JPH023128A - 光ディスク基板 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、複屈折が低く、耐熱性に優れたポリエステル
系光ディスク基板に関するものでおる。
系光ディスク基板に関するものでおる。
[従来の技術]
従来、テレフタル酸、イソフタル酸などのジカルボン酸
ユニットと、ビスフェノールユニットからなるポリエス
テル樹脂は、特公昭38−3598号公報などで古くか
ら周知でおり、また特開昭47−27295号公報では
、4,4−ビフェノール誘導体からなるポリエステル樹
脂が示されている。
ユニットと、ビスフェノールユニットからなるポリエス
テル樹脂は、特公昭38−3598号公報などで古くか
ら周知でおり、また特開昭47−27295号公報では
、4,4−ビフェノール誘導体からなるポリエステル樹
脂が示されている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、特開昭38−3598号などの技術にお
いては、複屈折が大きいといった問題があり、光ディス
ク基板材料に用いた場合は正確な記録、再生が困難にな
るという欠点を有していた。
いては、複屈折が大きいといった問題があり、光ディス
ク基板材料に用いた場合は正確な記録、再生が困難にな
るという欠点を有していた。
特開昭47−27295号公報に記載の技術においては
、ポリエステル自身が結晶化して不透明となるために、
光ディスク基板とすることは不可能であり、また、その
ポリマ溶融温度も高いものであった。
、ポリエステル自身が結晶化して不透明となるために、
光ディスク基板とすることは不可能であり、また、その
ポリマ溶融温度も高いものであった。
本発明は、かかる従来技術の欠点を解消しようとするも
のであり、従来の非品性ポリエステル樹脂の長所である
優れた耐熱性、透明性、低吸湿性などの性能に加えて、
複屈折が極めて小さいため、正確な記録、再生が可能な
光ディスク基板を提供することを目的とする。
のであり、従来の非品性ポリエステル樹脂の長所である
優れた耐熱性、透明性、低吸湿性などの性能に加えて、
複屈折が極めて小さいため、正確な記録、再生が可能な
光ディスク基板を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明は、上記目的を達成するために下記の構成を有す
る。
る。
「下記一般式[Δ]に示す構造単位を含有してなる熱可
塑性芳香族ポリエステルを主成分としてなり、垂直入射
シングルパスの複屈折が60nm未満であることを特徴
とする光ディスク基板。
塑性芳香族ポリエステルを主成分としてなり、垂直入射
シングルパスの複屈折が60nm未満であることを特徴
とする光ディスク基板。
」
本発明のポリエステル樹脂は、?、2゛−ビフェノール
またはその反応性誘導体と、テレフタル酸および/また
はイソフタル酸必るいはそれらの反応性誘導体を重縮合
ぜしめることによって得られるものでおり、2,2°−
とフェノールをジオールの主成分として含有することを
特徴とする。
またはその反応性誘導体と、テレフタル酸および/また
はイソフタル酸必るいはそれらの反応性誘導体を重縮合
ぜしめることによって得られるものでおり、2,2°−
とフェノールをジオールの主成分として含有することを
特徴とする。
本発明において、22−ビフェノールのビフェニル骨格
は、2,2−位の立体障害のために隣接フェニル環が互
いに直交し、同一平面上に配向しないためフェニル環の
光学異方性が分子内で相殺される。隣接フェニル環が互
いに直交したビフェニル骨格含有モノマをポリマ鎖に導
入することによって、その両端につながる共重合成分の
芳香環も互いに直交する平面に配列することになり、ポ
リマ仝体としては光学的にまったくランダムな等方性の
構造となって、複屈折が極めて小さくなる。
は、2,2−位の立体障害のために隣接フェニル環が互
いに直交し、同一平面上に配向しないためフェニル環の
光学異方性が分子内で相殺される。隣接フェニル環が互
いに直交したビフェニル骨格含有モノマをポリマ鎖に導
入することによって、その両端につながる共重合成分の
芳香環も互いに直交する平面に配列することになり、ポ
リマ仝体としては光学的にまったくランダムな等方性の
構造となって、複屈折が極めて小さくなる。
さらに、特開昭47−27295号公報にあける不透明
であるといった問題は、4,4°−ビフェノール誘導体
を用いることによって結晶化度が高くなることが1卵入
でおり、この問題についても2.2−ビフェノールを用
いることによって解消することができ、高い透明性と易
成形性とを有する光ディスク基板を提供することができ
