JPS6056008B2 - 無線周波数増幅回路 - Google Patents

無線周波数増幅回路

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JPS6056008B2
JPS6056008B2 JP51012185A JP1218576A JPS6056008B2 JP S6056008 B2 JPS6056008 B2 JP S6056008B2 JP 51012185 A JP51012185 A JP 51012185A JP 1218576 A JP1218576 A JP 1218576A JP S6056008 B2 JPS6056008 B2 JP S6056008B2
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gate electrode
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B5/1841Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
    • H03B5/1847Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
    • H03B5/1852Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、無線周波数増幅回路に関し、特に、多重
ゲート電界効果トランジスタをその能動素子として用い
る信号受信機に用いるのに適する無線周波数増幅回路に
関する。
一般に、信号受信機には、自動利得制御(AGC)方
式が採用され、その検波段に印加される信号レベルが受
信された信号レベルの比較的広範囲の変化にわたつて実
質的に一定に保たれる。
例えばテレビジョン受像機では、このAGC方式は、受
信された信号が増加するに従つて、無線周波数(RF)
増幅器の利得を減少させるように動作する。最も弱い信
号が受信された場合に、与えられた受像機に対して最良
の信号・雑音比を得るため、通常、RF増幅器の利得制
御作用を、このRF増幅器が低レベルの受信信号範囲に
対して最・天眼の利得で動作するように遅らせる。信号
レベルが十分に増加すると、このRF増幅器のM℃遅延
に打ちかつて、RF増幅器の利得が減少する。多ゲート
電界効果トランジスタは、ソース、ドレンおよび基板電
極に加えて、2個以上のゲート電極を有する。これらの
トランジスタは、多くの回路用途に好適と思われる魅力
的な特性を有する。これらの特性は例えば、(1)高入
力インピーダンス、(2)低混変調、(3)低雑音、お
よび(4)直流結合の簡単なことである。多ゲート電界
効果トランジスタを利得制御されるRF増幅器として用
いるには、このRF信号を第1のゲート電極に、AGC
電圧を第2のゲート電極に印加することが望ましい。
第1のゲート電極は、第2のゲート電極よりも物理的に
ソース電極に接近している。このようにして動作する多
絶縁ゲート電界効果トランジスタの特性は、第2のゲー
トに印加された制御電圧のある範囲内にあり、この範囲
にわたつて、この装置は、第1のゲート電極からドレン
電極までのほぼ一定の利得の領域を示す。最大利得を示
す状態にこの絶縁ゲート電界効果トランジスタの第2ゲ
ート電極をある極性にバイアスしておくと、この第2ゲ
ート電極に印加された電圧を上記極性方向に更に増加し
ても、この装置は、ほぼ一定の利得の領域を示すことが
判つた。
この領域にわたつて、第2ゲートのドレン電、極に対す
る相互コンダクタンスGrn2は実質的に零であり、第
1ゲート電極の相互コンダクタンスGrIllに実質的
に影響を及ぼさない。この発明の目的は、多重絶縁ゲー
ト電界効果トランジスタを使用した、混変調特性が望ま
しい形.を持つた無線周波数信号用の増幅回路、特に自
動利得制御される回路を提供するものである。
この発明の無線周波数増幅回路は、(以下便宜上、第1
a図の実施例に付した数字符号をつけて説明する)、ソ
ース電極とドレン電極および第1jと第2の2つのゲー
ト電極を持つた絶縁ゲート電界効果トランジスタ26と
、そのソース電極28と基準電位点の間を直流結合して
