JPH0139018Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案はビデオテープレコーダ（VTR）等に
利用される高周波信号切換装置（RFスイツチ）
に関するものである。

(ロ) 従来技術 第１図は従来のRFスイツチの回路図であり、
動作電源用端子T_Bに電圧を印加し、スイツチン
グ電源用端子T_Sに電圧を印加しない場合におい
ては動作電源電圧が第１、第２ダイオードD₁，
D₂のアノードに印加される為、両ダイオードは
短絡され第１入力端子I₁からの第１の高周波信号
（RF信号）は第１出力端子O₁へ供給されると同
時に、動作電源電圧は第３ダイオードD₃のカソ
ードにも印加され該第３ダイオードは開放となる
ため第２入力端子I₂からの第２のFR信号を第１
出力端子O₁に供給しないようにしている。

一方スイツチング電源用端子T_Sに電圧を印加
した場合においては第１、第２ダイオードD₁，
D₂のアノードには動作電源電圧は印加されずカ
ソードにスイツチング電源電圧が印加されるため
両ダイオードD₁，D₂は開放となり、第１のRF信
号は第１出力端子に伝送されない。又、第３ダイ
オードのアノードにスイツチング電源電圧が印加
されカソードに動作電源が印加されないため該第
３ダイオードは短絡され第２入力端子I₂からの第
２のRF信号を第１出力端子O₁に印加するように
している。

ところで、この従来回路では第１、第２ダイオ
ードの遮断時の漏れ電流による減衰率の劣化を防
ぐため、すなわち両ダイオードの逆バイアスを大
きくかけて両ダイオードの端子間容量を小さくす
るため、２つのトランジスタQ₁，Q₂及びダイオ
ードD₅を配備しており回路が複雑になるという
欠点がある。又、第３ダイオードD₃は第２入力
端子と第１出力端子間のオンオフにのみ利用され
ていて、上記第２ダイオードのバイアス付与のた
めに併用されていない。

(ハ) 考案の目的 本考案は簡単な回路構成によつて第１入力端子
と第１出力端子との間の減衰量を大きくとると同
時に、その回路構成の１部を利用して第２入力端
子と第１出力端子との間のオン、オフ動作をも併
用させようとするものである。

(ニ) 考案の構成 本考案は第１の高周波信号を入力する第１入力
端子と、該第１のRF信号を第１結合コンデンサ、
第１ダイオード、第２ダイオード、及び第２結合
コンデンサを通じて受ける第１出力端子と、第１
端子からの動作電源を受け前記第１、第２各ダイ
オードを順方向にバイアス設定する第１バイアス
回路と、第２端子からのスイツチング用電源を受
け前記第１第２両ダイオードの結合点を実質的に
地絡するトランジスタを制御しかつ前記第１、第
２両ダイオードを逆方向にバイアス設定する第２
バイアス回路とを備え、該第２バイアス回路は前
記第２端子と前記第２ダイオードとの間に第３ダ
イオードを配備しており、該第３ダイオードは前
記第１、第２ダイオードの遮断時、第２のRF信
号を入力する第２入力端子からの第２のRF信号
を上記第１出力端子に付与すべく構成することを
特徴とするものである。

又、本考案では前記第２バイアス回路は前記第
１端子と前記第１ダイオードとの間に第４ダイオ
ードを配備しており、該第４ダイオードは前記第
１、第２ダイオードの遮断時、前記第１入力端子
からの第１のRF信号を第２出力端子２７に付与
すべく動作するように構成することを特徴とする
ものである。

(ホ) 実施例 第２図は本考案装置の１実施例の回路図であ
る。１はアンテナからのテレビジヨン信号（第１
のRF信号）を入力する第１入力端子、２はこの
第１のRF信号と共に受信される低域信号（例え
ばCB放送波）を除去するためのハイパスフイル
タ、３はこのフイルタ出力を受ける分配トラン
ス、４はこの分配トランスの２次側コイル５の１
端に接続された第２出力端子４である。この第２
出力端子にはVTRのチユーナ回路が接続され、
該１端P₁から見たインピーダンスは75Ωとしてい
る。上記２次側コイル５の他端P₂からの第１の
RF信号は第１結合コンデンサ６、第１ダイオー
ド７、第２ダイオード８、第２結合コンデンサ９
を通じて第１出力端子１０に伝送される。この第
１出力端子１０にはテレビジヨン受像機（TV）
のチユーナ回路が接続される。１１は動作電源を
付与する第１端子で、この第１端子からの動作電
源電圧は抵抗１２，１３及び１４，１５を備える
第１バイアス回路１６に印加され、第１、第２ダ
イオード７，８を何れも順方向にバイアス設定す
るように印加される。

