JPH01316347A - カイラル化合物及び該カイラル化合物を含有する液晶組成物 - Google Patents

カイラル化合物及び該カイラル化合物を含有する液晶組成物

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JPH01316347A
JPH01316347A JP4222889A JP4222889A JPH01316347A JP H01316347 A JPH01316347 A JP H01316347A JP 4222889 A JP4222889 A JP 4222889A JP 4222889 A JP4222889 A JP 4222889A JP H01316347 A JPH01316347 A JP H01316347A
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liquid crystal
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general formula
crystal composition
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JP4222889A
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English (en)
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Manabu Kitazawa
学 北澤
Takao Sakurai
桜井 孝男
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Ajinomoto Co Inc
Original Assignee
Ajinomoto Co Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規なカイラル化合物及び該カイラル化合物を
含む液晶組成物に関する。
該カイラル化合物は光スイツチ素子材料、特に強誘電性
液晶組成物の素材として有用である。
又本明細書に於いて液晶物質とは、それ自体で液晶相を
呈することが検知されなくとも液晶組成物の構成成分と
して有用な物質を意味する。
従来の技術 液晶表示素子の表示方式として、現在広く実用化されて
いるものは、ねじれネマチック型(TN型)および動的
散乱型(DS型)である、これらはネマチック液晶を、
主成分としたネマチック液晶セルによる表示である。従
来のネマチック液晶セルの短所のひとつに、応答速度が
遅く、たかだか数m s e cのオーダーの応答速度
しか得られないという事実があげられる。そして、この
ことがネマチック液晶セルの応用範囲をせばめる一因と
なっている。しかし、最近に至ってスメクチック液晶セ
ルを用いれば、より高速な応答が得られるということが
わかってきた。
光学活性なスメクチック液晶の中には、強誘電性を示す
ものがあることが、明らかになってきており、その利用
に関して、大きな期待が寄せられつつある。強誘電性を
示す液晶すなわち強誘電性液晶は、1975年R,B、
Meyerらにより合成され、4−(4−n−デシルオ
キシベンジリデンアミノ)ケイ皮酸−2−メチルブチル
エステル(以下、DOBAMBCと略記する。)を代表
例とする化合物であり、その、カイラルスメクチックC
相(以下、Sc木相と略記する。)において、強誘電性
を示すことを特徴とするものである(J、Physiq
ue、且、L−69(1975))。
近年、N、A、C1arkら(Appl、Phys、L
ett、3旦、89 (1980))によって、DOB
AMBCの薄膜セルにおいて、μsecオーダーの高速
応答性が、見出されたことを契機に、強誘電性液晶はそ
の高速応答性を利用して液晶テレビ等のデイスプレィ用
のみならず、光プリンターヘッド、光フーリエ変換素子
、ライトバルブ等のオプトエレクトロニクス関連素子の
素材用にも使用可能な材料として注目を集めている。
発明が解決しようとしている問題点 DOBAMBCは自発分極が小さく、またシップ塩基で
あるため、その物理的化学的安定性に難がある。そこで
、強誘電性液晶材料として、物理的化学的に安定な種々
の化合物が探索されてきた。
そして現在、強誘電性液晶素材の開発は、高速応答性、
配向性、高いコントラスト、メモリー性、しきい個物性
、さらにこれらの諸特性の温度依存性等の実用特性の最
適化にその主力がうつってきている。
しかし、現在知られている強誘電性液晶は単独では、上
記実用特性を発現させるのに十分な程の大きい自発分極
、低い粘性、長いらせんピッチ、適当なチルト角、等の
諸物性を室温域を含む広い温度範囲で示すものはない、
そこで実際には、大きい自発分極を持つあるいは誘起す
る化合物、低粘性の化合物、らせんピッチが互いに逆の
化合物等数種類の物質を混合して上記諸特性を最適化す
べく検討が行われている。また、十分に広い温度範囲で
強誘電性を示す液晶組成物を得るためには温度範囲の広
い強誘電性液晶、カイラルでないスメクチックC液晶を
混ぜることが有効である。従って、強誘電性液晶組成物
に用いる液晶素材として、できるだけ多くの骨格と様々
な光学活性基を組合せた数多くの化合物群の中から、1
.大きい自発分極を持つあるいは誘起する化合物、2.
