JPH0145175Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0145175Y2 JPH0145175Y2 JP1983087345U JP8734583U JPH0145175Y2 JP H0145175 Y2 JPH0145175 Y2 JP H0145175Y2 JP 1983087345 U JP1983087345 U JP 1983087345U JP 8734583 U JP8734583 U JP 8734583U JP H0145175 Y2 JPH0145175 Y2 JP H0145175Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- diode
- resistor
- frequency signal
- secondary coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Television Signal Processing For Recording (AREA)
- Signal Processing Not Specific To The Method Of Recording And Reproducing (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案はビデオテープレコーダ（VTR）等に
利用される高周波信号分配装置に関するものであ
る。
利用される高周波信号分配装置に関するものであ
る。
(ロ) 従来技術
一般のVTRではテレビジヨン受像機（TV）
との結合を手軽に行なうために、アンテナからの
高周波信号を受けそれを記録、再生した後再び高
周波信号に構成してTVのアンテナ入力端子に付
与するようにし、また、アンテナからの高周波信
号を直接、該アンテナ入力端子に付与するように
もしている。そのため、アンテナ入力端子への入
力をアンテナからの高周波信号にするか或いは
VTRのRF変調器からの信号にするかを選択する
と共に、アンテナからの高周波信号をTVと
VTRとに分配する必要がある。
との結合を手軽に行なうために、アンテナからの
高周波信号を受けそれを記録、再生した後再び高
周波信号に構成してTVのアンテナ入力端子に付
与するようにし、また、アンテナからの高周波信
号を直接、該アンテナ入力端子に付与するように
もしている。そのため、アンテナ入力端子への入
力をアンテナからの高周波信号にするか或いは
VTRのRF変調器からの信号にするかを選択する
と共に、アンテナからの高周波信号をTVと
VTRとに分配する必要がある。
第１図は従来装置の回路構成図である。入力端
子IAからの高周波信号は分配トランスＳの１次コ
イルW1に付与され、２次コイルW2を介して、
VTRへの第１出力端子OVと、TVへの第２出力
端子OTに付与される。すなわち、２次コイルW2
の１端P1からの信号は結合コンデンサC1を通じ
て第１出力端子OVに付与され、また他端P2から
の信号は結合コンデンサC2、第１ダイオードD1、
及び結合コンデンサC3を介して第２出力端子OT
に付与される。また、VTRのFM変調器出力を
入力する第２入力端子IVからの信号は結合コンデ
ンサC4、上記第１ダイオードD1とは相逆的に動
作する第２ダイオードD2、上記結合コンデンサ
C3を通じて上記第２出力端子OTに付与される。
子IAからの高周波信号は分配トランスＳの１次コ
イルW1に付与され、２次コイルW2を介して、
VTRへの第１出力端子OVと、TVへの第２出力
端子OTに付与される。すなわち、２次コイルW2
の１端P1からの信号は結合コンデンサC1を通じ
て第１出力端子OVに付与され、また他端P2から
の信号は結合コンデンサC2、第１ダイオードD1、
及び結合コンデンサC3を介して第２出力端子OT
に付与される。また、VTRのFM変調器出力を
入力する第２入力端子IVからの信号は結合コンデ
ンサC4、上記第１ダイオードD1とは相逆的に動
作する第２ダイオードD2、上記結合コンデンサ
C3を通じて上記第２出力端子OTに付与される。
第１電源付与端子T1からのハイレベルの信号
は第１ダイオードD1を順方向に作動させ、また
第２電源付与端子T2からのハイレベルの信号は
第２ダイオードD2を順方向に作動させる。R1は
バイアス用抵抗、L1，L2はチヨークコイルであ
る。
は第１ダイオードD1を順方向に作動させ、また
第２電源付与端子T2からのハイレベルの信号は
第２ダイオードD2を順方向に作動させる。R1は
バイアス用抵抗、L1，L2はチヨークコイルであ
る。
以上の構成で、第１、第２電源付与端子T1，
T2にそれぞれロウ、ハイレベルの信号を付与す
ると、第１、第２ダイオードD1，D2はそれぞれ
オン、オフとなり第２出力端子OTには第２入力
端子IVからの高周波信号を伝送することになる。
第２図はこのモードにおける等価回路図である。
T2にそれぞれロウ、ハイレベルの信号を付与す
ると、第１、第２ダイオードD1，D2はそれぞれ
オン、オフとなり第２出力端子OTには第２入力
端子IVからの高周波信号を伝送することになる。
第２図はこのモードにおける等価回路図である。