る。
であるといった問題は、4,4°−ビフェノール誘導体
を用いることによって結晶化度が高くなることが1卵入
でおり、この問題についても2.2−ビフェノールを用
いることによって解消することができ、高い透明性と易
成形性とを有する光ディスク基板を提供することができ
る。
2.2′−ビフェノールの反応性誘導体としては、ジア
セチル化物が挙げられ、テレフタル酸およびイソフタル
酸の反応性誘導体としては、それらジカルボン酸のジク
ロライド、ジアルキルエステルジアリールエステルなど
が挙げられる。
セチル化物が挙げられ、テレフタル酸およびイソフタル
酸の反応性誘導体としては、それらジカルボン酸のジク
ロライド、ジアルキルエステルジアリールエステルなど
が挙げられる。
本発明においては、ポリマの溶融流動性や強度を高める
ため、また、成形性を向上する目的で、ジオール成分の
30モル%未満の範囲で、エチレングリコール、プロピ
レングリコール、シクロヘキサン−1,4−ジメタツー
ルのごとく炭素数2〜1Oの脂肪族グリコールの1種ま
たは2種以上を併用したり、下記の一般式で表わされる
ビスフェノールを共重合−リ゛ることができる。
ため、また、成形性を向上する目的で、ジオール成分の
30モル%未満の範囲で、エチレングリコール、プロピ
レングリコール、シクロヘキサン−1,4−ジメタツー
ルのごとく炭素数2〜1Oの脂肪族グリコールの1種ま
たは2種以上を併用したり、下記の一般式で表わされる
ビスフェノールを共重合−リ゛ることができる。
(ただし、Xは、O,S.SO2.Co,アルキレン基
あJ:びアルキリデン基よりなる群から選ばれ、Yは、
01−1およびその反応性誘導体基から選ばれる。A1
、A2は、ハロゲンおよび炭化水素基からなる群から選
ばれる。m,nは、O〜4の整数を示す。) ここで好ましいハロゲンとしては、塩素、臭素などが挙
げられ、好ましい炭化水素基の例としては、メチル基、
エチル暴、n−プロピル基などが挙げられる。また、Y
はOHおよびその反応性誘導体基から選ばれるが、反応
性基としては、C I−h C 02基などが挙げられ
る。ビスフェノールの具体例としては、4,4°−ジヒ
ドロキシ−ジフェニルエーテル、ビス(4−ヒドロキシ
−2−メチルフェニル)−エーテル、ビス(4−ヒドロ
キシ−3−クロロフェニル)−エーテル、ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−サルファイド、ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)−スルホン、ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)−ケトン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)−メ
タン、ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)ー
メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3.5−ジクロロフェ
ニル)−メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブ
ロモフェニル)−メタン、ビス(4−ヒドキシ−3、5
−ジフルオロフェニル)−メタン、1,1−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)−エタン、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシ−3−メチルフェニル)−プロパン、2,2−
ビス(4−ヒドロキシ−3−クロロフェニル)−プロパ
ン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロ
フェール)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−n〜ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ
−3,5−ジブロモフェニル)プロパン、ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−フェニルメタン、ビス(4−ヒド
ロキシフェニル〉−シフエルメタン、ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)−4°−メチルフェニルメタン、1。
あJ:びアルキリデン基よりなる群から選ばれ、Yは、
01−1およびその反応性誘導体基から選ばれる。A1
