JPH023127A - 光ディスク基板 - Google Patents

光ディスク基板

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JPH023127A
JPH023127A JP63165684A JP16568488A JPH023127A JP H023127 A JPH023127 A JP H023127A JP 63165684 A JP63165684 A JP 63165684A JP 16568488 A JP16568488 A JP 16568488A JP H023127 A JPH023127 A JP H023127A
Authority
JP
Japan
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group
optical disk
disk substrate
bis
polyester
Prior art date
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Pending
Application number
JP63165684A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayasu Ohashi
大橋 昌康
Tadanori Fukuda
福田 忠則
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
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Publication of JPH023127A publication Critical patent/JPH023127A/ja
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  • Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、複屈折が低く、耐熱性に優れたポリエステル
系光デイスク基板に関するものである。
[従来の技術] 従来、テレフタル酸、イソフタル!!2などのジカルボ
ン酸ユニットと、ビスフェノールユニットからなるポリ
エステル樹脂は、特公昭38−3598号公報などで古
くから周知であり、また特開昭54−110853号公
報では、ジフェニル−4,4°−ジカルボン酸ユニット
と、ビスフェノールユニットからなるポリエステル樹脂
が示されている。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、特開昭38−3598号などの技術にお
いては、複屈折が大きいといった問題があり、光デイス
ク基板材料に用いた場合は正確な記録、再生が困難にな
るという欠点を有していた。また特開昭54−1108
53号公報に記載の技術においては、ポリエステル自身
が結晶化して不透明となり、光デイスク基板とすること
は不可能であった。
本発明は、かかる従来技術の欠点を解消しようとするも
のでおり、従来の非品性ポリエステル樹脂の長所である
優れた耐熱性、透明性、低吸湿性などの性能に加えて、
複屈折が極めて小さいため、正確な記録、再生が可能な
光デイスク基板を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明は、上記目的を達成するために下記の構成を有す
る。
[下記一般式[A]に示す構造単位を含有してなる熱可
塑性芳香族ポリエステルを主成分としてなり、垂直入射
シングルパスの複屈折が60nm未満(ただしXは、O
,S、SO2,Go、アルキレン基およびアルキリデン
基よりなる群から選ばれ、AI、A2は、ハロゲンおよ
び炭化水素基からなる群から選ばれる。m、nは、0〜
4の整数を示す。)」 本発明のポリエステル樹脂は、ジフェン酸またはその反
応性誘導体と、ビスフェノールおよびその反応性誘導体
を重縮合せしめることによって得られるものであり、ジ
フェン酸くジフェニル−2゜2゛−ジカルボンr!i>
ユニットをジカルボン酸の主成分として含有することを
特徴とする。
本発明において、ジフェン酸のビフェニル骨格は、2,
2“−位の立体障害のために隣接フェニル環が互いに直
交し、同一平面上に配向しないためフェニル環の光学異
方性が分子内で相殺される。隣接フェニル環が互いに直
交したビフェニル骨格含有モノマをポリマ鎖に導入する
ことによって、その両端につながる共重合成分の芳香環
も互いに直交する平面に配列することになり、ポリマ全
体としては光学的にまったくランダムな等方性の構造と
なって、複屈折が極めて小さくなる。さらに、特開昭5
4−110853号公報にお【プる不透明であるといっ
た問題は、ジフェニル−4,4゛−ジカルボン酸を用い
ることによって結晶化度が高くなることが原因であり、
この問題についてもジフェン酸を用いることによって解
消することができ、高い透明性を有する光デイスク基板
を提供することができる。
ジフェン酸の反応性誘導体としては、ジフェン酸クロラ
イドあるいはジフェン酸ジメチル、ジフェン酸ジフェニ
ルなどが挙げられる。
本発明で用いられるビスフェノールは、下記の一般式で
表わされる。
(ただし、Xは、O,S、SO2,Go、アルキレン基
およびアルキリデン基よりなる群から選ばれ、Yは、O
Hおよびその反応性誘導体基から選ばれる。A1、A2
は、ハロゲンおよび炭化水素基からなる群から選ばれる
。m、nは、O〜4の整数を示す。) ここで好ましいハロゲンとしては、塩素、臭素などが挙
げられ、好ましい炭化水素基の例としては、メチル基、
エチル基、n−プロピル基などが挙げられる。また、Y
はOHおよびその反応性誘導体基から選ばれるが、反応
性基としては、CH3C02基などが挙げられる。ビス
フェノールの具体例としては、4,4−ジヒドロキシ−
ジフェニルエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−2−メチ
ルフェニル)−エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−
