JPH0735456Y2 - Ｒｆスイッチ回路 - Google Patents
Ｒｆスイッチ回路Info
- Publication number
- JPH0735456Y2 JPH0735456Y2 JP1988164567U JP16456788U JPH0735456Y2 JP H0735456 Y2 JPH0735456 Y2 JP H0735456Y2 JP 1988164567 U JP1988164567 U JP 1988164567U JP 16456788 U JP16456788 U JP 16456788U JP H0735456 Y2 JPH0735456 Y2 JP H0735456Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- terminal
- power supply
- switch circuit
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この考案はRFスイッチ回路のアイソレーションの改善に
関する。
関する。
「従来の技術」 RFスイッチ回路は例えばビデオテープレコーダに使用さ
れ、アンテナで受信したテレビ信号（放送波）と、RFモ
ジュレータ出力とのいずれかを選択してテレビ受像機へ
供給している。即ち、第３図に示すようにアンテナから
のテレビ信号が入力端子IN1に、RFモジュレータの出力
が入力端子IN2にそれぞれ供給される。入力端子IN1と出
力端子OUTとの間にRFスイッチ回路１が、入力端子IN2と
出力端子OUTとの間にRFスイッチ回路２がそれぞれ接続
される。これらのRFスイッチ回路1,2は一方がオンであ
れば他方はオフとされるが、そのオン／オフの切換えは
電源端子＋B1，＋B2に印加する電流電圧のオン／オフに
より行われる。
れ、アンテナで受信したテレビ信号（放送波）と、RFモ
ジュレータ出力とのいずれかを選択してテレビ受像機へ
供給している。即ち、第３図に示すようにアンテナから
のテレビ信号が入力端子IN1に、RFモジュレータの出力
が入力端子IN2にそれぞれ供給される。入力端子IN1と出
力端子OUTとの間にRFスイッチ回路１が、入力端子IN2と
出力端子OUTとの間にRFスイッチ回路２がそれぞれ接続
される。これらのRFスイッチ回路1,2は一方がオンであ
れば他方はオフとされるが、そのオン／オフの切換えは
電源端子＋B1，＋B2に印加する電流電圧のオン／オフに
より行われる。
従来のRFスイッチ回路２を第４図を参照して説明する。
入力端子IN2と出力端子OUTとの間に、コンデンサC1−ダ
イオードD1−コンデンサC2−ダイオードD2−コンデンサ
C3が順次接続され、ダイオードD1とコンデンサC2との接
続点及びダイオードD2とコンデンサC3との接続点はそれ
ぞれ抵抗器R1及びR2を介して共通電位点に接続される。
コンデンサC1とダイオードD1との接続点及びコンデンサ
C2とダイオードD2との接続点はそれぞれチョークコイル
L1及びL2を介して電源端子＋B2に接続される。なお、コ
ンデンサC1，C2，C3は直流阻止用であり、抵抗器R1，R2
は高周波回路の標準インピーダンス（例えば75Ω）に対
してハイインピーダンスとされる。
入力端子IN2と出力端子OUTとの間に、コンデンサC1−ダ
イオードD1−コンデンサC2−ダイオードD2−コンデンサ
C3が順次接続され、ダイオードD1とコンデンサC2との接
続点及びダイオードD2とコンデンサC3との接続点はそれ
ぞれ抵抗器R1及びR2を介して共通電位点に接続される。
コンデンサC1とダイオードD1との接続点及びコンデンサ
C2とダイオードD2との接続点はそれぞれチョークコイル
L1及びL2を介して電源端子＋B2に接続される。なお、コ
ンデンサC1，C2，C3は直流阻止用であり、抵抗器R1，R2
は高周波回路の標準インピーダンス（例えば75Ω）に対
してハイインピーダンスとされる。
オンモード（通過モード）では、外部より直流電圧が電
源端子＋B2に供給され、L1−D1−R1及びL2−D2−R2の経
路に電流が流れてダイオードD1，D2はオンとされる。入
力端子IN2に供給されるRF信号はC1−D1−C2−D2−C3の
経路を通って出力端子OUTに、ほとんど減衰を受けずに
伝送される。
源端子＋B2に供給され、L1−D1−R1及びL2−D2−R2の経
路に電流が流れてダイオードD1，D2はオンとされる。入
力端子IN2に供給されるRF信号はC1−D1−C2−D2−C3の
経路を通って出力端子OUTに、ほとんど減衰を受けずに
伝送される。
