JPH03153670A - エーテル化合物及び強誘電性液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は新規な液晶化合物及び該液晶化合物を含む強誘
電性液晶組成物に関する。

該液晶化合物は光スイツチ素子材料、特に強誘電性液晶
組成物の素材として有用である。

又本明細書において液晶物質とは、それ自体で液晶相を
呈することが検知されなくとも液晶組成物の構成成分と
して有用な物質を意味する。

［従来の技術］ 液晶表示素子の表示方式として、現在広く実用化されて
いるものは、ねじれネマチック型（ＴＮ型）および動的
散乱型（ＤＳ型）である。これらはネマチック液晶を、
主成分としたネマチック液晶セルによる表示である。

従来のネマチック液晶セルの短所のひとつに、応答速度
が遅く、たかだか数ｍ５ｅｃのオーダーの応答速度しか
得られないという事実があげられる。そして、このこと
がネマチック液晶セルの応用範囲をせばめる一因となっ
ている。しかし、最近に至ってスメクチック液晶セルを
用いれば、より高速な応答が得られるということがわか
ってきた。

光学活性なスメクチック液晶の中には、強誘電性を示す
ものがあることが、明らかになってきており、その利用
に関して、大きな期待が寄せられつつある。強誘電性を
示す液晶すなわち強誘電性液晶は、１９７５年Ｒ，Ｂ。

Ｍｅｙｅｒらにより合成され、４−（４−ｎ−デシルオ
キシベンジリデンアミノ）ケイ皮酸−２−メチルブチル
エステル（以下、Ｄ。

ＥＡＭＢＣと略記する。）を代表例とする化合物であり
、その、カイラルスメクチックＣ相（以下、Ｓｍ　　Ｃ
＊相と略記する。）において１強誘電性を示すことを特
徴とするものである（Ｊ、Ｐｈｙｓｉｑｕｅ、３６．Ｌ
　−６９（１９７５））。

近年、Ｎ、Ａ、Ｃ１ａｒｋら（Ａｐｐｌ。

Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、３６．８９　（１９８０））によ
って、ＤＯＢＡＭＢＣの薄膜セルにおいて、μｓｅｃオ
ーダーの高速応答性及びメモリー性が、見出されたこと
を契機に、強誘電性液晶はその高速応答性を利用して液
晶テレビ等のデイスプレィ用のみならず、光プリンター
ヘッド、光フーリエ変換素子、ライトバルブ等のオプト
エレクトロニクス関連素子の素材用にも使用可能な材料
として注目を集めている。

そして現在、強誘電性液晶素材の開発は、高速応答性、
配向性、高いコントラスト、メモリー性、しきい値特性
、さらにこれらの諸特性の温度依存性等の実用特性の最
適化にその主力が移ってきている。

［発明が解決しようとしている問題点コ現在知られてい
る強誘電性液晶は単独では、上記実用特性を発現させる
のに十分な程の大きい自発分極、低い粘性、長いらせん
ピンチ、適当なチルト角、等の諸物性を室温域を含む広
い温度範囲で示すものはない。そこで実際には、大きい
自発分極を持つあるいは誘起する化合物、低粘性の化合
物、らせんピッチが互いに逆の化合物等数種類の物質を
混合して上記諸特性を最適化すべく検討が行われている
。また、十分に広い温度範囲で強誘電性を示す液晶組成
物を得るためには温度範囲の広い’ｉ１１誘電性液晶、
カイラルでないスメクチックＣ液晶を混ぜることが有効
である。従って、強誘電性液晶組成物に用いる液晶素材
として、できるだけ多くの骨格と様々な光学活性基を組
合せた数多くの化合物群の中から、１．大きい自発分極
を持つあるいは誘起する化合物、２、骨格的に低粘度で
あると考えられる化合物あるいは骨格的に低粘度である
と考えられる化合物と配合してもその液晶性を損ねない
化合物、３．らせんピッチが短く少量の添加量でらせん
ピッチをほどくことができる化合物、４．広い温度範囲
でスメクチック相を示す液晶化合物１等の化合物をスク
リーニングし、配合することにより、物性の最適化を図
っていくことが必要と考えられる。本発明の目的の一つ
は、そのような用途に使える化合物群の提供である。