クロロフェニル)−エーテル、ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−サルファイド、ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−スルホン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)−ケ
トン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)−メタン、ビス
(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−メタン、ビ
ス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)−メ
タン、ビス(4−ビトロキシ−3,5−ジブロモフェニ
ル)−メタン、ビス(4−ヒドキシ=3.5−ジフルオ
ロフェニル)−メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)−エタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−
3−メチルフェニル)−プロパン、2,2−ビス(4−
ヒドロキシ−3−クロロフェニル)−プロパン、2,2
−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)
プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
n−ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−
ジブロモフェニル)プロパン、ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−フェニルメタン、ビスく4−ヒドロキシフェ
ニル)−シフエルメタン、ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル〉−4゛−メチルフェニルメタン、1゜1−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)  −2,2,2−トリクロロ
エタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)−4−クロロ
フェニルメタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)〜シクロヘキサン、ビス(4−ヒドロキシフェニル
)−シクロヘキシルメタン、2,2−ビス(4−ヒドロ
キシナフチル)−プロパンなどがあげられるが、もつと
も−膜内に製造され代表的なものとしては、2,2−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンすなわちビスフ
ェノールAが挙げられる。これらのビスフェノール類は
2種類以上の混合物として用いてもよく、また、アセチ
ル化などによる誘導体として用いてもよい。また必要に
応じて、少量の他の2価の化合物、例えば、2.6−シ
ヒドロキシナフタレンのごときジヒドロキシナノメタン
、じドロキノン、レゾルシノール、2,6−ジビドロキ
シトルエン、2,6−シヒドロキシクロロベンゼン、3
.6−ジじドロキシトルエンなどを使用することができ
る。
本発明においては、ポリマの溶融流動性や強度を高めた
り、成形性を向上する目的で、ジカルボン酸成分の30
モル%を越えない範囲でテレフタル酸やイソフタル酸ユ
ニットを共重合したり、ジオール成分の30モル%を越
えない範囲で、エチレングリコール、プロピレングリコ
ール、ブチレングリコール、シクロヘキサン−1,4〜
ジメタツールのごとく炭素数2〜10の脂肪族グリコー
ルの1種または2種以上を併用することも好ましい。
ジカルボン酸成分中のジフェン酸の割合が70モル%以
下になると、複屈折が大きくなり、ジオール成分中の脂
肪族グリコールの割合が30モル%以上になると耐熱性
が低下する。
本発明のポリエステルの製造法としては、特に制限を受
けることな(種々の方法が採用できる。
例えば水と相溶性のない有機溶剤に溶解せしめた芳香族
ジカルボン酸クロライドとアルカリ水溶液に溶解せしめ
たジヒドロキシ化合物とを混合反応せしめる界面重合法
(特公昭40−1959号公報参照)、芳香族ジカルボ
ン酸クロライドとジヒドロキシ化合物とを有機溶媒中で
反応せしめる溶液重合法(特公昭37−5599@公報
参照)、芳香族ジカルボン酸フェニルエステルとジヒド
ロキシ化合物を溶融状態で重合せしめる方法(特公昭3
8−115247号公報、同43−28119号公報参
照)、芳香族ジカルボン酸とジヒドロキシ化合物のアセ
テートとを溶融状態で重合せしめる方法[Indust
rial and EngineeringChemi
stry vol 51 Pd2(19598)参照コ
などの方法を挙げることができる。
この際通常の触媒、亜リン酸、リン酸またはこれらの誘
導体、フェノール誘導体などの安定剤などを必要に応じ
て使用してもよい。
レーザーで記録再生を行なう光ディスクでは、基板に用
いる樹脂の耐熱性の尺度であるガラス転移温度は120
’C以上であることが必要である。
本発明においては、剛直な高分子鎖を構成するモノマを
使用することによってガラス転移温度を120℃以上、
好ましくは150′C以上にすることができる。ポリマ
のガラス転移温度は差動走査型熱量計(DSC)によっ
て測定することができる。
本発明のポリエステル樹脂は高いガラス転移温度を示す
にもかかわらず、比較的低い温度で溶融し、溶融ポリマ
の流動性が良好なため、比較的低温で成形することがで
きる。また、本発明においては、光ディスクとして成形
する方法としては、生産性に優れた射出成形が好ましく
適用できる。
本発明のポリエステル樹脂から1qられる光デイスク基
板の複屈折は、シングルパス垂直入射において60nm
未満でおることが必要であり、好ましくは3Qnm以下
、ざらに好ましくは10nm以下におざえることができ
る。本発明においては、成形条件を厳密にコントロール
することなく、60nm未満の複屈折に押さえることが
でき、成形の歩留まりが高い。また、複屈折はエリプソ
メーターによって測定することができる。また、透明性
は、ASTM  D−1003法によって、測定するこ
とができる。
さらに、本発明のポリエステルは常法に従い、加水分解
することにより構成単位を分析することができる。
本発明により得られたポリエステル系光デイスク基板は