オフモードでは、電源端子＋B2はオープン状態とされる
ので、ダイオードD1，D2は順電圧が印加されなくなるた
め、オフとされる。このため入出力端子間のロス（アイ
ソレーションと言う）は例えば100MHzにおいて30dBとな
る。
ので、ダイオードD1，D2は順電圧が印加されなくなるた
め、オフとされる。このため入出力端子間のロス（アイ
ソレーションと言う）は例えば100MHzにおいて30dBとな
る。
「考案が解決しようとする課題」 従来のRFスイッチ回路２のオフ時の減衰量は、ビデオテ
ープレコーダのRFモジュレータ出力をオン／オフするの
に用いる場合には、上記程度の減衰量があれば何等問題
になることはない。何となれば、RFスイッチ回路２がオ
フの場合にはRFモジュレータの動作もオフとされるから
である。この場合には、第３図において入力端子IN1か
ら出力端子OUTに伝送された放送波に対して問題になる
ほどのシャントロス（並列ロス）を与えないように、ダ
イオードD1，D2のオフ抵抗が高周波回路の標準インピー
ダンスに対して充分高ければそれでよい。しかしながら
第３図のRFスイッチ回路２の入力端子IN2にCATVのケー
ブルを接続し放送波とCATV信号とを切換えようとした場
合にはRFスイッチ回路２のアイソレーション不足により
次のような問題が生ずる。
ープレコーダのRFモジュレータ出力をオン／オフするの
に用いる場合には、上記程度の減衰量があれば何等問題
になることはない。何となれば、RFスイッチ回路２がオ
フの場合にはRFモジュレータの動作もオフとされるから
である。この場合には、第３図において入力端子IN1か
ら出力端子OUTに伝送された放送波に対して問題になる
ほどのシャントロス（並列ロス）を与えないように、ダ
イオードD1，D2のオフ抵抗が高周波回路の標準インピー
ダンスに対して充分高ければそれでよい。しかしながら
第３図のRFスイッチ回路２の入力端子IN2にCATVのケー
ブルを接続し放送波とCATV信号とを切換えようとした場
合にはRFスイッチ回路２のアイソレーション不足により
次のような問題が生ずる。
（ａ）CATVの信号レベルがRFモジュレータの出力レベル
より可成り高い場合には電源端子＋B2が開放でRFスイッ
チ回路２がオフ状態であっても出力端子OUT側に漏れたC
ATV信号はRFスイッチ回路１において放送波との混変調
波を発生し受信障害となる。
より可成り高い場合には電源端子＋B2が開放でRFスイッ
チ回路２がオフ状態であっても出力端子OUT側に漏れたC
ATV信号はRFスイッチ回路１において放送波との混変調
波を発生し受信障害となる。
（ｂ）電源端子＋B2が開放であるときには、ダイオード
D1，D2のアノードが直流的に浮いた状態とされるが、入
力端子IN2に印加されるCATV信号のレベルが大きい場合
には、ダイオードD1，D2はその信号で励振され、それら
ダイオードの非直線性によって放送波とCATV信号との混
変調波が発生して受信障害をひきおこす恐れがある。
D1，D2のアノードが直流的に浮いた状態とされるが、入
力端子IN2に印加されるCATV信号のレベルが大きい場合
には、ダイオードD1，D2はその信号で励振され、それら
ダイオードの非直線性によって放送波とCATV信号との混
変調波が発生して受信障害をひきおこす恐れがある。
この考案は構成が簡単で、経済的な回路で、かつアイソ
レーションのよいRFスイッチ回路を提供し、このような
不都合を防止しようとするものである。
レーションのよいRFスイッチ回路を提供し、このような
不都合を防止しようとするものである。
「課題を解決するための手段」 この考案のRFスイッチ回路では、入力端子と出力端子と
の間に、第１直流阻止用コンデンサC1−第１ダイオード
D1−第２ダイオードD2（第１ダイオードD1と逆方向とす
る）−第２直流阻止用コンデンサC2が順次接続される。
の間に、第１直流阻止用コンデンサC1−第１ダイオード
D1−第２ダイオードD2（第１ダイオードD1と逆方向とす
る）−第２直流阻止用コンデンサC2が順次接続される。
上記第１直流阻止用コンデンサC1と第１ダイオードD1と
の接続点P1及び上記第２ダイオードD2と第２直流阻止用
コンデンサC2との接続点P2はそれぞれハイインピーダン
スの第１抵抗器R1及び第２抵抗器R2を介して共通電位点
に接続される。
の接続点P1及び上記第２ダイオードD2と第２直流阻止用
コンデンサC2との接続点P2はそれぞれハイインピーダン
スの第１抵抗器R1及び第２抵抗器R2を介して共通電位点
に接続される。
上記第１ダイオードD1と第２ダイオードD2との接続点P3