、A2は、ハロゲンおよび炭化水素基からなる群から選
ばれる。m,nは、O〜4の整数を示す。) ここで好ましいハロゲンとしては、塩素、臭素などが挙
げられ、好ましい炭化水素基の例としては、メチル基、
エチル暴、n−プロピル基などが挙げられる。また、Y
はOHおよびその反応性誘導体基から選ばれるが、反応
性基としては、C I−h C 02基などが挙げられ
る。ビスフェノールの具体例としては、4,4°−ジヒ
ドロキシ−ジフェニルエーテル、ビス(4−ヒドロキシ
−2−メチルフェニル)−エーテル、ビス(4−ヒドロ
キシ−3−クロロフェニル)−エーテル、ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−サルファイド、ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)−スルホン、ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)−ケトン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)−メ
タン、ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)ー
メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3.5−ジクロロフェ
ニル)−メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブ
ロモフェニル)−メタン、ビス(4−ヒドキシ−3、5
−ジフルオロフェニル)−メタン、1,1−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)−エタン、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシ−3−メチルフェニル)−プロパン、2,2−
ビス(4−ヒドロキシ−3−クロロフェニル)−プロパ
ン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロ
フェール)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−n〜ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ
−3,5−ジブロモフェニル)プロパン、ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−フェニルメタン、ビス(4−ヒド
ロキシフェニル〉−シフエルメタン、ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)−4°−メチルフェニルメタン、1。
1−ビス(4−ヒドロキシフェニル) −2.2.2
−1〜リクロロエタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル
)−4°−クロロフエニルメタン、1,1−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサン、ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−シクロヘキシルメタン、2.2−
ビス(4−ヒドロキシナフチル)−プロパンなどがあげ
られるが、もっとも−膜内に製造され代表的なものとし
ては、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ンすなわちビスフェノールAが挙げられる。これらのビ
スフェノール類は2種類以上の混合物として用いてもよ
く、また、アセチル化などによる誘導体として用いても
よい。また必要に応じて、受註の他の2価の化合物、例
えば、2,6−ジヒドロキシナフタレンのごときジヒド
ロキシナフタレン、ヒドロキノン、レゾルシノール、2
,6−シヒドロキシトルエン、2,6−シヒドロキシク
ロロベンゼン、3.6−シヒドロキシトルエンなどを使
用することができる。
−1〜リクロロエタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル
)−4°−クロロフエニルメタン、1,1−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサン、ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−シクロヘキシルメタン、2.2−
ビス(4−ヒドロキシナフチル)−プロパンなどがあげ