骨格的に低粘度であると考えられる化合物あるいは骨格
的に低粘度であると考えられる化合物と配合してもその
液晶性を損ねない化合物、3.らせんピッチが短く少量
の添加量でらせんピッチをほどくことができる化合物、
4.広い温度範囲で強誘電性を示す液晶化合物、等の化
合物をスクリーニングし、配合することにより、物性の
最適化を図っていくことが必要と考えられる。
一般に液晶化合物はベンゼン環などから成る核部分とア
ルキル鎖などから成る鎖状部分により構成される棒状分
子である。その中でもアルキル鎖′の炭素数がある程度
以上のものはスメクチック相を取りやすいことが良く知
られている。さらにスメクチック相の中でもスメクチッ
クC相(以下、Sc相と略記する。)を示す化合物は、
前述のように強誘電性液晶材料として使用することがで
きる。しかし分岐の無い直鎖アルキル基のみを有するS
c相を示す化合物は、Sc相の低温側に、より高次の相
(秩序性及び粘度の高い相)も示しやすい、また融点が
高いものが多く、低温側の相系列の点で強誘電性液晶配
合物の素材としては必ずしも充分ではない物が多い。
また分岐アルキル基を有するSc相またはSc木相を示
す液晶化合物の例として、アミルアルコール、オクチル
アルコール等の2級アルコールを使用したものや、アミ
ルアルコールの増炭反応を経て得た化合物等がある。(
A、Hallsby。
Mo1.Cryst、Liq、Cryst、、1982
、(82)、LSI及び J、W、G60DBY、Mo 1.Crys t、Li
q、Cryst、、1984.(110)、175−2
03))このうちアミルアルコールの増炭反応を経て得
た化合物はより広い温度範囲で強誘電性液晶相を示すも
のの合成段階が長く経済性に問題がある。
問題点を解決するための手段 本発明者らは、種々の不斉源から得られる、液晶物質を
探索し、強誘電性液晶組成物に用いる液晶素材として有
用なカイラル化合物を見出し本発明に到達した。
即ち本発明は式(I)で表わされる新規なカイラル液晶
化合物及び該化合物を含有することを特徴とする液晶組
成物である。
本 (ただしR1,R1は炭素数3ないし18の直鎖または
分枝のアルキル基を示し、光学活性であってもよい。n
は0または1であり、mは0から12までの整数を示す
 yl、yl、yl及びY4は−co、−,−oco−
、−o−。
単結合、−0CHz−1−oCOO−又は−CH2O−
を示す、また、Z’tZ”及びz3は1.4−ニアc=
レン基、3,6−ピリダジニレン基、2,5−ピリミジ
ニレン基、2.5−ビラジニレン基、2,5−ピリダニ
レン基の中から1つずつ独立に選ばれ、z14z及びz
3のうち任意に選ばれる二つ以上が、同時に同じでも、
文具なっていてもよい、また ’lL、zN、及びz3
の水素原子はフッ素、臭素、塩素、シアノ基、メチル基
で置換されていても良い0式(I)において、本部は不
斉炭素であることを示す、)上記(I)中、Rが炭素数
6〜14のアルキル基である化合物は、単独であるいは
配合物としてスメクチックC相を取りやすく強誘電性液
晶材料として特に有用である。また、それ以外の化合物
も、強誘電性液晶用配合材料や、あるいは、一般に液晶
材料などとして使用することができる。
本発明のカイラル化合物と、配合して強誘電性液晶組成
物とするのに適当な化合物としては、例えば次の1..
2..3.に示すような化合物である。
1、本出願人らが、過去開発した強誘電性液晶でアル、
特開昭60−67453、特1[60−67586、特
開昭60−168780、特開昭60−168781.
特開昭60−218358゜特願昭59−189232
、特願昭60−22920、特願昭60−87034、
特!1昭60−117053、特願昭60−14413
6、特願昭60−162654、特願昭80−1626
56、特願昭60−25033!5.特願昭60−27
2834、特願昭60−291179に開示されている
化合物。
2、スメクチックC相を有する1例えば次のような化合
物群。
アルコキシビフェニルカルボン酸アルキルエステル、ア
ルキルカルボニルオキシビフェニルカルボン酸アルキル
エステル、アルコキシ安息香酸アルコキシフェニルエス
テル、アルコキシ安息香酸アルキルオキシカルボニルフ
ェニルエステル、アルコキシ安息香酸アルコキシアルコ
キシフェニルエステル、アルコキシ安息香酸アルコキシ
ビフェニルエステル、アルコキシビフェニルカルボン酸
アルコキシフェニルエステル、アルキル安息香酸アルコ
キシビフェニルエステル、アルキルビフェニルカルボン
酸アルコキシフェニルエステル、アルコキシ安息香酸ア
ルキルビフェニルエステル、アルコキシビフェニルカル
