【二より、反応液が非常Ｃ二粘稠
になったので、ジクロルメタン２０重量部を加えて粘度
を調節した。
トリクム水溶液を４．０重置部づつ追加した。ホスゲン
の吹込み終了後トリエチルアミン０．１＝量部を加えて
、１５分攪拌すること【二より、反応液が非常Ｃ二粘稠
になったので、ジクロルメタン２０重量部を加えて粘度
を調節した。
静ｉｔ後、水層な分液除去し、さらに水で樹脂溶液を２
回洗浄し、得られた樹脂溶液をメタノールの入ったホモ
ミキサー：二注ぎ、高速攪拌下（＝樹脂を析出させた。
回洗浄し、得られた樹脂溶液をメタノールの入ったホモ
ミキサー：二注ぎ、高速攪拌下（＝樹脂を析出させた。
これを戸別し乾燥して樹脂粉末を得た。得られた粉末の
ηＩｎｋ、は０．５３であり、ＩＲおよびＩＨ−ＮＭＲ
スペクトル（二より、２．２−ビス（Ａ′ニヒドロキシ
フエニル）プロパン残Ｍ数ト１．１゜３−トリメチル３
−（Ａ’−ヒドロキシフェニル）５−インダノール残基
数とのモル比が５０ ： ５０ のポリカーボネート
共重合体であることが確認された。＋＋＋−′ＮｙｘＲ
＋＝よる組成比の決定には、２．２′−ビス（Ａ′−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン残基（−よるδ＝ １．７
０ ｐｐｍのシグナル（Ｓ 、 ＣＨ３基）と１．１．
３−）シグナル３− （Ａ’−ヒドロキシフェニル）５
−（ンダノール残基によるδ＝ １ 、１０ ｐｐｍ（
Ｓ 、 ＣＨ，基）、δ＝ １．３９ ｐｐｍ （Ｓ
、 ＣＭ、基）、δ二２．３４ｐｐｍ （ｄ、ｄ 、
ＣＨ，基）の各シグナルの積分強度測定値を用いた。
ηＩｎｋ、は０．５３であり、ＩＲおよびＩＨ−ＮＭＲ
スペクトル（二より、２．２−ビス（Ａ′ニヒドロキシ
フエニル）プロパン残Ｍ数ト１．１゜３−トリメチル３
−（Ａ’−ヒドロキシフェニル）５−インダノール残基
数とのモル比が５０ ： ５０ のポリカーボネート
共重合体であることが確認された。＋＋＋−′ＮｙｘＲ
＋＝よる組成比の決定には、２．２′−ビス（Ａ′−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン残基（−よるδ＝ １．７
０ ｐｐｍのシグナル（Ｓ 、 ＣＨ３基）と１．１．
３−）シグナル３− （Ａ’−ヒドロキシフェニル）５
−（ンダノール残基によるδ＝ １ 、１０ ｐｐｍ（
Ｓ 、 ＣＨ，基）、δ＝ １．３９ ｐｐｍ （Ｓ
、 ＣＭ、基）、δ二２．３４ｐｐｍ （ｄ、ｄ 、
ＣＨ，基）の各シグナルの積分強度測定値を用いた。
製造例２〜７
製造例１（：おける２、２−ビス（Ａ′−ヒドロキシフ
ェニル）フロパンおヨヒ１．，１．３−ト９メチル３−
（Ａ’−ヒドロキＶフエニ／Ｉ／）５−インダノール
を表−１に示したよう（二便用する他は製造例１と同様
の方圧で実施し、いずれも無色の樹脂粉末を得た。得ら
れた樹脂のη１゜ｈ、は表−１（＝示す通りであり、ま
た原料と１−て使用したビスフェノール類の組成通りの
カーボネート夏合体が得られていることをＩＲおよびｌ
Ｈ−ＮＭＲスペクトル（二て確認した。
ェニル）フロパンおヨヒ１．，１．３−ト９メチル３−
（Ａ’−ヒドロキＶフエニ／Ｉ／）５−インダノール
を表−１に示したよう（二便用する他は製造例１と同様
の方圧で実施し、いずれも無色の樹脂粉末を得た。得ら
れた樹脂のη１゜ｈ、は表−１（＝示す通りであり、ま
た原料と１−て使用したビスフェノール類の組成通りの
カーボネート夏合体が得られていることをＩＲおよびｌ
Ｈ−ＮＭＲスペクトル（二て確認した。
表−１
ｔ）（Ｂ）：２ｓ２−ビス（Ａ′−ヒドロキシフェニル
）プロパン 幻（Ａ）： １＋１＋３− ト９ １ｆｉｖ ３
（Ａ’−ヒドロキシフェニル）５−インダノール ３） ’）Ｉ−ＮＭＲの積分強度より算出製造例８〜
１４ 製造例１（−おいて、ビスフェノール類の種類および使
用量を表−２（＝示した通りとした他は製造例１と同様
（二実施し、表−２に記したη地のポリマーを得た。
）プロパン 幻（Ａ）： １＋１＋３− ト９ １ｆｉｖ ３
（Ａ’−ヒドロキシフェニル）５−インダノール ３） ’）Ｉ−ＮＭＲの積分強度より算出製造例８〜
１４ 製造例１（−おいて、ビスフェノール類の種類および使
用量を表−２（＝示した通りとした他は製造例１と同様
（二実施し、表−２に記したη地のポリマーを得た。
製造時（二本反応のビスフェノール成分は、いずれもト
レース量しか検出されなかったことから、原料として使
用したビスフェノール成分（Ｉ）及び（ＩＩ）の組成割
合のカーボネート重合体であると推定される。
レース量しか検出されなかったことから、原料として使
用したビスフェノール成分（Ｉ）及び（ＩＩ）の組成割
合のカーボネート重合体であると推定される。
樹脂の成形及び評価
前記製造ＬＡ１〜１４の各樹脂粉末をペレタイザー付押
出械（シリンダ一温度２５０℃）（＝てペレット状とし
、各ペレットを１１０℃（：て４時間乾燥した後、射出
成形を行った。曾型に鏡面を有するスタンパ−を装着し
、外径１２Ｑｍ、犀み１．２Ｂの円板状の成形物を得た
。射出成形機はシリンダー径３０１ｍであり、射出圧力
１０００ＫＰ、金型のゲートは円板の中心部（二設け、
金型温度は８０℃とした。射出成形時のシリンダ一温度
は各樹脂（：応じ設定し表−６１＝記載した。
出械（シリンダ一温度２５０℃）（＝てペレット状とし
、各ペレットを１１０℃（：て４時間乾燥した後、射出
成形を行った。曾型に鏡面を有するスタンパ−を装着し
、外径１２Ｑｍ、犀み１．２Ｂの円板状の成形物を得た
。射出成形機はシリンダー径３０１ｍであり、射出圧力
１０００ＫＰ、金型のゲートは円板の中心部（二設け、
金型温度は８０℃とした。射出成形時のシリンダ一温度
は各樹脂（：応じ設定し表−６１＝記載した。
成形した円板は内径１５ｇとなるように打抜いてドーナ
ツ状円板とし、次（二片面（；アルミの真空蒸着をかけ
て６００オングストロームの反射層を設けて各試料を作
成しく試料番号１〜１４）、複屈折、湿度環境下（二お
けるソリ、耐熱性（二ついて評価を行った。
ツ状円板とし、次（二片面（；アルミの真空蒸着をかけ
て６００オングストロームの反射層を設けて各試料を作
成しく試料番号１〜１４）、複屈折、湿度環境下（二お
けるソリ、耐熱性（二ついて評価を行った。