られるが、もっとも−膜内に製造され代表的なものとし
ては、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ンすなわちビスフェノールAが挙げられる。これらのビ
スフェノール類は2種類以上の混合物として用いてもよ
く、また、アセチル化などによる誘導体として用いても
よい。また必要に応じて、受註の他の2価の化合物、例
えば、2,6−ジヒドロキシナフタレンのごときジヒド
ロキシナフタレン、ヒドロキノン、レゾルシノール、2
,6−シヒドロキシトルエン、2,6−シヒドロキシク
ロロベンゼン、3.6−シヒドロキシトルエンなどを使
用することができる。
また、ジカルボン酸成分の30モル%未満の範囲で、マ
ロン酸、コハク酸、アジピン酸のごとく、炭素数2〜1
0の脂肪族ジカルボン酸またはその反応性誘導体の1種
または2種以上を併用することも好ましい。
ロン酸、コハク酸、アジピン酸のごとく、炭素数2〜1
0の脂肪族ジカルボン酸またはその反応性誘導体の1種
または2種以上を併用することも好ましい。
ジオール成分注の2.2′−ビフェノールの割合が70
モル%以下になると複屈折が大きくなり、ジカルボン酸
成分中の脂肪族ジカルボン酸の割合が30モル%以上に
なると耐熱性が低下する。
モル%以下になると複屈折が大きくなり、ジカルボン酸
成分中の脂肪族ジカルボン酸の割合が30モル%以上に
なると耐熱性が低下する。
本発明のポリエステルの製造法としては、特に制限を受
けることなく種々の方法が採用できる。
けることなく種々の方法が採用できる。
例えば水と相溶性のない有機溶剤に溶解せしめた芳香族
ジカルボン酸クロライドとアルカリ水溶液に溶解せしめ
たジヒドロキシ化合物とを混合反応せしめる界面重合法
(特公昭40−1959号公報参照)、芳香族ジカルボ
ン酸クロライドとジヒドロキシ化合物とを有機溶媒中で
反応せしめる溶液重合法(特公昭37−5599号公報
参照)、芳香族ジカルボン酸フェニルエステルとジヒド
ロキシ化合物を溶融状態で重合せしめる方法(特公昭3
8−115247号公報、同43−28119号公報参
照)、芳香族ジカルボン酸とジヒドロキシ化合物のアセ
テートとを溶融状態で重合せしめる方法[Indust
rial andEngineering Chemi
stry vol 51 P47(1959B)参照コ
などの方法を挙げることができる。
ジカルボン酸クロライドとアルカリ水溶液に溶解せしめ
たジヒドロキシ化合物とを混合反応せしめる界面重合法
(特公昭40−1959号公報参照)、芳香族ジカルボ
ン酸クロライドとジヒドロキシ化合物とを有機溶媒中で
反応せしめる溶液重合法(特公昭37−5599号公報
参照)、芳香族ジカルボン酸フェニルエステルとジヒド
ロキシ化合物を溶融状態で重合せしめる方法(特公昭3
8−115247号公報、同43−28119号公報参
照)、芳香族ジカルボン酸とジヒドロキシ化合物のアセ
テートとを溶融状態で重合せしめる方法[Indust
rial andEngineering Chemi
stry vol 51 P47(1959B)参照コ
などの方法を挙げることができる。
この際通常の触媒、亜リン酸、リン酸またはこれらの誘
導体、フェノール誘導体などの安定剤などを必要に応じ
て使用してもよい。
導体、フェノール誘導体などの安定剤などを必要に応じ
て使用してもよい。
レーザーで記録再生を行なう光ディスクでは、基板に用
いる樹脂の耐熱性の尺度でおるガラス転移温度は120
’C以上で必ることが必要でおる。
いる樹脂の耐熱性の尺度でおるガラス転移温度は120
’C以上で必ることが必要でおる。
本発明においては、剛直な高分子鎖を構成する七ツマを
使用することによってガラス転移温度を120’C以上
、好ましくは150’C以上にすることができる。ポリ
マのガラス転移温度は差動走査型熱量計(DSC>によ
って測定することができる。
使用することによってガラス転移温度を120’C以上
、好ましくは150’C以上にすることができる。ポリ
マのガラス転移温度は差動走査型熱量計(DSC>によ
って測定することができる。
本発明のポリエステル樹脂は高いガラス転移温度を示す
にもかかわらず、比較的低い温度で溶融し、溶融ポリマ
の流動性が良好なため、比較的低温で成形することがで
きる。また、本発明においては、光ディスクとして成形
する方法としては、生産性に優れた射出成形が好ましく
適用できる。
にもかかわらず、比較的低い温度で溶融し、溶融ポリマ
の流動性が良好なため、比較的低温で成形することがで
きる。また、本発明においては、光ディスクとして成形
する方法としては、生産性に優れた射出成形が好ましく