ボン酸アルキルフェニルエステル、アルキルカルボニル
オキシ安息香酸アルコキシビフェニルエステル、アルキ
ルカルボニルオキシビフェニルカルボン酸アルコキシフ
ェニルエステル、アルコキシ安息香酸アルキルカルボニ
ルオキシビフェニルエステル、アルコキシビフェニルカ
ルボン酸アルキルカルボニルオキシフェニルエステル、
5−アルキル−2−(4’ −アルコキシフェニル)ピ
リミジン、5−アルコキシ−2−(4’−アルコキシフ
ェニル)ピリミジン、5−アルキル−2−(4’ −ア
ルキルカルボニルオキシフェニル)ピリミジン、5−ア
ルコキシ−2−(4’ −アルキルカルボニルオキシフ
ェニル)ピリミジン、5−アルキル−2−(4’  −
アルキルオキシカルボニルフェニル)ピリミジン、5−
アルコキシ−2−(4’ −アルキルオキシカルボニル
フェニル)ピリミジン、5−アルキル−2−(4′−ア
ルコキシフェニル)ピラジン、5−アルコキシ−2−(
4’−アルコキシフェニル)ピラジン、5−アルキル−
2−(4’ −アルキルカルボニルオキシフェニル)ピ
ラジン、5−アルコキシ−2−(4’ −アルキルカル
ボニルオキシフェニル)ピラジン、5−アルキル−2−
(4’ −アルキルオキシカルボニルフェニル)ピラジ
ン。
5−アルコキシ−2−(4’ −アルキルオキシカルボ
ニルフェニル)ピラジン、3−(4’ −アルキルフェ
ニル)−6−アルコキシピリダジン、3− (4’−ア
ルコキシフェニル)−6−アルコキシピリダジン、3−
 (4’ −アルコキシフェニル)−6−アルキルピリ
ダジン、5−(4’ −アルキルフェニル)−2−(4
”−アルコキシフェニル)ピリミジン、5− (4’ 
−アルコキシフェニル)−2−(4”−アルコキシフェ
ニル)ピリミジン、5−(4’−アルキルフェニル)−
2−(4”−アルキルカルボニルオキシフェニル)ピリ
ミジン、5−(4’−アルコキシフェニル)−2−(4
”−アルキルカルボニルオキシフェニル)ピリミジン、
5− (4’−アルキルフェニル)−2−(4”−アル
キルオキシカルボニルフェニル)ピリミジン、5− (
4’−アルコキシフェニル)−2−(4”−アルキルオ
キシカルボニルフェニル)ピリミジン、5−(4’−ア
ルコキシフェニル)−2−(4”−アルコキシフェニル
カルボニルオキシ)ピリミジン、5−(4’ −アルキ
ルフェニル)−2−(4”−アルコキシフェニルカルボ
ニルオキシ)ピリミジン、5− (4″−アルコキシフ
ェニル)−2−(4”−アルキルフェニルカルボニルオ
キシ)ピリミジン、5− (4’ −アルキルフェニル
)−2−(4”−アルキルフェニルカルボニルオキシ)
ピリミジン、5− (4’ −アルキルフェニル)−2
−(4”−アルコキシフェニル)−1,2,4−)リア
ジン、5− (4’  −アルコキシフェニル) −2
−(4”−アルコキシフェニル) −1,2,4−)リ
アジン、5− (4’ −アルキルフェニル)−2−(
4”−アルキルカルボニルオキシフェニル)−1,2,
4−)リアジン、5−(4’−アルコキシフェニル)−
2−(4”−アルキルカルボニルオキシフェニル)−1
,2゜4−トリアジン、5− (4’ −アルキルフェ
ニル)−2−(4”−アルキルオキシカルボニルフェニ
ル)−1,2’、4−)リアジン、5−(4’ −アル
コキシフェニル)−2−(4”−アルキルオキシカルボ
ニルフェニル)−1,2,4−)リアジン等 3.2に挙げた化合物群のアルキル基、アルコキシ基、
アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシカルボニ
ル基、の部分に不斉炭素を導入することにより、カイラ
ルスメクチックC相を示す強誘電性液晶とした化合物群
一般式(I)で表される化合物は次のように合成される
一般式(I)で表される化合物のあるものは、次の一般
式(あ)で表されるようなアルコール誘導体と、次の一
般式(い)で表せられるハロゲン化アルキルまたはアル
コールのトシレートのような活性誘導体各種とを、水素
化ナトリウム、水酸化ナトリウムのような塩基存在下で
反応させれば得られる。
R1−Y’−Z’−Y”−Z”−(Y”−Z”)、−(
C)Iり、OH(ア)(ただしR1,R1は炭素数3な
いし18の直鎖または分枝のアルキル基を示し、光学活
性であってもよい、n及びpはOまたは1であり、mは
0から12まテノ整数を示す YL、Y!、及びY”バ
ーC0t−、−0CO−。
−0−2単結合、−0CHt−、−0COO−又は−C
H,O−を示す、)zi 、 Zl及びZ”1.tl、
 4−フェニl、zン基、3,6−ピリダジニレン基、