また、液晶は多かれ少なかれ、光、熱、水、酸素等によ
り物理的化学的分解を受ける。また、工業的に液晶中に
、微量の不純物が残留することが避けられない場合もあ
る。しかし通常、色素を含まないネマチック液晶の場合
、シップ塩基等の特に物理的化学的分解を受は易い化合
物の使用を避け、適当な封止材を使用すれば、実用上問
題になる程のイオン性不純物の影響は起こらない。

しかし、前述の強誘電性液晶の場合は、光。

熱、水、酸素等による物理的化学的分解で生じた微量の
イオン性不純物や液晶中に残留する極性の高い不純物の
影響により、そのメモリー性が損なわれることが、素子
としての信頼性を失わせる最大原因の一つとなっている
。

そこで、本発明のもう一つの目的は強誘電性液晶素子中
のイオン性不純物や極性の高い不純物の影響を抑制でき
るような液晶素材の提供である。

［問題点を序決するための手段］ 本発明者らは、上述のような問題点を解決するために種
々の化合物の合成評価を行いエーテル結合の導入という
本発明に到達した。

すなわち本発明は、少なくとも一方の側鎖にエーテル結
合を３個以上含むことを特徴としたスメクチック液晶化
合物下記一般式（１）で表される化合物及び該化合物を
含むことを特徴とした強誘電性液晶組成物である。

Ｒ１−（ＣＨ２Ｃｔ１２−０−）ｉ−Ｙｌ−Ｚｌ−Ｙ２
−Ｚ２−（Ｙ３−Ｚ３）ｍ−Ｙ４−（ＣＨ２ＣＩＩ２−
０−）ｎ−Ｒ２（１）（ただしｒｌｌ、Ｒ２は炭素数１
ないし１８の直鎖または分枝のアルキル基、アルコキシ
基、ハロアルキル基を示し、光学活性であってもよい。

ｎ及びｉは０から１０までの整数であり、ｍは０または
１である。但しｎまたはｉのうちいずれか一方は、炭素
数３以上の整数である。

Ｙｌ、Ｙ２．Ｙ３及びＹ４は−ＣＯ２−、−０ＣＯ−、
−０−．−ＣＯ−、単結合、−０ＣＨ２−、−０ＣＯＯ
−又は−ＣＨ２０−を示す。また、Ｚｌ、Ｚ２及びｚ３
は１，４−フェニレン基、３，６−ピリダジニレン基、
２，５−ピリミジニレン基、２，５−ビラジニレン基、
２，５−ピリジニレン基、２，５−ナフタレン基、３゜
８−ナフタレン基の中から１つずつ独立に選ばれ、Ｚｌ
、Ｚ２及びｚ３のうち任意に選ばれる二つ以上が、同時
に同じでも、文具なっていてもよい。また、　　Ｚｌ、
Ｚ２．及びＺ３の水素原子はフッ素、臭素、塩素、シア
ノ基、メチル基で置換されていても良い。） 本発明の化合物と配合して強誘電性液晶組成物とするの
に適当な化合物としては、例えば次の１．　　２．　　
３．　　に示すような化合物である。

１、本呂願人らが、過去開発した強誘電性液晶である、
特開昭６０−２１８３５８、特開昭６２−４６、特開昭
６２−３０７４０、特開昭６２−５３９４３、特開昭６
２−１１１９５０、特開昭６２−２２８０６８、特開昭
６３−５７５５３、特開昭８３−９９０３２、特開平１
−１０４０３１等に開示されている化合物。