適用できる。
本発明のポリエステル樹脂から得られる光ディスク基板
の複屈折は、シングルパス垂直入射において60nm未
満で必ることが必要であり、好ましくは30nm以下、
さらに好ましくは10nm以下にあざえることができる
。本発明においては、成形条件を厳密にコントロールす
ることなく、60nm未渦の複屈折に押さえることがで
き、成形の歩留まりが高い。また、複屈折はエリプソメ
ーターによって測定することができる。また、透明性は
、ASTM D−1003法によって、測定すること
ができる。
の複屈折は、シングルパス垂直入射において60nm未
満で必ることが必要であり、好ましくは30nm以下、
さらに好ましくは10nm以下にあざえることができる
。本発明においては、成形条件を厳密にコントロールす
ることなく、60nm未渦の複屈折に押さえることがで
き、成形の歩留まりが高い。また、複屈折はエリプソメ
ーターによって測定することができる。また、透明性は
、ASTM D−1003法によって、測定すること
ができる。
ざらに、本発明のポリエステルは常法に従い、加水分解
することにより構成単位を分析することができる。
することにより構成単位を分析することができる。
本発明により得られたポリエステル系光ディスク基板は
、従来の優れた耐熱性、透明性、低吸湿性における性能
に加えて、複屈折が60nm未満であり、かつガラス転
移点が120’C以上という性能も満たし、その用途と
しては、光ディスク基板の他にも、例えば、光学レンズ
、光カード用フィルムなどとして用いることができる。
、従来の優れた耐熱性、透明性、低吸湿性における性能
に加えて、複屈折が60nm未満であり、かつガラス転
移点が120’C以上という性能も満たし、その用途と
しては、光ディスク基板の他にも、例えば、光学レンズ
、光カード用フィルムなどとして用いることができる。
[実施例]
以下実施例をめげて本発明を説明する。実施例中のガラ
ス転移温度は、Dul)Ont−990DSCを用い、
10’C/分の昇温速度で加熱することによって測定し
た値でおり、極限粘度は25°Cでオルソクロルフェノ
ール溶液として測定したときの値である。飽和吸水率は
75°C温水中に24時間放置後、重量変化によって計
算した。複屈折はエリプソメーターを利用して、830
nmにて測定した。
ス転移温度は、Dul)Ont−990DSCを用い、
10’C/分の昇温速度で加熱することによって測定し
た値でおり、極限粘度は25°Cでオルソクロルフェノ
ール溶液として測定したときの値である。飽和吸水率は
75°C温水中に24時間放置後、重量変化によって計
算した。複屈折はエリプソメーターを利用して、830
nmにて測定した。
実施例1
9.30(0,05モル〉の2.2−ビフェノール、4
.20の水酸化ナトリウム、0.06qのトリエヂルベ
ンジルアンモニウムクロライドを3QQmlの水に溶解
した。一方、5.08g(0゜025モル)のテレフタ
ル酸クロライドと、同じ<5.01 (0,025モル
)のイソフタル酸クロライド(0,025モル)を15
0CCの塩化メチレンに溶解して、滴下ロートに仕込ん
だ。前記2,2−ビフェノールのアルカリ水溶液を10
℃に冷却し、ホモミキザーで激しく攪拌しながら、テレ
フタル酸およびイソフタル酸クロライドの塩化メチレン
溶液を5分間かけて滴下した。反応混合物を25℃でざ
らに1時間攪拌したところポリマは粘稠物として析出し
た。上部水性層を除き、残留物を強く攪拌しながら、5
00m1の水で5回洗浄し、その後ポリマ溶液を塩化メ
チレン150m1で希釈し一過した。この溶液をメタノ
ール中に注入してポリマを分離し、これを100’01
2時間真空乾燥した。
.20の水酸化ナトリウム、0.06qのトリエヂルベ
ンジルアンモニウムクロライドを3QQmlの水に溶解
した。一方、5.08g(0゜025モル)のテレフタ
ル酸クロライドと、同じ<5.01 (0,025モル
)のイソフタル酸クロライド(0,025モル)を15
0CCの塩化メチレンに溶解して、滴下ロートに仕込ん
だ。前記2,2−ビフェノールのアルカリ水溶液を10
℃に冷却し、ホモミキザーで激しく攪拌しながら、テレ
フタル酸およびイソフタル酸クロライドの塩化メチレン
溶液を5分間かけて滴下した。反応混合物を25℃でざ
らに1時間攪拌したところポリマは粘稠物として析出し
た。上部水性層を除き、残留物を強く攪拌しながら、5
00m1の水で5回洗浄し、その後ポリマ溶液を塩化メ
チレン150m1で希釈し一過した。この溶液をメタノ
ール中に注入してポリマを分離し、これを100’01
2時間真空乾燥した。
このポリエステルを280’Cで射出成形し、厚み1.