2,5−ピリミジニレン基、2.5−ビラジニレン基、
2,5−ピリダニレン基の中から1つずつ独立に選ばれ
 zl、zl及びz3のうち任意に選ばれる二つ以上が
、同時に同じでも、文具なっていてもよい、また、Zl
、zl、及びZSの水素原子はフッ素、臭素、塩素、シ
アノ基、メチル基で置換されていても良い1式(1)に
おいて1本部は不斉炭素であることを示す、)また一般
式(1)で表されるある化合物は、(あ)と次の一般式
(う)で表せられる酸ハロゲン化物、もしくは次の一般
式(え)で表せられるクロルギ酸アルキルエステルとを
、ピリジン、3級アミンのような塩基存在下で反応させ
れば得られる。
ネ (ただしR2は炭素数3ないし18の直鎖または分枝の
アルキル基を示し、光学活性であってもよい。
mはOから12までの整数を示す、) 一般式(あ)の化合物は実施例に示すような方法で簡単
に得られる。
また一般式(I)で表されるある化合物は、次の一般式
(お)で表されるようなカルボン酸誘導体と、次の一般
式(か)で表せられるアルキルアルコールとをN、N’
−ジシクロへキシルカルボジイミドのような縮合剤を用
いて縮合させるか、あるいは一般式(お)で表される化
合物から誘導される酸クロライドと(か)とをピリジン
、3級アミンのような塩基存在下で反応させれば得られ
るRL−Y’−Z’−Y”−Z”−(Y3−Z”)、−
COO)I  (お)木 (ただしRL、R2は炭素数3ないし18の直鎖または
分枝のアルキル基を示し、光学活性であってもよい、n
はOまたは1であり、mは0から12までの整数を示す
。Yl、Yl、及びY3は−GO,−、−0CO−,−
o−。
単結合、−0CHz−、−0COO−又は−C)1.0
−を示す。また、zl、zl及びz3は1,4−フェニ
レン基、3.6−ピリダジニレン基、2,5−ピリミジ
ニレン基、2.5−ビラジニレン基、2,5−ピリジニ
レン基の中から1つずつ独立に選ばれ、zl、zl及び
Z3のうち任意に選ばれる二つ以上が、同時に同じでも
、文具なっていてもよい。また、zi、zz、及びZ3
の水素原子はフッ素、臭素、塩素、シアノ基、メチル基
で置換されていても良い0式(I)において、木部は不
斉炭素であることを示す。)また一般式(I)で表され
るある化合物は、次の一般式(き)で表されるようなカ
ルボン酸誘導体と、次の一般式(<)で表せられるアル
コール誘導体とをN、N’−ジシクロへキシルカルボジ
イミドのような縮合剤を用いて縮合させるか、あるいは
一般式(き)で表される化合物から誘導される酸クロラ
イドと(<)とをピリジン、3級アミンのような塩基存
在下で反応させれば得られるR’−YL−Z’−COO
I((き) 本 (ただしR1,R1は炭素数3ないし18の直鎖または
分枝のアルキル基を示し、光学活性であってもよい、n
は0または1であり、mは0から12まで)整数ヲ示ス
、YL、Ys、及びY’バーC0z−、−0CO−、−
0−。
単結合、−0CL−1−oCOO−又は−CHzO−を
示す。また、Z’、Z”及びz3は1.4−7:c=シ
アノ基3,6−ピリダジニレン基、2.5−ピリミジニ
レン基、2.5−ビラジニレン基、2,5−ピリジニレ
ン基の中から1つずつ独立に選ばれ、Zl、z4及びz
3のうち任意に選ばれる二つ以上が、同時に同じでも、
文具なっていてもよい。また、zl、z4.及びZ3の
水素原子はフッ素、臭素、@素、シアノ基、メチル基で
置換されていても良い。式(I)において、木部は不斉
炭素であることを示す。)また一般式(I)で表される
ある化合物は、次の一般式(け)で表されるようなアル
コール誘導体、と、次の一般式(こ)で表せられるカル
ボン酸誘導体、あるいは次の一般式(さ)で表されるよ
うなカルボン酸誘導体と、次の一般式(シ)で表せられ
るアルコール誘導体、あるいは次の一般式(す)で表さ
れるようなアルコール誘導体と、次の一般式(せ)で表
せられるカルボン酸誘導体からも、(き)と(<)から
の場合と同様の方法で得られる。
R”−Y’−ZL−OH(け) Js HOOC4”−(Y’−Z”)−−Y’−(CHz)−
−CH−R”  (;−)* R’−Y’−Z’−Y”−Z”−COO)I  (さ)
本 R’−YL−Z’−Y’−Z”−OH(す)本 (ただしR1,R1は炭素数3ないし18の直鎖または
分枝のアルキル基を示し、光学活性であってもよい、n
は0または1であり、mはOから12までの整数を示す
 yt、yz、ys、及びY4は−co!−、−oco
−、−0−1単結合、−0CHt−1−oCOO−又は
−CH!0−を示す。
z’、z”及びZ3は1.4−7エ:lzン基、3,6
−ピリダジニレン基、2,5−ピリミジニレン基、2.