いる抵抗38と、無線周波数信号に対するこの抵抗の側
路をなすコンデンサ40と、第1のゲート電極30と基
1準電位点の間に結合されてこのゲート電極とソース電
極の間に入力無線周波数信号を印加しまたこのゲート電
極と基準電位点間を直流接続する手段48と、ドレン電
極とソース電極間に結合された出力回路と、印加入力無
線周波数信号のレベル変化に応じて変化する利得制御電
圧を生成する電圧源58と、この印加入力信号のレベル
が増大したとき上記ドレン電極とソース電極間を流れる
電流を減少させる向きに上記の利得制御電圧を第2のゲ
ート電極に印加する手段て構成されている。この増幅回
路では、2つのゲート電極を有する絶縁ゲート電界効果
トランジスタの第2ゲート電極に上述の如く逆性のAG
C作用を与えて、入力)信号のレベルの変化に応じてド
レン電極とソース電極との間の電流を変化させる。利得
制御電圧の変化に応動する上記電流の変化によリソース
抵抗両端間の電圧降下が変化し、その結果、電界効果ト
ランジスタの第1ゲート電極とソース電極間の電圧差に
変化を生ずる。この電圧降下の変化の向きは、上記利得
制御電圧の変化によつて発生させられる第2ゲ−トーソ
ース間電圧の変化と丁度逆向きに第1ゲ−トーソース間
電圧の変化が生ずるような向きである。すなわち、ソー
ス抵抗両端間の電圧降下の変動の結果として、第2ゲー
ト電極とソース電極間に与えられた逆性AGC作用には
、自動的に第1ゲート電極とソース電極間の正性のAC
C作用が付帯することになる。第2ゲート電極における
逆性AGCと第1ゲート電極における正性AGCとの組
合せを利用した2重(デュアル)ゲート絶縁ゲート電界
効果トランジスタに対する利得制御方式は非常に良好な
混変調特性を呈する利点があり、これはたとえば、19
6@のナショナル●エレクトロニクス・コンファレンス
の会報の88〜93頁に所載のマツケオン(F.F.M
cKeOn)氏およびカールソン(F.M.Carls
On)氏の論文RMOS装置による小信号RF増幅(S
mall−SigrlalRFAmpllficati
OnOfMOSDevices)J中に明記されている
。この発明の増幅回路においては、たS゛一つの利得制
御電圧を印加する方法て上記の様な有利な混変調特性を
得ることができ、相補的に変化する2つのAGC電圧の
電圧源を設けねばならぬという煩雑さを避けることがで
きる。以下、この発明による増幅回路を、この増幅回路
が使用されているテレビジョン受像機を示す第1a図お
よび第1b図を参照しつつ詳細に説明する。
第1a図に示された回路は、一般にテレビジヨン受像機
の同調器を構成する無線周波(RF)増幅段10、混合
段12および発振段14を表わしている。
また、アンテナ(図示せず)へ接続してテレビジョン信
号を受信する1対の入力端子16が、平衡不平衡変成器
18およびトラップ回路網20を通つてRF増幅段10
の不平衡入力回路に接続され、それらは全部点線区画2
2で囲まれている。トラップ回路網20は受信したい任
意のテレビジョン・チャンネルに受像機を同調するため
の複数個のリアクタンス素子に対する切換装置として当
業者に公知の同調選択器24に結合されている。同調選
択器24は、RF増幅器10の入出力、混合器12の入
力および局部発振器14の入力を同調する4個の相異な
る同調回路部を含み、その代表的部分のみが図示されて
いる。
RF増幅段10はソース電極28と、第1ゲート電極3
0と、第2ゲート電極32と、ドレン電極34と、基板
電極36とを有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ2
6を備えている。
図示実施例では、電界効果トランジスタ26は、Nチャ
ンネル絶縁2ゲートトランジスタ型のものである。トラ
ンジスタ26は、ソース接地形に接続され、基板電極3
6がソース電極28に、該ソース電極がソース抵抗器3
8を介して基準電位点である接地点に接続されている。
抵抗器38は、信号周波数に対しては、コンデンサ40
によつて接地点に側路されている。トラップ回路網20
の出力端子に生じる受信テレビジョン信号は、選択器2
4の同調インダクタ42およびコンデンサ44を通つて
トランジスタ26の入力第1ゲート電極30に結合され