、従来の優れた耐熱性、透明性、低吸湿性にあける性能
に加えて、複屈折が5Qnm未満であり、かつガラス転
移点が120℃以上という性能も満たし、その用途とし
ては、光デイスク基板の他にも、例えば、光学レンズ、
光カード用フィルムなどとして用いることができる。
[実施例] 以下実施例をあげて本発明を説明する。実施例中ツカラ
ス転移温度は、Dupont−990DSCを用い、1
0℃/分の昇温速度で加熱することによって測定した値
であり、極限粘度は25℃でオルソクロルフェノール溶
液として測定したときの値である。飽和吸水率は75℃
温水中に24時間放置後、重量変化によって計算した。
複屈折はエリプソメーターを利用して、830nmにて
測定した。
実施例1 11.4Q (0,05モル)のビスフェノールA、4
.2gの水酸化ナトリウム、0.06Clのトリエチル
ベンジルアンモニウムクロライドを3QQmlの水に溶
解した。一方、13.95CI (0゜050モル)の
ジフェン酸クロライドを150CCの塩化メチレンに溶
解して、滴下ロートに仕込んだ。前記ビスフェノールA
のアルカリ水溶液を10℃に冷却し、ホモミキサーで激
しく攪拌しながら、ジフェン酸クロライドの塩化メチレ
ン溶液を5分間かけて滴下した。反応混合物を25℃で
ざらに1時間攪拌したところポリマは粘稠物として析出
した。上部水性層を除き、残留物を強く攪拌しながら、
500m1の水で5回洗浄し、その後ポリマ溶液を塩化
メチレン150m1で希釈し一過した。この溶液をメタ
ノール中に注入してポリマを分離し、これを100’0
12時間真空乾燥した。
このポリエステルを280’Cで射出成形し、厚み1.
2mm、130mmφの円板を得た。
性能について、結果を表1に示した。
ポリカーボネートを上回るガラス転移温度(耐熱性)を
示し、複屈折はPMMAなみに優れていた。飽和吸水率
はポリカーボネートと同等で、吸水時の寸法変化は測定
誤差の範囲であった。ざらに実用上充分な強度を有し、
光透過率は90%以上であった。
実施例2 実施例1において、テレフタル酸クロライドとインフタ
ル酸クロライドを各15モル%用い、さらに、ジフェン
酸クロライドの割合を7Qモル%とした以外は、実施例
1と同様にしてポリエステル光デイスク基板を得た。
結果を表1に示した。
比較例1 ジフェン酸クロライドを用いずに、テレフタル酸クロラ
イド/イソフタル酸クロライドを用いた以外は、実施例
1と同様に行なって、ポリエステル光デイスク基板を得
た。
結果を表1に示した。耐熱性はきわめて良好であり、光
透過率も87%と優れているが、350℃という高い成
形温度を必要とし、複屈折が大きいという致命的な欠点
を有していた。
比較例2 ジフェン酸クロライドを用いずに、ジフェニル−4,4
’−ジカルボン酸クロライドを用いた以外は、実施例1
と同様に行なってポリマを得た。得られたポリマは、不
透明性であり、さらに350℃まで加熱しても射出成形
できなかった。
[発明の効果] 本発明の光デイスク基板は、複屈折が5Qnm未満とい
う特徴を有するため、ディスク基板材料として正確な記
録、再生が可能となる。
また、耐熱性、低吸湿性が特に優れるため、寸法、形態
安定性に優れる。
ざらに、本発明のポリエステル樹脂は、高いガラス転移
温度を示すにもかかわらず、比較的低い温度で溶融し、
溶融ポリマの流動性が良好なため、加工成形が容易であ
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)下記一般式[A]に示す構造単位を含有してなる
    熱可塑性芳香族ポリエステルを主成分としてなり、垂直
    入射シングルパスの複屈折が60nm未満であることを
    特徴とする光ディスク基板。 ▲数式、化学式、表等があります▼[A] (ただしXは、O、S、SO_2、CO、アルキレン基
    およびアルキリデン基よりなる群から選ばれ、A_1、
    A_2は、ハロゲンおよび炭化水素基からなる群から選
    ばれる。m、nは、0〜4の整数を示す。)
JP63165684A 1988-03-03 1988-07-01 光ディスク基板 Pending JPH023127A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63165684A JPH023127A (ja) 1988-03-03 1988-07-01 光ディスク基板

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5092188 1988-03-03
JP63-50921 1988-03-03
JP63165684A JPH023127A (ja) 1988-03-03 1988-07-01 光ディスク基板

Publications (1)

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JPH023127A true JPH023127A (ja) 1990-01-08

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ID=26391408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63165684A Pending JPH023127A (ja) 1988-03-03 1988-07-01 光ディスク基板

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JP (1) JPH023127A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2541335A (en) * 2014-06-16 2017-02-15 Nec Corp Position specification device, position specification system, position specification method, and computer-readable recording medium

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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