5−ビラジニレン基、2,5−ピリジニレン基の中から
1つずつ独立に選ばれ zl、zl及びzlのうち任意
に選ばれる二つ以上が、同時に同じでも、文具なってい
てもよい、また 7.L、1*、及びZ3の水素原子は
フッ素、臭素、塩素、シアノ基、メチル基で置換されて
いても良い1式(I)において、木部は不斉炭素である
ことを示す、)また一般式(I)で表されるある化合物
は、次の一般式(そ)で表されるようなアルコール誘導
体と、次の一般式(た)で表せられるハロゲン化アルキ
ルまたはアルコールのトシレートのような活性誘導体各
種とを、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウムのような
塩基存在下で反応させれば得られる。
R’−Yl−ZL−OHCソ) (ただしRL、R1は炭素数3ないし18の直鎖または
分枝のアルキル基を示し、光学活性であってもよい、n
及びpはOまたは1であり、mは0から12までの整数
を示す Yl、Yl、及びY4は−co、−,−oco
−。
−0−2単結合、−OCH,−1−oCOO−又は−C
H,O−を示す。
zL、zl及びzlは1.4−7x=レン基、3,6−
ピリダジニレン基、2,5−ピリミジニレン基、2.5
−ビラジニレン基、2,5−ピリジニレン基の中から1
つずつ独立に選ばれ zt、zl及びzlのうち任意に
選ばれる二つ以上が、同時に同じでも、文具なっていて
もよい、また、zt、zz、及びzlの水素原子はフッ
素、臭素、塩素、シアノ基、メチル基で置換されていて
も良い0式(I)において、木部は不斉炭素であること
を示す、)また一般式(I)で表されるある化合物は、
次の一般式(ち)で表されるようなハロゲン化アルキル
またはアルコールのトシレートのような活性誘導体各種
と、次の一般式(つ)で表せられるアルコール誘導体、
あるいは次の一般式(て)で表さられるようなアルコー
ル誘導体と、次の一般式(と)で表せられるハロゲン化
アルキルまたはアルコールのトシレートのような活性誘
導体各種、あるいは次の一般式(な)で表されるような
ハロゲン化アルキルまたはアルコールのトシレートのよ
うな活性誘導体各種と、次の一般式(に)で表せられる
アルコール誘導体からも、(そ)と(た)からの場合と
同様の方法で得られる。
R1−Y’−Z’−CHtX  (ち)本 R’−Y’−Z’−Y’−Z’−01((T)R’−Y
”−Z”−Y”−Z”(:l(!X  (1本 (ただしR1,u!は炭素数3ないし18の直鎖または
分枝のアルキル基を示し、光学活性であってもよい、n
はOまたは1であり、mはOから12までの整数を示す
m Y”HY”gY3H及びY4は−cO,−、−0C
O−。
−〇−1単結合、−0CH,−、−0COO−又は−C
HzO−を示す。
zL、z’及びZ″はl、4−7z:レン基、3,6−
ピリダジニレン基、2.5−ピリミジニレン基、2.5
−ビラジニレン基、2,5−ピリジニレン基の中から1
つずつ独立に選ばれ、zL、zl及びZlのうち任意に
選ばれる二つ以上が、同時に同じでも、文具なっていて
もよい、また、Zl、zl、及びzlの水素原子はフッ
素、臭素、塩素、シアノ基、メチル基で置換されていて
も良い0式(I)において、木部は不斉炭素であること
を示す、)また一般式(I)で表されるある化合物は、
次の一般式(ぬ)で表されるようなハロゲン化アルキル
またはアルコールのトシレートのような活性誘導体各種
と、次の一般式(ね)で表せられるアルコール誘導体と
を、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウムのような塩基
存在下で反応させれば得られる。
R”X  (ぬ) C,H。
1(0−(C1l@)、 −Z ’ −Y”−Z” −
(Y’−Z” )、−Y’−(CH2)、−C)I−R
”本 (ね) (ただしR1,R1は炭素数3ないし18の直鎖または
分枝のアルキル基を示し、光学活性であってもよい。n
及びPはOまたは1であり、mは0から12までの整数
を示す。y4.y3.及びY4は−Cot−、−0CO
−。
−〇−2単結合、−0CHt−1−oCOO−又は−C
H,0−を示す。
z”、z”及びzlは1.4−7r::レン基、3,6
−ピリダジニレン基、2,5−ピリミジニレン基、2.