る。このインダクタ42は同調されて、所要の信号周波
数で、コンデンサ46およびトランジスタ26の回路漂
遊キャパシタンスおよび入力キャパシタンスと共振する
。第1ゲート電極30は、抵抗器48を介して基準電位
点にすなわち接地点に接続されて、この第1ゲート電極
とソース電極28の間に入力無線周波数信号が印加され
るようになつている。トランジスタ26の第2ゲート電
極32のバイアスを設定するための分圧回路網は、それ
ぞれ、付勢電源(端子B+により示す)とAGC導線5
6との間に接続された抵抗器50,52,54と、接地
点と抵抗器50,52の接合点との間に接続された抵抗
器55とから成つている。AGC導線56は、AGC源
58(第1b図)を通つて接地点に直流的に帰還してい
る。また、以下に説明されるごとく、抵抗器54は、R
F増幅器10における自動利得制御遅延の設定をし、こ
れにAGC電圧を結合するのに用いられる。トランジス
タ26の第2ゲート電極32と抵抗器52,54の接合
点との間には隔離抵抗器62が接続され、抵抗器62の
両端と接地点との間にそれぞれ接続されたコンデンサ6
4および66によつてRF信号側路が形成されている。
RF増幅器10により増幅された信号は、ドレン電極3
4と接地点との間に実効的に接続された並列共振出力回
路68に生成し、受信すべき所要の信号周波数に同調す
ることができる。出力回路68は、選択器24のインダ
クタ72と実効的に並列にあるコンデンサ70を備えて
いる。B+動作電位はインダクタ72の一端とB+分圧
回路網の抵抗器50,52の接合点との間に接続された
信号減結合抵抗器74を通つてトランジスタ26のドレ
ン電極34に供給される。インダクタ72は、信号の側
路コンデンサ76を通つて接地点に帰還している。また
、信号側路コンデンサ78が、接地点と抵抗器50,5
2の接合点との間に接続されている。RF増幅器出力回
路68からの信号は、混合段12の信号入力回路80に
誘導的に結合される。この入力回路80は、選択器24
のインダクタ82を含み、また、受信すべき信号周波数
に同調することができる。この混合段12は、局部発振
器14と共動し、無線周波増幅器10から印加されたテ
レビジョン信号に応じて、端子84で示されたその出力
に対応する中間周波数信号を生成する。第1b図の梗概
回路図には、結合回路90と、第1、第2、第3の映像
1F増幅段92,94,96と、ブロック98によつて
示された利用回路と、AGC源58とが示されている。
生成された中間周波数信号は、導線102によつて混合
器12(第1a図)の出力から、不要の信号に対する適
当なトラップを含み、第1の下増幅器92に前置された
帯域通過段間結合回路網90の入力に結合される。
増幅器92は、第1および第2のゲート電極106およ
び108と、ソース電極110と、ドレン電極112と
、基板電極114とを有する電界効果Nチャンネル絶縁
2ゲートトランジスタ104を有している。トランジス
タ104は、基板電極114をソース電極110に接続
したソース接地形である。
ソース電極110は、抵抗器116を介して接地され、
この抵抗器は、コンデンサ118によつて信号周波数で
側路接地される。増幅すべき中間周波信号を第1の下増
幅器92の入カへ印加するため、トラップ回路網90の
出力から第1ゲート電極106への接続がなされている
。トランジスタ104のドレン電極112は、抵抗器1
20を通つて、出力負荷回路網122および減結合抵抗
器124と直列に固定動作電源B+に接続されている。
回路網122は、インダクタ128とこれに並列の抵抗
器126とを含む。抵抗器120と反対側のインダクタ
128の端部は、コンデンサ130によつて信号周波数
に対して、接地されている。このインダクタ128は、
漂遊回路キャパシタンスと、トランジスタ104の出力
キャパシタンスと、次のトランジスタ144の入力キャ
パシタンスとに共振するよう同調されている。トランジ
スタ104の第2ゲート電極108へのバイアスおよび
ACC電圧の結合は、ゲート電極108を抵抗器132
,134の接合点へ接続することにより達成され、これ
らの抵抗器は、AGC導線56と、抵抗器124と回路
網122との接合点との間に直列に接続されている。ま