尚、試料番号１〜６及び８〜１４は本発明の実施例であ
り、試料番号７は比較例である。
り、試料番号７は比較例である。
複屈折は反射型倫光ｗ４徴鏡を用いダブルバスの光路差
を求めた。湿度環境下におζするソリは、上記の試料を
５０℃９５％相対湿度の恒温恒湿槽（１２４時間放置し
、とりだし後直ちＣ二２０℃相対湿度６０％の恒温恒湿
室（２２時間１Ｂｃ置仮ソリ（＝よる反位を測定した。
を求めた。湿度環境下におζするソリは、上記の試料を
５０℃９５％相対湿度の恒温恒湿槽（１２４時間放置し
、とりだし後直ちＣ二２０℃相対湿度６０％の恒温恒湿
室（２２時間１Ｂｃ置仮ソリ（＝よる反位を測定した。
耐熱性はＡＳＴＭ−０６４８１＝準じ荷電−たわみ温度
を測定した。以上の評価結果を表−６（＝併せて記載す
る。
を測定した。以上の評価結果を表−６（＝併せて記載す
る。
又、比較例としてメタクリル樹脂（三菱レーヨン社製商
品名アク９ペソ）ＶＨ）を、金型温度のみ６５℃とした
以外は前記と同様にして射出成形を行い、又同様（；シ
てアルミ反射層を設（す試験用試料を作成しく試料番号
１５）評価を行い、その結果を表−６シニ併せて記載し
た。
品名アク９ペソ）ＶＨ）を、金型温度のみ６５℃とした
以外は前記と同様にして射出成形を行い、又同様（；シ
てアルミ反射層を設（す試験用試料を作成しく試料番号
１５）評価を行い、その結果を表−６シニ併せて記載し
た。
以上の実施例及び比較例の結果から、明らか（二本発明
の光学用部品は従来のものよりも複屈折が小さく、耐熱
性Ｃ：優れ、かつ吸湿（＝よるソリも小明細書の浄書（
内容に変更なし） 表−３ 手続補正書けか 昭和６０年５月 ７日
の光学用部品は従来のものよりも複屈折が小さく、耐熱
性Ｃ：優れ、かつ吸湿（＝よるソリも小明細書の浄書（
内容に変更なし） 表−３ 手続補正書けか 昭和６０年５月 ７日
Claims (3)
- （１）下記一般式（Ａ）で表わされる構造単位▲数式、
化学式、表等があります▼………（Ａ） を少なくとも有し、下記一般式（Ｂ）で表わされる構造
単位 ▲数式、化学式、表等があります▼………（Ｂ） （上記２つの式中、Ｘは炭素数１〜８の２価の炭化水素
基、Ｏ、ＣＯ、Ｓ、ＳＯ又はＳＯ＿２、Ｒ＾１〜Ｒ＾６
は互いに同一でも異なってもよく、水素又は炭素数１〜
５の炭化水素基を表わす。）を有してもよい（共）重合
体であって、両構造単位（Ａ）及び（Ｂ）の全モル数に
対して構造単位（Ａ）の占めるモル数が５％以上である
（共）重合体を成形してなる光学用成形品。 - （２）前記光学用成形品が光ディスク基板である特許請
求の範囲第１項記載の光学用成形品。 - （３）前記光学用成形品がディスプレー用透明電極基板
である特許請求の範囲第１項記載の光学用成形品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59270789A JPH0652585B2 (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | 光学用成形品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59270789A JPH0652585B2 (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | 光学用成形品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61148401A true JPS61148401A (ja) | 1986-07-07 |
| JPH0652585B2 JPH0652585B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=17491019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59270789A Expired - Fee Related JPH0652585B2 (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | 光学用成形品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652585B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0321831A2 (de) * | 1987-12-22 | 1989-06-28 | Bayer Ag | Verwendung von Mischungen aus Polycarbonaten und Styrolpolymerisaten als Substrate für optische Speicher |
| US5316884A (en) * | 1993-02-22 | 1994-05-31 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Radiation-sensitive compositions containing 5-indanol in the binder resin as a comonomer |
| EP0846711A2 (en) * | 1996-12-09 | 1998-06-10 | General Electric Company | Optical disk grade copolyestercarbonates derived from hydroxyphenylindanols |
| WO1998036014A1 (en) * | 1997-02-13 | 1998-08-20 | Molecular Optoelectronics Corporation | Indane polycarbonates |
| WO1999006465A1 (de) * | 1997-08-02 | 1999-02-11 | Bayer Aktiengesellschaft | Copolycarbonate auf basis von indanbisphenolen |