5−ビラジニレン基、2,5−ピリダニレン基の中から
1つずつ独立に選ばれ、zl、Zz及びzlのうち任意
に選ばれる二つ以上が、同時に同じでも、文具なってい
てもよい、また、zL、zl、及びZ3の水素原子はフ
ッ素、臭素、塩素、シアノ基、メチル基で置換されてい
ても良い1式(I)において、木部は不斉炭素であるこ
とを示す、またXはハロゲンあるいはトシル基を示す、
) また一般式(I)で表されるある化合物は1次の一般式
(の)で表されるような酸ハロゲン化物、もしくは次の
一般式(は)で表せられるクロルギ酸アルキルエステル
と、 (ね)とを、ピリジン、3!&アミンのような塩
基存在下で反応させれば得られる。
RL−COX  (の) R1−OCO(I  (は) (ただしR1は炭素数3ないし18の直鎖または分枝の
アルキル基を示す。) また一般式(I)で表されるある化合物は、次の一般式
(ひ)で表されるようなアルキルアルコールと、次の一
般式(ふ)で表せられるカルボン酸誘導体とをN、N’
−ジシクロへキシルカルボジイミドのような縮合剤を用
いて縮合させるか、あるいは(ひ)と、一般式(ふ)で
表せられる化合物から誘導される酸クロライドとを、ピ
リジン、3級アミンのような塩基存在下で反応させれば
得られる。
R’−0)1  (ひ) Ja 1400C−Zl−Y”−Z”−(Y’−Z3)ll−
Y’−(C)It)−CH−R”  (A)本 (ただしR1,R4は炭素数3ないし18の直鎖または
分枝のアルキル基を示し、光学活性であってもよい、n
はOまたは1であり、mはOから12までの整数を示す
 y!、y3及びY4は−cot−,−oco−、−o
−。
単結合、−0CHz−1−oCOO−又は−COX0−
を示す、また、zL、zl及びzlは1,4−フェニレ
ン基、3,6−ピリダジニレン基、2,5−ピリミジニ
レン基、2.5−ビラジニレン基、2,5−ピリジニレ
ン基の中から1つずつ独立に選ばれ、zt、zt及びZ
3のうち任意に選ばれる二つ以上が、同時に同じでも、
文具なっていてもよい、また zL、zffi、及びZ
Sの水素原子はフッ素、臭素、塩素、シアノ基、メチル
基で置換されていても良い6式(1)において、木部は
不斉炭素であることを示す、)発明の作用 本発明の化合物のうちあるものは広い温度範囲でスメク
チックC相を示し、強誘電性液晶組成物に用いる液晶素
材として役立てることができる。
例えば2−(p−オクチルオキシカルボニルオキシフェ
ニル)−5−(p’−オクチルオキシフェニル)−ピリ
ミジンは、スメクチックC相を示さず、かつ82〜17
2℃の温度範囲でスメクチックC相よりも高次の相を有
するが、この化合物と核部分が同じで鎖状部分の炭素数
も等しい、本発明の化合物である。2−(p−(2’−
エチルへキシルオキシカルボニルオキシ)フェニル)−
5−(p’−オクチルオキシフェニル)−ピリミジンは
44〜130℃という広い温度範囲でスメクチックC相
を示し、かつスメクチックC相よりも高次の相を有さな
い。
また本発明の化合物のうちスメクチック液晶となるもの
は、熱書込レーザー書込用の液晶素材として使用するこ
とも可能である。
実施例 以下に実施例を示すが、この実施例により本発明が限定
されるわけではない。
以下、C,SX、Sa、So、SA、N、■相はそれぞ
れ、結晶、はっきりと同定できないスメクチック相、は
っきりと同定できないカイラルスメクチック相、スメク
チックB相、スメクチックC相、スメクチックA相、ネ
マチック相、等労相を示す1本発明の化合物の精製は、
シリカゲルクロマトグラフィー及びアルコールまたはヘ
キサンによる再結晶によって行った。以下に示す相転移
点の副定値は、物質の純度により若干の影響を受けるこ
ともありうる。
実施例1 2−(p−(2’−エチルへキシルオキシカルボニルオ
キシ)フェニル)−5−(p’−オクチルオキシフェニ
ル)−ピリミジン(A)の合成p−ヒドロキシフェニル
酢酸とオクチルブロマイドとを用いて常法に従いウィリ
アムソン合成によりp−オクチルオキシフェニル酢Ni
l (B)を得た。(B)とN、N−ジメチルホルムア
ミドとを、塩化ホスホリルの存在化で反応させることに
より、1−ジメチルアミノ−2−(p−オクチルオキシ
フェニル)−3−ジメチルイミノ−プロペン塩酸塩(C
)を得た。(C)とp−ヒドロキシベンズアミジン塩!