２、スメクチックＣ相を有する、例えば次のような化合
物？１１！。

アルコキシビフェニルカルボン酸アルキルエステル、ア
ルキルカルボニルオキシビフェニルカルボン酸アルキル
エステル、アルコキシ安息香酸アルコキシフェニルエス
テル、アルコキシ安息香酸アルキルオキシカルボニルフ
ェニルエステル、アルコキシ安息香酸アルコキシアルコ
キシフェニルエステル、アルコキシ安息香酸アルコキシ
ビフェニルエステル。

アルコキシビフェニルカルボン酸アルコキシフェニルエ
ステル、アルキル安息香酸アルコキシビフェニルエステ
ル、アルキルビフェニルカルボン酸アルコキシフェニル
エステル、アルコキシ安息香酸アルキルビフェニルエス
テル、アルコキシビフェニルカルボン酸アルキルフェニ
ルエステル、アルキルカルボニルオキシ安息香酸アルコ
キシビフェニルエステル、アルキルカルボニルオキシビ
フェニルカルボン酸アルコキシフェニルエステル、アル
コキシ安息香酸アルキルカルボニルオキシビフェニルエ
ステル、アルコキシビフェニルカルボン酸アルキルカル
ボニルオキシフェニルエステル、５−アルキル−２−（
４’　−アルコキシフェニル）ピリミジン、５−アルコ
キシ−２−（４’−アルコキシフェニル）ピリミジン、
５−アルキル−２−（４’　−アルキルカルボニルオキ
シフェニル）ピリミジン、５−アルコキシ−２−（４’
　−アルキルカルボニルオキシフェニル）ピリミジン、
５−アルキル−２−（４’　−アルキルオキシカルボニ
ルフェニル）ピリミジン、５−アルコキシ−２−（４’
　−アルキルオキシカルボニルフェニル）ピリミジン、
５−アルキル−２−（４′−アルコキシフェニル）ピラ
ジン、５−アルコキシ−２−（４’　−アルコキシフェ
ニル）ピラジン、５−アルキル−２−（４’アルキルカ
ルボニルオキシフエニル）ビラジン、５−アルコキシ−
２−（４’　　−アルキルカルボニルオキシフェニル）
ピラジン、５−アルキル−２−（４’　−アルキルオキ
シカルボニルフェニル）ピラジン、５−アルコキシ−２
−（４’　−アルキルオキシカルボニルフェニル）ピラ
ジン、３−（４’　−アルキルフェニル）−６−アルコ
キシピリダジン、３−（４′−アルコキシフェニル）−
６−アルコキシピリダジン、３−（４’　−アルコキシ
フェニル）−６−アルキルピリダジン、５−（４′−ア
ルキルフェニル）−２−（４”−アルコキシフェニル）
ピリミジン、５−　（４’−アルコキシフェニル）−２
−（４″−アルコキシフェニル）ピリミジン、５−（４
’アルキルフエニル）−２−（４”−アルキルカルボニ
ルオキシフェニル）ピリミジン、５−（４′−アルコキ
シフェニル）−２−（４″−アルキルカルボニルオキシ
フェニル）ピリミジン、５−（４’　−アルキルフェニ
ル）−２−（４”−アルキルオキシカルボニルフェニル
）ピリミジン、５−　（４’　−アルコキシフェニル）
−２−（４”−アルキルオキシカルボニルフェニル）ピ
リミジン、５−（４′−アルコキシフェニル）−２−（
４”−アルコキシフェニルカルボニルオキシ）ピリミジ
ン、５−（４’−アルキルフェニル）−２−（４”−ア
ルコキシフェニルカルボニルオキシ）ピリミジン、５−
（４’　−アルコキシフェニル）−２−（４”−アルキ
ルフェニルカルボニルオキシ）ピリミジン、５−　（４
’−アルキルフエニル）−２−（４”−アルキルフェニ
ルカルボニルオキシ）ピリミジン、５−（４’　−アル
キルフェニル）　−２−（４″−アルコキシフェニル）
−１，２，４−トリアジン、５−（４’　−アルコキシ
フェニル）−２−（４’″−アルコキシフェニル）−１
゜２．４−トリアジン、５−（４’　−アルキルフェニ
ル）−２−（４”−アルキルカルボニルオキシフェニル
）　−１，２，４−１リアジス　５−（４’−アルコキ
シフェニル）−２（４”−アルキルカルボニルオキシフ
ェニル）−１，２，４−）リアジン、５−（４’−アル
キルフェニル）−２−（４”−アルキルオキシカルボニ
ルフェニル）−１，２，４−トリアジン、５−　（４’
　−アルコキシフェニル）−２−（４”−アルキルオキ
シカルボニルフェニル）　−１，２，４−トリアジン等
３．２．に挙げた化合物群のアルキル基、アルコキシ基
、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシカルボ
ニル基、の部分に不斉炭素を導入することにより、カイ
ラルスメクチツクＣ相を示す強誘電性液晶とした化合物
群。

