JPH0238513Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案は高周波信号の伝送、遮断に供する高周
波信号切換え装置（RFスイツチ）に関するもの
である。

(ロ) 従来技術 第１図は従来の高周波信号切換え装置の回路図
であり、動作電源用端子T_Bに電圧を印加し、ス
イツチング電源用端子T_Sに電圧を印加しない場
合においては、動作電源電圧が第１、第２ダイオ
ードD₁，D₂のアノードに印加されるため、両ダ
イオードは短絡され、第１入力端子I₁からの第１
の高周波信号（RF信号）は、第１出力端子O₁へ
供給されると同時に動作電源電圧は第３ダイオー
ドD₃のカソードにも印加され該第３ダイオード
は開放となるため第２入力端子I₂からの第２の
RF信号を第１出力端子O₁に供給しないようにし
ている。

一方スイツチング電源用端子T_Sに電圧を印加
した場合においては、第１、第２ダイオードD₁，
D₂のアノードには動作電源電圧は印加されずカ
ソードにスイツチング電源電圧が印加されるた
め、両ダイオードD₁，D₂は開放となり第１のRF
信号は第１出力端子に伝送されない。又、第３ダ
イオードのアノードにスイツチング電源電圧が印
加され、カソードに動作電源が印加されないた
め、該第３ダイオードは短絡され第２入力端子I₂
からの第２のRF信号を第１出力端子O₁に伝送す
るようにしている。

ところで、この従来回路では、遮断時における
入出力間の減衰量は第１入力端子I₁と第１出力端
子O₁間では、第１、第２ダイオードD₁，D₂の端
子間容量、および第２入力端子I₂と第１出力端子
O₁間では第３ダイオードD₃の端子間容量にて決
定される。またスイツチング電源電圧のON，
OFFのみで各回路の切換を行なわせるために、
２つのトランジスタQ₁，Q₂及びダイオードD₅を
配備しており回路が複雑になるという欠点があ
る。

第２図は、他の従来の高周波信号切換え装置の
回路図であり、第１スイツチング電源用端子T_S1
に電圧を印加した場合においては、第１、第２ダ
イオードD₁，D₂は短絡され、第６、第７ダイオ
ードD₆，D₇は開放されるため、第１入力端子I₁
からの第１のRF信号は第１出力端子O₁へ供給さ
れると同時に第２入力端子I₂からの第2RF信号は
第１出力端子O₁へ供給されない。このとき第１
のスイツチング電源電圧は、第９ダイオードD₉
のアノードにも印加され、該第９ダイオードは短
絡されるため、第７ダイオードを通つて漏れた第
２のRF信号を地絡させることができる。一方第
２のスイツチング電源用端子T_S2に電圧を印加し
た場合においても同様に、第６、第７ダイオード
は短絡され、第１、第２ダイオードは開放される
ために、第１の入力端子I₁からの第１のRF信号
は、第１出力端子O₁へ供給されず、第２の入力
端子I₂からの第２のRF信号は、第１出力端子O₁
へ供給され、第８ダイオードD₈が短絡されるた
め、第１ダイオードを通つて漏れた第１のRF信
号も地絡されることになる。従つて本回路の場
合、前記第１図の回路と比較して、遮断時におけ
る減衰量は向上するが、各回路を切換えるための
スイツチング電源電圧は、それぞれ必要となり、
電源供給面での不都合が発生し、第１図の従来例
と同様に２つのトランジスタとダイオードを使用
した電源供給回路とした場合においては、さらに
回路が複雑になるという欠点がある。

(ハ) 考案の目的 本考案は簡単な回路構成によつて第１入力端子
と第１出力端子間および第２入力端子と第１出力
端子間の減衰量を大きくとると同時に、その回路
の一部を利用して電源供給回路を簡単に構成する
ものである。

(ニ) 考案の構成 本考案は、第１の高周波信号を入力する第１入
力端子と該第１のRF信号を第１結合コンデンサ、
第１ダイオード、第２ダイオード及び第２結合コ
ンデンサを通じて受ける第１出力端子とで構成す
る第１信号系と、第２の高周波信号を入力する第
２入力端子、該第２のRF信号を第３結合コンデ
ンサ、第３ダイオード、第４ダイオード及び第２
結合コンデンサを通じて受ける前記第１出力端子
とで構成する第２信号系と、動作したとき前記第
１、第２ダイオードの結合点を地絡する第１トラ
ンジスタと、動作したとき前記第３、第４ダイオ
ードの結合点を地絡する第２トランジスタと、第
１制御端子からの動作電源を受け前記第１、第２
各ダイオードを順方向にバイアス設定し、かつ前
記第２トランジスタを動作制御する第１バイアス
回路と、第２制御端子からのスイツチング用電源
を受け前記第１トランジスタを動作制御し、該第
１トランジスタが実質的に地絡されることによ
り、前記第２トランジスタが開放となるべく制御
し、かつ前記第３、第４各ダイオードを順方向に
バイアス設定し、さらに前記第１、第２両ダイオ
ードを逆方向にバイアス設定すべく構成したもの
である。