た、この第2ゲート電極は、信号側路コンデンサ136
を介して接地されている。上述のごとく、このAGC導
線56は、AGC源58を通つて直流的に接地点に帰還
している。信号周波数で、このAGC導線56は、側路
コンデンサ138を介して接地されている。出力負荷回
路網122に生じる増幅された中間周波信号は、コンデ
ンサ140を通つて、第2の。
映像1F増幅器94におけるソース接地増幅器型に接続
された電界効果Nチャンネル絶縁2ゲートトランジスタ
144の入力第1ゲート電極142に結合される。トラ
ンジスタ144の基板電極146は、ソース電極148
に接続され、また、直・列に接続されたソース抵抗器1
50および152を通つて接地されている。抵抗器15
0および152は、信号周波数でコンデンサ154によ
つて側路接地される。ドレン電極156は、出力負荷回
路網160および減結合抵抗器162と直列の抵抗器1
58を通つてB+端子に接続されている。回路網160
は、インダクタ166とこれと並列の抵抗器164とを
含む。抵抗器158と反対側のインダクタの端部は、信
号周波数に対しコンデンサ168により接地されている
。コンデンサ166は、標遊回路キャパシタンスと、次
のトランジスタ192の入力キャパシタンスと、トラン
ジスタ144の出力キャパシタンスとに共振すノるよう
に同調されている。トランジスタ144の第2ゲート電
極170へのバイアスおよびACC電圧の結合は、AG
C導線56と、抵抗器162と回路網160との接合点
との間に直列接続された抵抗器172と174との接合
点にこのゲート門電極170を接続することにより達成
される。信号側路コンデンサ173が、第2ゲート電極
170と接地との間に接続されている。抵抗器175が
ソース電極148と、抵抗器162と回路網160との
接合点との間に接続されjて、ソース抵抗器150およ
び152に電流を供給し、与えられた第1ゲート・ソー
ス間電圧を保つようになつている。
ダイオード178の陽極176は、トランジスタ144
の第1ゲート電極142に接続され、この第1ゲート電
極142は、抵抗器180を通つて接地されている。
ダイオードの陰極182は、第2ゲート電極170に接
続されている。以下に説明するごとくこのダイオード1
78は、トランジスタ144の第1ゲート電極142の
入力キャパシタンスと分路になるAGC可変キャパシタ
ンスとして働らく。第2のダイオード184が、第2ゲ
ート電極170と、ソース抵抗器150,152の接合
点との間に接続され、このダイオードの極性は、その陰
極が第2ゲート電極170に接続されるようになつてい
る。このダイオード184の作用については後程詳述す
る。出力負荷回路網160に生じた増幅中間周波信号は
、コンデンサ186を通つて、第3映像正増幅器96の
電界効果Nチャンネル絶縁2ゲートトランジスタ192
の入力第1ゲート電極190に結合される。
このトランジスタ192は基板電極194が、ソース電
極196に接続されたソース接地形である。このソース
電極196は、抵抗器198を通つて接地されている。
抵抗器198は、信号周波数で、コンデンサ200によ
つて側路接地される。ドレン電極202は、出力負荷回
路網206とこれに直列の抵抗器204とを通つて、B
+端子に接続されている。回路網206は、信号結合変
圧器212の1次巻線210とこれに並列の抵抗器20
8とを含む。トランジスタ192の第2ゲート電極21
4へのバイアスは、B+端子と接地点との間に直列接続
された抵抗器216,218の接合点へ第2ゲート電極
214を接続することにより行なわれる。抵抗器220
が第1ゲート電極190と第2ゲート電極214との間
に接続され、抵抗器222が第1ゲート電極と接地との
間に接続されている。側路コンデンサ223が第2ゲー
ト電極214と接地点との間に接続されている。図示実
施例ては、AGC電圧は、第3のIF増幅器には印加さ
れていない。トランジスタ192の負荷回路網206の
1次巻線210に生じる増幅された中間周波信号は、変
圧器212の2次巻線224を通つて、ブロック98に
よつて示されたテレビジョン受像機の残部回路を含む所
要の利用回路に結合されている。この利用回路は、常に