一般式（Ｉ）で表される化合物は次のように合成される
。

一般式（Ｉ）で表される化合物のあるものは、次の一般
式（あ）で表されるようなアルコール誘導体と、次の一
般式（い）で表せられるハロゲン化アルキルまたはアル
コールのトシレートのような活性誘導体各種とを、水素
化ナトリウム、水酸化ナトリウムのような塩基存在下で
反応させれば得られる。

Ｒ１−（ＣＨ２ＣＨ２−０−）ｉ−Ｙｌ−Ｚｌ−Ｙ２−
Ｚ２−（Ｙ３−Ｚ３）ｍ−ＯＨ（あ） Ｘ−（ＣＨ２ＣＨ２−０−）ｎＲ２（い）（χはハロゲ
ンまたはトシレートのような活性基） また一般式ＣＩ）で表されるある化合物は、（あ）と次
の一般式（う）で表せられる酸ハロゲン化物、もしくは
次の一般式（え）で表せられるクコルギ酸アルキルエス
テルとを。

ピリジン、３級アミンのような塩基存在下で反応させれ
ば得られる。

Ｘ０Ｃ−（ＣＨ２ＣＨ２０）ｎ　−Ｒ２（う）ＣＩＣＯ
Ｏ−（ＣＨ２ＣＨ２０）ｎ−Ｒ２（え）また一般式（Ｉ
）で表されるある化合物は、次の一般式（お）で表され
るようなカルボン酸誘導体と、次の一般式（か）で表せ
られるアルキルアルコールとをＮ、Ｎ’−ジシクロへキ
シルカルボジイミドのような縮合剤を用いて縮合させる
か、あるいは一般式（お）で表される化合物から誘導さ
れる酸クロライドと（か）とをピリジン、３級アミンの
ような塩基存在下で反応させれば得られる Ｒ１−（ＣＨ２ＣＨ２−０−）ｉ−Ｙｌ−Ｚｌ−Ｙ２−
Ｚ２−（Ｙ３−Ｚ３）ｍｃＯＯＨ（お） ＨＯ−（ＣＨ２ＣＨ２−０−）ｎＲ２（か）また一般式
（Ｉ）で表されるある化合物は、次の一般式（き）で表
されるようなカルボン酸誘導体と、次の一般式（＜）で
表せられるアルコール誘導体とをＮ、Ｎ’−ジシクロへ
キシルカルボジイミドのような縮合剤を用いて縮合させ
るか、あるいは一般式（き）で表される化合物から誘導
される酸クロライドと（く）とをピリジン、３級アミン
のような塩基存在下で反応させれば得られる。

