JPH0430822Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案は高周波RFスイツチに関する。

(ロ) 従来の技術 例えば、ビデオテープレコーダVTR等では、
アンテナとテレビジヨン受像機又はVTRのRFモ
ジユレータ出力とテレビジヨン受像機の間の電気
的接続を形成解除する必要がある。すなわち、第
３図に示す用にアンテナ１の出力は、VTR２の
アンテナ端子２ａに接続され、第１のRFスイツ
チ２ｃを介してVTR２の出力端子２ｈに導出さ
れる。又、VTRの再生出力を変調したRFモジユ
レータ２ｅ出力は、第2RFスイツチ２ｄを介し
て、同じく出力端子２ｈに供給される。

VTR２の出力端子２ｈはテレビジヨン受像機
３のアンテナ端子３ａに接続される。第１、第
2RFスイツチ２ｃ，２ｄは制御信号（電圧）によ
て相補的にオン、オフとなる様に制御される。す
なわち、VTR再生出力をTV（テレビジヨン）受
像機３で見る場合には第1RFスイツチ２ｃがオ
フ、第2RFスイツチ２ｄがオンとなり、RFモジ
ユレータ２ｅ出力がTV受像機３に供給される。
放送番組を見る場合には、第2RFスイツチ２ｄが
オフ、第1RFスイツチ２ｃがオンとなつて、アン
テナ１出力がTV受像機３に供給される。

上記の様な構成は、例えば実開昭57−48737号
に開示されており、更にRFスイツチの具体的構
成も、第４図に示すものと同様な構成が説明され
ている。

第４図のRFスイツチは、第３図における第
1RFスイツチ２ｃに対応するものであり、入力端
子４からのRF信号を出力端子５へ伝達する、伝
達しないかが制御端子６の電圧の印加によつて制
御される。コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４及
びインダクタンスＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５
はハイパスフイルタHPFを形成するためのもの
であり、RFスイツチがオンとなるとVHF信号を
通過せしめるHPFとして動作する。

制御端子６に電源電圧＋Ｂが印加されない場合
には活電路７にコレクタが接続された３つのトラ
ンジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３は存在しないものと考
えられ、RFスイツチはオン状態となる。逆に電
圧が印加されると、各トランジスタＱ１，Ｑ２，
Ｑ３はオンとなり、活電路７の３つの点が接地さ
れ、入力端子４からのRF信号は遮断されて、出
力端子５に現われない。

トランジスタが３個用いられているのは、遮断
特性を向上するためである。すなわち、遮断特性
の向上のためには、活電路上の接地点を増加する
必要があるが、第４図の構成では、必要とするト
ランジスタの数が増え、部品点数が多く必要であ
る。

(ハ) 考案が解決しようとする問題点 以上述べた如く、従来のRFスイツチでは、部
品点数が多く、RFスイツチの小型化に対しても
不利であつた。

本考案はこの点に鑑み為されたものであり、部
品点数の少なく、遮断特性も優れたRFスイツチ
を提供するものである。

(ニ) 問題点を解決するための手段 本考案では活電路中のインピーダンス素子の両
端にコレクタ、エミツタが接続されたトランジス
タを備えている。このトランジスタがNPN型の
場合、ベースはバイパスコンデンサを介して接地
され、更にベースに制御電圧が印加される。又、
NPN型トランジスタの場合、前記インピーダン
ス素子の両端は直流的に接地されている。

(ホ) 作用 NPN型トランジスタのベースに正の制御電圧
が印加されると、ベースーコレクタ間、ベースー
エミツタ間に形成されたダイオードが順方向にバ
イアスされて、オン状態となる。そこで活電路は
２点で接地されて、RF信号が遮断される。ベー
スに制御電圧が印加されない状態では、トランジ
スタは存在しないのと同じであり、RF信号が伝
送される。