受信された信号レベルの関数として自動利得制御信号を
生じる手段(ブロック58として示す)を有している。
この場合には、自動利得制御信号発生回路は、N℃導線
端子56に負の電圧を与え、該端子は、信号レベルの増
加と共に更に負になる。
次に、第1a図および第1b図を参照しつつ図示の利得
制御された増幅段の動作を説明する。最大利得を示す状
態に絶縁ゲート電界効果トランジスタの第2ゲート電極
をある極性にバイアスしておくと、この装置は、この第
2ゲート電極に印加される電圧を上記極性方向に更に増
加させても、ほぼ一定の利得領域を示すことが判つた。
この領域にわたつて、ドレン電極に対する第2ゲート電
極の相互コンダクタンスGrrl2は実質的に零であり
、第1ゲート電極の相互コンダクタンスGm)1には実
効的な変化はない。例えば、アール・シー・工ー(RC
A)社で試作されたTA7l相型2ゲートMOSトラン
ジスタに関しては、このGnl2が零の領域は、テレビ
ジョンRF周波数に対し+2ボルトから+10ボルト、
テレビジョンIF周波数に対し+4ボルトから+10ボ
ルトの領域に生じることが判つた。第1a図に示される
RF増幅器における能動素子としてこのTA7l49を
用い、N℃電圧を印加せず、すなわちAGC源導線56
を接地点に接続、すなわちアースとして、動作B+電位
、ソース抵抗器38、および分割抵抗器50,55,5
2,54に適当な値を選択して、第2ゲート電極を約+
8ボルトの直流電位にバイアスしてこの増幅器が最大利
得を得るようにすることができる。これに対し、利得制
御すべき第1および第2の正増幅段92および94(第
1b図)に”おける能動素子としてアール・シー・工ー
・(RCA)社において試作されたTA7l49型2ゲ
ートMOSトランジスタを用い、このトランジスタ10
4および144の第2ゲート電極108および170を
それぞれ+4ボルトの直流電位にバイアスして最大利得
を得るようにする。次にAGC導線56を接地点から切
離し、弱い信号(低レベル)条件の下におくと、RF増
幅器10と、IF増幅器92,94とは、AGC源58
から帰還された微小または零のAGC電圧により、最大
利得で正常に動作を続ける。受信テレビジョン信号レベ
ルの増加に応じて印加AGCが増加すなわち負になるに
従つて、RF増幅段10、第1のIF増幅段92および
第2のIF増幅段94のトランジスタの各第2ゲート電
極32,108および170に供給される直流バイアス
電圧は減少する。この第2ゲート電極バイアス電位の減
少により、第1および第2のIF増幅段92および94
の利得は、急速に低下し始め、正常なAGC動作が起る
。一方、そのRF増幅トランジスタ26の第2ゲート電
極32のバイアス電圧は初めからより高かつたため、そ
の間RF増幅段10の利得は殆んど一定に保たれる。こ
の例では、テレビジョン無線周波数においてRF増幅器
の利得の減少は、AGC電圧が第2ゲート制御電極32
の電位を+2ボルト以下に降下させるまで始まらない。
この方式では、共通のAGC電圧のの影響の下でRF増
幅器利得が低下し始める前に、■F増幅段において相当
な大きさの利得減少が生じ得ることは明らかである。こ
のRF増幅段のAGCに与えられる遅延の大きさは、単
にトランジスタ26の第2ゲート制御電極の初期バイア
ス電位を変えることによつて、一端の零遅延から他端の
完全遅延まで変えることができる。このRF増幅段10
の構成は特に簡単でかつ良好な混変調特性を示す。
すなわち、AGC電圧は第2ゲート電極32に逆性AC
C作用を与えるように印加されるが、この印加に応じて
ソース・ドレン電極間電流が変化する。この電流変化に
伴なつてソース抵抗器38上の電圧降下も変化し、その
結果第1ゲート電極電圧とソース電圧との間の差も変化
する。抵抗器38上の電圧降下の向きは、AGC電圧の
印加による第2ゲート電極32とソース電極28間電圧
の変化の向きと丁度逆向きの変化を上記第1ゲート電極
電圧とソース電極電圧の間に与えるようなものである。
従つて、このソース抵抗器38の存在によつて、第2ゲ
ート電極32とソース電極28間に与えられる逆性AG
C作用に応じて第1ゲート電極30とソース電極28間
には自動的に正性のAGC作用が生することになる。こ
の様な、互に逆向きのACC作用によつて、トランジス