はデプリーション形FETトランジスタＱを通じて共通電
位点に接続されると共にハイインピーダンス素子Ｌを通
じて電源端子に接続され、上記トランジスタＱの制御端
子は上記電源端子に接続される。
はデプリーション形FETトランジスタＱを通じて共通電
位点に接続されると共にハイインピーダンス素子Ｌを通
じて電源端子に接続され、上記トランジスタＱの制御端
子は上記電源端子に接続される。
上記FETトランジスタの制御端子に直流電圧が印加され
たときに、該FETトランジスタがオフになるように、上
記電源端子に印加される直流電圧の極性と、上記FETト
ランジスタのｐ形/n形の関係が選定される。
たときに、該FETトランジスタがオフになるように、上
記電源端子に印加される直流電圧の極性と、上記FETト
ランジスタのｐ形/n形の関係が選定される。
上記電源端子に印加される直流電圧のオン又はオフに応
じて、それぞれ上記入出力端子間が通過状態又は阻止状
態とされる。
じて、それぞれ上記入出力端子間が通過状態又は阻止状
態とされる。
「実施例」 この考案の実施例を第１図を参照して説明する。入力端
子IN2と出力端子OUTとの間に、コンデンサC1−ダイオー
ドD1−ダイオードD2（ダイオードD1とは逆方向とする）
−コンデンサC2が順次接続される。コンデンサC1とダイ
オードD1との接続点P1及びダイオードD2とコンデンサC2
との接続点P2はそれぞれハイインピーダンスの抵抗器R1
及びR2を介して共通電位点に接続される。ダイオードD1
とD2との接続点P3にデプリーション形FETトランジスタ
Ｑのドレインが接続され、ソースは共通電位点に接続さ
れ、ゲートは抵抗器R3を介して電源端子＋B2に接続され
る。また接続点P3はハイインピーダンス素子である高周
波チョークコイルＬを介して電源端子＋B2に接続され
る。電源端子＋B2はハイインピーダンスの抵抗器R4を介
して共通電位点に接続される。なおコンデンサC1，C2は
直流阻止用である。
子IN2と出力端子OUTとの間に、コンデンサC1−ダイオー
ドD1−ダイオードD2（ダイオードD1とは逆方向とする）
−コンデンサC2が順次接続される。コンデンサC1とダイ
オードD1との接続点P1及びダイオードD2とコンデンサC2
との接続点P2はそれぞれハイインピーダンスの抵抗器R1
及びR2を介して共通電位点に接続される。ダイオードD1
とD2との接続点P3にデプリーション形FETトランジスタ
Ｑのドレインが接続され、ソースは共通電位点に接続さ
れ、ゲートは抵抗器R3を介して電源端子＋B2に接続され
る。また接続点P3はハイインピーダンス素子である高周
波チョークコイルＬを介して電源端子＋B2に接続され
る。電源端子＋B2はハイインピーダンスの抵抗器R4を介
して共通電位点に接続される。なおコンデンサC1，C2は
直流阻止用である。
トランジスタＱはこの例ではｐチャネルのデプリーショ
ン形FETであって、そのドレイン電流ID（ドレインから
ソースへ流れる電流を正とする）対ドレイン電圧V
DS（ソース電圧を基準とする）特性及びドレイン電流ID
対ゲート電圧VGS（ソース電圧を基準とする）特性の一
例をそれぞれ第２図Ａ及びＢに示してある。トランジス
タＱはピンチ・オフ電圧VP以上の正電圧を印加されると
オフとされて、ドレインID＝０となる。
ン形FETであって、そのドレイン電流ID（ドレインから
ソースへ流れる電流を正とする）対ドレイン電圧V
DS（ソース電圧を基準とする）特性及びドレイン電流ID
対ゲート電圧VGS（ソース電圧を基準とする）特性の一
例をそれぞれ第２図Ａ及びＢに示してある。トランジス
タＱはピンチ・オフ電圧VP以上の正電圧を印加されると
オフとされて、ドレインID＝０となる。
オンモードでは、電源端子＋B2にピンチ・オフ電圧VP以
上の電圧が供給されるのでトランジスタＱはオフとされ
る。一方Ｌ−D1−R1及びＬ−D2−R2の経路で電流が流れ
ダイオードD1，D2はオンとされる。従って入力端子IN2
に入力された信号はほとんど減衰を受けずに出力端子OU
Tに伝送される。
上の電圧が供給されるのでトランジスタＱはオフとされ
る。一方Ｌ−D1−R1及びＬ−D2−R2の経路で電流が流れ
ダイオードD1，D2はオンとされる。従って入力端子IN2
に入力された信号はほとんど減衰を受けずに出力端子OU
Tに伝送される。
オフモードでは、電源端子＋B2は開放とされる。ダイオ
ードD1，D2のアノードにはR4−Ｌを通じて共通電位が与
えられて共にオフとされる。一方トランジスタＱのゲー
トに、R4−R3を通じて共通電位が与えられ、つまりVGS
＝０とされて、トランジスタＱはオンとされ、ドレイ