分配トランスＳの２次側コイルW2の１端P1は
VTRの入力端子OVに負荷（VTR内蔵のチユー
ナ、一般的に75Ω負荷）が接続されており整合が
とれている状態である。しかし、２次側コイル
W2の他端P2は回路がオープンとなつているため
無負荷の状態になつている。そのため、入力端子
IAから見た電圧定在波比（VSWR）が悪化する。
VTRの入力端子OVに負荷（VTR内蔵のチユー
ナ、一般的に75Ω負荷）が接続されており整合が
とれている状態である。しかし、２次側コイル
W2の他端P2は回路がオープンとなつているため
無負荷の状態になつている。そのため、入力端子
IAから見た電圧定在波比（VSWR）が悪化する。
第３図は他の従来装置の回路構成図を示すもの
である。これは、第４図の等価回路図に示す通
り、VTR出力（第２入力端子IVからの信号）を
第２出力端子OTに伝送する場合、トランジスタ
Q1をオンに動作させ、分配トランスＳの２次側
コイルW2の他端P2を地絡するようにしたもので
ある。この場合も、入力端子IAから見たVSWR
が悪化することになる。
である。これは、第４図の等価回路図に示す通
り、VTR出力（第２入力端子IVからの信号）を
第２出力端子OTに伝送する場合、トランジスタ
Q1をオンに動作させ、分配トランスＳの２次側
コイルW2の他端P2を地絡するようにしたもので
ある。この場合も、入力端子IAから見たVSWR
が悪化することになる。
(ハ) 考案の目的
本考案は以上の点に鑑みなされたもので、入力
端子から高周波スイツチ側を見たVSWRを改善
しようとするものである。
端子から高周波スイツチ側を見たVSWRを改善
しようとするものである。
(ニ) 考案の構成
本考案は分配トランスの２次側コイルの１端に
VTRのチユーナ回路等を接続するための第１出
力端子を備え、また該２次側コイルの他端にスイ
ツチングダイオード（スイツチ回路）を通して
TV等のチユーナを接続するための第２出力端子
を備える高周波信号分配装置において、上記スイ
ツチ回路のオンオフを制御するバイアス回路中
に、該スイツチ回路のオフ時に、上記他端から見
たVSWRを小さくするような抵抗を配備するこ
とを特徴とするものである。
VTRのチユーナ回路等を接続するための第１出
力端子を備え、また該２次側コイルの他端にスイ
ツチングダイオード（スイツチ回路）を通して
TV等のチユーナを接続するための第２出力端子
を備える高周波信号分配装置において、上記スイ
ツチ回路のオンオフを制御するバイアス回路中
に、該スイツチ回路のオフ時に、上記他端から見
たVSWRを小さくするような抵抗を配備するこ
とを特徴とするものである。
(ホ) 実施例
第５図は本考案装置の１実施例の回路構成図、
第６図は同装置の１モード時の等価回路図であ
る。図において、１はアンテナによつて受信され
た高周波信号（テレビジヨン信号）等を入力する
第１端子、２は該第１端子からの高周波信号を受
ける分配トランスである。この分配トランス２は
１次側コイル３と２次側コイル４を備えており、
２次側コイル４はその１端P1に第１結合コンデ
ンサ５を介して第１出力端子６が接続され、また
他端P2に第２結合コンデンサ７、第１ダイオー
ド８，９、及び第３結合コンデンサ１０を介して
第２出力端子１１が接続されている。
第６図は同装置の１モード時の等価回路図であ
る。図において、１はアンテナによつて受信され
た高周波信号（テレビジヨン信号）等を入力する
第１端子、２は該第１端子からの高周波信号を受
ける分配トランスである。この分配トランス２は
１次側コイル３と２次側コイル４を備えており、
２次側コイル４はその１端P1に第１結合コンデ
ンサ５を介して第１出力端子６が接続され、また
他端P2に第２結合コンデンサ７、第１ダイオー
ド８，９、及び第３結合コンデンサ１０を介して
第２出力端子１１が接続されている。
第２入力端子１２はVTRのRF変調器出力が付
与されるもので、その入力された高周波信号は第
４結合コンデンサ１３、スイツチングダイオード
１４を介して第３結合コンデンサ１０、第２出力
端子１１に付与される。
与されるもので、その入力された高周波信号は第
４結合コンデンサ１３、スイツチングダイオード
１４を介して第３結合コンデンサ１０、第２出力
端子１１に付与される。
１５は第１電源付与端子で、ここから付与され
たハイレベルの信号はチヨークコイル１６及び抵
抗１７，１８を含む第１バイアス回路１９で第１
ダイオード８，９をともに順方向にバイアスさせ
る。２０は第２電源付与端子で、この端子には上
記第１電源付与端子１５に付与されるものよりも
大きいレベルの信号が付与され、この端子２０か
らのハイレベルの信号は抵抗２１、逆流阻止ダイ
オード（第２ダイオード）２２、抵抗１７を含
み、またチヨーク２３、抵抗１８を含む第２バイ
アス回路２４で第１ダイオード８，９を何れもオ
フに設定する。このとき、スイツチングダイオー
ド１４はオンになつているから第２入力端子１２
からの高周波信号は第２出力端子１１に伝送され
る。
たハイレベルの信号はチヨークコイル１６及び抵
抗１７，１８を含む第１バイアス回路１９で第１
ダイオード８，９をともに順方向にバイアスさせ