!塩(p−シアノフェノールより常法により合成)とを
、ピリジン中で縮合させることにより、2−(p−ヒド
ロキシフェニル)−5−(p′−オクチルオキシフェニ
ル)−ピリミジン(D)を得た。(D)とクロロギ酸−
2−エチルヘキシルエステルとをピリジン溶媒で反応さ
せることにより目的化合物(A)を得た。
該化合物の核磁気共鳴スペクトルを図1に示す。
該化合物は広い温度範囲で強誘電性液晶相を示す化合物
で、その相転移点は以下に示すとうりであった。
C”’−S c相転移点 44℃ 5c−8A相転移点 130℃ 5A−I相転移点 145℃ 実施例2 2−(p−オクチルオキシフェニル)−5−(2’−エ
チルへキシルオキシ)−ピリミジン(E)の合成 2−オクチルオキシフェニル−5−ヒドロキシピリミジ
ンと2−エチルヘキシルブロマイドとを用いて常法に従
いウィリアムソン合成により目的化合物(E)を得た。
該化合物は室温で油状物であった。。
実施例3 2−(p−(2’−エチルへキシルオキシ)フェニル)
−5−(p’−オクチルオキシフェニル)−ピリミジン
(F)の合成 実施例1で合成した(D)と2−エチルヘキシルブロマ
イドとを用いて常法に従いウィリアムソン合成により目
的化合物(F)を得た。
該化合物の相転移点は以下に示すとうりであった。
c−Sc相転移点 90℃ 5c−SA相転移点 119.5℃ 5A−I相転移点 137℃ 実施例4 2−(p−(2’−エチルへキシルオキシ)フェニル)
−5−(p’−へキシルオキシフェニル)−ピリミジン
(G)の合成 実施例3と同様にして常法により目的化合物(G)を得
た。
該化合物の相転移点は以下に示すとうりであった。
CSc相転移点 78℃ 5C−3A相転移点 104℃ 5A−I相転移点 152℃ 実施例5 2−(p−(2’−エチルへキシルオキシ)フェニル)
−5−(p’−へブチルオキシフェニル)−ビリミジン
(H)の合成 実施例3と同様にして常法により目的化合物(H)を得
た。
該化合物の相転移点は以下に示すとうりであった。
CSc相転移点 91℃ 5c−8A相転移点 115℃ 5A−I相転移点 140℃ 実施例6 2−(p−ブチルオキシメチルカルボニルオキシフェニ
ル)−5−(p’ −(2−エチルへキシルオキシ)−
フェニル)−ピリミジン(J)の合成実施例1と同様に
して常法により2−(p−ヒドロキシフェニル) −5
−(p’−(2−エチルへキシルオキシ)−フェニル)
−ピリミジンとブトキシ酢酸クロライドを縮合すること
により、目的化合物(J)を得た。
該化合物の相転移点は以下に示すとうりであった。
C−5X相転移点 66℃ 5X−I相転移点 103℃ 実施例7 2−(p−(2’−エチルへキシルオキシ)フェニル)
−5−(p’−ペンチルオキシフェニル)−ピラジン(
K)の合成 実施例3と同様にして常法により2− (p−ヒドロキ
シフェニル)−5−(p’−ペンチルオキシフェニル)
−ピラジンと2−エチルヘキシルブロマイドを縮合する
ことにより目的化合物(K)を得た。
該化合物の相転移点は以下に示すとうりであった。
C−5c相転移点 83℃ ScI相転移点 130℃ 実施例8 カイラルスメクチックC液晶組成物として次のような組
成物を!l製した。
カイラルスメクチックC液晶組成物として次のような組
成物を調製した。
2−(p−(2’−エチルへキシルオキシカルボニルオ
キシ)フェニル)−5−(p’−オクチルオキシフェニ
ル)−ピリミジン(A)   5wt%2−(p−(2
’−エチルへキシルオキシ)フェニル)−5−(p’−
ペンチルオキシフェニル)−ピラジン(K)     
      6.5wt%(S、S) −1−り、コロ
−2−メチルブチルカルボン酸 4−(4−オクチルオ
キシフェニル)フェニルエステル          
10.7wt%(S、5)−1−クロロ−2−メチルブ
チルカルボン酸 4−(4−ノニルカルボニルオキシフ
ェニル)フェニルエステル      7.3wt%(
R)−4−(4−ノニルカルボニルオキシフェニル)安
息香酸 2−クロロ−3−メチルブチルエステル   
          19.5w t%2−(4−ノニ
ルオキシフェニル)−5−ノニルピリミジン     
        9wt%2−(4−オクチルオキシフ
ェニル)−5−オクチルピリミジン         
  9wt%2−(4−オクチルオキシフェニル)−5
−ノニルピリミジン            9wt%
2−(4−デシルオキシフェニル)−5−オクチルオキ
シカルボニルオキシピリミジン 4wt%2−(4−ノ
ニルオキシカルボニルオキシフェニル)−5−ドデシル
ピリミジン     4wt%2−(4−デシルオキシ
フェニル)−5−オクチルオキシピリミジン     
     8wt%2−(4−ノニルオキシフェニル)
−5−ドデシルピリミジン            8
wt%この組成物は氷点下より55℃までカイラルスメ
クチックC相を55℃より67℃までスメクチックA相
をそれ以上で等労相を示した。
ポリイミドで配向処理をした2μmのセルに封入し+2
0Vの矩形波をかけ応答速度を測定したところ25℃に
おいて38μsecであった。
発明の効果 本発明の化合物のうちあるものは広い温度範囲でスメク
チックC相を示し、強誘電性液晶配合物の構成原料とし
て役立てることができる。
例えば本発明の化合物である、2−(p−(2″−エチ
ルへキシルオキシカルボニルオキシ)フェニル)−5−
(p’−オクチルオキシフェニル)−ピリミジンは、ス
メクチックC相の温度範囲が44〜130℃と広く、か
つスメクチックC相よりも高次の相を有さないなど、そ
のアルキル鎖が直鎖で炭素数は等しい、2−(p−オク
チルオキシカルボニルオキシフェニル)−5−(p’−
オクチルオキシフェニル)−ピリミジンに比べ相系列の
点ではるかに優れた性能を有する。また、この化合物の
カイラル源であるクロロギ酸−2−エチルヘキシルエス
テルは容易に入手することができることから、アミルア
ルコール等の増炭反応を経て合成される化合物に比べ経
済性の点でも優れている。
【図面の簡単な説明】
図1は実施例1で得た2−(p−(2’エチルへキシル