Ｒ１−（ＣＨ２ＣＨ２−０−）ｉ−Ｙｌ−Ｚｌ−ＣＯＯ
Ｈ（き）１１０−Ｚ２１Ｙ３−Ｚ３）ｍ−Ｙ４−（ＣＨ
２ＣＨ２０）ｎ−Ｒ２（＜　）また一般式（Ｉ）で表さ
れるある化合物は、次の一般式（け）で表されるような
アルコール誘導体と、次の一般式（こ）で表せられるカ
ルボン酸誘導体、あるいは次の一般式（さ）で表される
ようなカルボン酸誘導体と、次の一般式（シ）で表せら
れるアルコール誘導体、あるいは次の一般式（す）で表
されるようなアルコール誘導体と、次の一般式（せ）で
表せられるカルボン！！！２誘導体からも、　（き）と
（＜）からの場合と同様の方法で得られる。

Ｒ１−（ＣＨ２ＣＨ２−０−）ｉＹｌ−Ｚｌ−ＯＲ（け
）Ｈ００Ｃ４２−（Ｙ３−Ｚ３）ｍ−Ｙ４−（ＣＨ２Ｃ
ｌ（２−０−）ｎＲ２（こ）ｆ？１−（ＣＩ２ＣＨ２−
０−）ｉ−Ｙｌ−Ｚｌ−Ｙ２−Ｚ２−ＣＯＯＮ　　（さ
）ＩＩＱ−２３−Ｙ４−（Ｃ１（２ＣＨ２−０−）ｎＲ
２（Ｌ）Ｒ１−（Ｃ１１２ＣＨ２−０−）ｉ−Ｙｌ−Ｚ
ｌ−Ｙ２−Ｚ２−ＯＨ（す）ＨＯＯＣ−Ｚ３−Ｙ４−（
ＣＨ２ＣＨ２−０−）ｎＲ２（せ）また一般式（Ｉ）で
表されるある化合物は、次の一般式（そ）で表されるよ
うなアルコール誘導体と、次の一般式（た）で表せられ
るハロゲン化アルキルまたはアルコールのトシレートの
ような活性誘導体各種とを、水素化ナトリウム、水酸化
ナトリウムのような塩基存在下で反応させれば得られる
。

Ｒ１−（ＣＨ２Ｃ）１２−０−）ｉＹｌ−Ｚｌ−ＯＨ（
そ）Ｘ−ＣＨ２−２２−（Ｙ３−Ｚ３）ｍ−Ｙ４−（Ｃ
Ｈ２ＣＨ２−０−）ｎＲ２（た）また一般式（１）で表
されるある化合物は、次の一般式（ち）で表されるよう
なハロゲン化アルキルまたはアルコールのトシレートの
ような活性誘導体各種と１次の一般式（っ）で表せられ
るアルコール誘導体、あるいは次の一般式（て）で表さ
られるようなアルコール誘導体と、次の一般式（と）で
表せら九るハロゲン化アルキルまたはアルコールのトシ
レートのような活性誘導体各種、あるいは次の一般式（
な）で表されるようなハロゲン化アルキルまたはアルコ
ールのトシレートのような活性誘導体各種と、次の一般
式（に）で表せられるアルコール誘導体からも、　（そ
）と（た）からの場合と同様の方法で得られる。

Ｒ１−（ＣＩ（２Ｃ１２−０−）ｉＹｌ−Ｚｌ−ＣＨ２
Ｘ　　（ち）ＨＯ−Ｚ２１Ｙ３−Ｚ３）ｍ−Ｙ４−（Ｃ
Ｈ２ＣＨ２−０−）ｎＲ２（つ）Ｒ１−（Ｃ１１２ＣＨ
２−０−）ｉ−Ｙｌ−Ｚｌ−ＣＨ２０）１　　（テ）Ｘ
４２−（Ｙ３−Ｚ３）ｍ−Ｙ４−（ＣＨ２ＣＨ２−０−
）ｎＲ２（と）また一般式（Ｉ）で表されるある化合物
は、次の一般式（ぬ）で表されるようなハロゲン化アル
キルまたはアルコールのトシレートのような活性誘導体
各種と、次の一般式（ね）で表せられるアルコール誘導
体とを、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウムのような
塩基存在下で反応させれば得られる。