る。２０は第２電源付与端子で、この端子には上
記第１電源付与端子１５に付与されるものよりも
大きいレベルの信号が付与され、この端子２０か
らのハイレベルの信号は抵抗２１、逆流阻止ダイ
オード（第２ダイオード）２２、抵抗１７を含
み、またチヨーク２３、抵抗１８を含む第２バイ
アス回路２４で第１ダイオード８，９を何れもオ
フに設定する。このとき、スイツチングダイオー
ド１４はオンになつているから第２入力端子１２
からの高周波信号は第２出力端子１１に伝送され
る。
従い、このモードのときには第５図の回路は第
６図の如く模式化できる。分配トランス２の２次
側コイル４の他端は第２ダイオード２２であるス
イツチ２２′、及び抵抗２１を介して接地される。
尚、第２バイアス回路２４を構成する抵抗１８は
逆バイアス用の抵抗であり、通常高抵抗（数Ｋ
Ω）に設定されているため、第６図に示す如く無
視できる。また、コンデンサ２５は高周波信号の
側路用である。
６図の如く模式化できる。分配トランス２の２次
側コイル４の他端は第２ダイオード２２であるス
イツチ２２′、及び抵抗２１を介して接地される。
尚、第２バイアス回路２４を構成する抵抗１８は
逆バイアス用の抵抗であり、通常高抵抗（数Ｋ
Ω）に設定されているため、第６図に示す如く無
視できる。また、コンデンサ２５は高周波信号の
側路用である。
この回路構成における第１入力端子１から見た
VSWRは次の通りである。
VSWRは次の通りである。
VSWR＝１＋｜γ｜／１−｜γ｜ …(1)
γ＝Vr／Vi＝Zl−Zp／Zl＋Zp …(2)
ここで、γは反射係数、Viは入射電圧、Vrは
反射電圧、Zpは特性インピーダンス、Zlは負荷イ
ンピーダンスである。
反射電圧、Zpは特性インピーダンス、Zlは負荷イ
ンピーダンスである。
本回路の場合２分配されている為、第７図の様
に分配出力端にはVi1，Vi2が発生し Vi＝Vi1＋Vi2 …(3) Vi1＝Vi2＝Vi／２ …(4) の関係がある。又、反射電圧も各出力端にてVr
１，Vr2が発生し入力端子に発生する反射電圧は、 Vr＝Vr1＋Vr2 …(5)となる。
に分配出力端にはVi1，Vi2が発生し Vi＝Vi1＋Vi2 …(3) Vi1＝Vi2＝Vi／２ …(4) の関係がある。又、反射電圧も各出力端にてVr
１，Vr2が発生し入力端子に発生する反射電圧は、 Vr＝Vr1＋Vr2 …(5)となる。
(2)式より
Vr＝Zl−Zp／Zl＋ZpVi …(6)
が成立するため、この式より各端子の反射電圧を
求めてみると、１端P1においては第１出力端子
６に整合された負荷が加わつており特性インピー
ダンスZpは本回路の場合75Ωである為、Zl＝Zp＝
75Ωとなり反射電圧Vr1は Vr1＝Zl−Zp／Zl＋ZpVi1＝０ 従つて反射電圧は発生しない。
求めてみると、１端P1においては第１出力端子
６に整合された負荷が加わつており特性インピー
ダンスZpは本回路の場合75Ωである為、Zl＝Zp＝
75Ωとなり反射電圧Vr1は Vr1＝Zl−Zp／Zl＋ZpVi1＝０ 従つて反射電圧は発生しない。
又、他端P2においては、抵抗２１（抵抗値Ｒ）
が負荷されることになり、 Vr2＝Zl−Zp／Zl＋ZpVi2＝Ｒ−75／Ｒ＋75・Vi／２ 従つて、第１入力端子１から見た反射係数は γ＝Vr／Vi＝Vr1＋Vr2／Vi＝Ｒ−75／２（Ｒ＋75）…(7
) となる。従つて、入力端子１のVSWRは抵抗２
１により左右されることになる。
が負荷されることになり、 Vr2＝Zl−Zp／Zl＋ZpVi2＝Ｒ−75／Ｒ＋75・Vi／２ 従つて、第１入力端子１から見た反射係数は γ＝Vr／Vi＝Vr1＋Vr2／Vi＝Ｒ−75／２（Ｒ＋75）…(7
) となる。従つて、入力端子１のVSWRは抵抗２
１により左右されることになる。
第８図はVSWRと抵抗２１の抵抗値との関係
を示す。図示の如く抵抗２１の抵抗値を選ぶこと
によりインピーダンス整合を行なわせることがで
きる。尚、抵抗２１の値を挿入損失等他の理由に
より75Ωに出来ない場合においても数Ωから数百
Ωの範囲で選定することにより、VSWRをかな
り改善することができる。
を示す。図示の如く抵抗２１の抵抗値を選ぶこと
によりインピーダンス整合を行なわせることがで
きる。尚、抵抗２１の値を挿入損失等他の理由に
より75Ωに出来ない場合においても数Ωから数百
Ωの範囲で選定することにより、VSWRをかな
り改善することができる。
(ハ) 考案の効果
本考案装置は第１入力端子と第２出力端子間に
第１ダイオードを付設し第２入力端子からの高周
波信号入力時における前記第１入力端子からの漏
れを防ぎアイソレーシヨンを向上させると共に、
その第１ダイオードの逆バイアス印加用に配備し
た第２ダイオードにシリーズに付設した抵抗の値
を選定することにより第１入力端子から見た
VSWRを同時に改善することができ実用的であ
る。
第１ダイオードを付設し第２入力端子からの高周
波信号入力時における前記第１入力端子からの漏
れを防ぎアイソレーシヨンを向上させると共に、
その第１ダイオードの逆バイアス印加用に配備し
た第２ダイオードにシリーズに付設した抵抗の値
を選定することにより第１入力端子から見た
VSWRを同時に改善することができ実用的であ