オキシカルボニルオキシ)フェニル)−5−(p’−オ
クチルオキシフェニル)−ピリミジン(A)の核磁気共
鳴スペクトルを示す。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)式( I )で表わされるラセミ体または一方の対
    称体であるカイラル化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (ただしR^1、R^2は炭素数3ないし18の直鎖ま
    たは分枝のアルキル基を示し、光学活性であつてもよい
    、nは0または1であり、mは0から12までの整数を
    示す。Y^1、Y^2、Y^3及びY^4は−CO_2
    −、−OCO−、−O−、単結合、−OCH_2−、−
    OCOO−又は−CH_2O−を示す。また、Z^1、
    Z^2及びZ^3は1,4−フェニレン基、3,6−ピ
    リダジニレン基、2,5−ピリミジニレン基、2,5−
    ピラジニレン基、2,5−ピリジニレン基の中から1つ
    ずつ独立に選ばれ、Z^1、Z^2及びZ^3のうち任
    意に選ばれる二つ以上が、同時に同じでも、又異なつて
    いてもよい。また、Z^1、Z^2、及びZ^3の水素
    原子はフッ素、臭素、塩素、シアノ基、メチル基で置換
    されていても良い。式( I )において、*印は不斉炭
    素であることを示す。)
  2. (2)特許請求の範囲第(1)項式( I )においてR
    ^2がn−ブチル基であり、mが0または1である特許
    請求の範囲第(1)項記載のカイラル化合物。
  3. (3)式( I )で表わされるラセミ体または一方の対
    称体であるカイラル化合物を一種類以上配合することを
    特徴とした液晶組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (ただしR^1、R^2は炭素数3ないし18の直鎖ま
    たは分枝のアルキル基を示し、光学活性であつてもよい
    、nは0または1であり、mは0から12までの整数を
    示す。Y^1、Y^2、Y^3及びY^4は−CO_2
    −、−OCO−、−O−、単結合、−OCH_2−、−
    OCOO−又は−CH_2O−を示す。また、Z^1、
    Z^2及びZ^3は1,4−フェニレン基、3,6−ピ
    リダジニレン基、2,5−ピリミジニレン基、2,5−
    ピラジニレン基、2,5−ピリジニレン基の中から1つ
    ずつ独立に選ばれ、Z^1、Z^2及びZ^3のうち任
    意に選ばれる二つ以上が、同時に同じでも、又異なって
    いてもよい。また、Z^1、Z^2、及びZ^3の水素
    原子はフッ素、臭素、塩素、シアノ基、メチル基で置換
    されていても良い、式( I )において、*印は不斉炭
    素であることを示す。)
  4. (4)光学活性な化合物を1種以上含み、強誘電性を示
    す事を特徴とした特許請求の範囲第(3)項記載の液晶
    組成物。
  5. (5)特許請求の範囲第(1)項一般式( I )で表わ
    される新規液晶化合物を少なくとも一種と、カイラルで
    ないスメクチックC液晶を少なくとも一種、及び光学活
    性な化合物をを少なくとも一種含有することを特徴とす
    る特許請求の範囲第(4)項記載の液晶組成物。
  6. (6)特許請求の範囲第(1)項一般式( I )で表わ
    される新規液晶化合物を少なくとも一種と、次式(II)
    で表されるカイラルでないスメクチックC液晶を少なく
    とも一種含有することを特徴とする液晶組成物。 R−Ph−Py−R’(II) (R、R’はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ
    基またはアルコキシカルボニル基を、Phは1,4−フ
    ェニレン基を、Pyは2,5−ピリミジン基を示す。)
  7. (7)特許請求の範囲第(1)項一般式( I )で表わ
    される新規液晶化合物を少なくとも一種と、次式(III
    )で表されるカイラルでないスメクチックC液晶を少な
    くとも一種含有することを特徴とする液晶組成物。 R−Ph−COO−Ph−R’(III) (R、R’はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ
    基またはアルコキシカルボニル基を、Phは1,4−フ
    ェニレン基を示す。)
  8. (8)特許請求の範囲第(1)項一般式( I )で表わ
    される新規液晶化合物を少なくとも一種と、次式(IV)
    で表されるカイラルでないスメクチックC液晶を少なく
    とも一種含有することを特徴とする液晶組成物。 R−Ph−Ph−R’(IV) (R、R’はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ
    基またはアルコキシカルボニル基を、Phは1,4−フ
    ェニレン基を示す。)
  9. (9)特許請求の範囲(4)、(5)、(6)、(7)
    、(8)に示される液晶組成物のうち、カイラルネマチ
    ック相及びカイラルスメクチックC相におけるらせんピ
    ッチが2マイクロメーター以上の液晶組成物。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0317067A (ja) * 1989-06-13 1991-01-25 Teikoku Chem Ind Corp Ltd 液晶化合物
EP0487093A2 (en) * 1990-11-21 1992-05-27 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Liquid crystal compound and liquid crystal display device

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