Ｒ１−（ＣＩ２ＣＨ２−０−）ｉｃＨ２ｃＩＩ２Ｘ　　
（ぬ）ＨＯ−ＣＨ２−Ｚｌ−Ｙ２−Ｚ２−（Ｙ３−Ｚ３
）ｍ−Ｙ４−（ＣＨ２ＣＨ２−０−）ｎＲ２（ね） また一般式（Ｉ）で表されるある化合物は。

次の一般式（の）で表されるような酸ハロゲン化物、も
しくは次の一般式（は）で表せられるクロルギ酸アルキ
ルエステルと、　（ね）とを、ピリジン、３級アミンの
ような塩基存在下で反応させれば得られる。

Ｒ１−（ＣＨ２ＣＨ２−Ｑ−）ｉｃＨ２ｃＨ２ｃＯＸ　
　（））Ｒ１−（ＣＨ２ＣＨ２−０−）ｉｃＯｃｌ　　
（は）また一般式（Ｉ）で表されるある化合物は、次の
一般式（ひ）で表されるようなアルキルアルコールと、
次の一般式（ふ）で表せられるカルボン酸誘導体とをＮ
、Ｎ’−ジシクロへキシルカルボジイミドのような縮合
剤を用いて縮合させるか、あるいは（ひ）と、一般式（
ふ）で表せられる化合物から誘導される酸クロライドと
を、ピリジン、３級アミンのような塩基存在下で反応さ
せれば得られる。

Ｒ１−（ＣＨ２ＣＨ２−０−）ｉＨ（ひ）１１００Ｃ−
Ｚｌ−Ｙ２−Ｚ２−　（Ｙ３−Ｚ３）ｍ−Ｙ４　・（Ｃ
Ｈ２ＣＨ２−０−）ｒ＋Ｒ２（ふ） ［発明の作用コ 本発明の化合物のうちあるものは、単品でＳｃ相を示す
。また、本発明の化合物のうち単独では強誘電性液晶と
はならない物質も、強誘電性液晶配合物の構成原料とし
て役立てることができる。

本発明の化合物のうち光学活性な化合物はホワイトティ
ラー型カラー表示用、コレステリックネマチック相転移
型表示用、ＴＮ型セルにおけるリバースドメイン発生防
止用等の目的でネマチック液晶に添加して泪いることも
可能である。

また本発明の化合物のあるものはスメクチック液晶とな
るので、熱書込レーザー書込等の記憶型表示素子用に用
いることも可能である。

［実施例コ 以下実施例により、本発明の化合物につき更に詳細に説
明するが、本発明は、これらの実施例により、限定され
るものではない。

以下、　Ｃ，ＳＸ％Ｓ＊、　Ｓｃ＊、　ＳＡ、Ｎ木、Ｎ
、１相はそれぞれ、結晶相、はっきりと同定できないス
メクチック相、はっきりと同定できないカイラルスメク
チック相、カイラルスメクチックＣ相、スメクチックＡ
相、カイラルネマチック相、ネマチック相、等方相を示
す。本発明の化合物の精製は、シリカゲルクロマトグラ
フィー及びアルコールまたはヘキサンによる再結晶によ
って行った。以下に示す相転移点の測定値は、物質の純
度により若干の影響を受けることもありうる。

実施例１ ５−（４−へキシルオキシフェニル）−２−（４−（１
，４，７，１０−テトラオキサウンデカン）フェニル）
ピリミジン（Ａ）の合成と評価 ５−（４−へキシルオキシフェニル）−２−（４−ヒド
ロキシフェニル）ピリミジン２ｇをジメチルホルムアミ
ド２０ｍ１に溶解し、そこに水素化ナトリウム０．２８
ｇ（純度６０％オイル中）を加え、アルコキシド化した
。さらに、３．　６．　９−デカノールのトシレー）１
．８ｇを加え４時間攪はんした。