ン、ソース間の抵抗は極めて小さくなる。しかし、電源
よりドレインに印加する直流電圧はゼロであるので、RF
入力がない時はドレイン電流ID＝０である。RF入力があ
る時は僅かのRF信号がドレイン電流となって流れる。第
４図の回路ではダイオードD1，D2がオフになるだけであ
ったが、第１図の回路では更にトランジスタＱがオンと
され、信号がトランジスタＱでアースに短絡されるので
アイソレーションが向上し、例えば100MHzにおいて45dB
となり、従来の回路より15dB改善される。
ードD1，D2のアノードにはR4−Ｌを通じて共通電位が与
えられて共にオフとされる。一方トランジスタＱのゲー
トに、R4−R3を通じて共通電位が与えられ、つまりVGS
＝０とされて、トランジスタＱはオンとされ、ドレイ
ン、ソース間の抵抗は極めて小さくなる。しかし、電源
よりドレインに印加する直流電圧はゼロであるので、RF
入力がない時はドレイン電流ID＝０である。RF入力があ
る時は僅かのRF信号がドレイン電流となって流れる。第
４図の回路ではダイオードD1，D2がオフになるだけであ
ったが、第１図の回路では更にトランジスタＱがオンと
され、信号がトランジスタＱでアースに短絡されるので
アイソレーションが向上し、例えば100MHzにおいて45dB
となり、従来の回路より15dB改善される。
従って第３図においてRFスイッチ回路１へRFスイッチ回
路２から入力するCATV信号は充分小さいので、そこで生
ずる放送波との混変調成分はほとんど問題とならない。
またD1とD2との接続点P3はＬ−R4及びトランジスタＱを
通じて接地されるため、D2はオフ、P3点はアースへ短絡
となり、ダイオードD1に印加される放送波のレベルは極
めて小さくなるので、CATV信号との混変調波のレベルは
充分小さくなると共に、発生した混変調波はトランジス
タＱでアースされて出力端子OUTへ伝送されない。
路２から入力するCATV信号は充分小さいので、そこで生
ずる放送波との混変調成分はほとんど問題とならない。
またD1とD2との接続点P3はＬ−R4及びトランジスタＱを
通じて接地されるため、D2はオフ、P3点はアースへ短絡
となり、ダイオードD1に印加される放送波のレベルは極
めて小さくなるので、CATV信号との混変調波のレベルは
充分小さくなると共に、発生した混変調波はトランジス
タＱでアースされて出力端子OUTへ伝送されない。
またダイオードD2に印加されるCATV信号も同様に、ダイ
オードD1のオフ、トランジスタＱによるショートによ
り、レベルが極めて小さくされるので、D2で発生する放
送波との混変調波のレベルも小さくなる。
オードD1のオフ、トランジスタＱによるショートによ
り、レベルが極めて小さくされるので、D2で発生する放
送波との混変調波のレベルも小さくなる。
またアイソレーションが向上したのでRFスイッチ回路１
で生ずる放送波との混変調波のレベルが極めて小さくな
り、ほとんど問題とならない。
で生ずる放送波との混変調波のレベルが極めて小さくな
り、ほとんど問題とならない。
これまでの説明ではこの考案を第３図のRFスイッチ回路
２に適用するものとしたが、同様にRFスイッチ回路１、
つまりアンテナ側のRFスイッチ回路に適用することもで
きる。その場合端子＋B2を開放するときに端子＋B1に電
圧を印加し、端子＋B2に電圧を印加するときに端子＋B1
を開放とすることもできる。或いは端子＋B1の次にイン
バータを挿入して、端子＋B2と＋B1に同じ信号を印加す
ればよい。
２に適用するものとしたが、同様にRFスイッチ回路１、
つまりアンテナ側のRFスイッチ回路に適用することもで
きる。その場合端子＋B2を開放するときに端子＋B1に電
圧を印加し、端子＋B2に電圧を印加するときに端子＋B1
を開放とすることもできる。或いは端子＋B1の次にイン
バータを挿入して、端子＋B2と＋B1に同じ信号を印加す
ればよい。
この考案の回路は第１図の回路を必要段数縦続に接続し
て使うこともできる。また第３図のように２つのRFスイ
ッチ回路を組合せて用いる場合に限らず、単独で使用す
ることもできる。
て使うこともできる。また第３図のように２つのRFスイ
ッチ回路を組合せて用いる場合に限らず、単独で使用す
ることもできる。
「考案の効果」 この考案によれば、構成が簡単で、経済的な回路で、か
つアイソレーションの良好なRFスイッチ回路を実現でき
る。この考案の回路をCATV信号と放送波との切換えに用
いれば、従来問題になっていたCATV信号と放送波との混
変調波による受信障害を防止できる。
つアイソレーションの良好なRFスイッチ回路を実現でき