(ホ) 実施例 第３図は本考案装置の１実施例である。

１は第１の高周波信号（第１のRF信号）を入
力する第１入力端子であり、第１のRF信号は、
第１結合コンデンサ２、第１ダイオード３、第２
ダイオード４、第２結合コンデンサ５を通じて第
１出力端子６に伝送される。７は第２の高周波信
号（第２のRF信号）を入力する第２入力端子で
あり、第２のRF信号は、第３結合コンデンサ８、
第３ダイオード９、第４ダイオード１０、第２結
合コンデンサ５を通じて第１出力端子６に伝送さ
れる。

１１は動作電源を付与する第１制御端子で、こ
の第１制御端子からの動作電源電圧は、抵抗１２
及び１３，１４を備える第１バイアス回路１５に
印加され、第１、第２ダイオード３，４を何れも
順方向にバイアス設定するように印加される。こ
の第１バイアス回路１５は、前記第３、第４ダイ
オード９，１０の結合点P₂を実質的に地絡する
第２トランジスタ２０とバイアス抵抗２１を備え
ている。

１６はスイツチング電源を付与する第２制御端
子で、この第２制御端子からのスイツチング電源
電圧は第２バイアス回路１７に印加され、前記第
３、第４ダイオード９，１０を何れも順方向に、
前記第１、第２ダイオード３，４を何れも逆方向
にバイアス設定するように印加される。この第２
バイアス回路１７は、前記第１、第２ダイオード
３，４の結合点P₁を実質的に地絡する第１トラ
ンジスタ１８とバイアス低抗１９を備え、さらに
第２制御端子１６と第３ダイオード９の間に抵抗
２２を、第２制御端子１６と第１ダイオード３の
間に第５ダイオード２３と抵抗２４をそれぞれ備
えている。第１バイアス回路１５を構成する抵抗
１３及び１４は第２バイアス回路用としても兼用
される。

第１制御端子１１に動作電源電圧が印加される
と、第２トランジスタ２０は導通して結合点P₂
を実質的に地絡する。一方第１、第２ダイオード
３，４は順方向にバイアスされ、それぞれ導通と
なり、第４ダイオード１０は第２ダイオード４を
通じて逆方向にバイアスされ遮断される。従つて
第１入力端子１からの第１のRF信号は、第１出
力端子６に伝送され、第２入力端子７からの第２
のRF信号は第１出力端子６へは伝送されない。

第２制御端子１６にスイツチング電源電圧が印
加されると、第１トランジスタ１８は導通して結
合点P₁を実質的に地絡する。結合点P₁が実質的
に地絡されることにより、第２トランジスタ２０
は開放となる。一方、第３、第４ダイオード９，
１０は順方向にバイアスされ、それぞれ導通とな
り、第１、第２ダイオード３，４は第３、第４、
第５ダイオード９，１０，２３を通じて逆方向に
バイアスされ、それぞれ遮断される。従つて、第
２入力端子７からの第２のRF信号は第１出力端
子６に伝送され、第１入力端子からの第１のRF
信号は第１出力端子６に伝送されない。

本回路において第１トランジスタ１８は、結合
点P₁を実質的に地絡することにより、第１、第
２ダイオード３，４に逆方向にバイアスを与える
効果と、第１ダイオード３を通じて漏れた第１の
RF信号を地絡させ減衰量を大きくとる効果と、
第２トランジスタ２０を制御する効果とを兼ねて
おり、簡単な構成で効果を上げることができる。