2mm、130mmφの円板を得た。
2mm、130mmφの円板を得た。
性能について、結果を表1に示した。
ガラス転移温度は126°Cと光ディスク基板として充
分に高く、複屈折はPMMAなみに侵れていた。飽和吸
水率はポリカーボネートと同等で、吸水時の寸法変化は
測定誤差の範囲であった。さらに実用上充分な強度を有
し、光透過率は90%以上であった。
分に高く、複屈折はPMMAなみに侵れていた。飽和吸
水率はポリカーボネートと同等で、吸水時の寸法変化は
測定誤差の範囲であった。さらに実用上充分な強度を有
し、光透過率は90%以上であった。
実施例2
実施例1において、ヒスフェノールAを20モル%用い
、さらに、2,2゛−ビフェノールの割合を80モル%
とした以外は、実施例1と同様にしてポリエステル光デ
ィスク基板を1qた。
、さらに、2,2゛−ビフェノールの割合を80モル%
とした以外は、実施例1と同様にしてポリエステル光デ
ィスク基板を1qた。
結果を表1に示した。
比較例1
実施例1において、2,2−ビフェノールの代わりに4
,4−ビフェノールを用いた以外は、実施例1と同様に
してポリマを得た。このポリマは、4oo’c以上に加
熱しなりれば溶融ぎす、不透明であり、光ディスク基板
として用いることはできなかった。
,4−ビフェノールを用いた以外は、実施例1と同様に
してポリマを得た。このポリマは、4oo’c以上に加
熱しなりれば溶融ぎす、不透明であり、光ディスク基板
として用いることはできなかった。
比較例2
2.2−ビフェノールを用いずに、ビスフェノールAを
用いた以外は、実施例1と同様に行なってポリエステル
光ディスク基板を得た。
用いた以外は、実施例1と同様に行なってポリエステル
光ディスク基板を得た。
結果を表1に示した。耐熱性は極めて良好であり、光透
過率も87%と優れているが、350℃という高い成形
温度を必要とし、また、複屈折が大きいという致命的な
欠点を有していた。
過率も87%と優れているが、350℃という高い成形
温度を必要とし、また、複屈折が大きいという致命的な
欠点を有していた。
[発明の効果]
本発明の光ディスク基板は、複屈折が60nm未満とい
う特徴を有するため、ディスク基板材料として正確な記
録、再生が可能となる。
う特徴を有するため、ディスク基板材料として正確な記
録、再生が可能となる。
また、耐熱性、低吸湿性が特に優れるため、寸法、形態
安定性に優れる。
安定性に優れる。
ざらに、本発明のポリエステル樹脂は、高いガラス転移
温度を示すにもかかわらず、比較的低い温度で溶融し、
溶融ポリマの流動性が良好なため、加工成形が容易であ
る。
温度を示すにもかかわらず、比較的低い温度で溶融し、
溶融ポリマの流動性が良好なため、加工成形が容易であ
る。
Claims (1)
- (1)下記一般式[A]に示す構造単位を含有してなる
熱可塑性芳香族ポリエステルを主成分としてなり、垂直
入射シングルパスの複屈折が60nm未満であることを
特徴とする光ディスク基板。 ▲数式、化学式、表等があります▼[A]
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63200839A JPH023128A (ja) | 1988-03-03 | 1988-08-11 | 光ディスク基板 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5092188 | 1988-03-03 | ||
JP63-50921 | 1988-03-03 | ||
JP63200839A JPH023128A (ja) | 1988-03-03 | 1988-08-11 | 光ディスク基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH023128A true JPH023128A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=26391409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63200839A Pending JPH023128A (ja) | 1988-03-03 | 1988-08-11 | 光ディスク基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH023128A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999058944A1 (fr) | 1998-05-14 | 1999-11-18 | Masayoshi Esashi | Capteur de pression et son procede de fabrication |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP63200839A patent/JPH023128A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999058944A1 (fr) | 1998-05-14 | 1999-11-18 | Masayoshi Esashi | Capteur de pression et son procede de fabrication |
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