る。この考案の回路をCATV信号と放送波との切換えに用
いれば、従来問題になっていたCATV信号と放送波との混
変調波による受信障害を防止できる。
この考案ではRFスイッチ回路がオフのとき、外部より供
給する電力の消費がないので節電が図られる。また制御
信号電源以外に動作電源が不要であるので使い勝手が頗
るよい。
給する電力の消費がないので節電が図られる。また制御
信号電源以外に動作電源が不要であるので使い勝手が頗
るよい。
第１図はこの考案の実施例を示す回路図、第２図は第１
図のトランジスタＱの静特性を示す図、第３図はビデオ
テープレコーダに使用されるRFスイッチ回路を説明する
ためのブロック図、第４図は第３図のRFスイッチ回路２
の一例を示す回路図である。
図のトランジスタＱの静特性を示す図、第３図はビデオ
テープレコーダに使用されるRFスイッチ回路を説明する
ためのブロック図、第４図は第３図のRFスイッチ回路２
の一例を示す回路図である。
Claims (1)
- 【請求項１】入力端子と出力端子との間に、第１直流阻
止用コンデンサC1−第１ダイオードD1−第２ダイオード
D2（第１ダイオードD1と逆方向とする）−第２直流阻止
用コンデンサC2が順次接続され、 上記第１直流阻止用コンデンサC1と第１ダイオードD1と
の接続点P1及び上記第２ダイオードD2と第２直流阻止用
コンデンサC2との接続点P2はそれぞれハイインピーダン
スの第１抵抗器R1及び第２抵抗器R2を介して共通電位点
に接続され、 上記第１ダイオードD1と第２ダイオードD2との接続点P3
はデプリーション形FETトランジスタＱを通じて共通電
位点に接続されると共にハイインピーダンス素子Ｌを通
じて電源端子に接続され、 上記トランジスタＱの制御端子は上記電源端子に接続さ
れ、 上記FETトランジスタの制御端子に直流電圧が印加され
たときに、該FETトランジスタがオフになるように、上
記電源端子に印加される直流電圧の極性と、上記FETト
ランジスタのｐ形/n形の関係が選定され、 上記電源端子に印加される直流電圧のオン又はオフに応
じて、それぞれ上記入出力端子間が通過状態又は阻止状
態とされる、 RFスイッチ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988164567U JPH0735456Y2 (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | Ｒｆスイッチ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988164567U JPH0735456Y2 (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | Ｒｆスイッチ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0284436U JPH0284436U (ja) | 1990-06-29 |
| JPH0735456Y2 true JPH0735456Y2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=31450290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988164567U Expired - Lifetime JPH0735456Y2 (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | Ｒｆスイッチ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0735456Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5277648U (ja) * | 1975-12-06 | 1977-06-09 | ||
| JPS5715532A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | High-frequency switching circuit |
-
1988
- 1988-12-19 JP JP1988164567U patent/JPH0735456Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0284436U (ja) | 1990-06-29 |
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