(ヘ) 実施例 以下、図面に従い、本考案の実施例を説明す
る。第１図は実施例の回路ブロツク図である。

図において、１０はRF信号源（例えばアンテ
ナ）からのRF信号を入力する端子、１１はRF信
号の出力端子である。Ｃ６，Ｃ７，Ｃ８は活電路
１２に直列に配されたコンデンサ、Ｌ６，Ｌ７，
Ｌ８，Ｌ９は活電路１２と基準電位（アース）間
を接続するインダクタンスであり、このコンデン
サとインダクタンスによりRF信号を通すHPFが
形成されている。

Ｑ４はNPN型のトランジスタであり、コレク
タＣ及びエミツタＥが活電路１２中のコンデンサ
Ｃ７の両端に接続されている。トランジスタＱ４
のベースＢはバイパスコンデンサＣ９を介して基
準電位（アース）に接続されている。又、ベース
Ｂには抵抗Ｒ４を介して制御端子Ｂからの制御電
圧が印加される。

正の制御電圧が制御端子１３に印加されると、
トランジスタＱ４のベースＢに正電圧が印加され
る。コレクタＣ及びエミツタＥはインダクタンス
Ｌ７，Ｌ８を介して夫々直流的に接地されている
から、ベースーエミツタ間及びベースーコレクタ
間のダイオードは順方向にバイアスされることに
なつて、オン状態となる。

従つて、活電路１２中に２点Ｆ，Ｇは、ベース
ーコレクタ間及びベースーエミツタ間の各容量及
びバイパスコンデンサＣ９を介して交流的に接地
される。

制御端子１３に制御電圧が印加されずに基準電
位にあると、トランジスタＱ４は存在しないのと
同じであるから、コンデンサＣ６，Ｃ７，Ｃ８及
びインダクタンスＬ６，Ｌ７，Ｌ８，Ｌ９による
HPFが形成されRF信号が伝送される。

使用されるトランジスタＱ４がPNP型の場合
には、コレクタ及びエミツタをベースよりも高い
電位としなければならない。そこで、ベースは直
接、接地し、コレクタ、エミツタに制御電圧を印
加する様に構成する。又、活電路１２が直流的に
接地されない様にインダクタンスに直列にコンデ
ンサを挿入する必要がある。すなわち、トランジ
スタはコレクタとエミツタを活電路中の２点に接
続し、ベースは交流的に接地する。そして、ベー
スーエミツタ間及びベースーコレクタ間に制御電
圧の印加に従つて順方向にバイアスを付与する手
段を設ければよい。

上記構成により１個のトランジスタを用いて、
活電路１２中の２点を交流的に接地することがで
き、部品点数が削減されている。尚、NPN型ト
ランジスタを用いた場合のバイパスコンデンサＣ
９は1000〜10000PF程度を用いれば良い。

第２図は、本考案の第２実施例を示している。
第２の実施例では第１の実施例の遮断特性を更に
向上せしめるために、トランジスタＱ５を設け、
このトランジスタＱ５のコレクタ−エミツタ電流
路にて活電路１２の１点を接地している。又、第
１図の構成のトランジスタを２個設け、活電路の
異なる４点を接地することができる構成も考えら
れる。更にトランジスタの個数を増やしても良
い。

(ト) 考案の効果 以上、述べた如く、本考案によればトランジス
タ１個について活電路中の２点を接地することが
できるので、RFスイツチにおいて部品点数が削
減でき、装置の小型化に役立つので実用的であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案一実施例の回路図、第２図は第
２の実施例の回路図、第３図はVTRとTV受像
機の接続を示すブロツク図、第４図は従来例を示
す回路図である。 １０……RF入力端子、１１……RF出力端子、
１２……活電路、１３……制御端子、Ｑ４……ト
ランジスタ、Ｃ９……バイパスコンデンサ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. RF信号源よりのRF信号を制御端子に印加され
   る制御電圧によつて、電送したり遮断したりする
   高周波スイツチにおいて、活電路中のインピーダ
   ンス素子の両端にそのコレクタとエミツタが並列
   に接続されると共にそのベースが交流的に基準電
   位点に接続されたトランジスタと、前記制御電圧
   に基づき前記トランジスタのベースーエミツタ間
   及びベースーコレクタ間を順方向にバイアスする
   手段を備えることを特徴とする高周波スイツチ。