１７はスイツチング電源を付与する第２端子
で、この第２端子からのスイツチング電源電圧は
第２バイアス回路１８に印加され、上記両ダイオ
ード７，８を何れも逆方向にバイアス設定するよ
うに印加される。この第２バイアス回路１８は、
両ダイオード７，８の結合点P₃を実質的に地絡
するトランジスタ１９とバイアス抵抗２０を備
え、さらに、第２端子１７と第２ダイオード８の
間に第３ダイオード２１と抵抗２２を、また第２
端子１７と第１ダイオード７の間に第４ダイオー
ド２３と抵抗２４をそれぞれ備えている。第１バ
イアス回路１６を構成する抵抗１４及び１５は第
２バイアス回路用としても兼用されている。

第２端子１７にスイツチング電源電圧が印加さ
れると、トランジスタ１９は導通して結合点P₃
を実質的に地絡する。一方、第３、第４ダイオー
ド２１，２３を通じて第２、第１ダイオード７，
８にそれぞれ逆方向のバイアスを付与する。ま
た、第３、第４各ダイオード２１，２３は抵抗２
２，１５，２４，１４によつて順方向にバイアス
設定される。従い、第１、第２ダイオード７，８
は遮断され、かつ、第３、第４ダイオード２１，
２３はオンとされる。

２５はVTRのRF変調器出力である第２のRF
信号の印加される第２入力端子であり、この第２
入力端子からの第２のRF信号は第３結合コンデ
ンサ２６を通じて第３ダイオード２１の第２端子
１７側に供給され、スイツチング電源電圧の印加
時、第３ダイオード２１を通じて第１出力端子１
０に伝送される。

破線で示す２７は上記第２出力端子４に代る第
２出力端子であり、スイツチング電源電圧の印加
時、上記２次側コイル５の他端からの第１のRF
信号を第４ダイオード２３及び第４結合コンデン
サ２８を通じて出力すべく配設されるものであ
る。

(ヘ) 考案の効果 本考案は第１入力端子からの第１のRF信号を
第１出力端子に伝送する系に第１、第２ダイオー
ドを配備し、両ダイオードの遮断時両ダイオード
の結合点を実質的に地絡すると共に各ダイオード
に逆バイアスを付与して各ダイオードの端子間容
量を小さくするようにしているので、上記遮断時
における第１のRF信号の漏れを小さくできる。
また、この逆バイアスを付与するための回路の第
３ダイオードを、第２入力端子からの第２のRF
信号の第１出力端子への伝送を制御するために兼
用しており回路の効率的利用ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のRFスイツチの回路図、第２図
は本考案装置の１実施例の回路図である。 主な図番の説明、１，２５……第１、第２入力
端子、７，８……第１、第２ダイオード、４，１
０……第１、第２出力端子、１６，１８……第
１、第２バイアス回路、１９……トランジスタ、
２１……第３ダイオード。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 第１入力端子１に入力される第１の高周波信号
   を第１出力端子１０に導くべく前記第１入力端子
   １と第１出力端子１０間に設けられた第１結合コ
   ンデンサ６、第１ダイオード７、第２ダイオード
   ８及び第２結合コンデンサ９の直列接続回路と、 前記第１、第２ダイオード７，８の結合点に接
   続された第１端子１１と、前記第１結合コンデン
   サ６と第１ダイオード７の接続点と接地点との間
   及び第２結合コンデンサ９と第２ダイオード８の
   接続点と接地点との間に夫々接続されたバイアス
   用抵抗１４，１５とからなり、前記第１端子１１
   に与えられる動作電源によつて前記第１、第２ダ
   イオード７，８を順方向にバイアスする第１バイ
   アス回路と、 スイツチング用電源を受ける第２端子１７が制
   御電極に接続されるとともに前記第１、第２ダイ
   オード７，８の結合点と接地点間にコレクタ・エ
   ミツタ路が接続されたトランジスタ１９と、前記
   第２ダイオード８と第２結合コンデンサ９の接続
   点と前記第２端子１７間に接続された第３ダイオ
   ード２１を有する第２バイアス回路と、 前記第３ダイオード２１と第２端子１７の接続
   点に接続され、第２の高周波信号が入力される第
   ２入力端子２５とを備え、 前記第２端子１７にスイツチング用電源が与え
   られると、前記トランジスタ１９は前記第１、第
   ２ダイオード７，８の結合点を実質的に地絡し、
   前記第１、第２ダイオード７，８を逆バイアスに
   設定して遮断せしめるとともに前記第３ダイオー
   ド２１を導通せしめて、前記第２入力端子２５か
   らの第２の高周波信号を前記第１出力端子１０に
   付与すべく構成してなる高周波信号切換装置。