反応液に水を加えた後、クロロホルムにより抽出した。

クロロホルムを留去して得られた粗生成物をシリカゲル
カラムにより精製、再結晶して、５−（４−へキシルオ
キシフェニル）−２−（４−（１，４，７，１０−テト
ラオキサウンデカン）フェニル）ピリミジン（Ａ）１．
５ｇを得た。

該化合物のＮＭＲスペクトルを図１に示す。

該化合物の相転移点は以下に示すとおりであった。

Ｃ−５Ｘ相転移点 ６８．１℃ ５ｘ−ｓｃ相転移点 ８２．４℃ ５Ｃ−８Ａ相耘転意 １３１℃ ５Ａ−１相転移点 １６８℃ このように、本発明の化合物は広い温度範囲でスメクチ
ックＣ相を示す有用な化合物である。

この化合物を他のスメクチックＣ相を示す化合物さらに
光学活性化合物と混合して、広い温度範囲で強誘電性を
示す液晶組成物を調製することができる。

実施例２ ２−（４−オクチルオキシフェニル）−５（１，４，７
，１０−テトラオキサウンデカン）ピリミジン（Ｂ）の
合成と評価 実施例１において５−（４−へキシルオキシフェニル）
　−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリミジンのかわ
りに２−（４−オクチルオキシフェニル）−５−ヒドロ
キシピリミジンを用いた他は全く同様にして、２−（４
−オクチルオキシフェニル）　−５−（１，４゜７．１
ｏ−テトラオキサウンデカン）ピリミジン（Ｂ）を得た
。

該化合物は融点４３℃の非液晶化合物であった。

実施例３ ２−　（４−（１，４，７，１０−テトラオキサウンデ
カン）フェニル）−５−オクチルオキシピリミジン（Ｃ
）の合成と評価 実施例１において５−（４−へキシルオキシフェニル）
−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリミジンのかわり
に２−（４−ヒドロキシフェニル）−５−オクチルオキ
シピリミジンを用いた他は全く同様にして、２−（４（
１，４，７，１０−テトラオキサウンデカン）フェニル
）−５−オクチルオキシピリミジン（Ｃ）を得た。

該化合物の融点は５５℃であり、該化合物は降温時に４
６℃から２９．５℃までＳＡ相をモノトロピックに示し
た。

実施例４ ２．５−ビス（１，４，７，１０−テトラオキサウンデ
カン）フェニル）ピラジン（Ｄ）の合成と評価 実施例１において５−（４−へキシルオキシフェニル）
　−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリミジンのかわ
りに２，５−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ピラジン
を用い、３゜６．９−デカノールのトシレートを倍等量
用いた他は全く同様にして、２，５−ビス（１゜４、　
７．　１０−テトラオキサウンデカン）フェニル）ピラ
ジン（Ｄ）を得た。

該化合物の相転移点は以下に示すとおりであった。

該化合物は融点１２３℃の非液晶化合物であった。

実施例５ 本発明の化合物とスメクチックＣ相を示す化合物及び光
学活性化合物を次の様に配合することにより強誘電性液
晶配合物を得た。

（Ａ）５ｗｔ％　（実施例１） （Ｂ）１ｗｔ％　（実施例２） （Ｃ）１ｗｔ％　（実施例３） （Ｄ）２ｗｔ％　（実施例４） ｐ−オクチルオキシ安息香酸　ｐ’　−（２−メチルブ
トキシ）フェニルエステル　１５ｗｔ％ ２−クロロ−３−メチルペンタンａｐ−（ｐ′−オクチ
ルオキシフェニル）フェニルエステル　４ｗｔ％ ２−クロロ−３−メチルペンタン酸　ｐ−（ｐ′−へブ
チルカルボニルオキシフェニル）フェニルエステル　４
ｗｔ％ ｐ−アルコキシ安息香酸　ｐ′−アルコキシフェニルエ
ステル　１３ｗｔ％ ２−（ｐ−アルコキシフェニル）−５−アルキルピリミ
ジン　２０ｗｔ％ ２−　（ｐ−アルコキシフェニル）−５−アルコキシピ
リミジン　２２ｗｔ％ ２−　（ｐ−アルコキシフェニル）−５−アルキルカル
ボニルオキシピリミジン　１１ｗｔ％ ｐ−（ｐ’−アルコキシフェニル）安息香酸アルキルエ
ステル　２ｗｔ％ 該配合物は、氷点下から６５℃までカイラルスメクチッ
クＣ相を、７０℃までスメクチック人相を７５℃までカ
イラルネマチック相を示す配合物であった。