第４図は、本考案装置の他の実施例である。

これは、第１実施例の構成に加えて、第５ダイ
オード２３とバイアス抵抗２４の結合点から第４
結合コンデンサ２９を通つて第２出力端子２８を
付設し、第５ダイオード２３と、第１結合コンデ
ンサ２の間に第７ダイオード２５を設け、前記第
５、第７ダイオード２３，２５の結合点P₃を実
質的に地絡する第３トランジスタ２６とバイアス
抵抗２７を備えたものである。つまり、第１制御
端子１１に動作電源電圧を印加した場合、第１入
力端子１からの第１のRF信号を第１出力端子６
へ伝送し、第２制御端子１６にスイツチング電源
電圧を印加した場合、第１入力端子１から第１の
RF信号を第２出力端子２８へ伝送し、第２入力
端子７から第２のRF信号を第１出力端子６へ伝
送する構成としたものである。本実施例の場合、
CATV放送のスクランブル信号処理回路（デイ
スクランブル回路）への切換装置等に利用すると
便利である。

第５図は、本考案装置の別の他の実施例であ
る。

本回路では、第１結合コンデンサ２と第１ダイ
オード３との結合点と、第３、第４両ダイオード
９，１０の結合点とは逆流阻止に供する第５ダイ
オード２３とバイアス抵抗２４で接続されてお
り、また第３結合コンデンサ８と第３ダイオード
９との結合点と、第１、第２両ダイオード３，４
の結合点とは逆流阻止に供する第６ダイオード３
１とバイアス抵抗３２で接続されている。第１制
御端子１１に動作電源電圧を印加したとき、前記
第３ダイオード９には、前記第６ダイオード３１
を介して、前記４ダイオード１０には、前記２ダ
イオード４を介してそれぞれ逆方向にバイアスさ
れる構成である。

従つて、第１実施例と比較して第３ダイオード
９の端子間容量が小さくなり、遮断時における減
衰量はさらに改善されている。

(ヘ) 考案の効果 本考案は、第１入力端子からの第１のRF信号
を第１出力端子に伝送する系に第１、第２ダイオ
ードを配備し、両ダイオードの遮断時に両ダイオ
ードの結合点を実質点に地絡すると共に、各ダイ
オードに逆バイアスを付与して各ダイオードの端
子間容量を小さくするようにしているので、上記
遮断時における第１のRF信号の漏れを小さくで
きる。また第２入力端子からの第２のRF信号を
第１出力端子に伝送する系においても第３、第４
ダイオードを配備し、両ダイオードの遮断時に両
ダイオードの結合点を実質的に地絡すると共に各
ダイオードに逆バイアスを付与して各ダイオード
の端子間容量を小さくするようにしているので、
上記遮断時における、第２のRF信号の漏れも小
さくできる。なお前記第１、第２両ダイオードの
結合点を実質的に地絡させる第１トランジスタ
は、前記第３、第４両ダイオードの結合点を実質
的に地絡させる第２トランジスタの制御も兼ねて
おり、簡単な構成により簡単な電源供給が実現で
き効果的である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来の高周波信号切換え装置の回路
構成図、第２図は他の従来例の回路構成図であ
る。第３図は本考案の高周波信号切換え装置の１
実施例の回路構成図、第４図、第５図は本考案の
他の実施例の回路構成図である。 １，７……第１、第２入力端子、６……第１出
力端子、３，４，９，１０……第１、第２、第
３、第４ダイオード、１８，２０……第１、第２
トランジスタ、１５，１７……第１、第２バイア
ス回路、２３，３１……第５、第６ダイオード。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. (1) 第１の高周波信号を入力する第１入力端子と
   該第１の高周波信号を第１結合コンデンサ、第
   １ダイオード、第２ダイオード、及び第２結合
   コンデンサを通じて受ける第１出力端子とで構
   成する第１信号系と、第２の高周波信号を入力
   する第２入力端子と該第２の高周波信号を第３
   結合コンデンサ、第３ダイオード、第４ダイオ
   ード、及び第２結合コンデンサを通じて受ける
   前記第１出力端子とで構成する第２信号系と、
   動作したとき前記第１、第２ダイオードの結合
   点を地絡する第１トランジスタと、動作したと
   き前記第３、第４ダイオードの結合点を地絡す
   る第２トランジスタと、第１制御端子からの動
   作電源を受け、前記第１、第２各ダイオードを
   順方向にバイアス設定し、かつ前記第２トラン
   ジスタを動作制御する第１バイアス回路と、第
   ２制御端子からのスイツチング用電源を受け前
   記第１トランジスタを動作制御し、該第１トラ
   ンジスタが実質的に地絡されることにより、前
   記第２トランジスタが開放となるべく制御し、
   かつ前記第３、第４各ダイオードを順方向にバ
   イアス設定し、さらに前記第１、第２両ダイオ
   ードを逆方向にバイアス設定する第２バイアス
   回路とを備えてなる高周波信号切換え装置。