| WO1999006464A1 (de) * | 1997-08-02 | 1999-02-11 | Bayer Aktiengesellschaft | Copolycarbonate auf basis von indanbisphenolen |
| WO2000044810A1 (en) * | 1999-01-28 | 2000-08-03 | General Electric Company | Method for preparing copolycarbonates of enhanced crystallinity |
| WO2001014453A1 (en) * | 1999-08-23 | 2001-03-01 | General Electric Company | Copolycarbonate preparation by solid state polymerization |
| JP2002539310A (ja) * | 1999-03-18 | 2002-11-19 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 光学製品での使用に適したポリカーボネート |
-
1984
- 1984-12-24 JP JP59270789A patent/JPH0652585B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0321831A2 (de) * | 1987-12-22 | 1989-06-28 | Bayer Ag | Verwendung von Mischungen aus Polycarbonaten und Styrolpolymerisaten als Substrate für optische Speicher |
| US5316884A (en) * | 1993-02-22 | 1994-05-31 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Radiation-sensitive compositions containing 5-indanol in the binder resin as a comonomer |
| US5338653A (en) * | 1993-02-22 | 1994-08-16 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Phenolic novolak resin compositions containing 5-indanol and their use a process for forming positive resist patterns |
| EP0846711A3 (en) * | 1996-12-09 | 2000-08-30 | General Electric Company | Optical disk grade copolyestercarbonates derived from hydroxyphenylindanols |
| EP0846711A2 (en) * | 1996-12-09 | 1998-06-10 | General Electric Company | Optical disk grade copolyestercarbonates derived from hydroxyphenylindanols |
| WO1998036014A1 (en) * | 1997-02-13 | 1998-08-20 | Molecular Optoelectronics Corporation | Indane polycarbonates |
| US6093785A (en) * | 1997-02-13 | 2000-07-25 | Molecular Optoelectronics Corporation | Indane polycarbonates |
| WO1999006465A1 (de) * | 1997-08-02 | 1999-02-11 | Bayer Aktiengesellschaft | Copolycarbonate auf basis von indanbisphenolen |
| WO1999006464A1 (de) * | 1997-08-02 | 1999-02-11 | Bayer Aktiengesellschaft | Copolycarbonate auf basis von indanbisphenolen |
| WO2000044810A1 (en) * | 1999-01-28 | 2000-08-03 | General Electric Company | Method for preparing copolycarbonates of enhanced crystallinity |
| JP2002539310A (ja) * | 1999-03-18 | 2002-11-19 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 光学製品での使用に適したポリカーボネート |
| US6333394B1 (en) | 1999-08-09 | 2001-12-25 | General Electric Company | Copolycarbonate preparation by solid state polymerization |
| WO2001014453A1 (en) * | 1999-08-23 | 2001-03-01 | General Electric Company | Copolycarbonate preparation by solid state polymerization |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0652585B2 (ja) | 1994-07-06 |
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|---|---|---|---|
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