該配合物を配向膜としてポリイミドをコートしたＩＴ○
ガラスを用いて構成したセル厚２ミクロンの液晶セルに
注入し、２０Ｖの矩形波を印加して偏光顕微鏡下で観察
した。良好なコントラストと高速応答（１００μＳｅＣ
以下）が観泗でき、本発明の配合物が、強誘電性液晶素
材として使用可能であることが確認できた。

このように、本発明の化合物は単品で強誘電性液晶とな
らない化合物であっても、スメクチックＣ相を示す化合
物と混合して、高速で応答する室温強誘電性液晶配合物
を調整するのに有用な化合物群であった。

［発明の効果コ 本発明の化合物のうちあるものは広い温度範囲でスメク
チックＣ相を示し、強誘電性液晶配合物の構成原料とし
て役立てることができる。

例えば本発明の化合物である５−（４−へキシルオキシ
フェニル）　−２−（４−（１゜４、　７．　１０−テ
トラオキサウンデカン）フェニル）ピリミジンは、スメ
クチックＣ相の温度範囲が８２．４℃〜１３１℃と広く
優れた性能を有する。また、エーテル基に起因するキレ
ート能によってイオントラップ効果を示し強誘電性液晶
配合物の電気光学特性の改良が期待できる。

【図面の簡単な説明】

図１は実施例１で得た５−（４−へキシルオキシフェニ
ル）　−２−（４−（１，４，７゜１０−テトラオキサ
ウンデカン）フェニル）ピリミジンのＮＭＲ＠Ｉｔｉス
ペクトルを示す。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１） 下記一般式（ I ）で表される化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただしＲ＾１、Ｒ＾２は炭素数１ないし１８の直鎖ま
   たは分枝のアルキル基、アルコキシ基、ハロアルキル基
   を示し、光学活性であつてもよい。 ｎ及びｉは０から１０までの整数であり、ｍは０または
   １である。但しｎまたはｉのうちいずれか一方は、炭素
   数３以上の整数である。 Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３及びＹ４は−ＣＯ２−、−ＯＣＯ−、
   −Ｏ−、−ＣＯ−、単結合、−ＯＣＨ２−、−ＯＣＯＯ
   −又は−ＣＨ２Ｏ−を示す。また、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３
   は１，４−フェニレン基、３，６−ピリダジニレン基、
   ２，５−ピリミジニレン基、２，５−ピラジニレン基、
   ２，５−ピリジニレン基、２，５−ナフタレン基、３，
   ８−ナフタレン基の中から１つずつ独立に選ばれ、Ｚ１
   、Ｚ２及びＺ３のうち任意に選ばれる二つ以上が、同時
   に同じでも、又異なつていてもよい。また、Ｚ１、Ｚ２
   、及びＺ３の水素原子はフッ素、臭素、塩素、シアノ基
   、メチル基で置換されていても良い。）
2. （２） 請求項（１）において、少なくとも一方の 側鎖にエーテル結合を３個以上含むことを特徴としたス
   メクチック液晶化合物
3. （３） 請求項（１）または請求項（２）記載の化 合物の含有量が０．１から２０重量パーセントであるこ
   とを特徴とした強誘電性液晶組成物