タ26を中心とするこのRF増幅段の混変調特性は良好
となる。しかも両ゲート電極に対して別々に相補的なA
GC.源を要せず、1個のAGC源58で足りる。なお
、2重ゲート型の絶縁ゲート電界効果トランジスタにお
いて、2つのゲート電極の一方には逆性AGCを他方に
は正性AGCを与える利得制御方式が良好な混変調特性
を呈することは、前述のマツケオンおよびカールソン両
氏の論文などにより良く知られている。第1b図に示さ
れた第1および第2のIF増幅段92および94におい
て、第1のIF増幅器92のソース抵抗器116の値は
、第2の下増幅器94の直列接続されたソース抵抗器1
50および152(合計抵抗50オーム程度)の値より
大きくなるよう(100オーム程度)に選ばれている。
AGC電圧が印加されないと、第1および第2のIF増
幅段92および94の両方は、ほぼ等しい条件で最大利
得になるように動作する。これらの増幅段の第2ゲート
電極に印加されたAGC電圧に応じて、第21F増幅器
94のドレン・ソース間の電流および相互コンダクタン
スは、第11F増幅器92のそれより早い速度で減少し
、それによつて、第21F増幅器94の利得を第11F
増幅器92のそれより早く低下させる。この2個のIF
増幅段の間のドレン・ソース間電流の減少速度の差は、
これらの増幅段の異なる大きさの直流負帰還を供給する
異なる値のソース抵抗に原因する。加えて、最大利得で
の第21F増幅段のバイアスは、トランジスタ144の
ソース電極148とB+減結合抵抗器162との間に接
続された抵抗器175を通つてソース抵抗器150に送
られる制御された電流の大きさによつて増加する。AG
C電圧は抵抗器174を経て第21F増幅器94のトラ
ンジスタ144の第2ゲート電極170に供給される。
このAGC電圧は、増幅器94を最高の利得で動作させ
る約+10■から最大のAGC・を与える0V近くにま
で低下する。AGC電圧が最大値から低下するとき、あ
る点でトランジスタ144の相互コンダクタンスは減少
し始め、その後はAGC電圧の低下と共に単調に減少す
る。そこで第21F増幅器94のトランジスタ144の
ドレン・ソース間の信号電流が上記のAGC電圧の低下
によつて0に近ずき、該第21F増幅器94の出力が第
3■E増幅器96を最大出力まて駆動するのに必要なレ
ベル以下になるのを防止するため、トランジスタ144
の第2ゲート電極170とソー″ス抵抗器150,15
2の接続点のごとき直流基準点の間に“捕獲゛ダイオー
ド184が接続されている。つまり、AGC電圧の低下
によつて卜・ランジスタ144の相互コンダクタンスが
0近くまで減少し、あるいは上記トランジスタ144が
完全にターン●オフするのを防止するために、トランジ
スタ144の第2ゲート電極170とソース抵抗器15
0,152の接続点との間に上記ダイオード184が接
続されている。上記の回路構成において、通常の動作状
態のもとでは、AGC電圧は抵抗器174を経てトラン
ジスタ144の第2ゲート電極170に供給される。
ソース電極148の電圧はこの第2ゲート電極170の
電圧よりも多少低く、ダイオード184は逆バイアスさ
れる。AGC電圧が低下すると前述のようにトランジス
タ144の相互コンダクタンスは減少する。AGC電圧
電圧がある所定値にまで減少すると、ダイオードは比較
的高い抵抗値を持つた抵抗器として動作するようになる
。その結果、AGC源58より抵抗器174、ダイオー
ド184および抵抗器152を経て流れる電流によつて
第2ゲート電極170に印加されるM℃電圧の効果は低
下することになる。AGC電圧が更に低下するとダイオ
ード184はより強く導通して低抵抗のようになり、第
2ゲート電極170に印加されるAGC電圧の効果は一
層低下する。この実施例ではAGC電圧が低下してダイ
オード184が完全に導通すると、第2ゲート電極17
0に印加される制御電圧はほぼソース抵抗器152にお
ける降下電圧にクランプされ、たとえAGC電圧が0V
にまで低下してもトランジスタ144の第2ゲート電極
170に実際に与えられるAGC電圧が、第31F増幅
器に最大出力を適正に発生させるに十分な第21F増幅
器の利得を与える最大AGCのための所定レベルを負方