る。
第１図は従来装置の回路構成図、第２図は同装
置の１モードにおける模式回路図、第３図は他の
従来例の回路構成図、第４図は同装置の１モード
における模式回路図である。第５図は本考案装置
の回路構成図、第６図は同装置の１モードにおけ
る模式回路図、第７図は分配装置の動作説明図、
第８図はVSWR対抵抗の関係図である。 主な図番の説明、１……第１端子、２……分配
トランス、６，１１……第１、第２出力端子、
８，２２……第１、第２ダイオード、１９，２４
……第１、第２バイアス回路、２１……抵抗。
置の１モードにおける模式回路図、第３図は他の
従来例の回路構成図、第４図は同装置の１モード
における模式回路図である。第５図は本考案装置
の回路構成図、第６図は同装置の１モードにおけ
る模式回路図、第７図は分配装置の動作説明図、
第８図はVSWR対抵抗の関係図である。 主な図番の説明、１……第１端子、２……分配
トランス、６，１１……第１、第２出力端子、
８，２２……第１、第２ダイオード、１９，２４
……第１、第２バイアス回路、２１……抵抗。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 高周波信号を入力する第１端子と、 該第１端子からの高周波信号を受ける分配トラ
ンスと、 該分配トランスの２次コイルの一端に接続され
た第１出力端子と、 該分配トランスの２次コイルの他端に互いに逆
方向に直列接続された一対の第１ダイオードと、 該一対の第１ダイオード同志の接続点とチヨー
クコイルを介して接続された第１電源付与端子及
び前記一対の第１ダイオードの直列接続の両端の
夫々と接地点間に接続されたバイアス用の第１抵
抗とからなり前記第１ダイオードに順方向のバイ
アスを付与する第１バイアス回路と、 前記分配トランスの２次コイルの他端に一端が
接続された前記直列接続の他端に接続された第２
出力端子と、 前記第２出力端子に接続された一方の第１ダイ
オードとは逆方向に該第１ダイオードに一端が接
続され他端が第２入力端子に接続されたスイツチ
ングダイオードと、 前記直列接続の他端に一端が接続され他端が第
２電源付与端子に接続され前記直列接続の他方の
第１ダイオードに逆方向のバイアスを付与する逆
流防止用の第２ダイオードと第２抵抗を有する直
列回路及び前記スイツチングダイオードと第２入
力端子の接続点と第２電源付与端子間を接続する
チヨークコイルとからなる第２バイアス回路とを
備え、 前記第２抵抗は前記第１ダイオードの遮断時、
前記２次コイルから見て所定のインピーダンスを
持つように構成してなる高周波信号分配装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983087345U JPS59193072U (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 高周波信号分配装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983087345U JPS59193072U (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 高周波信号分配装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59193072U JPS59193072U (ja) | 1984-12-21 |
| JPH0145175Y2 true JPH0145175Y2 (ja) | 1989-12-27 |
Family
ID=30217258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983087345U Granted JPS59193072U (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 高周波信号分配装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59193072U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5711870B2 (ja) * | 1979-02-22 | 1982-03-06 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5711870U (ja) * | 1980-06-25 | 1982-01-21 |
-
1983
- 1983-06-07 JP JP1983087345U patent/JPS59193072U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5711870B2 (ja) * | 1979-02-22 | 1982-03-06 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59193072U (ja) | 1984-12-21 |
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