向に越えるのを防止するように働く。捕獲ダイオード1
84を使用した場合には、第2ゲート電極170の電圧
が第1ゲート電極142の電圧に対してダイオード17
8を導通させる程十分に負になるのを防止することもで
きる。
これによつて、ダイオード178は後述の容量変化効果
のための逆バイアス状態に維持される。第2a図はテレ
ビジョン受像機の正部分の出力で得られる正常電圧対周
波数特性応答曲線を示す。Xで示すごとく、IF映像搬
送波への応答は、最大帯域通過応答から約50パーセン
ト落ちる。印加されたAGC電圧によるこの部分のIF
増幅器の全域衰が約10デシベル以上であるような強い
信号条件の下で動作する受像機において、これは、望ま
しい応答特性である。しかしながら、IF増幅器が10
デジタル信号減衰から最大利得まで動作するような弱い
信号条件の下では、この出力帯域通過特性が第2b図に
示すごとくなるまでIF部の全応答を移動させることが
望ましい。
第2b図に示すごとき映像搬送波応答(X)をとること
の効果は、低周波映像信号を強調し、同期安定性を改善
し、雑音を小さくすることである。さて、映像搬送波応
答xを応答曲線の頂上(第2b図)からAGCの最初の
10デシベルが印加された曲線の右側勾配(第2a図)
へ移動させるため、IF段の周波数応答を移動させる必
要がある。これは、受像機の1つのIF段の出力負荷回
路網に付随する分路容量を増加することによつて達成さ
れ得る。次に、第1b図を参照すると、ここには第2の
正増幅トランジスタ144の第1ゲート電極142と第
2ゲート電極170との間に接続された半導体ダイオー
ド178が示されている。
このダイオードは、第2ゲート電極170に印加される
通常の正バイアスによつて逆バイアスされる。第2ゲー
ト電圧がそこに印加されたAGC電圧のためその初期バ
イアス条件より減少するに従つて、ダイオードのキャパ
シタンスは増加する。このキャパシタンス増加は、第1
ゲート電極142の入力キャパシタンスおよび出力負荷
回路網122との分路として生じ、それによつて、第1
1F増幅器92の出力負荷回路網122の共振周波数を
変え、この増幅器の帯域通過特性を周波数の低い方に移
動させ、第2b図に示すごとくIF部の全応答特性を変
化させる。
【図面の簡単な説明】
第1a図および第1b図は、同調器および下段を含み、
この発明の増幅回路を使用したテレビジョン受像機の前
端の部分ブロック梗概回路図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ソース電極、ドレン電極および第1と第2のゲート
    電極を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタと、上記
    ソース電極と基準電位点の間の直流接続を構成する抵抗
    と、無線周波数信号に対し上記抵抗を側路するコンデン
    サと、上記第1のゲート電極と上記基準電位点間に結合
    されていて上記第1のゲート電極とソース電極間に入力
    無線周波数信号を印加すると共に上記第1のゲート電極
    と上記基準電位点間の直流接続をする手段と、上記ソー
    ス電極とソース電極間に結合されていて信号出力回路を
    形成する手段と、上記の印加入力信号のレベルの変化に
    応じて変化する利得制御電圧の電圧源を構成する手段と
    、上記の印加入力信号のレベルの増大に応じて上記ドレ
    ン電極とソース電極間の電流を減少させる向きに上記利
    得制御電圧を上記第2のゲート電極に印加する手段とを
    具備し、上記利得制御電圧の変化に応する上記電流の変
    化が上記抵抗の両端間電圧降下を変化させ、その電圧降
    下の変化が、第1ゲート・ソース間電圧を、上記利得制
    御電圧の変化によつてもたらされる第2ゲート・ソース
    間電圧の変化と逆向きに変化させるように構成されて成
    る無線周波数増幅回路。
JP51012185A 1967-06-12 1976-02-05 無線周波数増幅回路 Expired JPS6056008B2 (ja)

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